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hbm3資訊

AI大模型不斷拉高上限，內(nèi)存控制器IP提早部署，力拱HBM3E的到來

自2012年以來，大規(guī)模的AI訓(xùn)練所使用的數(shù)據(jù)集的計(jì)算量以每年10倍的速度增長。比如在2022年11月ChatGPT的版本參數(shù)是1750億個(gè)，今年3月的...

2023-12-13 標(biāo)簽：Rambus 內(nèi)存控制器 HBM3 2.6k 0

三星電子HBM存儲技術(shù)進(jìn)展：12層HBM3E芯片，2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對英偉達(dá)的替代，這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。...

2024-03-27 標(biāo)簽：英偉達(dá)三星 HBM3 2.6k 0

還沒用上HBM2E？HBM3要來了

2020年2月，固態(tài)存儲協(xié)會(JEDEC)對外發(fā)布了第三版HBM2存儲標(biāo)準(zhǔn)JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于...

2021-08-23 標(biāo)簽：內(nèi)存 HBM2E HBM3 2.6k 0

1.1TB HBM3e內(nèi)存！NVIDIA奉上全球第一GPU：可惜無緣中國

NVIDIA H200的一大特點(diǎn)就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來自SK海力士)，單顆容量就多達(dá)141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了...

2023-11-15 標(biāo)簽：NVIDIA gpu 堆疊 2.5k 0

英偉達(dá)B100 GPU架構(gòu)披露，B200或配備288GB顯存

XpeaGPU透露，B100 GPU將配備兩枚基于此技術(shù)的芯片，與此同時(shí)，還將連通多達(dá)8個(gè)HBM3e顯存堆棧，總?cè)萘扛哌_(dá)192GB。AMD同樣已有提供同...

2024-03-18 標(biāo)簽：amd gpu 英偉達(dá) 2.5k 0

三星計(jì)劃為英偉達(dá)AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù)

nvidia的a100、h100和其他ai gpu目前使用控制臺來制造晶片和2.5包的前端工程。nvidia ai gpu使用的hbm芯片由sk海力士獨(dú)...

2023-07-20 標(biāo)簽：芯片 NVIDIA 晶片 2.4k 0

SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn)，AI性能提升30倍，成本能耗降低96%

同日，SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個(gè)月。據(jù)稱，該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠...

2024-03-19 標(biāo)簽：存儲器 SK海力士 HBM3 2.4k 0

基于7nm打造的HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)公布

Rambus首次公布HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)，最大的關(guān)注點(diǎn)在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認(rèn)為是極限，因?yàn)榈搅?nm節(jié)點(diǎn)即使是finfet也...

2017-12-07 標(biāo)簽：內(nèi)存 7nm ddr5 2.4k 0

SK海力士將向英偉達(dá)系統(tǒng)供應(yīng)HBM3

SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進(jìn)一步鞏固了...

2022-09-08 標(biāo)簽：英偉達(dá)SK海力士 HBM 2.3k 0

韓美半導(dǎo)體新款TC鍵合機(jī)助力HBM市場擴(kuò)張

TC鍵合機(jī)作為一種應(yīng)用熱壓技術(shù)將芯片與電路板連接的設(shè)備，近年來廣泛應(yīng)用于HBM3E和HBM3的垂直堆疊工藝中，提升了生產(chǎn)效率和精度。

2024-04-12 標(biāo)簽：電路板半導(dǎo)體行業(yè)HBM3 2.3k 0

SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM

SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com）宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。

2021-10-20 標(biāo)簽：DRAM 機(jī)器學(xué)習(xí)SK海力士 2.3k 0

英偉達(dá)全球首發(fā)HBM3e 專為生成式AI時(shí)代打造

2023年8月8日，NVIDIA創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛在計(jì)算機(jī)圖形年會SIGGRAPH上發(fā)布了HBM3e內(nèi)存新一代GH200 Grace Hopper超級...

2023-08-11 標(biāo)簽：處理器 NVIDIA gpu 2.2k 0

HBM3萬事俱備只欠標(biāo)準(zhǔn)定稿

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）從PC時(shí)代走向移動與AI時(shí)代，芯片的架構(gòu)也從以CPU為中心走向了以數(shù)據(jù)為中心。AI帶來的考驗(yàn)不僅包括芯片算力，也包括內(nèi)存帶...

2021-10-12 標(biāo)簽：cpu PC AI 2.1k 0

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e?！皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，...

2023-08-21 標(biāo)簽：存儲器 SK海力士 HBM 2k 0

黃仁勛甩出最強(qiáng)生成式AI處理器，全球首發(fā)HBM3e，比H100還快

在隨后大約1小時(shí)20分鐘的演講中，黃仁勛宣布全球首發(fā)HBM3e內(nèi)存——推出下一代GH200 Grace Hopper超級芯片。黃仁勛將它稱作“加速計(jì)算和...

2023-08-09 標(biāo)簽：處理器 NVIDIA AI 2k 0

今日看點(diǎn)丨美國將四家中國公司加入SDN名單?。籗K海力士開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

今日看點(diǎn)丨美國將四家中國公司加入SDN名單??；SK海力士開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

1. 美國將四家中國公司加入SDN 名單 ? 2023年4月19日，美國財(cái)政部海外資產(chǎn)控制辦公室（OFAC）依據(jù)第13382號行政令，以向PASNA（一...

2023-04-20 標(biāo)簽：SK海力士 HBM3 1.9k 0

DDR5實(shí)現(xiàn)大幅增長美光計(jì)劃明年初大量出貨HBM3E

預(yù)計(jì)2023年第4季度移動DRAM的合約價(jià)格將上漲13-18%，而eMMC和UFS NAND Flash的合約價(jià)格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢預(yù)計(jì)...

2023-11-24 標(biāo)簽：DRAM NAND HBM 1.9k 0

GTC 2024：三大存儲廠商齊展HBM3E與GDDR7技術(shù)

據(jù)悉，HBM3E廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片；AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其...

2024-03-20 標(biāo)簽：加速器顯卡 HBM3 1.9k 0

預(yù)計(jì)英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會在2...

2023-11-27 標(biāo)簽：芯片英偉達(dá)HBM 1.9k 0

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E，向英偉達(dá)提供樣品

該公司表示，HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備...

2023-08-22 標(biāo)簽：芯片 DRAM 英偉達(dá) 1.8k 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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