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      標(biāo)簽　>　nand

      nand

      nand

      +關(guān)注16人關(guān)注

      NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

      文章：1574個 瀏覽：141143次 帖子：353個

      nand資訊

      國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)崛起 長江存儲有望在2023年趕“英”超“美”

      2019年11月27日，由集邦咨詢（TrendForce）主辦的MTS2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會在深圳召開。在當(dāng)天的活動上，多位分析師對全球DRMA及NA...

      2019-11-29 標(biāo)簽：NAND存儲 5.1k 0

      集邦咨詢2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會圓滿落幕！

      2019年11月27日，由全球高科技產(chǎn)業(yè)市場研究機構(gòu)集邦咨詢（TrendForce）旗下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究中心DRAMeXchange主辦的2020存儲產(chǎn)業(yè)...

      2019-11-27 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲芯片 5.1k 0

      NAND Flash營收季增10.2% 帶動合約價跌幅收斂

      2019 年第三季 NAND Flash 產(chǎn)業(yè)營收季成長為 10.2%，達到約 119 億美元。一方面受惠于年底銷售旺季以及因應(yīng)美中貿(mào)易沖突客戶提前備貨...

      2019-11-25 標(biāo)簽：NAND 627 0

      三季度全球NAND Flash營收三星排名第一

      今天，集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)發(fā)布了第三季度的全球NAND Flash品牌廠商最新營收排名出爐，三星排名第一，鎧俠第二。

      2019-11-25 標(biāo)簽：nand三星電子 3k 0

      三星明年將發(fā)布128層第六代V-NAND TLC實現(xiàn)了512 Gb

      19日,在東京舉行的 Samsung SSD Forum 2019 Tokyo會上。三星電子存儲器部門產(chǎn)品規(guī)劃團隊高級董事總經(jīng)理Jinman就所展示的解...

      2019-11-25 標(biāo)簽：NAND三星電子存儲器 6.5k 0

      SCM與NAND相比較，它的優(yōu)勢是什么

      存儲級存儲器SCM能夠如同NAND閃存一樣保留其內(nèi)容的能力，也能有像DRAM一樣的的速度，這使得它最終將取代閃存作為首選的高速存儲介質(zhì)。

      2019-11-24 標(biāo)簽：NANDSCM 2.1k 0

      終端客戶正在創(chuàng)造基于NAND的閃存驅(qū)動器的顯著增長

      根據(jù)IndustryARC的一份新報告，數(shù)據(jù)存儲市場在2018年達到了360億美元，他們表示，在2019年至2025年的預(yù)測期內(nèi)，市場預(yù)計將以21％的復(fù)...

      2019-11-22 標(biāo)簽：閃存NAND 733 0

      國內(nèi)存儲芯片明年有望占據(jù)全球 5% 即將迎來重大的突破

      中國的技術(shù)自給自足之路正處于重大突破的邊緣，新生的芯片產(chǎn)業(yè)有望在 2020 年底之前從去年的幾乎為零的產(chǎn)量增長到世界 5％的存儲芯片生產(chǎn)。

      2019-11-22 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲 1.2k 0

      美光Micron i300 microSDXC UHS-I工業(yè)microSD卡 可滿足邊緣存儲需求

      美光科技公司（Micron Technology，Inc.）推出了大容量工業(yè)microSD卡 – i300 1TB microSDXC UHS-I ，可...

      2019-11-21 標(biāo)簽：NAND美光 1.4k 0

      隨著5G物聯(lián)網(wǎng)的正式普及 NAND閃存將迎來新的增長點

      半導(dǎo)體行業(yè)一直是科技行業(yè)的重頭，尤其是今年開始，半導(dǎo)體行業(yè)的重要性愈發(fā)顯得突出，隨著 5G 物聯(lián)網(wǎng)的正式普及，又會帶動新的一波增長趨勢。

      2019-11-20 標(biāo)簽：閃存NAND 1k 0

      三星電子提高NAND閃存價格 短時間內(nèi)將無法恢復(fù)

      三星電子計劃將其NAND閃存價格提高10％，原因是日本政府對半導(dǎo)體材料出口限制導(dǎo)致生產(chǎn)中斷的擔(dān)憂日益增加。美光科技等其他公司也可能效仿。

      2019-11-18 標(biāo)簽：閃存NAND 1.1k 0

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      2019-11-18 標(biāo)簽：CMOSNAND美光 1.1k 0

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      2019-11-15 標(biāo)簽：NANDSSD 3.8k 0

      Apacer開發(fā)3D NAND閃存的優(yōu)化 為客戶提供最適合其應(yīng)用的P / E周期

      NAND閃存已經(jīng)成為一種成熟的技術(shù)，并且現(xiàn)在可用的各種格式已經(jīng)在許多工業(yè)應(yīng)用中采用。

      2019-11-15 標(biāo)簽：閃存NAND 1.2k 0

      全球NAND閃存市場聞風(fēng)而動 韓國對日制裁產(chǎn)生了一系列的影響

      從去年初以來，全球NAND Flash閃存市場價格已經(jīng)連跌了6個季度，導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營收及盈利不斷下滑，多家廠商還削減了產(chǎn)能，其中...

      2019-11-14 標(biāo)簽：閃存NAND 765 0

      NAND進入美日韓壟斷局面 3D NAND市場競爭加劇

      3D NAND的出現(xiàn)也是因為2D NAND無法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的...

      2019-11-14 標(biāo)簽：NAND 1.2k 0

      中國半導(dǎo)體存儲器開始生產(chǎn) NAND之后DRAM大規(guī)模生產(chǎn)計劃揭曉

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      2019-11-14 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲器 9k 0

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      非揮發(fā)性快閃存儲器大廠旺宏董事長表示，近期NOR Flash價格持穩(wěn)，看好5G基地臺及終端設(shè)備將會采用更多高容量NOR Flash。旺宏在SLC NAN...

      2019-11-12 標(biāo)簽：NAND存儲器 2k 0

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