2019年11月27日，由集邦咨詢（TrendForce）主辦的MTS2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)在深圳召開(kāi)。在當(dāng)天的活動(dòng)上，多位分析師對(duì)全球DRMA及NAND Flash市場(chǎng)進(jìn)行了細(xì)致的分析。

對(duì)于國(guó)產(chǎn)NAND廠商——長(zhǎng)江存儲(chǔ)，集邦預(yù)測(cè)其將在2023年的NAND Flash市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)趕“英”超“美”。此外，備受關(guān)注的國(guó)產(chǎn)DRAM廠商福建晉華的高管也意外現(xiàn)身。

國(guó)產(chǎn)化已迫在眉睫

中國(guó)存儲(chǔ)器進(jìn)口金額已占全球存儲(chǔ)產(chǎn)值的72.4%

隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、邊緣計(jì)算、人工智能等技術(shù)的發(fā)展，推動(dòng)了數(shù)據(jù)的爆發(fā)式的增長(zhǎng)。

根據(jù)IDC預(yù)測(cè)，到2025年，全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)將達(dá)到416億臺(tái)，而整個(gè)智能聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的數(shù)量將會(huì)達(dá)到1500億臺(tái)，而數(shù)量如此龐大的設(shè)備接入網(wǎng)絡(luò)，無(wú)疑將產(chǎn)生海量的數(shù)據(jù)。

IDC預(yù)測(cè)，2025年時(shí)全球數(shù)據(jù)量總和將高達(dá)175ZB，這相比其2017年時(shí)的預(yù)測(cè)（163ZB）提高了7%左右。

而如此巨量的數(shù)據(jù)的產(chǎn)生，也直接推動(dòng)了以DRAM和NAND Flash為代表的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)快速的發(fā)展。

不過(guò)，在過(guò)去多年來(lái)，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)一直被國(guó)外廠商所占據(jù)。

根據(jù)TrendForce的統(tǒng)計(jì)顯示，2018年全球NAND Flash前五強(qiáng)分別為：三星（35％）、東芝（19.2％）、西部數(shù)據(jù)（14.9％）、美光科技（12.9％）和SK海力士（10.6％）。這前五大廠商一共拿下了92.6%的市場(chǎng)，如果再加上第六的英特爾，占比將超過(guò)99%。

全球DRAM市場(chǎng)則是被三星43.9％、SK海力士29.5％、美光科技23.5％所壟斷，三家合計(jì)拿下了96.9%的市場(chǎng)。

作為全球最大的電子產(chǎn)品制造國(guó)和重要的電子產(chǎn)品消費(fèi)市場(chǎng)，中國(guó)對(duì)存儲(chǔ)芯片有著巨大的需求。

根據(jù)中國(guó)海關(guān)總署公布的數(shù)據(jù)顯示，2018全年，中國(guó)進(jìn)口集成電路進(jìn)口總金額高達(dá)3120.58億美元。其中，存儲(chǔ)器進(jìn)口金額就高達(dá)1230.83億美元（進(jìn)口金額同比增長(zhǎng)1188.99%），占總進(jìn)口額的39.4%。

數(shù)據(jù)顯示，2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)4779.4億美元，其中全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模大概在1700億美元。也就是說(shuō)，粗略的估算，2018年中國(guó)的存儲(chǔ)器進(jìn)口金額占2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的25.8%，占全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)值的72.4%。（注：不清楚海關(guān)統(tǒng)計(jì)的存儲(chǔ)器是否包括了機(jī)型硬盤(pán)類(lèi)存儲(chǔ)）

顯然，作為全球最大的存儲(chǔ)芯片消耗國(guó)，如果無(wú)法實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片的自主的話，那么則意味著關(guān)鍵命脈被掌握在國(guó)外廠商手中。而且，存儲(chǔ)芯片是數(shù)據(jù)的最重要的載體，關(guān)乎到各行各業(yè)的信息數(shù)據(jù)的安全。

所幸的是，隨著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的相繼量產(chǎn)，國(guó)外廠商對(duì)于存儲(chǔ)芯片的壟斷開(kāi)始被打破。

國(guó)產(chǎn)NAND Flash領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)突破

長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望在2023年趕“英”超“美”

2016年7月，由紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎(chǔ)上組建成立國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)領(lǐng)域的“航母”——長(zhǎng)江存儲(chǔ)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)總投資約1600億美元。其中紫光集團(tuán)占股51.04%。

2016年12月，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)為主體的國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式開(kāi)工建設(shè)，其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，預(yù)計(jì)項(xiàng)目建成后總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。

依托武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，采取自主研發(fā)與國(guó)際合作雙輪驅(qū)動(dòng)的方式，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已于2017年研制成功了中國(guó)第一顆3D NAND閃存芯片。

而隨著2018年長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層NAND Flash的量產(chǎn)，國(guó)產(chǎn)閃存芯片終于實(shí)現(xiàn)了重大突破。不過(guò)，由于該技術(shù)與國(guó)際主流技術(shù)相差較大，所以并不會(huì)影響到市場(chǎng)。

相比之下，今年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布量產(chǎn)的基于自研的Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND Flash的量產(chǎn)，卻能夠?qū)δ壳暗闹械投耸袌?chǎng)形成爭(zhēng)奪。

特別值得一提的是，據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)介紹，該閃存滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求，與目前業(yè)界已上市的64/72層3D NAND閃存相比，其擁有同代產(chǎn)品中更高存儲(chǔ)密度。

而這主要得益于長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)。當(dāng)前，NAND閃存主要沿用兩種I/O接口標(biāo)準(zhǔn)，分別是Intel/索尼/SK海力士/群聯(lián)/西數(shù)/美光主推的ONFi，去年12月發(fā)布的最新ONFi 4.1規(guī)范中，I/O接口速度最大1200MT/s（1.2Gbps）。第二種標(biāo)準(zhǔn)是三星/東芝主推的Toggle？DDR，I/O速度最高1.4Gbps。不過(guò)，大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的I/O速度。而長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking架構(gòu)成功將I/O接口的速度提升到了3Gbps，實(shí)現(xiàn)與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。

不少業(yè)內(nèi)人士也認(rèn)為，只要長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND Flash芯片良率夠好，其實(shí)完全不用擔(dān)心客戶問(wèn)題。國(guó)內(nèi)對(duì)于NAND Flash的需求量非常的大，在當(dāng)下的“國(guó)產(chǎn)替代”大勢(shì)之下，國(guó)產(chǎn)NAND Flash如果品質(zhì)沒(méi)問(wèn)題，相比同類(lèi)產(chǎn)品又有技術(shù)和價(jià)格都有優(yōu)勢(shì)，自然不愁賣(mài)。

產(chǎn)能方面，根據(jù)規(guī)劃，2020年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存的產(chǎn)能有望提升至6萬(wàn)片晶圓/月的規(guī)模。2020年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)會(huì)跳過(guò)96層堆棧直接殺向128層堆棧，力求進(jìn)一步縮短與三星、東芝等公司的差距。

另外值得一提的是，2018年10月12日，總投資達(dá)240億美元的紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開(kāi)工，該項(xiàng)目占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND Flash晶圓生產(chǎn)線，并開(kāi)展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷(xiāo)售。

根據(jù)集邦科技DRAMeXchange研究協(xié)理陳玠瑋預(yù)計(jì)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成都廠預(yù)計(jì)2020年二季度投產(chǎn)，屆時(shí)可能會(huì)有0.5萬(wàn)片/月的產(chǎn)能，到2020年四季度產(chǎn)能可爬升到2萬(wàn)片/月。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢廠目前的產(chǎn)能大概在2萬(wàn)片/月的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)到2020年四季度會(huì)達(dá)到5萬(wàn)片/月，屆時(shí)整個(gè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND Flash的產(chǎn)能將達(dá)到7萬(wàn)片/月，已經(jīng)是與英特爾的8.5萬(wàn)片/月的產(chǎn)能相接近。

但是與三星高達(dá)47萬(wàn)片/月的產(chǎn)能相比，仍是有著巨大的差距。在整個(gè)全球3D NAND Flash產(chǎn)能當(dāng)中的占比也只有4.6%

不過(guò)，陳玠瑋預(yù)計(jì)隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)新的3D NAND Flash產(chǎn)能的持續(xù)提升，預(yù)計(jì)到2023年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全球3D NAND Flash產(chǎn)能中的占比將提高到10.8%，屆時(shí)將實(shí)現(xiàn)“趕英超美”，即實(shí)現(xiàn)對(duì)于英特爾（6.6%）和美光（10.3%）的趕超。

在技術(shù)演進(jìn)上，前面提到，在今年順利量產(chǎn)64層3D NAND Flash之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)會(huì)跳過(guò)96層堆棧直接殺向128層堆棧，這也意味著，2020年長(zhǎng)江存儲(chǔ)將會(huì)全力進(jìn)行128層3D NAND Flash的研發(fā)。

據(jù)集邦科技DRAMeXchange研究協(xié)理陳玠瑋預(yù)計(jì)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望在2021年初實(shí)現(xiàn)128層TLC 3D NAND Flash的量產(chǎn)。屆時(shí)將進(jìn)一步縮短與三星、SK海力士、東芝等公司之間的技術(shù)差距。

在NAND閃存市場(chǎng)端，陳玠瑋還提到，在2019年由于中美貿(mào)易因素，以及東芝在三季度出現(xiàn)的一些狀況，導(dǎo)致閃存市場(chǎng)的供需有結(jié)構(gòu)性的轉(zhuǎn)變。原廠在未來(lái)的投資都是相對(duì)保守的，所以明年整個(gè)市場(chǎng)可能會(huì)出現(xiàn)缺貨的狀況。但是從2021年開(kāi)始，缺貨的情況會(huì)有所緩解。

“因?yàn)橹袊?guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展起來(lái)了，這時(shí)候市場(chǎng)肯定不會(huì)平靜，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)不斷地提升，我們覺(jué)得未來(lái)閃存的產(chǎn)業(yè)還會(huì)走向供過(guò)于求，直到有些企業(yè)從中退出?！标惈d瑋說(shuō)到。但是他并未指出哪些企業(yè)可能會(huì)退出。

國(guó)產(chǎn)DRAM領(lǐng)域，眾人拾柴火焰高

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已量產(chǎn)，紫光強(qiáng)勢(shì)入局，福建晉華仍在努力

1、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

2017年9月，國(guó)家大基金宣布入股國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片廠商兆易創(chuàng)新，取得約11%股權(quán)，成為了其第二大股東。隨后，兆易創(chuàng)新宣布與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團(tuán)簽署合作協(xié)議，研發(fā)19納米制程的12吋晶圓DRAM，預(yù)算為人民幣180億元，兆易創(chuàng)新出資20%。目標(biāo)是研發(fā)19nm工藝的DRAM內(nèi)存，預(yù)計(jì)在2018年12月31日前研發(fā)成功，即實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率（測(cè)試電性良好的芯片占整個(gè)晶圓的比例）不低于10%。而該項(xiàng)目依托的就是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)。

雖然當(dāng)時(shí)的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還是一家成立于2016年的初創(chuàng)公司。但是，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)通過(guò)與奇夢(mèng)達(dá)的合作，已將一千多萬(wàn)份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)收歸囊中，這也是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最初的DRAM技術(shù)來(lái)源之一。

經(jīng)過(guò)數(shù)年的研發(fā)，2019年9月19日合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式宣布自主研發(fā)的基于19nm工藝制造的8Gb DDR4 芯片正式量產(chǎn)。

“長(zhǎng)鑫的8Gb DDR4在目前的市場(chǎng)上并不落后，并且具有不錯(cuò)的競(jìng)爭(zhēng)力，再加上目前國(guó)產(chǎn)替代的趨勢(shì)，應(yīng)該不愁賣(mài)?！睂?duì)于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DRAM芯片的市場(chǎng)前景，集邦科技DRAMeXchange研究副總經(jīng)理郭祚榮這樣說(shuō)到。

根據(jù)規(guī)劃，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)合肥12英寸晶圓廠分為三期，第一期滿載產(chǎn)能為12 萬(wàn)片，預(yù)計(jì)分為三個(gè)階段執(zhí)行，第一階段要完成單月4萬(wàn)片，目前為2萬(wàn)片，2020年第一季底達(dá)到4萬(wàn)片。2020年開(kāi)始規(guī)劃建設(shè)二期項(xiàng)目，并于2021年完成17nm工藝的DRAM研發(fā)。

從目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的現(xiàn)狀及規(guī)劃來(lái)看，雖然其已實(shí)現(xiàn)了8Gb DDR4的量產(chǎn)，但是產(chǎn)能仍十分的有限。即便是實(shí)現(xiàn)明年實(shí)現(xiàn)第一階段的單月4萬(wàn)片晶圓的產(chǎn)能，與全球前三的廠商明年四季度所能夠達(dá)到的單月總量超過(guò)130萬(wàn)片晶圓的投片量相比，仍是杯水車(chē)薪。不過(guò)，可以預(yù)見(jiàn)的是，隨著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)及產(chǎn)能的持續(xù)提升，未來(lái)有望在全球DRAM市場(chǎng)占據(jù)重要一席之地。

2、紫光集團(tuán)

除了長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)之外，已成功量產(chǎn)64層3D NAND Flash閃存的長(zhǎng)江存儲(chǔ)的母公司——紫光集團(tuán)今年6月30日宣布，決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國(guó)產(chǎn)內(nèi)存。今年8月底，紫光集團(tuán)又跟重慶市政府簽署投資協(xié)議，宣布在重慶建設(shè)DRAM事業(yè)群總部及內(nèi)存芯片工廠，預(yù)計(jì)今年底動(dòng)工。有消息稱，紫光計(jì)劃在2021年實(shí)現(xiàn)DRAM芯片的量產(chǎn)。

資料顯示，紫光集團(tuán)早在2015年即開(kāi)始布局DRAM，先是延攬高啟全加入紫光集團(tuán)，同時(shí)紫光國(guó)微（原名同方國(guó)芯）又收購(gòu)了任奇?zhèn)F(tuán)隊(duì)所創(chuàng)辦的公司（現(xiàn)在的西安紫光國(guó)芯），任奇?zhèn)F(tuán)隊(duì)的前身是奇夢(mèng)達(dá)公司的西安研發(fā)中心，任奇?zhèn)F(tuán)隊(duì)一直從事DRAM的研發(fā)工作，目前團(tuán)隊(duì)人數(shù)約500人，從紫光國(guó)微的年報(bào)披露情況看，該團(tuán)隊(duì)的DRAM產(chǎn)品銷(xiāo)售收入每年約在5~6億人民幣之間，其產(chǎn)品自行設(shè)計(jì)，在境外代工。2015年，紫光集團(tuán)還試圖通過(guò)收購(gòu)美光進(jìn)入DRAM和3D NAND領(lǐng)域，但收購(gòu)美光受到美國(guó)政府的阻擊，未能如愿以償。

需要指出的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的武漢新芯原本在2006年成立之時(shí)，就選擇的是研發(fā)DRAM。但是，當(dāng)時(shí)遭遇全球DRAM價(jià)格崩盤(pán)，武漢新芯被迫放棄DRAM生產(chǎn)，而是轉(zhuǎn)向NOR Flash產(chǎn)品。2016年并入長(zhǎng)江存儲(chǔ)入之后，紫光就調(diào)，先在NAND Flash上突破，然后適時(shí)進(jìn)行了DRAM的研發(fā)。

顯然，紫光集團(tuán)進(jìn)入DRAM領(lǐng)域是預(yù)謀已久。

在11月15日，紫光集團(tuán)又正式宣布任命前爾必達(dá)CEO坂本幸雄（Yukio Sakamoto）為紫光集團(tuán)高級(jí)副總裁兼日本分公司CEO，負(fù)責(zé)拓展紫光在日本市場(chǎng)的業(yè)務(wù)。

而在最新一期的日本《鉆石周刊》獨(dú)家專訪中，坂本幸雄談到，紫光的目標(biāo)是5年內(nèi)量產(chǎn)DRAM，他的工作就是協(xié)助達(dá)成目標(biāo)。紫光要在日本神奈川縣川崎辦公室設(shè)立「設(shè)計(jì)中心」，預(yù)定招募70~100位工程師，和中國(guó)的制程據(jù)點(diǎn)密切合作，大約花2、3年建構(gòu)量產(chǎn)的體制。

3、福建晉華

福建晉華成立于2016年，是由福建省電子信息集團(tuán)、晉江能源投資集團(tuán)有限公司等共同出資設(shè)立的先進(jìn)集成電路生產(chǎn)企業(yè)，晉華項(xiàng)目已列入國(guó)家 “十三五（2016～2020年） ”集成電路生產(chǎn)力規(guī)劃的重要布局中，并且獲得國(guó)家專項(xiàng)建設(shè)基金支持，也就是來(lái)自福建省安芯產(chǎn)業(yè)投資基金的投資。該基金由 “國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（俗稱大基金） ” 與福建省、泉州市、晉江市等三級(jí)政府所共同發(fā)展設(shè)立，目標(biāo)規(guī)模為 500 億人民幣。

2017年11月，由聯(lián)電與福建晉華集成電路公司合作的 12 寸隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）生產(chǎn)線 （晉華項(xiàng)目）主廠房正式封頂。該FAB 主廠房，面積達(dá) 27.4 萬(wàn)平方米，將于2018年下半年投入使用。

根據(jù)規(guī)劃，福建晉華的制造技術(shù)工作主要交由聯(lián)電進(jìn)行，整體晉華項(xiàng)目的第 1 期，總計(jì)將投入 53 億美元，并將于 2018 年第 3 季正式投產(chǎn)，屆時(shí)導(dǎo)入 32 納米制程的 12 寸晶圓月產(chǎn)能，預(yù)計(jì)達(dá)到 6 萬(wàn)片的規(guī)模。公司目標(biāo)最終推出 20 納米產(chǎn)品，規(guī)劃到 2025 年四期建成月產(chǎn)能 24 萬(wàn)片。

然而，由于福建晉華和美光之間的訴訟，美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間10月29日，美國(guó)將福建晉華列入了出口管制的實(shí)體清單。兩天之后，聯(lián)電也宣布暫停為福建晉華提供研發(fā)協(xié)助。至此福建晉華的DRAM幾乎陷入停滯。

據(jù)芯智訊了解，當(dāng)時(shí)福建晉華已有200臺(tái)的半導(dǎo)體設(shè)備到位，并且計(jì)劃在年底進(jìn)行小量投片試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2019年初可以幾千片的規(guī)模進(jìn)入投產(chǎn)，即將要成為國(guó)產(chǎn)第一家量產(chǎn)DRAM芯片的廠商。然而由于美方的禁令，使得很多相關(guān)設(shè)備和技術(shù)供應(yīng)商停止了支持。

不過(guò)，集邦科技DRAMeXchange研究副總經(jīng)理郭祚榮在接受芯智訊采訪時(shí)表示，目前福建晉華仍在低調(diào)運(yùn)作當(dāng)中。雖然美系供應(yīng)商中斷了合作，但是晉華并未坐以待斃，而是轉(zhuǎn)向了日韓供應(yīng)商，繼續(xù)去推動(dòng)整個(gè)項(xiàng)目的運(yùn)作。預(yù)計(jì)明年會(huì)有一些成果出來(lái)。

值得一提的是，在11月27日由集邦咨詢（TrendForce）主辦的MTS2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上，晉華集成副總經(jīng)理徐征也首次公開(kāi)現(xiàn)身，作了題為《立基型DRAM市場(chǎng)趨勢(shì)分析》。雖然在演講當(dāng)中并未介紹任何有關(guān)晉華的信息，但是其代表晉華公開(kāi)現(xiàn)身演講似乎也正是為了透露一個(gè)積極的信號(hào)，那就是“晉華仍在運(yùn)轉(zhuǎn)當(dāng)中”。

對(duì)于芯智訊提出的“未來(lái)晉華與美光之間是否有可能會(huì)走向和解的問(wèn)題”，集邦科技DRAMeXchange研究副總經(jīng)理郭祚榮表示，“無(wú)法預(yù)判，畢竟主動(dòng)權(quán)在美光手中。就我個(gè)人看來(lái)，和解才是對(duì)雙方最有利的結(jié)果?！?/p>

值得注意的是，去年5月31日，中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)正式啟動(dòng)了對(duì)于三星、SK 海力士、美光三家DRAM內(nèi)存芯片廠商的調(diào)查，以確認(rèn)這三家廠商在近年來(lái)DRAM市場(chǎng)價(jià)格飛漲中，是否有壟斷價(jià)格行為，以及業(yè)界反映不合理產(chǎn)品搭售的相關(guān)問(wèn)題。而在中國(guó)DRAM市場(chǎng)，美光的市場(chǎng)份額超過(guò)了50%。

此外郭祚榮也指出，“根據(jù)我的了解，三星等日韓原廠都認(rèn)為中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)崛起已是必然，未來(lái)的策略可能會(huì)更傾向于和平共處，而不是利用價(jià)格戰(zhàn)來(lái)打壓?！?/p>