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標(biāo)簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
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Globalfoundries下一代FD-SOI制程正在研發(fā)
Globalfoundries技術(shù)長Gary Patton透露,其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市,而目前該公司正在開...
2016-05-27 標(biāo)簽:FinFETGlobalfoundriesFD-SOI制程 1.6k 0
是德科技和Ansys攜手為4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程
新參考流程采用臺積電 N4PRF 制程,提供了開放、高效的射頻設(shè)計解決方案
2023-10-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器壓控振蕩器射頻集成電路 1.6k 0
新思科技攜手合作伙伴面向臺積公司N4PRF工藝推出全新射頻方案
全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造,提供開放、高效的射頻設(shè)計解決方案。
ARM攜手臺積電成功流片16nm ARM Cortex-A57處理器
微處理器設(shè)計公司ARM與臺積電今天共同宣布,首個采用臺積電下下代16nm工藝制程FinFET技術(shù)生產(chǎn)的ARM Cortex-A57處理器已成功流片。Co...
FinFET潛力與風(fēng)險并存 知名廠商暢談發(fā)展策略
在新思科技(Synopsys)于美國硅谷舉行年度使用者大會上,參與一場座談會的產(chǎn)業(yè)專家表示,鰭式電晶體(FinFET)雖有發(fā)展?jié)摿Γ灿酗L(fēng)險,而且該技...
三星宣布將連續(xù)進(jìn)軍5nm、4nm、3nm工藝,直逼物理極限
這兩年,三星電子、臺積電在半導(dǎo)體工藝上一路狂奔,雖然有技術(shù)之爭但把曾經(jīng)的領(lǐng)導(dǎo)者Intel遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后已經(jīng)是不爭的事實(shí)。
反擊Altera 賽靈思2014量產(chǎn)16納米FPGA
面對Altera采用英特爾(Intel)14納米三門極電晶體(Tri-gate Transistor)制程,并將于2016年量產(chǎn)14納米FPGA的攻勢,...
三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片
新思科技公司日前宣布:該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一個關(guān)鍵性的里程碑,即采用三星的14LPE工藝成功實(shí)現(xiàn)了首款測試芯片的流片
三星半導(dǎo)體高層揭露晶圓代工技術(shù)藍(lán)圖
三星半導(dǎo)體(Samsung Semiconductor Inc.,SSI)的高層透露了該公司晶圓代工廠技術(shù)藍(lán)圖細(xì)節(jié),包括將擴(kuò)展其FD-SOI產(chǎn)能,以及提...
2016-04-26 標(biāo)簽:晶圓代工FinFET三星半導(dǎo)體 1.5k 0
三星表示,與 FinFET 相比,MBCFET 提供了卓越的設(shè)計靈活性。晶體管被設(shè)計成有不同量的電流流過它們。在使用許多晶體管的半導(dǎo)體中,必須調(diào)節(jié)電流量...
2023-11-24 標(biāo)簽:FinFET半導(dǎo)體制造先進(jìn)制程 1.5k 0
ARM與格羅方德的20奈米及FinFET技術(shù)路線圖
GLOBALFOUNDRIES與ARM宣布簽訂一份為期多年的合約,共同推出採用GLOBALFOUNDRIES 20奈米製程與FinFET 技術(shù)的 ARM...
華力微拉攏聯(lián)發(fā)科搶攻FinFET制程 較勁中芯、高通
華力微業(yè)界傳出大陸華力微電子高層近期來臺拜會聯(lián)發(fā)科,表達(dá)大陸半導(dǎo)體政策已不再滿足于28納米制程,希望先進(jìn)邏輯制程技術(shù)全面擁抱FinFET制程世代。
2015-08-09 標(biāo)簽:高通聯(lián)發(fā)科FinFET 1.5k 0
ARM新戰(zhàn)略愿景 率先踏上底層技術(shù)探索之路
在2014 ARM TechCon 上ARM CEO Simon Segars指出未來的技術(shù)應(yīng)該著重于無形的底層技術(shù)。盡管現(xiàn)在的芯片尺寸不斷減小,而連接...
Synopsys Galaxy設(shè)計平臺支撐了90%的FinFET設(shè)計量產(chǎn)
美國加利福尼亞州山景城,2015年3月-- 新思科技公司(Synopsys, Inc.,納斯達(dá)克股票市場代碼:SNPS)日前宣布:其 Galaxy? D...
智原推出14納米ASIC整合設(shè)計服務(wù)邁向人工智能新時代
ASIC設(shè)計服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)提供完整的FinFET 1...
2023-12-26 標(biāo)簽:存儲器EDA工具ASIC設(shè)計 1.4k 0
三星確認(rèn)驍龍 820 使用第二代 14nm FinFET 工藝
驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會由三星代工生產(chǎn),今天三星官方正式確認(rèn)了這個消息,并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后,無不加快自己在制程技術(shù)上的腳步,好能跟Intel一決高下,不過當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的...
臺積電宣布與旗下多個客戶聯(lián)手打造全球首款加速器專屬快取互聯(lián)一致性測試芯片
晶圓代工龍頭臺積電7納米制程再邁進(jìn)一步,宣布與旗下客戶包括Xilinx(賽靈思)、ARM(安謀國際)、Cadence Design Systems(益華...
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