在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來(lái)正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:13
1736 在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)性能有著至關(guān)重要的影響。今天，我們來(lái)詳細(xì)探討一下安森美（onsemi）的UF3N120007K4S碳化硅（SiC）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET），看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-11-26 15:47:04273 
在全球碳中和戰(zhàn)略深入推進(jìn)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體正成為突破能源轉(zhuǎn)換效率瓶頸的核心力量。珠海鎵未來(lái)科技有限公司Gen3技術(shù)平臺(tái)650/700V系列場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）近期正式宣布全面推廣上市！該系
2025-11-14 11:42:18414 
現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
PMOS 管即 P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以 P 型半導(dǎo)體為襯底，通過(guò)在柵極施加負(fù)電壓調(diào)控源漏極間空穴的遷移，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)電路的開(kāi)關(guān)控制或信號(hào)放大，是半導(dǎo)體電路中的基礎(chǔ)器件。
其
2025-11-05 15:58:17
【2025年11月5日, 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出其首款符合汽車(chē)電子委員會(huì)（AEC）汽車(chē)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵（GaN）晶體管系列
2025-11-05 14:31:0559490 
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿(mǎn)足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計(jì)。該系
2025-11-03 18:18:052813 
標(biāo)準(zhǔn)更為嚴(yán)苛。
產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動(dòng)效應(yīng)：快充技術(shù)的普及不僅推動(dòng)了充電器產(chǎn)品的更新，也帶動(dòng)了如 MOSFET（金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等核心元器件的市場(chǎng)需求增長(zhǎng)，這類(lèi)元器件是保障快充安全與效率的關(guān)鍵
2025-11-03 09:28:36
工藝技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)，深刻塑造了當(dāng)今的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。從早期的平面晶體管到鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET），再到最新的全環(huán)繞柵極（GAA）架構(gòu)，每一代新工藝節(jié)點(diǎn)都為顯著改善功耗、性能和芯片面積（PPA）創(chuàng)造了機(jī)會(huì)。
2025-10-24 16:28:391177 
晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓和信號(hào)調(diào)制等多種功能?。其核心是通過(guò)控制輸入電流或電壓來(lái)調(diào)節(jié)輸出電流，實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路開(kāi)關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
2025-10-24 12:20:23349 
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 全稱(chēng)：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管，屬于場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的一種。
2025-10-23 13:56:439246 
PMOS 管即 P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以 P 型半導(dǎo)體為襯底，通過(guò)在柵極施加負(fù)電壓調(diào)控源漏極間空穴的遷移，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)電路的開(kāi)關(guān)控制或信號(hào)放大，是半導(dǎo)體電路中的基礎(chǔ)器件。
其
2025-10-21 11:59:56
半導(dǎo)體封裝技術(shù)在過(guò)去 20 年里取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，特別是在集成了功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的直流/直流轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域。Single-outline No-lead 和 Quad Flat No-lead (QFN) 封裝已取代穿孔和引線(xiàn)式封裝，能夠以極小的外形處理高輸出電流。
2025-10-18 15:06:164393 
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過(guò)一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y(cè)試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:002980 
在新能源汽車(chē)從概念走向普及的過(guò)程中，半導(dǎo)體器件扮演著至關(guān)重要的角色。其中，MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為電力電子系統(tǒng)的核心開(kāi)關(guān)元件，如同汽車(chē)的“動(dòng)力神經(jīng)”，貫穿于能量轉(zhuǎn)換、動(dòng)力驅(qū)動(dòng)和整車(chē)控制的各個(gè)環(huán)節(jié)，直接影響著車(chē)輛的續(xù)航能力、動(dòng)力性能和安全系數(shù)。
2025-09-28 10:48:50690 
在電子電路領(lǐng)域，MOS管是一種至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件，其全稱(chēng)為金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2025-09-23 11:39:324467 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，MOS管（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為核心器件，承擔(dān)著電能轉(zhuǎn)換、信號(hào)放大與電路控制的關(guān)鍵作用。中科微電作為國(guó)內(nèi)專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)的企業(yè)，其推出的MOS管憑借高可靠性、低功耗等優(yōu)勢(shì)，在多個(gè)行業(yè)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用，成為國(guó)產(chǎn)功率器件替代進(jìn)程中的重要力量。
2025-09-22 13:59:47500 
MOS管，即金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的核心器件之一。
2025-09-19 17:41:515038 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可使設(shè)計(jì)人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
傳統(tǒng)的平面場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)始，經(jīng)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管、納米片全環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管，向下一代叉形片和互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)展，見(jiàn)圖1和圖2所示。
圖1 晶體管架構(gòu)演進(jìn)方向
圖2 晶體管架構(gòu)演進(jìn)路線(xiàn)圖
那在這
2025-09-06 10:37:21
在現(xiàn)代功率電子技術(shù)中，MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵組件。它廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域。而隨著功率需求和系統(tǒng)效率的不斷提高，SiCMOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體
2025-09-04 14:46:09637 
氮化鎵（GaN）技術(shù)為電源行業(yè)提供了進(jìn)一步改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換的機(jī)會(huì)，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來(lái)，硅基半導(dǎo)體一直主導(dǎo)著電子行業(yè)。它的成本效益、豐富性和電氣特性已得到充分了解，使其成為電子行業(yè)
2025-08-21 06:40:348321 
制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要?dú)w因于材料本身以及制造工藝中的多項(xiàng)挑戰(zhàn)。
2025-07-25 16:30:444488 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
NMOS 管，即 N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。其核心結(jié)構(gòu)由源極（S）、漏極（D）、柵極（G）及 N 型溝道組成。當(dāng)柵極電壓高于閾值時(shí)，溝道導(dǎo)通，電子從
2025-07-24 16:25:56
NMOS 管，即 N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。其核心結(jié)構(gòu)由源極（S）、漏極（D）、柵極（G）及 N 型溝道組成。當(dāng)柵極電壓高于閾值時(shí)，溝道導(dǎo)通，電子
2025-07-23 17:27:58
為提供卓越的效率和功率密度，意法半導(dǎo)體加快了氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)進(jìn)程，推出了基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-07-18 14:40:16941 在電子世界的晶體管家族中，NMOS（N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）與 PMOS（P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）如同一對(duì)默契的 “電子開(kāi)關(guān)”，掌控著電路中電流的流動(dòng)
2025-07-14 17:05:2223273 
在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進(jìn)步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)，專(zhuān)注于滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)以及電動(dòng)交通應(yīng)用對(duì)高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383206 
在電子元器件領(lǐng)域，MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為一種重要的功率開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電子設(shè)備中。FS8205A作為泛海微電子推出的一款低閾值電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管，憑借其優(yōu)異的性能和緊湊
2025-07-11 15:17:43
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級(jí)集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈沖、53A半橋功率級(jí)包含兩個(gè)GaN FET，由
2025-07-11 14:40:22677 
GaN器件當(dāng)前被稱(chēng)作HEMT(高電子遷移率晶體管)，此類(lèi)高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中，如全控型電力開(kāi)關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 相比
2025-07-09 11:13:063371 
氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)展現(xiàn)出卓越的性能，遷移率高達(dá)44.5cm2/Vs。在嚴(yán)苛的應(yīng)力測(cè)試中，這款晶體管連續(xù)穩(wěn)定工作近三小時(shí)，顯示出其在高壓和高溫等極端條件
2025-07-02 09:52:45827 
N溝道MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種電壓控制型器件，依靠N型半導(dǎo)體中的電子導(dǎo)電。當(dāng)柵極電壓超過(guò)閾值電壓時(shí)，源極與漏極之間形成導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)電流導(dǎo)通，具有輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快
2025-06-28 10:48:03
N溝道MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種電壓控制型器件，依靠N型半導(dǎo)體中的電子導(dǎo)電。當(dāng)柵極電壓超過(guò)閾值電壓時(shí)，源極與漏極之間形成導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)電流導(dǎo)通，具有輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快
2025-06-27 17:35:56
新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業(yè)界最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，助力打造兼具超高效率與卓越
2025-06-26 17:07:332034 Analog Devices LTC7890/1同步降壓控制器是高性能直流-直流開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器控制器，用來(lái)驅(qū)動(dòng)輸入電壓高達(dá)100V的所有N溝道同步氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級(jí)
2025-06-22 09:50:43744 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。ADuM4146采用iCoupler? 技術(shù)，可在輸入信號(hào)和 輸出柵極驅(qū)動(dòng)器之間實(shí)現(xiàn)隔離。該器件包括米勒鉗位，以便柵極電壓低于 2V時(shí)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的SiC單軌電源 關(guān)斷。采用帶有或不帶有米勒鉗位操作實(shí)現(xiàn)單極性 或雙極性輔助電源工作。
2025-06-20 15:15:04701 
，10埃）開(kāi)始一直使用到A7代。
從這些外壁叉片晶體管的量產(chǎn)中獲得的知識(shí)可能有助于下一代互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）的生產(chǎn)。
目前，領(lǐng)先的芯片制造商——英特爾、臺(tái)積電和三星——正在利用其 18A、N2
2025-06-20 10:40:07
在微電子系統(tǒng)中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管通過(guò)柵極電位的精確調(diào)控實(shí)現(xiàn)對(duì)主電流通路的智能管理，這種基于電位差的主控模式使其成為現(xiàn)代電路中的核心調(diào)控元件。實(shí)現(xiàn)這種精密控制的基礎(chǔ)源于器件內(nèi)部特殊的載流子遷移機(jī)制與電場(chǎng)調(diào)控特性。
2025-06-18 13:41:14694 現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來(lái)的幾年里，隨著CMOS制造技術(shù)的進(jìn)步，器件的溝道長(zhǎng)度將小于 10nm。在這么短的距離內(nèi)，為使器件能夠工作，將采用非常高的摻雜濃度梯度。
2025-06-18 11:43:221011 
從內(nèi)容上看，本書(shū)可分成三部分:1.介紹了激光器電源中使用的幾種電子器件，諸如晶閘管(SCR)、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(VMOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。這幾種器件各具特點(diǎn)，在激光器電源及電力電子學(xué)
2025-06-17 17:45:29
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7890-AZ評(píng)估板是一款雙輸出同步降壓轉(zhuǎn)換器，可驅(qū)動(dòng)所有N溝道氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。 該板采用EPC EPC2218
2025-06-10 13:55:03740 
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7890-BZ 評(píng)估板是一款雙輸出同步降壓轉(zhuǎn)換器，可驅(qū)動(dòng)N溝道硅 (Si) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)。EVAL-LTC7890-BZ評(píng)估板
2025-06-06 10:57:37690 
自半導(dǎo)體晶體管問(wèn)世以來(lái)，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言，單位面積上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?，而這一進(jìn)步在過(guò)去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。
2025-06-03 18:24:131494 
性能，支持不同的GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管甚至邏輯電平MOSFET。從升壓轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓器輸出偏置時(shí)，LTC7892可在低至1V的輸入電源下工作。
2025-05-27 14:42:43762 
Analog Devices Inc. LTC7893同步升壓控制器是一款高性能、升壓、直流-直流開(kāi)關(guān)控制器。這些控制器可驅(qū)動(dòng)所有N溝道同步氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)，輸出電壓
2025-05-27 10:05:38742 
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7893-AZ評(píng)估板用于評(píng)估LTC7893控制器搭配氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）使用時(shí)的性能。借助模式選擇器，該板可在輕負(fù)載時(shí)以強(qiáng)制
2025-05-27 10:00:45675 
LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （GaN FET） 驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為超高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)，具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間能力、非常小的傳播延遲和 3.4ns 高側(cè)低側(cè)匹配，可優(yōu)化系統(tǒng)效率。該器件還具有一個(gè)內(nèi)部 LDO，無(wú)論電源電壓如何，都能確保 5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。
2025-05-24 15:53:00891 
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44804 AO4803AAO4803A雙P通道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOS電源控制電路采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，以低門(mén)電荷提供優(yōu)秀的RDS（開(kāi)）。此設(shè)備適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品AO4803A不含鉛（符合RoHS和索尼259規(guī)范）
2025-05-19 17:59:38
28 2010年，愛(ài)爾蘭 Tyndall 國(guó)家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此，半導(dǎo)體界興起了一股研究無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的熱潮，每年的國(guó)際
2025-05-19 16:08:13777 
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié)，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在同一塊 N型半導(dǎo)體上制作兩個(gè)高摻雜的P區(qū)，并將它們連接在一起，所引出的電極稱(chēng)為柵極（G），N型半導(dǎo)體兩端分別引出兩個(gè)電極，分別稱(chēng)為漏極（D）和源極（S），如圖 1.11所示。
2025-05-14 17:19:202620 
對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET器件，雖然因?yàn)闁艠O絕緣層的采用大大抑制了柵極漏流，但是硅溝道較低的電子遷移率也限制了其在超高頻、超高速等領(lǐng)域的應(yīng)用。
2025-05-14 11:14:591226 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-CCS3125BP N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-13 18:03:110 圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開(kāi)關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971 
EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。
2025-04-28 16:07:21719 
晶體管的性能得到了顯著提升，開(kāi)啟了更高效率和更快動(dòng)態(tài)響應(yīng)的可能性。寬帶隙
晶體管在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色，包括開(kāi)關(guān)
電源(SMPS)、逆變器和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)
器，因?yàn)?/div>
2025-04-23 11:36:00780 
通過(guò)重新設(shè)計(jì)基于氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車(chē)輛逆變器性能使開(kāi)關(guān)頻率提高了四倍，減少了體積和重量，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了98.5%的效率。在DRS，我們
2025-04-22 11:35:39866 
晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨器電路設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作，進(jìn)晶體管
2025-04-14 17:24:55
MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在開(kāi)關(guān)電源中扮演著至關(guān)重要的角色。
2025-04-12 10:46:40821 有機(jī)半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機(jī)材料，1986年第一個(gè)聚噻吩場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明以來(lái)，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（OFET）飛速發(fā)展。有機(jī)物作為半導(dǎo)體甚至是導(dǎo)體制備電子器件來(lái)代替以部分硅為主的傳統(tǒng)電子產(chǎn)品，利用有機(jī)物可以大規(guī)模低成本合成的優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)前景是巨大的。
2025-04-09 15:51:551064 
HMC557A是一款通用型雙平衡混頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的24引腳陶瓷無(wú)鉛芯片載體封裝。該器件可用作頻率范圍為2.5 GHz至7.0 GHz的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)工藝制造，無(wú)需外部元件或匹配電路。
2025-03-28 10:28:251025 
引言
隨著電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展[1-2]，已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場(chǎng)合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場(chǎng)合但快速性較好的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
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2025-03-26 16:00:441 HMC554ACHIPS 是一款通用型雙平衡混頻器，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷化鎵 (GaAs) 金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MESFET) 工藝制成
2025-03-26 11:16:19749 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8814EFF具有ESD保護(hù)的雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-25 17:28:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8814EFD具有ESD保護(hù)的共漏N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-25 17:26:020 介紹各種電子元器件的分類(lèi)、主要參數(shù)、封裝形式等。元器件包括半導(dǎo)體二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、晶閘管、線(xiàn)性集成電路、TTL和CMOS系列電路、數(shù)／模轉(zhuǎn)換器、模／數(shù)轉(zhuǎn)換器、電阻器、電位器、電容器、保護(hù)
2025-03-21 16:50:16
MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的高輸入阻抗和BJT（雙極型晶體管）的低導(dǎo)通損耗優(yōu)點(diǎn)，適用于變頻器、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。
2025-03-19 15:48:34807 安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。
2025-03-19 14:31:281103 MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的關(guān)鍵器件，尤其在開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。對(duì)于初學(xué)者會(huì)遇到不知如何識(shí)別GDS極和電路連接錯(cuò)誤的問(wèn)題。掌握MOSFET的使用技巧，首先要從電路圖入手，扎實(shí)掌握MOS管
2025-03-19 14:30:33986 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TC1201低噪聲和中功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-17 17:15:420 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1541SIJ P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-07 11:33:071 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1756SJ N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-05 17:29:160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1729SI P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 18:05:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1728SJ P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 18:02:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1725SI P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:32:030 在現(xiàn)代電子學(xué)的宏偉建筑中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET-Field Effect Transistor）是其不可或缺的基石。這些精巧的電子組件以其卓越的性能優(yōu)勢(shì): 低功耗、高輸入阻抗和簡(jiǎn)便的偏置需求, 在
2025-03-03 14:44:532191 
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?：并聯(lián)開(kāi)關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場(chǎng)合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 這本書(shū)介紹了晶體管的基本特性，單管電路的設(shè)計(jì)與制作， 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作，3~5管電路的設(shè)計(jì)與制作，6管以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書(shū)中具體內(nèi)容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，單管反相放大器，雙管反相放大器，厄利效應(yīng)，雙管射極跟隨器等內(nèi)容。
2025-02-26 19:55:46
LMG342XEVM - 04X 包含兩個(gè)以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成，這使得低側(cè)參考信號(hào)能夠控制兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。功率級(jí)上配備了高頻去耦電容，采用優(yōu)化布局，以盡量減少寄生電感并降低電壓過(guò)沖。
2025-02-21 18:16:54786 
LMG2100R026 作為硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器在效率、開(kāi)關(guān)速度和 dv/dt（斜率）等樣本測(cè)量方面的性能。該 EVM 配備一個(gè)由 90V 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）半橋柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)的 LMG2100R026 半橋功率模塊，該模塊集成了兩個(gè) 100V、2.6mΩ 的 GaN FET。
2025-02-21 17:38:271119 
?在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，電子元件的創(chuàng)新成為推動(dòng)各領(lǐng)域進(jìn)步的關(guān)鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），以其卓越性能在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域掀起波瀾
2025-02-18 16:47:25949 
FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過(guò)將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維結(jié)構(gòu)來(lái)減少短溝道效應(yīng)，從而允許更小、更快且功耗更低的晶體管。本文將從硅底材開(kāi)始介紹FinFET制造工藝流程，直到鰭片(Fin)的制作完成。
2025-02-17 14:15:022608 
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2025-02-13 15:23:257 金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (Vth? （Extreme Enhancement-Mode Operation Accumulation Channel Hydrogen-Terminated Diamond
2025-02-11 10:19:01820 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵或圍柵（GAA
2025-01-24 10:03:514437 
朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請(qǐng)的專(zhuān)利為場(chǎng)效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個(gè)工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）直到1945年才出現(xiàn)，但這個(gè)想法早在近20年前，即朱利葉斯·埃德加·利利恩
2025-01-23 09:42:111476 
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的元器件之一，在開(kāi)關(guān)電源
2025-01-20 15:35:422156 本文介紹了FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）制造過(guò)程中后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。
2025-01-20 11:02:395360 
MOS管，全稱(chēng)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是電子電路中非常重要的一種元件。它在不同電路中具有多種作用。
2025-01-17 14:19:562762 安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)Qorvo碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。
2025-01-16 16:30:061082 電能的高效轉(zhuǎn)換。同步整流芯片的加入則有效地解決了能量損耗問(wèn)題。今天介紹的是35W氮化鎵電源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7116！
2025-01-15 16:08:501733 MOS,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文名稱(chēng)的縮寫(xiě)，是一種獨(dú)特的半導(dǎo)體器件，它通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路的電流，這一特性使其得名。
2025-01-14 14:09:532108 
1月8日消息，日本豐田合成株式會(huì)社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開(kāi)發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （GaN）單晶晶圓。 據(jù)介紹，與使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221356 場(chǎng)效應(yīng)管代換手冊(cè)
2025-01-08 13:44:213 已全部加載完成
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