2022 年 4 月 21日，中國(guó)——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半導(dǎo)體宣布一項(xiàng)新的合作協(xié)議，四家公司計(jì)劃聯(lián)合制定行業(yè)的下一代 FD-SOI(全耗盡型
2022-04-21 17:18:48
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意法半導(dǎo)體宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺(tái)在測(cè)試中取得又一項(xiàng)重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:241837 
意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲(chǔ)器，有望突破更高性能，以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。
2013-11-09 08:54:091663 格羅方德半導(dǎo)體（GLOBALFOUNDRIES）今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿(mǎn)足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX?”平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)提供了一個(gè)最佳解決方案。
2015-07-14 11:18:182347 Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321545 Samsung Foundry行銷(xiāo)暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪(fǎng)問(wèn)時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是在
2016-07-28 08:50:141435 晶體管（FinFET）制程技術(shù)外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場(chǎng)，并推出22納米及12納米FDX制程平臺(tái)，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機(jī)。
2016-11-17 14:23:221271 2017年2月10日，Globalfoundries（格芯）宣布在中國(guó)成都高新西區(qū)建立12英寸代工廠(chǎng)，在半導(dǎo)體業(yè)界造成了巨大的影響：項(xiàng)目一期為成熟的130nm和180nm工藝，二期則為其22 FDX FD-SOI工藝，建成后年產(chǎn)能將達(dá)到100萬(wàn)片。
2017-03-08 11:21:085463 22納米 FD-SOI (22FDX)平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車(chē)等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國(guó)所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲(chǔ)
2017-09-25 17:21:098685 美國(guó)加利福尼亞圣克拉拉，2017年9月20日 -- 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出面向下一代無(wú)線(xiàn)和物聯(lián)網(wǎng)芯片的射頻/模擬PDK（22FDX?-rfa）解決方案，以及面向5G、汽車(chē)
2017-09-27 11:16:539380 5G時(shí)代將對(duì)半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對(duì)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來(lái)越高的要求。此時(shí)，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)日漸凸顯，人們對(duì)SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5713150 今日，格芯 與 eVaderis共同宣布，將共同開(kāi)發(fā)超低功耗MCU參考設(shè)計(jì)方案，該方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX?）平臺(tái)的嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。雙方合作所提供的技術(shù)
2018-03-01 14:52:0611765 格芯Fab1廠(chǎng)總經(jīng)理兼高級(jí)副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:1910317 格芯今日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺(tái)的嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器(eMRAM)已投入生產(chǎn)。格芯正在接洽多家客戶(hù)，計(jì)劃2020年安排多次生產(chǎn)流片。 此次公告是一個(gè)重要的行業(yè)
2020-02-29 08:30:005701 第十屆上海 FD-SOI 論壇 2025 年 9 月 25 日在上海浦東香格里拉大酒店舉辦。本次論壇由芯原股份、新傲科技和新傲芯翼主辦， SEMI 中國(guó)和 SOI 國(guó)際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟協(xié)辦。 論壇匯聚了全球
2025-09-25 14:11:367748 
第十屆上海 FD-SOI 論壇 ? 2025 年 9 月 15 日 下午的專(zhuān)題二環(huán)節(jié) ， 繼續(xù) 聚焦 FD-SOI 的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)， 來(lái)自多家全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)公司的 專(zhuān)家 、 國(guó)內(nèi)大學(xué) 學(xué)者和企業(yè)代表
2025-09-25 17:41:258706 
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術(shù)是一種新的工藝技術(shù)，有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
等嚴(yán)格要求的專(zhuān)用計(jì)算機(jī)系統(tǒng)?？梢赃@樣認(rèn)為，嵌入式系統(tǒng)是一種專(zhuān)用的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，作為裝置或設(shè)備的一部分。通常，嵌入式系統(tǒng)是一個(gè)控制程序存儲(chǔ)在ROM中的嵌入式處理器控制板。事實(shí)上，所有帶有數(shù)字接口的設(shè)備，如
2020-08-12 00:00:00
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專(zhuān)用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
Cache 或者片上存儲(chǔ)器?！ ?duì)于嵌入式設(shè)備上的數(shù)據(jù)密集的應(yīng)用，數(shù)據(jù)Cache 與片上存儲(chǔ)器相比存在以下缺陷：(1) 片上存儲(chǔ)器是固定的單周期訪(fǎng)問(wèn)，可在設(shè)計(jì)時(shí)而不是運(yùn)行時(shí)研究數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)模式；而Cache還要
2019-07-02 07:44:45
嵌入式最小硬件系統(tǒng)是由哪些部分組成的？嵌入式系統(tǒng)使用的存儲(chǔ)器是如何進(jìn)行劃分的？可分為哪幾類(lèi)？
2021-10-22 07:18:56
嵌入式軟件開(kāi)發(fā)的存儲(chǔ)器有哪些呢？分別有什么優(yōu)缺點(diǎn)？嵌入式軟件開(kāi)發(fā)的處理器是什么？有何功能？
2021-12-24 06:15:25
3GS/s，100MS/s 時(shí)有效位數(shù) (ENOB) 為 8.6，功耗僅為 13mW，采用 GlobalFoundries 的 22nm FD-SOI 工藝制造。Ken 展示的第一款低功耗數(shù)模轉(zhuǎn)換器
2023-02-07 14:11:25
EVERSPIN非易失性存儲(chǔ)器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
的可擦寫(xiě)次數(shù)多，并且性能有所提高。如果這兩種存儲(chǔ)器的成本一樣，肯定會(huì)選擇MRAM。當(dāng)采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時(shí),將有可能實(shí)現(xiàn)對(duì)車(chē)載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:41:05
早有計(jì)劃。 2017年，三星與NXP達(dá)成代工合同，從這一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列將通過(guò)三星28nm FD-SOI工藝批量生產(chǎn)，并計(jì)劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)將用于下一代
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用？
2021-06-26 07:14:03
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開(kāi)發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣，才能實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)呢？
2019-08-02 06:49:22
新興存儲(chǔ)器MRAM與ReRAM嵌入式市場(chǎng)
2020-12-17 06:13:02
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線(xiàn)？提前謝謝Gadora 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
怎么設(shè)計(jì)一種面向嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)的IIP？如何解決設(shè)計(jì)和制造過(guò)程各個(gè)階段的良品率問(wèn)題？嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)技術(shù)的未來(lái)趨勢(shì)是什么？STAR存儲(chǔ)器系統(tǒng)的功能是什么？
2021-04-15 06:05:51
本文設(shè)計(jì)了一種基于0.13 微米CMOS 工藝的FPGA 芯片中的嵌入式存儲(chǔ)器模塊。該容量為18Kb 的同步雙端口存儲(chǔ)模塊，可以配置成為只讀存儲(chǔ)器或靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，每個(gè)端口有6 種數(shù)據(jù)寬
2009-12-19 16:19:50
24 文章中簡(jiǎn)要介紹了嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展歷程，詳細(xì)地介紹了基于標(biāo)準(zhǔn)工藝上嵌入式存儲(chǔ)器的技術(shù)關(guān)鍵詞：IP SOC 存儲(chǔ)器 eDRAM OTP MTP 嵌入式閃存 1T-SRAM2T-SRAMAbstract: Paper reviews h
2009-12-21 10:38:1732 微芯面向嵌入式推出模擬電阻式觸摸屏控制器
Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）今天宣布，推出嵌入式行業(yè)最具創(chuàng)新性的模擬電阻式觸
2009-11-10 17:03:55948 滿(mǎn)足StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器要求的LDO應(yīng)用電路
德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線(xiàn)性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它
2010-02-04 09:35:34838 
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42888 德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線(xiàn)性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130
2010-07-13 10:03:26825 
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421852 嵌入式存儲(chǔ)器正逐漸成為SoC的主體結(jié)構(gòu)，對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行內(nèi)建自測(cè)試（BIST, Build-in Self-Test）和內(nèi)建自修復(fù)（BISR, Build-in Self-Repair）是降低制造成本，提高SoC成品率和可靠性的必要環(huán)
2011-05-28 16:39:0153 深圳江波龍電子召開(kāi)媒體交流會(huì)，宣布推出新一代嵌入式MMC卡(eMMC)和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)產(chǎn)品，填補(bǔ)了本土品牌在嵌入式存儲(chǔ)器領(lǐng)域的空白
2011-08-16 09:03:55853 很多嵌入式芯片都集成了多種存儲(chǔ)器（RAM、ROM、Flash、），這些存儲(chǔ)器的介質(zhì)、工藝、容量、價(jià)格、讀寫(xiě)速度和讀寫(xiě)方式都各不相同，嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)需根據(jù)應(yīng)用需求巧妙地規(guī)劃和利用
2011-11-24 11:43:45101 《集成電路應(yīng)用》雜志日前采訪(fǎng)了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的嵌入式存儲(chǔ)器方案提供商深圳江波龍電子有限公司嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品總監(jiān)王景陽(yáng)先生，請(qǐng)他就平板電腦如果選用嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行了介紹。
2012-04-20 13:35:292316 AMD剝離出來(lái)的代工廠(chǎng)GlobalFoundries(經(jīng)常被戲稱(chēng)為AMD女友)近日迎來(lái)好消息，上海復(fù)旦微電子已經(jīng)下單采納其22nm FD-SOI工藝(22FDX)。
2017-07-11 08:56:221284 在嵌入式系統(tǒng)中，存儲(chǔ)資源是非常寶貴的。一些芯片，尤其是超大規(guī)模集成電路和低端微處理器可能僅有很少的板載內(nèi)存。RAM直接建于芯片內(nèi)部，因此無(wú)法擴(kuò)展。嵌入式快閃存儲(chǔ)器是從EPROM和EEPROM發(fā)展而來(lái)
2017-10-16 17:20:500 據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來(lái)提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:426591 集微網(wǎng)消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術(shù)平臺(tái)，以支持用于工業(yè)及消費(fèi)性
2018-01-10 20:44:021155 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來(lái)消息，又迎來(lái)意法半導(dǎo)體（ST）的大單進(jìn)補(bǔ)，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813 ）平臺(tái)的嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。雙方合作所提供的技術(shù)解決方案將格芯22FDX eMRAM優(yōu)異的可靠性與多樣性與eVaderis的超低耗電IP結(jié)合，適合包括電池供電的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品、消費(fèi)及工業(yè)
2018-03-02 15:29:01315 格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布推出業(yè)內(nèi)首個(gè)基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進(jìn)的RF SOI技術(shù)，可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動(dòng)和無(wú)線(xiàn)通信應(yīng)用的前端模塊（FEM）帶來(lái)顯著的性能、集成和面積優(yōu)勢(shì)。
2018-05-03 11:48:001821 晶圓代工廠(chǎng)格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單，其中有超過(guò)十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:135272 格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線(xiàn)圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，專(zhuān)為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)等各類(lèi)應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:003070 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺(tái)已通過(guò)AEC-Q100(2級(jí))認(rèn)證，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001951 晶圓代工大廠(chǎng)格芯（GlobalFoundries）在10日宣布，旗下的22FDX制程已經(jīng)進(jìn)行了50多個(gè)設(shè)計(jì)訂單，合約總金額突破了20億美元。以這樣的合約金額來(lái)計(jì)算，因?yàn)?017年格芯全年的總營(yíng)收落在61.76億美元。因此，這么一個(gè)成熟技術(shù)制程能有如此規(guī)模的營(yíng)收，算是發(fā)展相當(dāng)成功。
2018-07-11 16:51:002494 生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)），三星代工廠(chǎng)（28納米工藝投產(chǎn)中，18納米工藝計(jì)劃投產(chǎn)），以及格芯代工廠(chǎng)（22納米工藝投產(chǎn)中，12納米計(jì)劃投產(chǎn)）。
2018-08-02 11:35:245500 晶圓代工大廠(chǎng)格芯在28日宣布，無(wú)限期停止7納米制程的投資與研發(fā)，轉(zhuǎn)而專(zhuān)注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程，及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002751 雙方攜手采用Imagination的Ensigma連接方案半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（connectivity IP），在GF的22nm FD-SOI（22FDX?）工藝平臺(tái)上，為業(yè)界提供用于低功耗藍(lán)牙
2018-09-26 11:14:505062 關(guān)鍵詞：22FDX , AI芯片 , FD-SOI 近日，云天勵(lì)飛以及瑞芯微電子宣布，它們采用格芯22FDX技術(shù)自主研發(fā)設(shè)計(jì)的AI芯片成功流片。2018年7月，格芯宣布其22FDX技術(shù)憑借優(yōu)良性
2018-11-05 16:31:02500 Soitec與三星晶圓代工廠(chǎng)擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)，滿(mǎn)足當(dāng)下及未來(lái)消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)應(yīng)用等領(lǐng)域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00871 關(guān)鍵詞：自適應(yīng)體偏置 , FD-SOI , 22FDX IP加快節(jié)能型SoC設(shè)計(jì)，推動(dòng)單芯片集成界限 格芯(GF)和領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP提供商Dolphin Integration今日宣布，雙方正在合作
2019-02-24 15:56:01574 三星宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:581340 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線(xiàn)上，開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-16 10:24:271146 當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí)，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0013 值得注意的是，去年6月，格芯開(kāi)始全球裁員，在建的成都12寸晶圓廠(chǎng)項(xiàng)目招聘暫停。去年8月，格芯宣布無(wú)限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專(zhuān)注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2019-04-24 16:23:214152 為求低功耗、高能效及高性?xún)r(jià)比之元件，市場(chǎng)逐漸開(kāi)發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結(jié)構(gòu)；而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心，透過(guò)傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu)，取代線(xiàn)寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:205089 
日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個(gè)長(zhǎng)期的300 mm SOI芯片長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議以滿(mǎn)足格芯的客戶(hù)對(duì)于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺(tái)日益增長(zhǎng)的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關(guān)系上，此份協(xié)議即刻生效，以確保未來(lái)數(shù)年的高水平大批量生產(chǎn)。
2019-06-11 16:47:333991 事實(shí)勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢(shì)相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說(shuō)明其優(yōu)勢(shì)，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:454242 長(zhǎng)期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢(shì)的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對(duì)FD-SOI未來(lái)走勢(shì)做出預(yù)測(cè)。
2019-08-06 16:25:004363 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問(wèn)題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:445032 格芯的戰(zhàn)略是為快速增長(zhǎng)市場(chǎng)中的客戶(hù)提供高度差異化、高附加值的解決方案，而踐行這一承諾的實(shí)際成果就是我們的22nmFD-SOI（22FDX）嵌入式MRAM非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)。多家物聯(lián)網(wǎng)大客戶(hù)已經(jīng)進(jìn)入這項(xiàng)技術(shù)的試驗(yàn)性生產(chǎn)階段。
2019-09-04 15:25:088933 獲取嵌入式存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的另一種方法是利用存儲(chǔ)器編譯器，它能夠快捷和廉價(jià)地設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器物理模塊。
2019-10-18 11:52:161386 
據(jù)外媒報(bào)道稱(chēng)，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開(kāi)發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282970 據(jù)外媒報(bào)道稱(chēng)，美國(guó)半導(dǎo)體晶圓代工廠(chǎng)商GlobalFoundries（格芯）宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開(kāi)發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27725 格芯（GLOBALFOUNDRIES）的22nm FD-SOI（22FDX）平臺(tái)上的嵌入式磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（eMRAM）已正式投入生產(chǎn)。同時(shí)格芯正與多家客戶(hù)共同合作，計(jì)劃于2020年實(shí)現(xiàn)多重下線(xiàn)生產(chǎn)
2020-03-04 17:27:352668 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺(tái)，新型存儲(chǔ)器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器）已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:371159 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機(jī)、汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)等。在過(guò)去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開(kāi)始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”，Soitec
2020-07-07 16:04:044287 重點(diǎn) ● 雙方在技術(shù)賦能方面的緊密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ （12nm FinFET） 以及22FDX （22nm FD-SOI） 平臺(tái)釋放最佳PPA潛能
2020-10-23 16:17:092863 FPGA中嵌入式塊存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)(嵌入式開(kāi)發(fā)平臺(tái))-該文檔為FPGA中嵌入式塊存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
2021-08-04 10:14:406 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問(wèn)世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺(tái)的兩款新品。
2021-08-14 10:07:446557 一些自旋電子存儲(chǔ)器已經(jīng)面世。MRAM（磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器）已經(jīng)商業(yè)化，在某些情況下可以取代電子存儲(chǔ)器，但它是基于鐵磁開(kāi)關(guān)的。
2022-07-22 17:05:142353 GlobalFoundries 22FDX平臺(tái)是物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、智能移動(dòng)和汽車(chē)市場(chǎng)的熱門(mén)之選。GlobalFoundries的認(rèn)證可確保Ansys工具提供業(yè)界領(lǐng)先的預(yù)測(cè)準(zhǔn)確性，以幫助驗(yàn)證超低功耗、高速和射頻（RF）設(shè)計(jì)的功能正確。
2022-12-12 15:35:151026 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:391353 
（電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng)報(bào)道）2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行，論壇由芯原股份和新傲科技主辦，SEMI中國(guó)和SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟支持。該活動(dòng)自2013年開(kāi)始每年舉行一次，上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:043350 
，作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司，發(fā)布了其最新的技術(shù)成果——22FDX?平臺(tái)。這個(gè)平臺(tái)以其卓越的性能和適應(yīng)性，正在成為人工智能（AI）和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等新興技術(shù)的關(guān)鍵推動(dòng)力。 ? GlobalFoun
2023-11-15 14:53:382726 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46939 
本文簡(jiǎn)單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:365128 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù)，能夠通過(guò)簡(jiǎn)化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標(biāo)：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲(chǔ)和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:231482 近日，英國(guó)劍橋的半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）領(lǐng)軍企業(yè)Agile Analog宣布了一項(xiàng)重要里程碑，成功在格羅方德（GlobalFoundries，簡(jiǎn)稱(chēng)格芯）的FinFET及FDX FD-SOI先進(jìn)工藝平臺(tái)
2024-07-27 14:41:321733 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）2024年10月23日，第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開(kāi)，芯原股份創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁戴偉民博士做開(kāi)幕致辭，并分享了過(guò)往和當(dāng)前FD-SOI發(fā)展的一些情況
2024-10-23 10:02:421288 
Handel Jones。 ? 2023年第八屆上海FD-SOI論壇，Handel Jones就曾受邀出席，當(dāng)時(shí)他分享的主題是《為什么FD-SOI對(duì)生成式人工智能時(shí)代的邊緣設(shè)備非常重要》，主要談到
2024-10-23 10:22:161108 
22FDX工藝，在這個(gè)工藝上格羅方德取得了值得肯定的成績(jī)。 ? 在2024年第九屆上海FD-SOI論壇上，格羅方德亞洲區(qū)總裁兼中國(guó)區(qū)主席洪啟財(cái)受邀出席，他在題為《解鎖未來(lái)：推動(dòng) FDX?（FD-SOI）技術(shù)進(jìn)步》的分享中再一次介紹了格羅方德在FD-SOI技術(shù)方面的布局和路線(xiàn)。
2024-10-23 10:46:001261 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）今年上半年，三星在FD-SOI工藝上面再進(jìn)一步。3月份，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布與三星聯(lián)合推出18nm FD-SOI工藝。該工藝支持嵌入式
2024-10-23 11:53:05990 
空間。當(dāng)然，從AIoT這個(gè)應(yīng)用方向也能夠看出，RF IP對(duì)于基于FD-SOI工藝打造芯片是至關(guān)重要的。 ? 在第九屆上海FD-SOI論壇上，芯原股份無(wú)線(xiàn)IP平臺(tái)高級(jí)總監(jiān)曾毅分享了主題為《為SoC設(shè)計(jì)提供基于FD-SOI的IP技術(shù)平臺(tái)》的報(bào)告，詳細(xì)介紹了芯原股份基于FD-SOI的無(wú)線(xiàn)
2024-10-23 16:04:441107 
)和三星的合作，它已經(jīng)在微控制器領(lǐng)域找到了自己的出路。早在2018年，意法半導(dǎo)體就宣布，它正在為汽車(chē)市場(chǎng)提供采用28nm FD-SOI工藝制造的嵌入式PCM (ePCM)微控制器?，F(xiàn)在，意法半導(dǎo)體宣布了
2025-01-21 10:27:131124 
芯原股份今日發(fā)布其無(wú)線(xiàn)IP平臺(tái)，旨在幫助客戶(hù)快速開(kāi)發(fā)高能效、高集成度的芯片，廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。該平臺(tái)基于格羅方德（GF）22FDX?（22納米FD-SOI）工藝，支持短程、中程及遠(yuǎn)程
2025-09-25 10:52:23421 為期兩天的第十屆上海FD-SOI論壇上周圓滿(mǎn)落幕。作為半導(dǎo)體行業(yè)年度技術(shù)盛會(huì)，本次論壇匯聚了全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂尖專(zhuān)家、企業(yè)高管及學(xué)術(shù)代表，圍繞 FD-SOI工藝的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、發(fā)展趨勢(shì)、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)等核心
2025-10-10 14:46:25584 2025年9月25日，第十屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店圓滿(mǎn)舉辦。本次論壇由芯原股份 (簡(jiǎn)稱(chēng)“芯原”)、新傲科技和新傲芯翼主辦，SEMI中國(guó)和SOI國(guó)際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟協(xié)辦。超過(guò)300位來(lái)自襯底
2025-10-13 16:45:401029
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