瑞薩電子株式會(huì)社日前宣布推出2款功率半導(dǎo)體器件——RJK0222DNS和RJK0223DNS。新產(chǎn)品采用超小型封裝，主要面向服務(wù)器與筆記本電腦的CPU，以及存儲(chǔ)器等產(chǎn)品的DC/DC轉(zhuǎn)換器，并將于2010年8月起在日本發(fā)售樣品。

　　新推出的2款新型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品均采用了工藝先進(jìn)的第11代小型、低損耗功率MOSFET，并將組成DC/DC轉(zhuǎn)換器的一對(duì)功率MOSFET(注釋 2)整合于同一封裝內(nèi)。因此它們不僅可實(shí)現(xiàn)安裝面積比瑞薩電子早期的功率MOSFET產(chǎn)品小一半的3.2mm × 4.8mm × 0.8mm(最大值)超小型封裝尺寸，還可實(shí)現(xiàn)高達(dá)95.2%的業(yè)界最高效率，使功耗得到了大幅降低。

　　目前，2款新產(chǎn)品樣品的單價(jià)均為50日元，并計(jì)劃于2010年12月起批量生產(chǎn)。預(yù)計(jì)到2011年7月以后，2款產(chǎn)品月產(chǎn)量將達(dá)到合計(jì)200萬(wàn)個(gè)。

　　通常，由于筆記本電腦、服務(wù)器和圖形卡等信息與通信產(chǎn)品中的CPU、GPU、存儲(chǔ)器和ASIC等器件所需要的電源電壓低于電池提供的電壓，因此這些產(chǎn)品一般會(huì)內(nèi)置多個(gè)用于降壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器。而隨著信息產(chǎn)品等的日趨小型化與薄型化，它們所搭載的DC/DC轉(zhuǎn)換器也不斷朝更小、更薄、更高效的方向發(fā)展。

　　為了滿足上述需求，瑞薩電子在原有技術(shù)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步推進(jìn)其功率MOSFET產(chǎn)品的小型化和高散熱化發(fā)展，并推出了本次將一對(duì)功率MOSFET搭載于一個(gè)封裝內(nèi)的全新超小型產(chǎn)品。

　　新產(chǎn)品的主要特性如下：

　　(1)安裝面積小于原有產(chǎn)品一半，從而實(shí)現(xiàn)了更小巧的高密度電源設(shè)計(jì)

　　在尺寸為3.2mm × 4.8mm的超小型HWSON3046(瑞薩電子封裝編號(hào))封裝內(nèi)使用了一對(duì)功率MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換。安裝面積與瑞薩電子早期尺寸為5.1mm × 6.1mm的WPAK(瑞薩電子封裝編號(hào))封裝相比，小了約一半。這樣就能夠設(shè)計(jì)出更小巧、安裝密度更高的DC/DC轉(zhuǎn)換器。

　　(2)實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的效率，大大降低了電源功耗

　　在300kHz的開(kāi)關(guān)頻率下，瑞薩電子第11代低損耗功率MOSFET實(shí)現(xiàn)了目前業(yè)內(nèi)最高水平95.2%的高效率(輸入電壓：12V，輸出電壓：3.3V)，這使電源的總效率得到進(jìn)一步提高。

　　此外，在用于實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換的一對(duì)功率MOSFET中，還在用于實(shí)現(xiàn)同步整流(低端)的功率MOSFET上整合了片上肖特基勢(shì)壘二極管。這使 DC/DC轉(zhuǎn)換器在死區(qū)時(shí)間(注釋3)內(nèi)，功率MOSFET到肖特基勢(shì)壘二極管的電流轉(zhuǎn)換時(shí)間得以縮短，從而降低了功率損耗。更值得一提的是，新產(chǎn)品還可有效抑制功率MOSFET接通時(shí)的電壓跳變，從而降低電磁噪聲。

　　和早期的WPAK封裝一樣，HWSON3046封裝具有出色的散熱性能，而器件下所配備的壓料墊，能夠?qū)⒐β蔒OSFET工作時(shí)所產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至印刷電路板，這使功率MOSFET能夠處理更大的電流。

　　今后，瑞薩電子將繼續(xù)開(kāi)發(fā)可同時(shí)搭載2個(gè)芯片的HWSON3046封裝，并不斷推出滿足DC/DC轉(zhuǎn)換器所需電源方式的各類產(chǎn)品。