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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>三星宣布將連續(xù)進(jìn)軍5nm、4nm、3nm工藝,直逼物理極限

三星宣布將連續(xù)進(jìn)軍5nm、4nm、3nm工藝,直逼物理極限

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2019-04-18 15:48:477184

臺(tái)積電推出N4P工藝,“真4nm”還是“數(shù)字游戲”?

近日,全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電宣布推出4nm制程工藝——N4P,希望借此贏得明年蘋果公司A16處理器代工訂單。臺(tái)積電表示,憑借5nm(N5)、4nm(N4)、3nm(N3)、以及最新的N4P制程,將能
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臺(tái)積電最新公布5nm+/4nm/3nm工藝制程進(jìn)度,推出超低功耗工藝N12e

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2020-08-25 18:18:1410700

三星發(fā)布5nm芯片Exynos 2100

1月12日晚間,三星舉辦了全球線上發(fā)布會(huì),正式發(fā)布了 5nm 芯片 Exynos 2100。Exynos 2100 是三星首款集成 5G 的移動(dòng)芯片組,基于 5nm EUV 工藝。與采用 7nm 工藝的前代產(chǎn)品相比,Exynos 2100 功耗降低 20%,整體性能提高了 10%。
2021-01-13 11:06:103590

消息稱三星5nm等部分工藝良率低于50%,三星沒(méi)否認(rèn)

5nm工藝。不過(guò),最近有消息傳出,三星遇到麻煩了,其5nm工藝的良率竟然低于50%。 韓國(guó)媒體報(bào)道,三星電子華城園區(qū)V1廠,最近面臨晶圓代工良率改善難題,5nm等部分工藝良率低于50%。 三星華城園區(qū)共有V1、S3及S4等晶圓廠,其中V1為EUV專用廠,于201
2021-07-05 18:35:594330

良率堪憂,三星3nm丟失大客戶高通!領(lǐng)先臺(tái)積電還看2nm?

代工廠商,正在推進(jìn)3nm工藝,按照計(jì)劃,三星預(yù)計(jì)在今年上半年實(shí)現(xiàn)3nm代工量產(chǎn),而臺(tái)積電預(yù)計(jì)在今年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 臺(tái)積電在先進(jìn)制程上一直領(lǐng)先三星,獲得了不少大客戶的信賴,蘋果、AMD、英特爾、聯(lián)發(fā)科等在3nm上都傾向于訂單給臺(tái)積電,而
2022-02-25 09:31:004118

芯片制程到3nm后如何突破良率難題?

儀式。才過(guò)4個(gè)月不到,韓國(guó)媒體Naver就爆出,三星3nm制程的良率非常低,不足20%。而且其5nm4nm節(jié)點(diǎn)的良率問(wèn)題也遲遲沒(méi)有得到改善。 ? 其實(shí),三星電子從2000年初就已經(jīng)開始了對(duì)GAA晶體管結(jié)構(gòu)的研究。自2017年開始,將其正式應(yīng)用到3納米工藝,并于今年6月宣布啟動(dòng)利用GAA技術(shù)的
2022-11-30 09:35:124254

三星宣布:DRAM工藝可達(dá)10nm

Storage(OCS)”,容量也比原來(lái)格子狀排列時(shí)增大1.57倍。OSC是三星已在此前工藝中導(dǎo)入的技術(shù)。Air Spacer技術(shù)是最近經(jīng)常采用的通過(guò)在電極及布線周圍設(shè)置空隙來(lái)減小寄生電容的技術(shù)。三星表示通過(guò)該技術(shù),與原來(lái)布線絕緣采用Si3N4時(shí)相比,可使Cb減小34%。
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三星4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折, 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士,更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
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XX nm制造工藝是什么概念

XX nm制造工藝是什么概念?為什么說(shuō)7nm物理極限?
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從7nm5nm,半導(dǎo)體制程 精選資料分享

的寬度,也被稱為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短,則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前,業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF(格羅方德),在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來(lái)越迅猛,10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半,7n...
2021-07-29 07:19:33

全球進(jìn)入5nm時(shí)代

全球進(jìn)入5nm時(shí)代目前的5nm制造玩家,只有臺(tái)積電和三星這兩家了。而三星要到明年才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),就今年來(lái)看,臺(tái)積電統(tǒng)治全球的5nm產(chǎn)業(yè)鏈。在過(guò)去的一年里,臺(tái)積電的5nm研發(fā)節(jié)奏很快,該公司在2019
2020-03-09 10:13:54

臺(tái)積電5nm架構(gòu)設(shè)計(jì)試產(chǎn)

臺(tái)積電宣布5nm基本完工開始試產(chǎn):面積縮小45%、性能提升15%.pdf(105.52 KB)
2019-04-24 06:00:42

芯片工藝從目前的7nm升級(jí)到3nm后,到底有多大提升呢?

10nm、7nm等到底是指什么?芯片工藝從目前的7nm升級(jí)到3nm后,到底有多大提升呢?
2021-06-18 06:43:04

7nm芯片成為今年旗艦處理器標(biāo)配 三星宣布5/4/3nm工藝技術(shù)

關(guān)鍵詞。 而作為芯片制造的一大頭,三星此前也已經(jīng)宣布了其7nm LPP工藝將會(huì)在2018年下半年投入生產(chǎn),此外,在昨天的Samsung Foundry Forum論壇上,三星更是直接宣布5/4/3nm工藝技術(shù)。
2018-05-25 11:09:004079

三星進(jìn)軍5nm、4nm、3nm工藝_首次應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù)

5nm、4nm、3nm工藝直逼 這兩年,三星電子、臺(tái)積電在半導(dǎo)體工藝上一路狂奔,雖然有技術(shù)之爭(zhēng)但把曾經(jīng)的領(lǐng)導(dǎo)者Intel遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后已經(jīng)是不爭(zhēng)的事實(shí)。
2018-06-08 07:12:004661

三星宣布成功完成基于EUV的5nm制程開發(fā) 彰顯科技引領(lǐng)力

包括7nm批量生產(chǎn)和6nm產(chǎn)品的流片, 三星電子在基于EUV技術(shù)的先進(jìn)制程工藝開發(fā)上取得重大進(jìn)展 4月16日,三星電子宣布,其5nm FinFET( 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)工藝技術(shù)已經(jīng)開發(fā)完成,該技術(shù)可
2019-04-18 20:48:54636

3nm!緊逼臺(tái)積電,三星挑戰(zhàn)摩爾定律極限

三星也在加大先進(jìn)工藝的追趕,目前的路線圖已經(jīng)到了3nm工藝節(jié)點(diǎn),下周三星就會(huì)宣布3nm以下的工藝路線圖,緊逼臺(tái)積電,而且會(huì)一步步挑戰(zhàn)摩爾定律極限
2019-05-12 11:50:075053

三星發(fā)布3nm節(jié)點(diǎn)工藝!GAAFET!

三星3nm工藝節(jié)點(diǎn)采用的GAAFET晶體管是什么?
2019-05-17 15:38:5412185

一圖看懂三星14nm工藝3nm工藝的區(qū)別

在上周的美國(guó)SFF晶圓代工論壇上,三星發(fā)布了新一代的邏輯工藝路線圖,2021年就要量產(chǎn)3nm工藝了,而且首發(fā)使用新一代GAA晶體管工藝,領(lǐng)先對(duì)手臺(tái)積電1年時(shí)間,領(lǐng)先Intel公司至少2-3年時(shí)間。
2019-05-20 16:43:4512335

三星用 GAA工藝挑戰(zhàn)物理極限 推進(jìn)3nm工藝

三星率先發(fā)布3nm工藝路線圖,領(lǐng)先于臺(tái)積電和英特爾。
2019-05-30 15:48:435336

三星發(fā)布新一代3nm閘極全環(huán)工藝 在GAA工藝上獲得領(lǐng)先地位

近年來(lái),在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境下,三星將其業(yè)務(wù)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了邏輯工藝代工。在近日的SFF(SamsungFoundry Forum)美國(guó)分會(huì)上,三星宣布了四種FinFET工藝,涵蓋了7nm4nm。同時(shí)
2019-05-30 15:53:464391

新思宣布先進(jìn)工藝良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得最大突破 為三星后續(xù)先進(jìn)工藝奠定基礎(chǔ)

集成電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)新思(Synopsys)近日宣布,面向三星7LPP(7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得最大突破,也為三星后續(xù)5nm、4nm3nm工藝的量產(chǎn)和良品率奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-08 15:56:453656

新思科技助力三星5nm/4nm/3nm工藝再加速

近日,全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布,面向三星7LPP(7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破,這將為三星后續(xù)5nm、4nm3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:485069

新思科技助力,三星5nm、4nm、3nm工藝再加速

全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布,面向三星7LPP(7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破
2019-07-11 14:49:473942

三星芯片代工計(jì)劃曝光 6nm 5nm4nm紛紛面世

。此外,該公司表示推出其首款5LPE(5nm低功耗早期)SoC并且將在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)完成其4LPE(4nm低功耗早期)工藝的開發(fā)。
2019-08-06 15:43:164128

臺(tái)積電2nm工藝制程研發(fā)啟動(dòng),預(yù)計(jì)2024年可實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)

,6nm、5nm4nm、3nm 等都已勢(shì)如破竹準(zhǔn)備量產(chǎn),而其對(duì)手臺(tái)積電在較早前就宣布3nm制程發(fā)展相當(dāng)順利,后續(xù)的2nm工藝研發(fā)也開始啟動(dòng),預(yù)計(jì) 2024年就能夠投產(chǎn)。
2019-08-26 12:29:003380

三星將于今年內(nèi)完成4nm工藝開發(fā) 2020年完成3nm工藝開發(fā)

盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會(huì)影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn),但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會(huì)議,公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展,其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。
2019-09-12 10:44:033454

三星擬率先使用3nm,比較5nm性能提升30%能耗降低一半

但在下一代的 3nm 芯片制造工藝方面,臺(tái)積電可能會(huì)有來(lái)自三星的挑戰(zhàn),后者擬率先使用這一先進(jìn)的工藝制造芯片。
2020-01-03 14:49:274252

三星3nm制程2022年量產(chǎn),整體表現(xiàn)比預(yù)期好

報(bào)道稱,與三星電子的5nm工藝相比,3nm制程能將芯片尺寸縮小35%,功耗降低50%,性能提升30%。
2020-01-03 16:18:164372

三星6nm工藝已量產(chǎn)出貨,3nm GAE工藝研發(fā)完成

由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝,三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年,目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后,三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度,日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨,今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開發(fā)。
2020-01-06 16:13:073848

三星6nm工藝量產(chǎn)已出貨,3nm GAE工藝即將問(wèn)世

由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝,三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年,目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:033600

三星與臺(tái)積電投入巨額資金加速3nm工藝研發(fā) 只有土豪公司才用得起

根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃,他們今年上半年就會(huì)量產(chǎn)5nm EUV工藝,下半年產(chǎn)能會(huì)提升到7-8萬(wàn)片晶圓/月,今年的產(chǎn)能主要是供給蘋果和華為。臺(tái)積電的3nm工藝工藝今年也會(huì)啟動(dòng)建設(shè),三星更是搶先宣布3nm GAA工藝。
2020-01-16 10:08:433174

臺(tái)積電將會(huì)為3nm工藝技術(shù)選擇什么線路

在2019年的日本SFF會(huì)議上,三星還公布了3nm工藝的具體指標(biāo),與現(xiàn)在的7nm工藝相比,3nm工藝可將核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提升35%。
2020-02-06 14:54:431762

高通發(fā)布第5G基帶芯片 首發(fā)三星5nm工藝

高通昨晚發(fā)布了第5G基帶芯片——驍龍X50,使用的是5nm工藝。高通對(duì)5nm工藝的代工廠來(lái)源守口如瓶,不過(guò)外媒報(bào)道稱驍龍X60首發(fā)了三星5nm工藝。
2020-02-19 15:09:363574

三星預(yù)計(jì)6月底完成5nm EUV生產(chǎn)線 且最快在今年底開始生產(chǎn)5nm工藝

2020年,全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝要從7nm升級(jí)到5nm了,臺(tái)積電最近上半年就開始量產(chǎn)5nm EUV工藝,而三星也加碼投資,預(yù)計(jì)6月底完成5nm EUV生產(chǎn)線。
2020-03-13 08:35:013229

受疫情影響 三星3nm工藝量產(chǎn)或延期

近日,DigiTimes在一份報(bào)告中稱,三星3nm工藝量產(chǎn)時(shí)間可能已經(jīng)延期至2022年。
2020-04-07 08:39:492452

三星3nm工藝明年量產(chǎn)不太可能實(shí)現(xiàn)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,3nm工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn),三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝
2020-04-07 17:43:512632

三星3nm工藝投產(chǎn)延遲,新技術(shù)讓芯片功耗下降約50%

4月7日消息,在 5nm 工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,3nm 工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)。三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn) 3nm工藝。
2020-04-08 14:41:143230

谷歌5nm芯片的背后是什么

5nm,芯片市場(chǎng)盡顯低調(diào)的谷歌,一出手便放了個(gè)大招。谷歌近日宣布,已聯(lián)手三星開啟代號(hào)為“Whitechaple”的自研c芯片項(xiàng)目。這顆芯片搭載8核CPU,采用三星5nm工藝制程,將有望在Pixel系列手機(jī)上搭載。
2020-04-20 15:33:173923

三星直接跳過(guò)4nm先進(jìn)工藝,將要批量生產(chǎn)3nm工藝

,轉(zhuǎn)而批量生產(chǎn) 3nm 工藝。這一舉動(dòng)可能使三星領(lǐng)先臺(tái)積電,但這也充滿了風(fēng)險(xiǎn)。 三星跳過(guò)了最初計(jì)劃投*資的 4nm 高級(jí)工藝,而完全放棄了其投*資計(jì)劃。這個(gè)決定最終可能會(huì)在其領(lǐng)域花費(fèi)大量的客戶訂單,但是同時(shí)這可能是因?yàn)樘^(guò)了一代芯片技術(shù),其他技術(shù)的開
2020-07-08 16:07:212550

三星跳過(guò)4nm制程轉(zhuǎn)向3nm制程量產(chǎn),要真正反超臺(tái)積電存在諸多挑戰(zhàn)

在芯片先進(jìn)制程的賽場(chǎng)上,放眼全球,僅剩臺(tái)積電、英特爾、三星。目前,臺(tái)積電和三星在7nm以下的競(jìng)爭(zhēng)備受關(guān)注。根據(jù)報(bào)道,三星直接跳過(guò)4nm先進(jìn)制程,轉(zhuǎn)向3nm制程的量產(chǎn),此舉有可能使三星領(lǐng)先于臺(tái)積電
2020-07-06 15:31:542666

臺(tái)積電在5nm制程和3nm制程之間,他們還將推出4nm制程

臺(tái)積電是在官網(wǎng)所披露的二季度財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議材料中,提及4nm制程的。臺(tái)積電CEO、副董事長(zhǎng)魏哲家在會(huì)上表示,他們推出4nm制程,作為5nm制程家族的延伸。
2020-08-04 16:29:583472

三星首款5nm SoC Exynos 1080性能評(píng)測(cè)

芯片是三星與vivo聯(lián)手定制,有望被vivo X60系列首發(fā)。 和三星去年同期推出的Exynos 980(8nm)相比,Exynos 1080在最新5nm工藝的加持下可以讓性能提升14%,功耗降低30
2020-11-14 09:58:0514680

3nm制程戰(zhàn)爭(zhēng)日趨激烈 臺(tái)積電勢(shì)與三星一較高下

新晶圓廠,新晶圓廠并打算以3nm制程切入,力壓臺(tái)積電亞利桑納州5nm廠。市場(chǎng)人士分析,三星舉動(dòng)使3nm制程的戰(zhàn)爭(zhēng)日趨激烈。對(duì)三星來(lái)勢(shì)洶洶,臺(tái)積電似乎胸有成竹,有機(jī)會(huì)能在3nm制程的競(jìng)賽中立于不敗之地。 市場(chǎng)人士指出,雖然在5nm制程方面,三星已經(jīng)趕上了
2021-02-02 14:03:531767

臺(tái)積電3nm在2021年正式量產(chǎn)

在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝上,臺(tái)積電已經(jīng)一騎絕塵了,其他人望不到尾燈了,今年量產(chǎn)了5nm,明年就輪到3nm了。在說(shuō)法會(huì)上,臺(tái)積電公布了先進(jìn)工藝的最新進(jìn)展,5nm工藝已經(jīng)量產(chǎn),良率很好,同時(shí)還在提升EUV工藝
2020-10-19 11:17:452639

5nm3nm工藝將是臺(tái)積電未來(lái)幾年能帶來(lái)大量營(yíng)收的工藝

 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,臺(tái)積電是近幾年在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列的廠商,他們的5nm工藝在今年一季度大規(guī)模投產(chǎn),更先進(jìn)的3nm工藝也在按計(jì)劃推進(jìn),計(jì)劃2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。
2020-10-23 15:15:082497

三星Exynos 1080處理器 5nm EUV FinFET工藝制造

1080處理器是三星首款基于最新的5nm EUV FinFET工藝制造的處理器,進(jìn)一步提高設(shè)備的電源效率和性能。 三星Exynos在11月12日在上海舉行首場(chǎng)國(guó)內(nèi)線下發(fā)布會(huì);據(jù)介紹,vivo首發(fā)搭載
2020-11-12 18:13:204092

三星擬2022年量產(chǎn)3nm,爭(zhēng)取追上臺(tái)積電

在半導(dǎo)體晶圓代工上,臺(tái)積電一家獨(dú)大,從10nm之后開始遙遙領(lǐng)先,然而三星的追趕一刻也沒(méi)放松,今年三星也量產(chǎn)了5nm EUV工藝。三星計(jì)劃在2年內(nèi)追上臺(tái)積電,2022年量產(chǎn)3nm工藝。
2020-11-17 16:03:322058

三星5nm工藝能否與臺(tái)積電一較高下?

三星在上海正式發(fā)布旗下首款采用5nm工藝制程的手機(jī)處理器Exynos 1080,這是繼蘋果A14、海思麒麟9000之后,全球第5nm AP,也是業(yè)界第二款集成5G基帶的5nm SoC。
2020-11-20 09:57:2412277

蘋果明后兩年iPhone新品將由臺(tái)積電的5nm4nm工藝制造

11月20日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì),蘋果明后兩年iPhone新品搭載的兩款A(yù)系列處理器,將由芯片代工商臺(tái)積電采用第二代5nm工藝4nm工藝制造。
2020-11-20 11:21:542305

驍龍888將由三星5nm獨(dú)家代工

今天高通的驍龍888 5G平臺(tái)刷屏了,不論CPU還是GPU、AI提升都很大,制程工藝也升級(jí)到了5nm。只不過(guò)高通在發(fā)布會(huì)上對(duì)5nm工藝的代工廠一直閉口不提,今天才確認(rèn)是三星5nm工藝。
2020-12-03 09:03:482892

高通驍龍888將由三星5nm獨(dú)家代工生產(chǎn)

昨天高通的驍龍888 5G平臺(tái)刷屏了,不論CPU還是GPU、AI提升都很大,制程工藝也升級(jí)到了5nm。只不過(guò)高通在發(fā)布會(huì)上對(duì)5nm工藝的代工廠一直閉口不提,今天才確認(rèn)是三星5nm工藝。
2020-12-03 10:37:025772

臺(tái)積電宣布3nm Plus工藝將在2023年推出,消息稱蘋果將是3nm Plus工藝的首個(gè)客戶

7nm5nm 工藝一樣,臺(tái)積電正在謀劃的 3nm 工藝,也會(huì)有第二代,也就是他們所說(shuō)的 3nm Plus 工藝。 外媒的報(bào)道顯示,臺(tái)積電已宣布他們 3nm Plus 工藝,將在 2023 年推出,但并未披露會(huì)在 2023 年的上半年還下半年推出。 在客戶方面,英文媒體稱蘋果將是 3nm
2020-12-18 10:47:142498

臺(tái)積電3nm工藝實(shí)現(xiàn)15%性能提升

2020年,市面上出現(xiàn)了大量5nm工藝的芯片,諸如蘋果A14仿生、麒麟9000以及驍龍888等旗艦芯片均采用5nm工藝。而根據(jù)最新的報(bào)道顯示,在批量生產(chǎn)5nm工藝芯片的同時(shí),臺(tái)積電也在研發(fā)更加先進(jìn)的3nm工藝,目前3nm工藝的研發(fā)正在有序進(jìn)行中。
2020-12-21 15:17:482475

臺(tái)積電和三星3nm制程遭遇挑戰(zhàn),研發(fā)進(jìn)度推遲

1月3日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商的制程工藝,均已提升到了5nm,更先進(jìn)的3nm也在按計(jì)劃推進(jìn)中,臺(tái)積電3nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠更是已經(jīng)建成,計(jì)劃在今年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),明年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。
2021-01-04 09:04:582737

臺(tái)積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)遇瓶頸,量產(chǎn)時(shí)間恐推遲

據(jù) Digitimes 報(bào)道,業(yè)內(nèi)人士透露,臺(tái)積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)的開發(fā)過(guò)程中都遇到了不同但關(guān)鍵的瓶頸。報(bào)道稱,臺(tái)積電和三星因此將不得不推遲 3nm 制程工藝
2021-01-04 16:20:103024

臺(tái)積電計(jì)劃今年3nm工藝完成試生產(chǎn)

外媒報(bào)道,臺(tái)積電和三星3nm工藝技術(shù)的開發(fā)中遇到了不同卻關(guān)鍵的瓶頸。 因此,臺(tái)積電和三星將不得不推遲3nm工藝技術(shù)的開發(fā)進(jìn)度。
2021-01-05 09:39:262359

臺(tái)積電三星3nm制程工藝研發(fā)均受阻

2020年,臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商,均把芯片制程工藝提升至5nm,而且更先進(jìn)的3nm制程也在計(jì)劃中,不過(guò),最近它們好像都遇到了一些麻煩。
2021-01-12 16:26:532852

Intel部分芯片外包給臺(tái)積電 看上后者3nm工藝

150億美元,都會(huì)主要用于3nm制程。 消息人士稱,臺(tái)積電的3nm制程,是繼5nm之后又一個(gè)全節(jié)點(diǎn)的新技術(shù),目前預(yù)計(jì)將于2021年試產(chǎn),2022年下半年量產(chǎn)。 除了蘋果A17、Intel訂單外,包括AMD、NVIDIA,以及2020年轉(zhuǎn)向擁抱三星5nm的高通等芯片大廠,目前也都已經(jīng)預(yù)定臺(tái)積電3nm 2
2021-01-27 10:33:242456

三星5nm3nm芯片實(shí)現(xiàn)了跳躍式發(fā)展

隨著三星在先進(jìn)制造節(jié)點(diǎn)上繼續(xù)與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng),這家韓國(guó)巨頭的努力將使其排名達(dá)到第四位。據(jù)報(bào)道,三星5nm3nm的芯片開發(fā)實(shí)現(xiàn)了跳躍式發(fā)展,但仍被排除在全球前的半導(dǎo)體制造商之外。
2021-02-04 14:55:192654

消息稱:AMD不太可能將5nm3nm芯片代工訂單轉(zhuǎn)交三星

2月4日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,此前曾有猜測(cè),在長(zhǎng)期代工合作伙伴臺(tái)積電無(wú)法提供充足產(chǎn)能支持的情況下,芯片供應(yīng)商AMD,可能將5nm3nm芯片代工訂單,轉(zhuǎn)交給三星電子。 但媒體援引市場(chǎng)觀察人士的消息報(bào)
2021-02-04 18:24:052290

AMD或5nm3nm芯片代工訂單交給三星電子

2月4日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,此前曾有猜測(cè),在長(zhǎng)期代工合作伙伴臺(tái)積電無(wú)法提供充足產(chǎn)能支持的情況下,芯片供應(yīng)商AMD,可能將5nm3nm芯片代工訂單,轉(zhuǎn)交給三星電子。
2021-02-05 10:59:232213

臺(tái)積電3nm工藝進(jìn)度超前 EUV工藝獲突破:直奔1nm

,3nm工藝是今年下半年試產(chǎn),2022年正式量產(chǎn)。 與三星3nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)選擇GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝不同,臺(tái)積電的第一代3nm工藝比較保守,依然使用FinFET晶體管。 與5nm工藝相比,臺(tái)積電3nm工藝的晶體管密度提升70%,速度提升11%,或者功耗降低27%。 不論是5nm還是3nm
2021-02-19 15:13:402778

驍龍895曝光:三星代工增強(qiáng)改良版的5nm工藝

5nm工藝,制程層面的性能和功耗得到進(jìn)一步優(yōu)化。 但消息人士稱,高通有意在2022年切換到臺(tái)積電的4nm工藝,其設(shè)計(jì)跟5nm是兼容的,EUV光罩層會(huì)更多,不過(guò)具體性能、功耗有多大變化一直也沒(méi)公布。 其實(shí),高通2月初發(fā)布的X65和X62 5G基帶就是4nm
2021-02-24 17:23:293849

傳臺(tái)積電或在今年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)3nm制造工藝

2020年下半年,5nm芯片剛剛成為手機(jī)處理器市場(chǎng)主流時(shí),臺(tái)積電和三星就已經(jīng)開始針對(duì)3nm工藝展開角逐。
2021-03-05 15:57:092724

報(bào)道稱蘋果預(yù)訂了臺(tái)積電4nm工藝的產(chǎn)能

處理器,此前有外媒在報(bào)道中也提到,臺(tái)積電3nm工藝首波產(chǎn)能中的大部分,留給大客戶蘋果。 而除了5nm3nm,有英文媒體在報(bào)道中稱,蘋果也預(yù)訂了臺(tái)積電4nm工藝的產(chǎn)能。 不過(guò),有外媒在報(bào)道中表示,蘋果預(yù)訂的臺(tái)積電4nm工藝的產(chǎn)能,可能不會(huì)用于生產(chǎn)智能手機(jī)所
2021-04-10 09:18:152447

AMD已向臺(tái)積電預(yù)訂明后兩年5nm3nm產(chǎn)能

2022 年推出 5nm Zen 4 架構(gòu)處理器,2023~2024 年間推出 3nm Zen 5 架構(gòu)處理器,屆時(shí)將成為臺(tái)積電 5nm3nm 高性能計(jì)算(HPC)的最大客戶。 AMD 上半年完成
2021-06-26 16:02:31731

三星正式宣布3nm成功流片,性能將完勝臺(tái)積電

據(jù)外媒最新報(bào)道,三星宣布,3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流片! 據(jù)悉,三星3nm制程采用的是GAA架構(gòu),性能上完勝臺(tái)積電的3nm FinFET架構(gòu)! 據(jù)報(bào)導(dǎo),三星3nm制程的流片進(jìn)度是與新思科技合作完成
2021-07-01 15:27:444638

三星宣布其基于柵極環(huán)繞型晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)正式流片

目前從全球范圍來(lái)說(shuō),也就只有臺(tái)積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間,據(jù)外媒報(bào)道,三星宣布其基于柵極環(huán)繞型 (Gate-all-around,GAA) 晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)
2021-07-02 11:21:543387

牙膏踩爆!Intel 5nm工藝曝光:直逼IBM 2nm

不小,三星3nm工藝密度才跟Intel的7nm差不多。 Digitimes日前發(fā)表了研究報(bào)告,分析了三星、臺(tái)積電、Intel及IBM四家的半導(dǎo)體工藝密度問(wèn)題,對(duì)比了10nm、7nm5nm、3nm
2021-07-15 09:36:392459

臺(tái)積電宣布推出4nm制程工藝——N4P

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)近日,全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電宣布推出4nm制程工藝——N4P,希望借此贏得明年蘋果公司A16處理器代工訂單。臺(tái)積電表示,憑借5nm(N5)、4nm(N4)、3nm(N3
2021-10-30 11:25:169826

三星電子3nm良品率才10%-20%,大大低于預(yù)期

三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期,三星電子3nm制程工藝的良品率,才到10%-20%,遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo)。
2022-04-20 10:43:132740

三星率先實(shí)現(xiàn)3nm制程工藝量產(chǎn),或趕超臺(tái)積電

三星與臺(tái)積電同為全球頂尖晶圓代工大廠,近幾年三星的各種評(píng)價(jià)卻開始落后于臺(tái)積電,差距也被逐漸拉大,不過(guò)三星沒(méi)有放棄,還是宣稱要超越臺(tái)積電。 據(jù)媒體報(bào)道稱,三星3nm工藝已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)了,而臺(tái)積電
2022-05-22 16:30:312676

2nm芯片是極限

2nm芯片是極限嗎 去年IBM公布的2nm芯片一時(shí)轟動(dòng)了世界,而當(dāng)時(shí)的三星和臺(tái)積電還在苦苦研發(fā)3nm技術(shù)。 到了現(xiàn)在,三星和臺(tái)積電的3nm技術(shù)終于要在下半年正式量產(chǎn),可2nm芯片還要等很久,或許有人
2022-06-23 10:12:375882

2nm芯片的意義 2nm芯片與7nm芯片的差距

今年2021年依然是5nm工藝的天下,明年2022年主要是三星4nm和臺(tái)積電5nm(N5P)的天下,2023年才能見到3nm工藝制程,2nm至少也是2024年的事情了。
2022-06-27 10:45:163808

成功彎道超車!三星明天開始量產(chǎn)3nm工藝,搶先臺(tái)積電一步占領(lǐng)市場(chǎng)

完成3nm工藝的量產(chǎn),還要在3nm工藝的質(zhì)量上勝過(guò)臺(tái)積電。 據(jù)了解,三星3nm工藝采用GAAFET全柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管,相較于之前的FinFET鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管更為先進(jìn),與7nm工藝相比,三星3nm工藝將會(huì)降低50%功耗,提高35%性能,并且大小僅為7nm5
2022-06-29 17:01:531839

三星3nm芯片開始量產(chǎn),采用GAA晶體管,提升巨大

日前,三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息,今天上午,三星官方宣布已經(jīng)開始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱,其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國(guó)華城工廠開始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:272953

三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎

三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎 全球第一款正式量產(chǎn)的3nm芯片即將出自三星半導(dǎo)體了,根據(jù)三星半導(dǎo)體官方的宣布,4D(GAA)架構(gòu)制程技術(shù)芯片正式開始生產(chǎn)。 4D(GAA)架構(gòu)制程是3
2022-06-30 20:21:522069

3nm工藝指的是什么 3nm工藝極限了嗎

3nm工藝是繼5nm技術(shù)之后的下一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn),臺(tái)積電、三星都已經(jīng)宣布3nm的研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃,預(yù)計(jì)可在2022年實(shí)現(xiàn)。
2022-07-07 09:44:0431031

三星即將公布首顆3nm芯片,或扭轉(zhuǎn)訂單數(shù)量

在半導(dǎo)體制程工藝領(lǐng)域,三星一直都被臺(tái)積電壓了一頭,不過(guò)在六月底三星宣布了正式量產(chǎn)3nm芯片,在3nm領(lǐng)域三星算是反超臺(tái)積電了。 本周,三星正式展示最新研發(fā)的3nm芯片。 三星表示,這一代3nm芯片
2022-07-25 11:46:102256

三星正式宣布3nm芯片出貨,首位客戶為一家中國(guó)企業(yè)

今日,三星正式宣布了第一批3nm芯片出貨的消息,首位客戶是一家中國(guó)企業(yè)。 今天上午,三星在首爾舉辦了發(fā)貨儀式,多位高管出席,儀式上正式宣布了首批3nm芯片出貨,并表示首位客戶是一家來(lái)自中國(guó)的礦機(jī)芯
2022-07-25 16:25:143213

三星宣布首批3nm芯片正式出貨

7月25日上午,三星在韓國(guó)首爾南部的華城舉辦典禮,宣布首批3nm芯片正式出貨。
2022-07-26 10:15:582923

三星已找到第二家3nm芯片客戶 產(chǎn)能開始供不應(yīng)求

30日宣布全球首發(fā)量產(chǎn)3nm工藝,并在7月底出貨,他們的3nm首家客戶是一家中國(guó)礦機(jī)芯片廠商PanSemi(上海磐矽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司)。 礦機(jī)芯片結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,因此很適合新工藝拿來(lái)練手,不過(guò)礦機(jī)芯片的需求并不高,因此三星并不能指望礦機(jī)公司帶動(dòng)3nm工藝產(chǎn)能
2022-08-11 08:53:311958

三星3nm率先使用GAA 是否更具競(jìng)爭(zhēng)力

而在臺(tái)積電3nm量產(chǎn)之前,三星已經(jīng)在今年6月30日宣布,其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝,在當(dāng)日開始初步生產(chǎn)芯片,據(jù)外媒報(bào)道,三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片,定于7月25日出貨。臺(tái)積電、三星3nm之爭(zhēng)似乎已經(jīng)拉開帷幕。
2022-08-18 11:57:192174

iPhone成為三星與臺(tái)積電的轉(zhuǎn)折 3nm成為三星趕超最大希望

三星確實(shí)也在緊追臺(tái)積電的步伐,去年也量產(chǎn)了4nm芯片,高通驍龍8 Gen1就是基于三星4nm生產(chǎn)。
2022-09-21 11:54:421196

臺(tái)積電3nm5nm同期良率相當(dāng),3nm大量生產(chǎn)

3nm5nm同期良率相當(dāng),也已經(jīng)客戶共同開發(fā)新產(chǎn)品并大量生產(chǎn)?!毕噍^于5nm技術(shù),3nm密度增加60%,相同速度下功耗降低30%-35%,臺(tái)積電指出:“這是世界上最先進(jìn)的技術(shù)。”
2022-12-30 11:31:101944

三星3nm良率已經(jīng)超過(guò)臺(tái)積電?

目前三星4nm工藝方面的良率為75%,稍低于臺(tái)積電的80%。然而,通過(guò)加強(qiáng)對(duì)3nm技術(shù)的發(fā)展,三星有望在未來(lái)趕超臺(tái)積電。
2023-07-19 16:37:424327

三星3nm GAA正式商業(yè)量產(chǎn)

一篇拆解報(bào)告,稱比特微電子的Whatsminer M56S++礦機(jī)所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實(shí)了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:572290

臺(tái)積電擴(kuò)增3nm產(chǎn)能,部分5nm產(chǎn)能轉(zhuǎn)向該節(jié)點(diǎn)

目前,蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等世界知名廠商已與臺(tái)積電能達(dá)成緊密合作,預(yù)示臺(tái)積電繼續(xù)增加 5nm產(chǎn)能至該節(jié)點(diǎn)以滿足客戶需求,這標(biāo)志著其在3nm制程領(lǐng)域已經(jīng)超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星及英特爾。
2024-03-19 14:09:031306

三星電子澄清:3nm芯片并非更名2nm,下半年量產(chǎn)

李時(shí)榮聲稱,“客戶對(duì)代工企業(yè)的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力與穩(wěn)定供應(yīng)有嚴(yán)格要求,而4nm工藝已步入成熟良率階段。我們正積極籌備后半年第二代3nm工藝及明年2nm工藝的量產(chǎn),并積極與潛在客戶協(xié)商?!?/div>
2024-03-21 15:51:431104

三星電子:加快2nm3D半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展,共享技術(shù)信息與未來(lái)展望

在技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域,三星電子的3nm與2nm工藝取得顯著進(jìn)步,預(yù)計(jì)本季度內(nèi)完成2nm設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施的開發(fā);此外,4nm工藝的良率亦逐漸穩(wěn)定。
2024-04-30 16:16:461146

臺(tái)積電3nm工藝穩(wěn)坐釣魚臺(tái),三星因良率問(wèn)題遇冷

近日,全球芯片代工領(lǐng)域掀起了不小的波瀾。據(jù)媒體報(bào)道,臺(tái)積電在3nm制程的芯片代工價(jià)格上調(diào)5%之后,依然收獲了供不應(yīng)求的訂單局面。而與此同時(shí),韓國(guó)的三星電子在3nm工藝上卻遭遇了前所未有的尷尬,其3nm工藝至今未能獲得任何大客戶的青睞。
2024-06-22 14:23:431704

消息稱臺(tái)積電3nm/5nm漲價(jià),終端產(chǎn)品或受影響

據(jù)業(yè)內(nèi)手機(jī)晶片領(lǐng)域的資深人士透露,臺(tái)積電計(jì)劃在明年1月1日起對(duì)旗下的先進(jìn)工藝制程進(jìn)行價(jià)格調(diào)整,特別是針對(duì)3nm5nm工藝制程,而其他工藝制程的價(jià)格則保持不變。此次漲價(jià)的具體幅度為,3nm5nm的AI產(chǎn)品漲價(jià)5%至10%,而非AI產(chǎn)品則漲價(jià)0%至5%。
2024-07-04 09:22:041406

臺(tái)積電產(chǎn)能爆棚:3nm5nm工藝供不應(yīng)求

臺(tái)積電近期成為了高性能芯片代工領(lǐng)域的明星企業(yè),其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息,臺(tái)積電的3nm5nm工藝產(chǎn)能利用率均達(dá)到了極高水平,其中3nm達(dá)到100%,而5nm更是突破了100%的界限,達(dá)到了101%,實(shí)現(xiàn)了超負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)。
2024-11-14 14:20:011388

消息稱臺(tái)積電3nm5nm和CoWoS工藝漲價(jià),即日起效!

)計(jì)劃從2025年1月起對(duì)3nm5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲,最高漲幅20% 其中,對(duì)3nm5nm等先進(jìn)制程技術(shù)訂單漲價(jià),漲幅在3%到8%之間,而AI相關(guān)高性能計(jì)算產(chǎn)品的訂單漲幅可能高達(dá)8%到10%。此外,臺(tái)積電還計(jì)劃對(duì)CoWoS先進(jìn)封裝服務(wù)進(jìn)行漲
2025-01-03 10:35:351087

三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片

據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái),每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)(SF4X)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713208

三星5nm“翻車”?先進(jìn)工藝恐欲速不達(dá)

自蘋果的A14和M1、華為的麒麟9000芯片推出以來(lái),臺(tái)積電成功在2020年率先成為5nm工藝量產(chǎn)出貨的代工廠。但同樣擁有頂尖工藝三星也不甘落后,先后推出了Exynos 1080、驍龍888和Exynos 2100款芯片。盡管力求后發(fā)制人,但三星5nm之路依舊并非一帆風(fēng)順。
2021-01-20 03:53:004130

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