刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕資訊

半導(dǎo)體制造關(guān)鍵工藝：濕法刻蝕設(shè)備技術(shù)解析

刻蝕工藝的核心機(jī)理與重要性刻蝕工藝是半導(dǎo)體圖案化過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，與光刻機(jī)和薄膜沉積設(shè)備并稱為半導(dǎo)體制造的三大核心設(shè)備。刻蝕的主要作用是將光刻膠上的圖...

2025-04-27 標(biāo)簽：濕法半導(dǎo)體制造刻蝕 3k 0

半導(dǎo)體先進(jìn)制程加速，國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備有望突破國(guó)際壟斷

在芯片制造中，“光刻”和“刻蝕”是兩個(gè)緊密相連的步驟，也是非常關(guān)鍵的步驟。“光刻”就相當(dāng)于用投影的方式把電路圖“畫”在晶圓上。注意，這個(gè)時(shí)候，電路圖其實(shí)...

2020-04-14 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體刻蝕 2.9k 0

泛林集團(tuán)推開創(chuàng)性的選擇性刻蝕解決方案加速實(shí)現(xiàn)3D

通過與客戶、技術(shù)專家和產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)的合作，他們已經(jīng)在選擇性刻蝕創(chuàng)新方面實(shí)現(xiàn)突破，這將使世界領(lǐng)先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲(chǔ)設(shè)備。

2022-03-22 標(biāo)簽：刻蝕刻蝕工藝泛林集團(tuán) 2.9k 0

濕法刻蝕詳細(xì)工藝原理

濕法刻蝕是一種在半導(dǎo)體制造過程中常用的技術(shù)，用于通過化學(xué)反應(yīng)溶解或腐蝕材料表面，以形成所需的紋理或結(jié)構(gòu)。以下是濕法刻蝕的詳細(xì)工藝原理：準(zhǔn)備工作在進(jìn)...

2024-12-25 標(biāo)簽：濕法刻蝕 2.8k 0

芯片刻蝕原理是什么

芯片刻蝕是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于將設(shè)計(jì)圖案從掩膜轉(zhuǎn)移到硅片或其他材料上，形成電路結(jié)構(gòu)。其原理是通過化學(xué)或物理方法去除特定材料（如硅、金屬或介質(zhì)層）...

2025-05-06 標(biāo)簽：芯片刻蝕 2.8k 0

聚焦離子束(FIB)加工硅材料的損傷機(jī)理及控制

???? 聚焦離子束（FIB）在材料表征方面有著廣泛的應(yīng)用，包括透射電鏡（TEM）樣品的制備。在這方面，F(xiàn)IB比傳統(tǒng)的氬離子束研磨具有許多優(yōu)勢(shì)。例如，電...

2024-12-19 標(biāo)簽：fib 離子束刻蝕 2.7k 0

SiO2薄膜的刻蝕機(jī)理

本文介紹了SiO2薄膜的刻蝕機(jī)理。干法刻蝕SiO2的化學(xué)方程式怎么寫？刻蝕的過程是怎么樣的？干法刻氧化硅的化學(xué)方程式？如上圖，以F系氣體刻蝕為例，反...

2024-12-02 標(biāo)簽：薄膜 SiO2 刻蝕 2.7k 0

PDMS軟刻蝕技術(shù)的應(yīng)用

PDMS（聚二甲基硅氧烷）軟刻蝕技術(shù)是一種在高分子科學(xué)中廣泛應(yīng)用的微制造技術(shù)。它能夠簡(jiǎn)捷有效、高精度地制備出眾多材料的微結(jié)構(gòu)，且技術(shù)成本低廉，不需要昂貴...

2024-09-19 標(biāo)簽：刻蝕 2.6k 0

非晶碳層的刻蝕特性研究

介紹隨著半導(dǎo)體器件的小型化和超大規(guī)模集成(VLSI)電路的圖案密度的增加，單個(gè)光致抗蝕劑掩模不再適用于細(xì)線圖案化和接觸圖案化。盡管單光刻膠掩模工藝被...

2022-06-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 2.5k 0

采用射頻磁控濺射系統(tǒng)制備氧化鋅薄膜

本文介紹了我們?nèi)A林科納采用射頻磁控濺射系統(tǒng)，在襯底溫度為275°C的氬氣氣氛下，在玻璃襯底上制備了氧化鋅薄膜，將沉積的氧化鋅薄膜在稀釋的鹽酸中蝕刻，制備...

2022-05-09 標(biāo)簽：射頻薄膜刻蝕 2.5k 0

改善刻蝕均勻性的技術(shù)

摘要一種形成介電間隔物的方法，包括提供襯底，文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁該襯底包括具有第一多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和具有第二多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的第二區(qū)...

2022-02-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 2.5k 0

微流控芯片加工中的PDMS軟刻蝕技術(shù)和聚合物成型介紹

微流控芯片大致可以分為三種類型：PDMS芯片、聚合物芯片（COC、PMMA、PC等）和玻璃芯片。三種不同類型的芯片各有不同的加工方法。本文主要介紹PDM...

2024-08-28 標(biāo)簽：微流控芯片刻蝕 2.5k 0

佰維存儲(chǔ)晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)制造項(xiàng)目落地東莞松山湖！

晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)是指利用光刻，刻蝕，電鍍，PVD，CVD，CMP，Strip等前期晶片制造工程，實(shí)現(xiàn)凸塊（Bumping），重布線（RDL），扇入（Fan...

2023-12-01 標(biāo)簽：晶圓封裝刻蝕 2.4k 0

芯片濕法刻蝕殘留物去除方法

大家知道芯片是一個(gè)要求極其嚴(yán)格的東西，為此我們生產(chǎn)中想盡辦法想要讓它減少污染，更加徹底去除污染物。那么，今天來說說，大家知道芯片濕法刻蝕殘留物到底用什么...

2024-12-26 標(biāo)簽：芯片濕法刻蝕 2.4k 0

晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響

本文介紹晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響主要包括：聚合物沉積，選擇性，光刻膠流動(dòng)、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率，表面形貌等。 ? 聚合物沉...

2024-12-03 標(biāo)簽：晶圓刻蝕 2.3k 0

什么是各向異性刻蝕？

各向異性刻蝕是一種減材微加工技術(shù)，旨在優(yōu)先去除特定方向的材料以獲得復(fù)雜且通常平坦的形狀。濕法技術(shù)利用結(jié)構(gòu)的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進(jìn)行蝕刻。然...

2023-08-22 標(biāo)簽：晶圓刻蝕 2.3k 0

SiGe與Si選擇性刻蝕技術(shù)

文章來源：半導(dǎo)體與物理原文作者：jjfly686 本文簡(jiǎn)單介紹了兩種新型的選擇性刻蝕技術(shù)——高氧化性氣體的無等離子體刻蝕和原子層刻蝕。全環(huán)繞柵極晶體...

2024-12-17 標(biāo)簽：SiGe 刻蝕 2.3k 0

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2024-02-25 標(biāo)簽：封裝 TSV 刻蝕 2.2k 0

硅化物膜的濺射刻蝕速率研究

我們測(cè)量了硅化物膜(CoSi2、NiSi2、TiSi2和WSi)的濺射刻蝕速率，并研究了離子能量的依賴性，發(fā)現(xiàn)它們與二氧化硅薄膜的相對(duì)濺射刻蝕速率幾乎與...

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硅在氫氧化鉀水溶液中的刻蝕機(jī)理

本文根據(jù)測(cè)量的OCP和平帶電壓，構(gòu)建了氫氧化鉀水溶液中n-St的定量能帶圖，建立了同一電解質(zhì)中p-St的能帶圖，進(jìn)行了輸入電壓特性的測(cè)量來驗(yàn)證這些能帶圖...

2022-03-17 標(biāo)簽：硅材料刻蝕 2.1k 0

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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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