微流控光刻掩膜制作

微流控光刻掩膜的制作過(guò)程涉及多個(gè)步驟，?包括設(shè)計(jì)、?制版、?曝光、?顯影、?刻蝕等，?最終形成具有特定圖形結(jié)構(gòu)的掩膜版。? 首先，?設(shè)計(jì)階段是制作掩膜版...

2024-08-08 標(biāo)簽：光刻微流控掩膜 1.1k 0

龍圖光罩科創(chuàng)板IPO獲批，募投項(xiàng)目技術(shù)和經(jīng)濟(jì)可行性是關(guān)鍵?

龍圖光罩擁有130nm及以上節(jié)點(diǎn)的半導(dǎo)體掩模版制備頂尖技術(shù)，覆蓋 CAM、光刻、檢測(cè)全流程。在功率半導(dǎo)體掩模版領(lǐng)域，其工藝節(jié)點(diǎn)已能充分滿(mǎn)足全球主流制程的需求。

2023-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻功率半導(dǎo)體 1.1k 0

IC載板制造商需要了解的光刻技術(shù)信息

? 圖像轉(zhuǎn)移，也稱(chēng)為光刻技術(shù)（或簡(jiǎn)稱(chēng)光刻），在PCB的電路圖形方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。它能實(shí)現(xiàn)復(fù)雜和精確的連接，以支持在更小的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)更多連接。隨著對(duì)更高密度...

2024-12-05 標(biāo)簽：pcb封裝光刻 1.1k 0

汽車(chē)行業(yè)能否跨越半導(dǎo)體“傻瓜的圍墻”？

在本文中，首先論述半導(dǎo)體業(yè)界中存在著怎樣的“傻瓜的圍墻”。接下來(lái)，由于半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)到處都有壁壘，所以行業(yè)內(nèi)外之間存在著巨大的差異。然后進(jìn)一步說(shuō)明汽車(chē)與半...

2022-11-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 1.1k 0

隆基27.09%刷新硅太陽(yáng)能電池效率世界紀(jì)錄

針對(duì)HBC太陽(yáng)電池圖形化技術(shù)高成本的瓶頸，隆基綠能持續(xù)自主創(chuàng)新研發(fā)，放棄了高成本的光刻工藝，采用全激光圖形化技術(shù)實(shí)現(xiàn)了27.09%的轉(zhuǎn)換效率。

2023-12-20 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池光刻隆基 1.1k 0

關(guān)于高數(shù)值孔徑EUV和曲線光掩模等燈具的討論

半導(dǎo)體芯科技編譯 來(lái)源：Silicon Semiconductor eBeam Initiative已完成第12屆年度eBeam Initiative杰...

2023-10-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻EUV 1.1k 0

IBM、美光、應(yīng)用材料、東京電子宣布合作建設(shè) High-NA EUV 研發(fā)中心

12 月 12 日消息，今天早些時(shí)候，紐約州長(zhǎng)凱西?霍楚爾（Kathy Hochul ）宣布與 IBM、美光、應(yīng)用材料、東京電子（東京威力科創(chuàng)）等半導(dǎo)體...

2023-12-14 標(biāo)簽：IBM光刻美光 1k 0

正性光刻對(duì)掩膜版有何要求

正性光刻對(duì)掩膜版的要求主要包括以下幾個(gè)方面： 基板材料：掩膜版的基板材料需要具有良好的透光性、穩(wěn)定性以及表面平整度。石英是常用的基板材料，因?yàn)樗哂休^低...

2025-02-17 標(biāo)簽：光刻掩膜 1k 0

美光計(jì)劃部署納米印刷技術(shù)，降低DRAM芯片生產(chǎn)成本

3 月 5 日消息，美光科技公司計(jì)劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù)，從而進(jìn)一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲(chǔ)芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場(chǎng)演講，介紹在將...

2024-03-06 標(biāo)簽：光刻美光DRAM芯片 988 0

飛秒激光在精密光子學(xué)制造中的應(yīng)用

精密光子制造中為什么要使用飛秒激光?飛秒激光器發(fā)射持續(xù)時(shí)間低于一皮秒的超短光脈沖，達(dá)到飛秒級(jí)(1fs=10-15s)。飛秒激光的特點(diǎn)是脈沖寬度極短，峰值...

2024-06-17 標(biāo)簽：激光光刻光譜 968 0

英特爾推進(jìn)面向未來(lái)節(jié)點(diǎn)的技術(shù)創(chuàng)新，在2025年后鞏固制程領(lǐng)先性

英特爾正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，目前，Intel 7，采用EUV（極紫外光刻）技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。...

2024-05-16 標(biāo)簽：英特爾光刻EUV 953 0

分析：450mm，EUV，TSV都將延遲

分析：450mm，EUV，TSV都將延遲 現(xiàn)在不用再期待了，根據(jù)IC insights公司的數(shù)據(jù)，看起來(lái)兩個(gè)兩個(gè)正在顯現(xiàn)的重要的IC制造技術(shù)都將延遲，...

2010-01-26 標(biāo)簽：光刻 949 0