正式完成收購的信息。 MIPS ? 首席執(zhí)行官 Sameer Wasson 在論壇上 帶來《 Chatbot to robot: AI from the datacenter to the edge 》的演講 ， 描述了人工智
2025-09-25 17:41:25
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即便不考慮RF設備和工藝類型的變革，當今RF市場的挑戰(zhàn)也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司總裁兼首席執(zhí)行官Paul Dal Santo表示：“幾年前，RF還是一項相當簡單
2017-07-13 08:50:15
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術是一種新的工藝技術，有望成為其30納米以下的技術節(jié)點中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
工藝節(jié)點中設計，但是 FD-SOI 技術提供最低的功率，同時可以承受輻射效應。與體 CMOS 工藝相比，28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數(shù)據(jù)轉換器需要同時具有高帶寬和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
即便不考慮RF設備和工藝類型的變革，當今RF市場的挑戰(zhàn)也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司總裁兼首席執(zhí)行官Paul Dal Santo表示：“幾年前，RF還是一項相當簡單
2017-07-13 09:14:06
1月22日，Altera 在北京展示了號稱業(yè)界最全面的28nm 最新技術及強大解決方案。Altera公司的多位工程師為在京的媒體人士進行了講解。
2019-08-21 07:37:32
半導體為代表的歐洲半導體科研機構和公司相繼迎來技術突破，快速發(fā)展，為MRAM的商業(yè)化應用埋下了伏筆。 2014年，三星與意法半導體簽訂28nm FD-SOI技術多資源制造全方位合作協(xié)議，授權三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術優(yōu)勢？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應用？
2021-06-26 07:14:03
急求，有沒有大佬可以分享一下GF的45nm SOI RF庫？
2021-06-22 06:49:40
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
之前只用過tsmc 65nm的，在設置電感時候是有indcutor finder的工具的，28nm下沒有了嗎？只能自己掃描參數(shù)一個一個試？28nm下是沒有MIM電容了嗎？相關的模擬射頻器件（比如
2021-06-24 06:18:43
CSA集團新任總裁兼首席執(zhí)行官訪華
CSA集團新任總裁兼首席執(zhí)行官Ash Sahi先生近日開始了他在中國為期一周的訪問，這是Ash Sahi先生就任新職后首次訪問中國。CSA集
2009-12-12 09:24:551069 Altium任命沈宇豪為大中國區(qū)首席執(zhí)行官
Altium日前宣布任命沈宇豪為大中國區(qū)的地區(qū)首席執(zhí)行官（Regional CEO）。同時，大中國區(qū)從銷售區(qū)域提升為地區(qū)性業(yè)務部門。
2010-01-06 10:52:451438 Altium任命沈宇豪為大中國區(qū)首席執(zhí)行官
Altium日前宣布任命沈宇豪為大中國區(qū)的地區(qū)首席執(zhí)行官（Regional CEO）。同時，大中國區(qū)從銷售區(qū)域提升為地區(qū)性業(yè)務部門。&nb
2010-01-04 17:10:01801 22nm以后的晶體管技術領域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術都不需要向通
2010-06-23 08:01:42888 22nm以后的晶體管技術領域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421852 IBM、ARM同一批半導體生產商正在進行一項關于小功率SOI芯片組的研究計劃，打算將采用體硅制成的CMOS設計轉換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56658 NVIDIA首席執(zhí)行官黃仁勛在與分析師的電話會議當中表示，該公司將在最近的幾個月里有不斷增加資本支出，伴隨著低于預計的季度毛利率。NVIDIA同時指責臺積電28nm工藝代工的開普勒芯片
2012-02-20 08:39:141062 意法半導體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的硅中介服務採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501589 Intersil公司今天宣布總裁兼首席執(zhí)行官Dave Bell辭職,Intersil董事會已任命董事會成員James Diller先生為臨時總裁兼首席執(zhí)行官，立即生效。
2012-12-11 16:22:55894 日前，意法半導體（ST）宣布位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術，這證明了意法半導體以28奈米技術節(jié)點提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術的能力。
2012-12-14 08:45:271206 16/10nm之間搗鼓了一個12nm，其實就是16nm的深度改良版，號稱可帶來更高的晶體管集成度、更好的性能、更低的功耗，可以更好地競爭三星14nm、GlobalFoundries 12nm FD-SOI。
2017-05-13 01:07:141572 AMD剝離出來的代工廠GlobalFoundries(經常被戲稱為AMD女友)近日迎來好消息，上海復旦微電子已經下單采納其22nm FD-SOI工藝(22FDX)。
2017-07-11 08:56:221284 據(jù)報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術領導力，格芯FDX技術將賦能ST為新一代消費者和工業(yè)應用提供高性能、低功耗的產品。
2018-01-10 16:04:426591 集微網消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導體供應商意法半導體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術平臺，以支持用于工業(yè)及消費性
2018-01-10 20:44:021155 GlobalFoundries的FD-SOI技術已經略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導體（ST）的大單進補，在第二代FD-SOI技術解決方案領域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813 集中在28nm，但是下一代的18nm將不會太遠。FD SOI工藝將以28FDS和18FDS為基礎，提供基礎的工藝服務，未來將開發(fā)RF和eMRAM技術。
2018-04-10 17:30:002144 ST表示，與傳統(tǒng)的塊狀硅技術相較，FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性，而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容；此外該技術能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:001097 物聯(lián)網FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術，除了即將量產的7奈米FinFET尖端制程，以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米制程節(jié)點，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002872 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術取得了36項設計訂單，其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對手三星則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:135272 格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內首個多節(jié)點FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統(tǒng)而設計。
2018-05-14 15:54:003070 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術平臺已通過AEC-Q100(2級)認證，準備投入量產。作為業(yè)內符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:001951 微軟
首席執(zhí)行官Satya Nadella
在最近的一次投資者會議上表示：“人工智能將成為未來技術發(fā)展的
重要趨勢之一?！?/div>
2018-06-08 14:27:553515 生產FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產），三星代工廠（28納米工藝投產中，18納米工藝計劃投產），以及格芯代工廠（22納米工藝投產中，12納米計劃投產）。
2018-08-02 11:35:245500 今天，Globalfoundries（簡稱GF）宣布無限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:013623 日前，格羅方德宣布停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝和22/12nm FD-SOI工藝。
2018-09-03 16:41:425853 昨天Globalfoundries公司宣布退出7nm及未來的先進工藝之爭，專注14/12nm FinFET及22nm FD-SOI工藝，雖然他們還提到了未來某天有可能殺回來，但是這對市場已經沒什么影響了。
2018-09-04 11:08:362892 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應，滿足當下及未來消費品、物聯(lián)網和汽車應用等領域的需求，確保FD-SOI技術大量供應。
2019-01-22 09:07:00871 隨著FD-SOI技術在系統(tǒng)芯片(SoC)設備的設計中越發(fā)受到關注，Soitec的業(yè)務也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財務報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:123407 公司首席財務官及7個月的英特爾臨時首席執(zhí)行官，是英特爾50年歷史上第七位首席執(zhí)行官。Swan先生還被選為英特爾董事會成員。 Robert（Bob）Swan上任首日發(fā)表了致英特爾員工、客戶和合作伙伴的公開信。在信中他提到自己很榮幸被任命為英特爾的首席執(zhí)行官： “我熱愛此前首席財務官的角色
2019-02-01 16:13:01356 昨（28）日，Lumileds 宣布任命 Jonathan Rich 為首席執(zhí)行官。
2019-03-01 15:15:001645 三星宣布已經開始大規(guī)模生產首款商用EMRAM產品，該產品基于28nm FD-SOI工藝技術，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:581340 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結深已仍不能很好的改善短溝道效應。在SOI絕緣層上的平面硅技術基礎上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
13 值得注意的是，去年6月，格芯開始全球裁員，在建的成都12寸晶圓廠項目招聘暫停。去年8月，格芯宣布無限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2019-04-24 16:23:214152 為求低功耗、高能效及高性價比之元件，市場逐漸開發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結構；而FD-SOI構造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進而以水平式晶體管架構，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:205089 
日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個長期的300 mm SOI芯片長期供應協(xié)議以滿足格芯的客戶對于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術平臺日益增長的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關系上，此份協(xié)議即刻生效，以確保未來數(shù)年的高水平大批量生產。
2019-06-11 16:47:333991 事實勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比，本次論壇多家公司以已經采用FD-SOI工藝的產品說明其優(yōu)勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:454242 長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:004363 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:445032 三星宣布已經開始大規(guī)模生產首款商用EMRAM產品，該產品基于28nm FD-SOI工藝技術，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591577 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。作為業(yè)界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費領域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網及汽車等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:161136 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產品。
2020-02-12 22:57:171218 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產品。
2020-02-27 14:54:381080 Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術，該公司正在與幾個客戶合作，計劃在2020年實現(xiàn)多個流片。
2020-03-03 15:10:302807 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產。
2020-03-11 10:54:371159 新的優(yōu)步首席執(zhí)行官與通用電氣（General Electric）前首席執(zhí)行官杰弗里·里·伊梅爾特（Jeffrey RImmelt）和惠普（Hewlett Packard Enterprise）前
2020-04-03 15:17:282874 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯(lián)網等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-06 17:03:362535 
“FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯(lián)網等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-07 16:04:044287 重點 ● 雙方在技術賦能方面的緊密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ （12nm FinFET） 以及22FDX （22nm FD-SOI） 平臺釋放最佳PPA潛能
2020-10-23 16:17:092863 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品，包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:446557 Holtzman由Cipia董事會任命，是一位資深企業(yè)家兼首席執(zhí)行官，在私營和上市科技公司有著豐富經驗，將接替即將退任的首席執(zhí)行官David Tolub。David Tolub曾帶領Cipia成功轉向汽車市場
2022-05-11 09:47:521377 
GF也為數(shù)字IC制造提供了28nm Planar CMOS FET的替代品，如12nm和14nm FinFET和22nm FD-SOI工藝，該公司也將大量精力和研發(fā)資金集中在為其舊的Planar CMOS工藝節(jié)點尋找新的、有趣的能力。該公司稱這些額外的處理能力為“模塊”。
2022-08-30 10:07:385302 于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請到國內外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內的重要企業(yè)專家參與。三年內國內外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化，FD-SOI的產業(yè)格局和技術又有哪些變化？ ? 半導體工藝在2001年的新工藝技術的兩條路
2023-11-01 16:39:043350 
，在AI時代下邊緣端設備會出現(xiàn)高速發(fā)展，而FD SOI制造工藝對于AI邊緣芯片市場增長來說非常重要。 ? 圖：IBS CEO Handel Jones在論壇上致詞發(fā)表對全球半導體產業(yè)的預測和看法 到
2023-11-21 17:39:112993 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46939 
來源：半導體芯科技編譯 新任首席執(zhí)行官加入Nordic（北歐半導體）接替前任首席執(zhí)行官Svenn-Tre Larsen后，將在CES 2024上，與重要客戶和合作伙伴會面。 繼最近被北歐半導體董事會
2024-01-15 17:34:56788 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:365137 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:231482 電子發(fā)燒友網報道（文/吳子鵬）2024年10月23日，第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開，芯原股份創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民博士做開幕致辭，并分享了過往和當前FD-SOI發(fā)展的一些情況
2024-10-23 10:02:421288 
相變存儲器（ePCM）。 ? 在FD-SOI領域，三星已經深耕多年，其和意法半導體之間的合作也已經持續(xù)多年。早在2014年，意法半導體就曾對外宣布，選擇三星28nm FD-SOI工藝來量產自己的產品
2024-10-23 11:53:05990 
空間。當然，從AIoT這個應用方向也能夠看出，RF IP對于基于FD-SOI工藝打造芯片是至關重要的。 ? 在第九屆上海FD-SOI論壇上，芯原股份無線IP平臺高級總監(jiān)曾毅分享了主題為《為SoC設計提供基于FD-SOI的IP技術平臺》的報告，詳細介紹了芯原股份基于FD-SOI的無線
2024-10-23 16:04:441107 
)和三星的合作，它已經在微控制器領域找到了自己的出路。早在2018年，意法半導體就宣布，它正在為汽車市場提供采用28nm FD-SOI工藝制造的嵌入式PCM (ePCM)微控制器?，F(xiàn)在，意法半導體宣布了
2025-01-21 10:27:131124 
芯原股份今日發(fā)布其無線IP平臺，旨在幫助客戶快速開發(fā)高能效、高集成度的芯片，廣泛應用于物聯(lián)網和消費電子領域。該平臺基于格羅方德（GF）22FDX?（22納米FD-SOI）工藝，支持短程、中程及遠程
2025-09-25 10:52:23421 議題展開了深入對話。格羅方德超低功耗CMOS產品線高級副總裁 Ed Kaste（埃德?卡斯特）以及格羅方德旗下MIPS公司首席執(zhí)行官Sameer Wasson（薩米爾?沃森）在論壇中帶來了精彩演講。
2025-10-10 14:46:25584 2025年9月25日，第十屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店圓滿舉辦。本次論壇由芯原股份 (簡稱“芯原”)、新傲科技和新傲芯翼主辦，SEMI中國和SOI國際產業(yè)聯(lián)盟協(xié)辦。超過300位來自襯底
2025-10-13 16:45:401030 
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工商網監(jiān)
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