比特位的技術），實現(xiàn)了具有極大存儲容量的硅芯片。 目前，最先進的3D NAND閃存可在單個硅片上容納高達1Tbit或1.33Tbit的數(shù)據(jù)。 譬如，英特爾（Intel）和美光科技（Micron）的開發(fā)聯(lián)盟和三星電子各自將制造技術與64層堆棧和QLC（四層單元）技術相結合，該技
2019-08-10 00:01:00
8135 9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:151919 3D NAND仍然是其主要閃存產(chǎn)品。 SK Hynix 早在6月宣布其128L 3D NAND已從開發(fā)轉向批量生產(chǎn)，現(xiàn)在已被整合到SSD和UFS模塊中，并已向主要客戶提供樣品。 SK Hynix
2019-11-25 17:21:556386 Kioxia（原東芝存儲），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術進行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術 BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 平面技術，自19世紀以來一直在使用。 旺宏并未透露其3D NAND的系統(tǒng)結構，但由于該公司通常為除顫器，無人機，
2019-12-14 09:51:295966 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:231561 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512858 
256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 句點，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢，主要的生產(chǎn)廠商，以及三星、東芝和Intel在這個領域的實力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:0644661 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速
2020-09-11 10:03:293528 3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
2025-04-08 14:38:392049 
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND技術資料：器件結構及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
最適合人工智能開發(fā)的5種編程語言
2021-07-02 06:52:33
MOSFET驅動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅動器最適合您的應用呢？
2021-11-08 06:11:40
請問使用ADA4899-1做單位增益和放大電路（10倍）時候，最適合的電路是怎么設置的，能分別提供一下電路嗎？
2023-11-15 06:58:24
影響PXI/PXIe系統(tǒng)散熱的要素是什么？如何配置風扇，以取得風扇最佳性能？如何挑選最適合的PXI/PXIe系統(tǒng)？
2021-05-08 08:03:15
種 RTOS 可供開發(fā)人員使用，從開源系統(tǒng)到經(jīng)認證的商業(yè) RTOS。那么，該如何選擇 RTOS 并開始使用呢？如何評估最適合應用的 RTOS？
2019-07-26 14:15:59
示波器的反應特性指的是什么？示波器的反應系統(tǒng)分為哪幾類？它們有什么差異？與高斯反應示波器相比，磚墻反應型示波器有哪些缺點？高速數(shù)字示波器為什么要選用磚墻反應型？如何來選擇最適合的示波器呢？
2021-04-15 07:04:38
。當對配置滿意時，工程師可以用他們選擇的CAD格式生成幾何精度高的產(chǎn)品模型。
3、杰牌傳遞（JIEDrives）是一家提供高質量變速箱和電機相關產(chǎn)品的驅動解決方案供應商，為工程師客戶們提供在線3D
2025-01-20 16:09:27
衍生了一些新的技術，來助力其閃存產(chǎn)品向3D方向發(fā)展。其中，就包括了三星的V-NAND、東芝的BiCS技術3D NAND、英特爾的3D XPoint等。三星在3D NAND閃存上首先選擇了CTF電荷擷取
2020-03-19 14:04:57
請問一下藍牙低功耗最適合物聯(lián)網(wǎng)應用嗎？
2021-05-20 06:02:22
Hi-FRDS什么樣的傳感器可以用來測量速度？哪種傳感器最適合測量速度？為什么？郵寄一些資料 以上來自于百度翻譯 以下為原文hi frds what type of sensors
2019-06-05 06:28:23
256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 的存儲，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-12 01:07:111359 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個新的研究報告中指出，這項技術將會在今年成為閃存領域的卓越性技術。
2017-05-03 01:02:501621 市場調查機構DRAMeXchange周五發(fā)布的調查結果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
2017-05-06 01:03:11860 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 技術的基礎上， 該公司運用其深厚的重直整合能力，開發(fā)出X4 3D NAND技術，包括硅晶圓加工、裝置工程（在每個存儲節(jié)點上提供16個不同的資料等級）、和系統(tǒng)專門技術（用于整體閃存管理）。
2017-07-26 16:07:111246 的廠商競爭，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:26
6 上周，隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發(fā)3D NAND，其維持多年的長期合作關系也將結束。與此同時，有外媒報道，英特爾將于紫光合作，在中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來幾年，英特爾將會
2018-01-16 14:37:555172 
關于四級單元閃存糾錯問題的潛在解決方法。 與此前的平面NAND相比， 3D NAND 技術的運用將使得錯誤檢查代碼更易于實現(xiàn)，這也進一步確定了容量提升的四級單元技術的可行性。 錯誤檢查代碼（ECC
2018-01-25 22:30:39596 
西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業(yè)氣體供應商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 的硬件性能，滿足這個條件的手機才是最適合玩手機游戲的。 玩手機游戲需要手機具備強大硬件性能，只有這樣的手機玩游戲才是最適合的。這是因為玩手機游戲不比日常應用存在過剩。安卓系統(tǒng)是開源的，機型千差萬別，游戲開發(fā)者
2018-09-07 10:55:001295 層數(shù)的增加也就意味著對工藝、材料的要求會提高，要想達到140層堆疊就必須使用新的基礎材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:4851340 無論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說明了隨著3D NAND技術走向實用化，國際廠商正在加快推進技術進步。3D NAND相對2D NAND來說，是一次閃存技術上的變革。而且不同于基于微縮技術
2018-06-20 17:17:495087 作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）今年將首次參加閃存峰會（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077 近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤，加強擴大3D NAND供應。
2018-08-01 17:44:541237 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031683 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術——XtackingTM。據(jù)悉，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱：長江存儲）昨日公開發(fā)布其突破性技術——Xtacking?。該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 SK海力士在清州建設M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導地位。
2018-09-07 16:59:043820 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉型步伐較慢，低于預期。
2018-09-16 10:38:14759 ，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。??3D NAND閃存也不再是
2018-10-08 15:52:39780 支持64層3D QLC后，現(xiàn)已全面支持最新96層3D NAND閃存顆粒。此次發(fā)布的96層3D TLC NAND閃存固態(tài)硬盤解決方案，客戶無需修改硬件，為客戶快速量產(chǎn)提供了極大的便利性。聯(lián)蕓科技最新發(fā)
2018-11-19 17:22:318411 本視頻主要詳細介紹了最適合linux系統(tǒng)的筆記本，分別是Dell筆記本、Acer筆記本、Dell游戲本。
2019-03-04 14:06:4719089 日前有消息稱紫光純國產(chǎn)的SSD硬盤就要上市了，使用是他們研發(fā)生產(chǎn)的64層堆棧3D TLC閃存，P/E次數(shù)可達1500次，這個技術及規(guī)格在主流SSD中已經(jīng)不低了。
2019-03-15 10:38:455883 國產(chǎn)存儲芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 星星科技表示，華為是公司重要的終端客戶之一，目前華為P30已經(jīng)發(fā)布，公司為其中3D蓋板玻璃供貨商之一。
2019-04-09 16:45:533563 ，這樣有利于選擇更先進的制造工藝。當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構，Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
2019-09-03 10:07:021788 據(jù)悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤的144層QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應用了全新的替換柵極(RG)架構，并計劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180 有關國產(chǎn)閃存技術的發(fā)展與突破，相信很多人都在翹首期待，希望我們能夠擁有自己的先進閃存產(chǎn)品，而當長江存儲成功發(fā)展出來3D NAND存儲Xtacking架構技術的時候，我們知道，真正的國產(chǎn)存儲即將出現(xiàn)了！
2019-10-31 11:37:071248 ，并優(yōu)化硬件與固件設計，平均故障間隔時間 （MTBF）高于業(yè)界標準，為巨量數(shù)據(jù)用戶與高階應用提供更耐久的讀寫負荷需求。此外，全新的3D NAND TLC SSD系列支持各種外型規(guī)格，并特別設計動態(tài)溫控調節(jié)功能，可使硬盤維持長時間穩(wěn)定運行，不僅提供快速的訪問速度，更讓系統(tǒng)平穩(wěn)無虞。
2019-11-18 15:28:451054 根據(jù)國科微官方的消息，國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:495929 根據(jù)消息報道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn)，今年下半年可能會實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:345210 2020年4月13日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:523480 長江儲存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功，型號為X2-6070，并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-19 10:14:063603 長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:003612 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 西部數(shù)據(jù)公司 （NASDAQ： WDC）日前宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進的閃存技術來鞏固其業(yè)界領先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術構建而成，以有
2020-07-24 15:09:132151 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:342586 據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 據(jù)美媒Anandtech報道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀錄的176層構造。報道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲單元設計轉變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:593477 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 日前，TechInsights高級技術研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會上作了兩次演講，詳細介紹了3D NAND和其他新興存儲器的未來。
2020-11-19 16:11:183722 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠將內(nèi)存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133095 依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會
2020-11-20 17:15:444306 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠將內(nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:493617 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 ，英特爾還對 670p 的 SLC 緩存調度進行了優(yōu)化。 去年 11 月，英特爾正式推出了 665p SSD，設計改動很小，最主要的是從英特爾的 64 層 3D QLC NAND 轉換
2020-12-17 09:30:223066 隨著蘋果發(fā)布會時間的時間臨近，關于iPhone13系列版本配置也曝光了出來，那么蘋果13最適合買的配置是哪個呢？下面我們一起看看不同版本配置的區(qū)別。
2021-09-13 10:37:176983 在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:153354 
長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:218286 全球存儲市場對NAND 閃存的需求不斷增長。這項技術已經(jīng)通過許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當今閃存控制器的功能上，尤其是通過 3D NAND 架構。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) （IIoT）、智能工廠、自動駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應用程序的不斷發(fā)展，這些苛刻應用程序的數(shù)據(jù)存儲要求變得更具挑戰(zhàn)性。
2022-07-15 08:17:251510 在NAND閃存的應用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:112256 
在NAND閃存的應用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:433434 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
3D相機的應用在我們身邊已是越來越常見，如何在眾多不同的3D相機中挑選到最適合的產(chǎn)品，就需要對3D相機的成像原理、原理優(yōu)缺點以及特征參數(shù)進行深入的了解。
2022-03-21 16:02:305498 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:293142 增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因為支持傳統(tǒng)高密度技術的基本技術預計將在不久的將來達到其極限。2025 年至 2030 年間，新的基礎技術的引入和轉化很可能會變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:261911 
目前，鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術，他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存，這項產(chǎn)品能達到的傳輸速度高達3200MT/s。
2024-04-07 15:21:571351 在全球半導體行業(yè)的激烈競爭中，日本知名存儲芯片制造商鎧俠（Kioxia）展現(xiàn)了其雄心壯志和堅定決心。在結束了長達20個月的NAND閃存減產(chǎn)計劃后，鎧俠的兩座日本工廠生產(chǎn)線開工率已提升至100%，同時上周還公布了其令人矚目的3D NAND閃存技術路線圖計劃。
2024-06-29 09:29:371369 3D打印的材質有哪些？不同材料決定了打印效果、強度、用途乃至安全性，本文將介紹目前主流的3D打印材質，幫助你找到最適合自己需求的材料。
2025-07-28 10:58:343040 
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