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hbm3

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hbm3資訊

創(chuàng)意電子宣布5nm HBM3 PHY和控制器經(jīng)過硅驗(yàn)證,速度為8.4Gbps

創(chuàng)意電子宣布5nm HBM3 PHY和控制器經(jīng)過硅驗(yàn)證,速度為8.4Gbps

來源:EE Times 先進(jìn)ASIC領(lǐng)導(dǎo)廠商創(chuàng)意電子(GUC)宣布,公司HBM3解決方案已通過8.4 Gbps硅驗(yàn)證,該方案采用臺(tái)積電5納米工藝技術(shù)。該...

2023-09-07 標(biāo)簽:控制器HBM3 1.4k 0

SK海力士發(fā)布2024財(cái)年第1季度財(cái)報(bào),創(chuàng)歷史同期新高

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HBM3如何滿足市場對(duì)DRAM的需求

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2022-08-04 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM3 1.2k 0

今日看點(diǎn)丨傳三星HBM3獲英偉達(dá)認(rèn)證 將用于中國版H20芯片;OPPO 新開兩塊高密度硅材料單電芯電池

1. 隨著日本將首次引入EUV 光刻機(jī),ASML 當(dāng)?shù)貑T工計(jì)劃增至600 人 ? 隨著日本準(zhǔn)備進(jìn)口其首批極紫外(EUV)光刻機(jī),作為唯一技術(shù)提供商的AS...

2024-07-24 標(biāo)簽:芯片OPPO英偉達(dá) 1.2k 0

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高達(dá)8.4Gbps的數(shù)據(jù)速率,為人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)(AI/ML)和高性能計(jì)算(HPC)應(yīng)用提供TB級(jí)帶寬加速器

2021-08-25 標(biāo)簽:內(nèi)存RambusAI 1.1k 0

今日看點(diǎn)丨三星研發(fā)出16層堆疊HBM3芯片樣品;Meta推出新款A(yù)I芯片

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1. 法拉第未來被曝銷量造假,賈躍亭回應(yīng):誹謗 ? 近日市場消息,法拉第未來(Faraday Future)被兩名前員工舉報(bào)稱,迄今為止的銷量數(shù)據(jù)存在造...

2024-04-11 標(biāo)簽:MetaAI芯片三星 1.1k 0

NVIDIA預(yù)定購三星獨(dú)家供應(yīng)的大量12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)悉,HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲(chǔ)容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。

2024-03-25 標(biāo)簽:人工智能英偉達(dá)HBM3 1.1k 0

SK海力士開發(fā)“最佳性能”HBM3E

以“業(yè)界頂尖性能”推動(dòng)人工智能技術(shù)創(chuàng)新的產(chǎn)品將從2024年1月起開始量產(chǎn)。

2023-08-31 標(biāo)簽:DRAM人工智能SK海力士 1.1k 0

英偉達(dá)HBM3e 驗(yàn)證計(jì)劃2024 Q1完成

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HBM4 預(yù)計(jì)將于 2026 年推出,具有針對(duì)英偉達(dá)和其他 CSP 未來產(chǎn)品量身定制的增強(qiáng)規(guī)格和性能。在更高速度的推動(dòng)下,HBM4 將標(biāo)志著其最底部邏輯...

2023-11-28 標(biāo)簽:存儲(chǔ)芯片Nand flash英偉達(dá) 1.1k 0

超級(jí)計(jì)算機(jī)性能百億億次時(shí)代開啟 SK海力士HBM3為超算加速

在超級(jí)計(jì)算機(jī)以令人驚訝的速度不斷超越,實(shí)現(xiàn)升級(jí)的背后,存儲(chǔ)芯片的性能持續(xù)提升,不斷突破閾值,為其提供了有力支持。越來越多的超級(jí)計(jì)算機(jī)也在服務(wù)器上使用高帶...

2022-09-01 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器超級(jí)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片 999 0

三星電子HBM3E芯片驗(yàn)證仍在進(jìn)行,與英偉達(dá)展開聯(lián)合測試并取得階段性成果

據(jù)行業(yè)觀察者透露,三星HBM3E面臨的問題源于臺(tái)積電在驗(yàn)證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn),而這與三星自身的生產(chǎn)方式有所出入,從而影響了產(chǎn)品的認(rèn)證進(jìn)程。

2024-05-17 標(biāo)簽:SK海力士三星HBM3 989 0

 Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

為增強(qiáng)AI/ML及其他高級(jí)數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達(dá)9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率,支持HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的未來演進(jìn)...

2023-12-07 標(biāo)簽:RambusHBM3 693 0

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