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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

碳化硅市場(chǎng)未爆,這家企業(yè)憑什么獲得億元融資?

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忱芯科技創(chuàng)始人兼CEO毛賽君博士曾經(jīng)表示,相較于市場(chǎng)普遍預(yù)期的2025年左右碳化硅功率半導(dǎo)體模塊方案才將具有綜合成本優(yōu)勢(shì),公司認(rèn)為行業(yè)已經(jīng)開始出現(xiàn)超出市...

2023-10-08 標(biāo)簽:發(fā)生器功率半導(dǎo)體碳化硅 2.2k 0

廣州新增青藍(lán)半導(dǎo)體SiC模塊產(chǎn)線 全年產(chǎn)量或達(dá)80萬(wàn)只

新的一年,許多碳化硅企業(yè)紛紛開工,龍騰虎躍開新篇!廣州番禺區(qū)一家SiC模塊企業(yè)也開足馬力忙生產(chǎn),全年產(chǎn)量或達(dá)80萬(wàn)只。

2024-02-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBTSiC 2.2k 0

東尼電子:極耳項(xiàng)目開始逐步向比亞迪供貨

東尼電子主要經(jīng)營(yíng)包括無(wú)線充電隔磁材料、超微細(xì)電子線材的家電產(chǎn)品事業(yè)。其中,無(wú)線充電隔磁材料從2019年6月開始批量生產(chǎn),進(jìn)入國(guó)際大型客戶供應(yīng)體系,近年來...

2023-09-19 標(biāo)簽:消費(fèi)電子無(wú)線充電碳化硅 2.2k 0

我國(guó)第3代半導(dǎo)體被壟斷 國(guó)防所需受限

由于我國(guó)在第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)研究領(lǐng)域起步較晚,目前在材料的自主制備上仍面臨難關(guān)。同時(shí),我國(guó)對(duì)基礎(chǔ)的材料問題關(guān)注度不夠;一旦投入與支持的力度不夠,相關(guān)人...

2013-08-16 標(biāo)簽:LED照明碳化硅MOCVD設(shè)備 2.2k 2

Cree, Inc.正式更名為Wolfspeed, Inc.,標(biāo)志著向強(qiáng)大的全球性半導(dǎo)體企業(yè)成功轉(zhuǎn)型

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今天是 Wolfspeed 的一個(gè)重要轉(zhuǎn)型里程碑,正式標(biāo)志著我們現(xiàn)在已經(jīng)成為一家純粹且強(qiáng)大的全球性半導(dǎo)體企業(yè)。

2021-10-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅 2.2k 0

碳化硅成為微芯片傳感器中的新型超強(qiáng)材料

由助理教授Richard Norte領(lǐng)導(dǎo)的代爾夫特理工大學(xué)的研究人員公布了一種引人注目的新材料,具有影響材料科學(xué)世界的潛力:非晶碳化硅(a-SiC)。除...

2023-11-07 標(biāo)簽:傳感器太陽(yáng)能電池碳化硅 2.2k 0

英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)

英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)

英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFE...

2024-04-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車英飛凌MOSFET 2.2k 0

從0到1,及早規(guī)劃布局搶入第三代半導(dǎo)體賽道

龍頭企業(yè)引領(lǐng)作用呈裂變趨勢(shì),園區(qū)化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈體系不斷完善,同時(shí)也促進(jìn)產(chǎn)業(yè)服務(wù)配套企業(yè)加速聚集。今年4月7日,泉州芯谷南安分園區(qū)迎來了智澤南福咨詢...

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SiC功率器件的現(xiàn)狀與展望!

碳化硅(SiC)功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景

2022-11-11 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 2.2k 0

碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領(lǐng)域的應(yīng)用與技術(shù)前景

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隨著飛機(jī)、航天和衛(wèi)星系統(tǒng)對(duì)功率轉(zhuǎn)換需求的快速發(fā)展,技術(shù)趨勢(shì)正朝著更高功率和電壓水平、更小尺寸、更輕重量以及更高效率的轉(zhuǎn)換器方向發(fā)展。寬禁帶(WBG)半導(dǎo)...

2025-01-23 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 2.2k 0

碳化硅外延晶片領(lǐng)軍企業(yè)瀚天天成沖刺上交所IPO

瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“瀚天天成”)已順利獲得上交所科創(chuàng)板的IPO受理,此次IPO由中金公司擔(dān)任保薦機(jī)構(gòu)。瀚天天成成立于2011...

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高溫熔融沉積結(jié)合反應(yīng)燒結(jié)制備SiC陶瓷新方法

碳化硅(SiC)陶瓷由于其低密度、高剛度、低熱膨脹、高光學(xué)質(zhì)量和優(yōu)良的尺寸穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于航空航天、石油化工、集成電路等領(lǐng)域。但碳化硅陶瓷的硬度高、脆...

2022-07-10 標(biāo)簽:集成電路SiC碳化硅 2.2k 0

比亞迪新建碳化硅工廠預(yù)計(jì)今年下半年投產(chǎn)

在汽車產(chǎn)業(yè)持續(xù)變革的浪潮中,比亞迪再次展現(xiàn)出其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日,比亞迪品牌及公關(guān)處總經(jīng)理李云飛在中國(guó)汽車重慶論壇上宣布,公司新建的碳化硅工廠將成為...

2024-06-17 標(biāo)簽:新能源汽車比亞迪碳化硅 2.2k 0

Microchip推出最新一代汽車用700 和 1200V 碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)

Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認(rèn)證,對(duì)于需要在提高系統(tǒng)效率的同時(shí)保持高質(zhì)量的電動(dòng)汽車電源設(shè)計(jì)人員來說,可以最大限度地提高系統(tǒng)的可靠...

2020-11-02 標(biāo)簽:microchip碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管 2.2k 0

基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車測(cè)試發(fā)車儀式在深圳舉行

基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車測(cè)試發(fā)車儀式在深圳舉行

7月29日,基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車測(cè)試發(fā)車儀式在深圳成功舉行,搭載自主研發(fā)碳化硅模塊的測(cè)試車輛正式啟程。

2021-07-30 標(biāo)簽:碳化硅基本半導(dǎo)體 2.2k 0

英國(guó)研究機(jī)構(gòu)開發(fā)一種基于SiC的陶瓷基復(fù)合材料技術(shù)

英國(guó)研究機(jī)構(gòu)開發(fā)一種基于SiC的陶瓷基復(fù)合材料技術(shù)

“基于 SiC 的陶瓷基復(fù)合材料是一種很有前途的材料,適用于包括航空發(fā)動(dòng)機(jī)在內(nèi)的許多極端環(huán)境應(yīng)用,” ATL 的技術(shù)經(jīng)理Ryan Skillett說?!?..

2023-05-18 標(biāo)簽:SiC復(fù)合材料碳化硅 2.2k 0

英飛凌推出適用于電動(dòng)汽車牽引逆變器的汽車級(jí)碳化硅功率模塊

英飛凌推出適用于電動(dòng)汽車牽引逆變器的汽車級(jí)碳化硅功率模塊

在今年的虛擬 PCIM 貿(mào)易展上,英飛凌科技發(fā)布了一款基于成熟的、市場(chǎng)領(lǐng)先的 CoolSiC MOSFET 技術(shù)的新型汽車電源模塊。HybridPACK...

2022-08-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器功率模塊 2.2k 0

日立ECN30系列功率模塊助力電動(dòng)汽車(EV)領(lǐng)域

日立ECN30系列功率模塊助力電動(dòng)汽車(EV)領(lǐng)域

在電動(dòng)汽車領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件,正引領(lǐng)著一場(chǎng)技術(shù)革新,其相較于傳統(tǒng)硅基功率器件展現(xiàn)出了顯著優(yōu)勢(shì)。電動(dòng)汽車制造商紛紛采用SiC功率器件作為動(dòng)力核...

2024-07-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC功率模塊 2.2k 0

碳化硅系統(tǒng)能為OBC帶來哪些好處

新能源汽車行業(yè)的發(fā)展與進(jìn)步,提升新能源汽車?yán)m(xù)航里程成為了行業(yè)發(fā)展的主要任務(wù)之一,在動(dòng)力電池能量密度不能持續(xù)增加的情況下,降低車用部件重量是提升續(xù)航里程的...

2022-06-13 標(biāo)簽:新能源汽車功率器件碳化硅 2.2k 0

東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝

東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝

點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布, 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封...

2023-09-04 標(biāo)簽:碳化硅東芝半導(dǎo)體 2.2k 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè),我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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