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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

+關(guān)注26人關(guān)注

金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

SiC需求爆發(fā) 賽道正式開(kāi)啟國(guó)內(nèi)企業(yè)迅速就位

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))功率器件從硅基向碳化硅的轉(zhuǎn)型,成為了半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域快速發(fā)展的一個(gè)縮影,對(duì)整個(gè)電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重大的影響。 碳化硅功...

2021-11-13 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 2.2k 0

SiC外延設(shè)備廠商芯三代擬A股IPO,已進(jìn)行上市輔導(dǎo)備案

中國(guó)股市監(jiān)管機(jī)構(gòu)回溯審核過(guò)芯三代半導(dǎo)體科技(蘇州)股份有限公司向公眾發(fā)行股票的準(zhǔn)備情況,并對(duì)其官方文件進(jìn)行公示。

2024-02-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2.2k 0

科銳推出芯片型碳化硅MOSFET功率器件

科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革,宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSF...

2011-12-19 標(biāo)簽:MOSFET功率器件科銳 2.2k 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧

國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧

8月29日-31日,上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia)在上海新國(guó)際博覽中心W2館圓滿(mǎn)舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會(huì),本屆...

2023-09-02 標(biāo)簽:MOSFET晶圓逆變器 2.2k 0

SiC設(shè)備廠商納設(shè)智能開(kāi)啟上市輔導(dǎo)

近日,國(guó)內(nèi)碳化硅(SiC)設(shè)備行業(yè)迎來(lái)新動(dòng)態(tài),納設(shè)智能股份有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“納設(shè)智能”)已正式向深圳證監(jiān)局提交上市輔導(dǎo)備案登記,計(jì)劃首次公開(kāi)發(fā)行股票并尋求...

2024-02-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2.2k 0

2021年將是氮化鎵+碳化硅PD爆發(fā)元年

氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國(guó)產(chǎn)氮化鎵和碳化硅SIC技術(shù)成熟密不可分,據(jù)悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產(chǎn)品體積更小,散熱更好,效率比超快恢復(fù)管提...

2021-04-01 標(biāo)簽:封裝SiC碳化硅 2.2k 1

WolfPACK 功率模塊的性能優(yōu)于基于硅的功率器件

WolfPACK 功率模塊的性能優(yōu)于基于硅的功率器件

碳化硅 (SiC) 是一種寬帶隙半導(dǎo)體,近年來(lái)已成功應(yīng)用于多種電源應(yīng)用,與基于硅技術(shù)的傳統(tǒng)組件相比,表現(xiàn)出卓越的品質(zhì)?;?SiC 的功率分立器件具有相...

2022-08-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率模塊碳化硅 2.2k 0

光學(xué)頻段碳化硅極化激元超透鏡為光學(xué)成像發(fā)展提供新思路

我國(guó)科學(xué)家參與的一項(xiàng)研究借助多頻率組合復(fù)頻波激發(fā)方法,成功將原有的成像分辨率由照明波長(zhǎng)十分之一提升至百分之一,因而可將中紅外超透鏡的空間分辨率提升至百納...

2023-08-24 標(biāo)簽:頻段光學(xué)碳化硅 2.2k 0

國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)

國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)

主驅(qū)采用碳化硅,綜合損耗比硅器件降低70%,行程里程提升約5%。在OBC上采用碳化硅,器件數(shù)量減半,意味著被動(dòng)器件直接減半,且配套的驅(qū)動(dòng)電路也減少了,體...

2023-11-20 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)驅(qū)動(dòng)電路功率器件 2.2k 0

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈成本大幅下降,市場(chǎng)迎來(lái)新變革

近期市場(chǎng)消息指出,中國(guó)新能源汽車(chē)和光伏市場(chǎng)的快速發(fā)展,推動(dòng)了碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)鏈在技術(shù)迭代和產(chǎn)能擴(kuò)充上的加速。這一趨勢(shì)導(dǎo)致SiC產(chǎn)業(yè)鏈中的多個(gè)環(huán)節(jié)成本...

2024-10-22 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)SiC碳化硅 2.2k 0

寬禁帶半導(dǎo)體材料將成為電子信息產(chǎn)業(yè)的主宰

碳化硅(SiC)是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料,世界各國(guó)對(duì)SiC的研究非常重視,紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展,美國(guó)、歐洲、日本等不僅從國(guó)家層面上制...

2022-11-29 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體碳化硅 2.2k 0

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件

2025-01-23 標(biāo)簽:MOSFETSiC氮化鎵 2.2k 0

碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)與未來(lái)展望

碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)與未來(lái)展望

碳化硅 (SiC) 是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料,用于制造用于高壓應(yīng)用的功率器件,例如電動(dòng)汽車(chē) (EV)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器。與傳統(tǒng)的硅基功率...

2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 2.2k 0

韓國(guó)晶圓代工廠DB HiTek發(fā)放20%獎(jiǎng)金,繼續(xù)加大電力半導(dǎo)體技術(shù)投資力度

盡管東晶圓的2023年銷(xiāo)售與運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)雙雙大幅縮水,分別相較去年減少了31%和65%,但仍堅(jiān)持向員工發(fā)放高額獎(jiǎng)金,鼓勵(lì)團(tuán)隊(duì)士氣。在半導(dǎo)體領(lǐng)域高端人才爭(zhēng)奪日...

2024-02-19 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵碳化硅 2.2k 0

安森美韓國(guó)富川碳化硅超大型制造工廠正式落成

安森美(onsemi)宣布,其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅 (SiC) 超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí),該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片 2...

2023-10-24 標(biāo)簽:安森美晶圓制造工廠 2.2k 0

瑞能半導(dǎo)體:碳化硅助力加速新能源汽車(chē)行業(yè)發(fā)展

日前,瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體高管峰會(huì)(ISES,原CISES)。

2023-10-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)新能源汽車(chē)逆變器 2.2k 0

基本半導(dǎo)體研發(fā)汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2

汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2是基本半導(dǎo)體針對(duì)新能源商用車(chē)等大型車(chē)輛客戶(hù)對(duì)主牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高功率密度、長(zhǎng)器件壽命等需求而專(zhuān)門(mén)開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品。

2022-10-21 標(biāo)簽:模塊MOSFET碳化硅 2.2k 0

Wolfspeed碳化硅器件推動(dòng)豐田公司純電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展

展現(xiàn) Wolfspeed 在碳化硅功率解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,憑借提升的效率和性能,助力豐田全球電氣化戰(zhàn)略,推動(dòng)純電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展。

2025-12-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)碳化硅Wolfspeed 2.2k 0

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹

碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。

2025-02-05 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率半導(dǎo)體 2.2k 0

碳化硅芯片已裝載百萬(wàn)輛新能源車(chē)

別小看這些長(zhǎng)寬僅有2毫米左右的芯片,它可是新能源車(chē)車(chē)載充電機(jī)的“心臟”,有了它,新能源車(chē)充電效率大大提高,而且能節(jié)省電力,實(shí)現(xiàn)減碳降耗。就是這小小的芯片...

2023-04-14 標(biāo)簽:芯片新能源車(chē)SiC 2.2k 0

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  • Arduino
    Arduino
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    Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件(各種型號(hào)的Arduino板)和軟件(Arduino IDE)。
  • 28nm
    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
  • FinFET
    FinFET
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  • 20nm
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    村田
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    TI公司
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    TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè),我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶(hù)、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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    美滿(mǎn)電子
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    Kinetis
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    Cirrus LogIC
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    柵極驅(qū)動(dòng)器
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      柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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    研華
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  • 華星光電
    華星光電
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    深圳市華星光電技術(shù)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)華星光電)是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè),公司注冊(cè)資本183.4億元,投資總額達(dá)443億元,是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目,也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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    Cortex-A
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    Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列,提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶(hù)端功能,例如車(chē)道偏離警告 (LDW)、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告 (FCW)、車(chē)距監(jiān)測(cè) (HMW)、行人探測(cè)、智能前燈控制 (IHC)、交通標(biāo)志識(shí)別 (TSR)、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制 (ACC) 等。
  • CC2541
    CC2541
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    CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) (SoC) 解決方案。
  • STM32F4
    STM32F4
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    STM32F4是由ST(意法半導(dǎo)體)開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART(自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器,Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?)。
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    超級(jí)本
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    超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后,定義的全新品類(lèi)筆記本產(chǎn)品,集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能,超極本是完整的電腦。
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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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