奈梅亨，2022年4月27日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用無(wú)引腳DFN封裝，配有側(cè)邊可濕焊盤 (SWF)。這些器件堅(jiān)固耐用，節(jié)省
2022-04-27 18:08:53
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Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補(bǔ)器件
2011-05-13 08:44:561298 PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。
2020-04-23 11:05:581200 一款 100V MOSFET—— AONA66916 ，該器件采用AOS創(chuàng)新型雙面散熱DFN 5 x 6 封裝?？蛻粝到y(tǒng)研發(fā)人員一直以來(lái)把 AOS 產(chǎn)品作為其方案設(shè)計(jì)的重要組件之一，幫助客戶實(shí)現(xiàn)各種高性能應(yīng)用
2024-01-25 15:18:423399 
，智能穿戴，智能鎖觸摸按鍵等領(lǐng)域。品牌質(zhì)量，價(jià)格實(shí)惠，歡迎來(lái)電垂詢。 產(chǎn)品概述：TTP233D-SB6是一款采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電
2019-05-16 15:57:53
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其
2025-04-27 16:59:26
廣大客戶提供產(chǎn)品解決方案及FAE技術(shù)支持。產(chǎn)品概述：SP1108是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓范圍可由最低2V到最高24V，升壓最高可達(dá)28V可調(diào)，且內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻100豪歐金屬
2018-08-28 16:07:42
廣大客戶提供產(chǎn)品解決方案及FAE技術(shù)支持。產(chǎn)品概述：SP1108是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓范圍可由最低2V到最高24V，升壓最高可達(dá)28V可調(diào)，且內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻100豪歐金屬
2018-08-06 18:16:28
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2018-07-27 09:58:22
廣大客戶提供產(chǎn)品解決方案及FAE技術(shù)支持。產(chǎn)品概述：SP1108是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓范圍可由最低2V到最高24V，升壓最高可達(dá)28V可調(diào)，且內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻100豪歐金屬
2020-08-26 16:33:25
產(chǎn)品概述：SP1108是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓范圍可由最低2V到最高24V，升壓最高可達(dá)28V可調(diào)，且內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻100豪歐金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2021-10-26 15:56:58
`產(chǎn)品概述：8223LC是一款采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片是專為取代
2018-11-07 16:14:17
`SOD882/DFN1006封裝DC0521P1 RCLAMP0521P采用超小型SOD882/DFN1006封裝封裝超低電容TVS/ESD保護(hù)二極管,應(yīng)用高速數(shù)據(jù)通信保護(hù)DC0521P15V雙向
2020-03-18 10:30:15
產(chǎn)品概述：8323是兩款國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片是專為取代
2018-08-31 11:18:27
產(chǎn)品概述：8323是兩款國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片是專為取代
2018-08-31 11:14:25
`產(chǎn)品概述：8223LD是一款國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片
2019-05-15 09:01:30
產(chǎn)品概述：8323F是兩款國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片是專為
2021-12-13 16:38:14
凌特公司推出業(yè)界第一個(gè)采用纖巧 DFN 封裝的 1.8V 雙路和四路運(yùn)算放大器 LT6001 和 LT6002。這些微功率器件的每個(gè)放大器僅消耗 1.3uA 電流，并具有卓越的性能。在 25oC
2018-11-26 16:18:13
`產(chǎn)品概述：8323是國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片是專為取代
2019-07-23 09:11:37
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06:28
誰(shuí)來(lái)闡述一下mosfet是電壓型器件嗎
2019-10-25 15:58:03
、試驗(yàn)器件IPZ65R019C7 最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET切換時(shí)間，比傳統(tǒng)的TO247封裝短。得益于開關(guān)損耗降低，最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET實(shí)現(xiàn)了更高效率，如圖
2018-10-08 15:19:33
大功率TVS管和小功率TVS管是有應(yīng)用區(qū)別是什么？小封裝大功率SMB30J系列TVS的應(yīng)用是什么？
2022-01-14 07:09:46
率?！ P3405提供一系列完善的保護(hù)功能，包括打嗝模式短路保護(hù)、欠壓閉鎖、超溫保護(hù)和過流保護(hù)，從而保護(hù)終端系統(tǒng)及器件本身。 采用U-DFN2020-8封裝的AP3405以一千個(gè)為出貨批量。
2018-10-09 10:59:43
`羅姆低門驅(qū)動(dòng)電壓MOSFET具有0.9伏至10伏的寬驅(qū)動(dòng)類型。 這種廣泛的驅(qū)動(dòng)器類型范圍支持從小信號(hào)到高功率的各種應(yīng)用。 這些MOSFET具有與微型封裝（0604尺寸）一樣小的尺寸選擇。 各種大小
2021-02-02 09:55:16
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同的導(dǎo)通電阻?！ 〔粌H能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小?！ J-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
CMOS 技術(shù)，實(shí)現(xiàn)可靠的單片集成結(jié)構(gòu)。
08緊湊封裝設(shè)計(jì)
- 采用 DFN3×3-8 小封裝，節(jié)省 PCB 空間，便于在緊湊的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高效布局。
應(yīng) 用 場(chǎng) 景 ：
醫(yī)療器械領(lǐng)域
自動(dòng)化設(shè)備領(lǐng)域
小型
2025-09-04 08:22:55
幫助工程師在空間受限的高壓應(yīng)用中，可靠地驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并提升系統(tǒng)功率密度。核心特性：
高壓與小封裝集成：支持最高200V的母線電壓，采用超緊湊的DFN3x3-8封裝，顯著節(jié)省PCB空間
2025-12-27 09:27:00
，智能穿戴，智能鎖觸摸按鍵等領(lǐng)域。品牌質(zhì)量，價(jià)格實(shí)惠，歡迎來(lái)電垂詢。 產(chǎn)品概述：TTP233D-RB6是一款采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電
2019-07-18 09:06:03
`深圳市展嶸電子有限公司朱一鳴 手機(jī)號(hào)碼：***QQ：1275294458XB6091全網(wǎng)超小封裝DFN1X1封裝之一，耳機(jī)二合一保護(hù)IC專用XB6091ISC產(chǎn)品是一個(gè)高鋰的集成解決方案?離子
2019-05-05 19:42:04
MOSFET相當(dāng)于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·過充釋放電壓低·過熱保護(hù)·過度充電電流保護(hù)·兩步過電流檢測(cè):過量放電電流負(fù)載短路·充電器檢測(cè)功能·0V電池充電功能-內(nèi)部生成延遲時(shí)間·高精度
2018-11-01 19:06:21
長(zhǎng)時(shí)間使用的信息設(shè)備?電池壽命?！る姵胤聪虮Ｗo(hù)連接·集成先進(jìn)功率MOSFET相當(dāng)于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·過充釋放電壓低·過熱保護(hù)·過度充電電流保護(hù)·兩步過電流檢測(cè):過量
2019-08-29 09:13:50
和鋰聚合物電池供電的需要長(zhǎng)時(shí)間電池壽命的信息家電。電池反向保護(hù)無(wú)外載連接·集成先進(jìn)功率MOSFET相當(dāng)于44mΩrds(ON)·DFN1X1x0.37-4封裝·低過充電釋放
2021-05-12 17:48:35
CMOS技術(shù)，在僅3mm x 3mm的DFN-8超小封裝內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了高達(dá)200V的工作電壓、290mA/600mA的驅(qū)動(dòng)能力以及完善的保護(hù)功能。這使其成為機(jī)器人關(guān)節(jié)伺服驅(qū)動(dòng)、精密醫(yī)療器械電源、緊湊型工業(yè)
2025-12-02 08:22:11
PFM 模式
? 過流保護(hù)
? 過溫保護(hù)
? 類似的 DFN3x3 封裝
? 1.2mm和 0.91mm 封裝厚度
? 無(wú)鉛，符合 RoHS 和 REACH 標(biāo)準(zhǔn)
? 無(wú)鹵素和“綠色”器件應(yīng)用領(lǐng)域
2024-11-06 10:18:02
電路應(yīng)用簡(jiǎn)單、外圍器件少、超小封裝SOT23-6、大電流1A輸出、92%高效轉(zhuǎn)換。
2013-05-24 11:46:27
應(yīng)用。雖然3mm x 3mm功率封裝已經(jīng)使DC-DC電路使用的空間大幅減少，還是有機(jī)會(huì)能夠把所用的空間再減少一點(diǎn)，以及提高功率密度。實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的的辦法之一是用組合了兩個(gè)器件的封裝替代分立的單片MOSFET
2013-12-23 11:55:35
功率MOSFET的高效熱管理
2019-02-03 21:16:30
DFN3x3-8的小封裝?，F(xiàn)在很多設(shè)計(jì)都在往小型化、高密度走，PCB空間寸土寸金，這種小封裝優(yōu)勢(shì)就體現(xiàn)出來(lái)了，能省下不少布局空間。性能參數(shù)：
耐壓高：支持最高200V的母線電壓，VCC工作范圍10V-20V，通用性
2025-12-13 08:41:39
SOT23-6封裝(HT8233K)或者DFN-6 2*2(HT8323K)超小封裝 產(chǎn)品應(yīng)用：◆ 智能穿戴◆ TWS藍(lán)牙耳機(jī)◆ 指紋鎖聯(lián)系人：洪武（銷售工程）手機(jī)：***Q Q: 2926372413
2020-07-08 08:54:04
了先進(jìn)的功率管，高精度電壓檢測(cè)和延遲電路。XB6166IS為DFN2x2-6的封裝形式，并且只需要一個(gè)外圍器件，非常適合用于空間有限的電池保護(hù)板應(yīng)用。XB6166IS具有過充保護(hù)，過放保護(hù)，過流保護(hù)
2019-09-05 11:28:39
產(chǎn)品概述：8323是兩款國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片是專為取代
2018-08-31 11:17:24
◆ DFN-6 2*2封裝單通道觸摸按鍵芯片8323現(xiàn)已經(jīng)批量出貨，大量庫(kù)存，歡迎選購(gòu)！產(chǎn)品概述：8323是兩款國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給
2018-09-20 10:17:30
`快速充電過壓充電保護(hù)器件TVS DFN1610DFN2020P2E封裝DFN1610-2L封裝浪涌保護(hù)器件 DC0371P6 (Marking Code: 73)DC0571P6 (Marking
2019-09-24 09:16:59
SOT23-6封裝(HT8233K)或者DFN-6 2*2(HT8323K)超小封裝 產(chǎn)品應(yīng)用：◆ 智能穿戴◆ TWS藍(lán)牙耳機(jī)◆ 指紋鎖聯(lián)系人：洪武（銷售工程）手機(jī)：***座機(jī)：0755-33653783 （直線）Q Q: 2926372413
2020-07-21 17:25:37
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動(dòng)更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
產(chǎn)品概述：233DS是一款采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片是專為取代傳統(tǒng)
2019-05-15 08:47:53
芯源的MCU最小封裝是哪一種？有QFN的封裝嘛？
2025-11-14 07:57:04
一個(gè)6腳芯片上印有EADURT字樣，芯片很小封裝像SOP6，除去引腳，大小就比0805的電阻大點(diǎn)。不知道是個(gè)什么芯片啊，好像是用在電源部分。
2014-10-14 09:35:15
產(chǎn)品概述：8223LC和8323是兩款款國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸
2018-08-29 09:54:21
哪一個(gè)小封裝的單片機(jī)芯片帶ADC,DAC,UART?
2023-06-25 06:19:41
車載吸塵器MOS DFN3333小封裝 低內(nèi)阻 原廠直銷東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)銷售高品質(zhì)價(jià)格有優(yōu)勢(shì)的低結(jié)電容、低內(nèi)阻MOS管 。HC3039D中壓MOS:30V，N溝道，大電流，小封裝
2020-06-08 15:02:21
北京 - 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 2A、36V 降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 LT1912,該器件采用 3mm x 3mm DFN (或
2018-11-26 16:59:46
200V半橋門極驅(qū)動(dòng)芯片，采用先進(jìn)的 DFN3×3-8 超小封裝，專為高壓、高頻應(yīng)用場(chǎng)景優(yōu)化。它集成了高壓集成電路（HVIC）與鎖存免疫CMOS技術(shù)，在單芯片內(nèi)實(shí)現(xiàn)了高低側(cè)驅(qū)動(dòng)功能，支持高達(dá)290mA源電流
2025-12-09 08:35:20
LTC3216采用小型DFN封裝的低噪聲高效電荷泵，以及4個(gè)0603電容和2個(gè)0402電阻。這款LXCL-PWF1 luxeon閃光燈驅(qū)動(dòng)器非常小巧
2019-03-11 07:26:25
`SOD882/DFN1006封裝DC0521P1 RCLAMP0521P采用超小型SOD882/DFN1006封裝封裝超低電容TVS/ESD保護(hù)二極管,應(yīng)用高速數(shù)據(jù)通信保護(hù)DL0521P1雙向
2019-11-12 14:11:12
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 09:43 編輯
針對(duì)快充應(yīng)用設(shè)計(jì)需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封裝的MOSFET，推出全系列的MOSFET
2018-06-15 17:28:34
（1）XM5021功能特點(diǎn)：2.5V-5.5V降到1.V-3.3V，輸出電流0.2A，超低功耗0.29uA；搭配藍(lán)牙主控芯片；小封裝DFN2*2-8（2）ETA3425 功能特點(diǎn)：2.6V-7V降到
2021-09-28 19:08:31
No−Lead package (DFN/QFN). The DFN/QFN platform represents the latestin surface mount packaging technology, it is important that the des
2009-04-27 16:27:32
87 FA-238/238V 超小封裝尺寸的SMD晶振
產(chǎn)品規(guī)格 ‧超小封裝尺寸
2010-01-08 16:41:222439 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電
2010-11-24 09:14:351748 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183977 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線
2011-06-01 08:54:01620 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:402363 日前，集設(shè)計(jì)，開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:243029 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出全球首批采用DFN0606封裝的NPN晶體管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶體管MMBT3906FZ和BC857BFZ。
2015-01-28 14:07:571655 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設(shè)計(jì)小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝，分別
2015-12-16 16:57:431580 的尺寸為5mm x 6mm，占板空間和高度只有TO-252(DPAK)封裝器件的一半。而且，與無(wú)引線DFN封裝的MOSFET相比，在整機(jī)設(shè)備的使用壽命內(nèi)碰到溫度循環(huán)情況時(shí)，PowerPAK SO-8L的鷗翼引線結(jié)構(gòu)能有效提高板級(jí)的可靠性。
2016-07-18 16:19:592081 關(guān)鍵詞：邏輯器件 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款采用了全球最小封裝形式DFN0808的單門邏輯器件系列74AUP1G及74LVC1G。兩款微型邏輯器件的占位
2018-09-23 12:38:02539 采用 3mm x 3mm DFN 封裝的 500mA 低噪聲、高效率雙模式充電泵
2021-03-18 23:01:307 DFN封裝，相對(duì)來(lái)說，是一種比較新的表面貼裝封裝工藝。在ESD二極管產(chǎn)品中，DFN封裝很常見，具體封裝有：DFN-2L、DFN-3L、DFN-6L、DFN-8L、DFN-10L、DFN
2021-08-16 17:12:354254 ZLG致遠(yuǎn)電子新推出的電源隔離芯片采用成熟的SiP工藝與DFN封裝，相比傳統(tǒng)SIP封裝體積縮小75%，性能和生產(chǎn)效能也有所提升。本文為大家分享傳統(tǒng)SIP封裝和采用SiP工藝的DFN封裝有何區(qū)別
2021-09-22 15:12:538832 高精度 低功耗 小封裝 電壓檢測(cè)芯片
2022-06-17 18:06:503109 
Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET ? DFN0603封裝提高性能并顯著減少空間需求 奈梅亨，2022年7月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用超
2022-07-06 16:13:221106 
PRISEMI芯導(dǎo)低電容、小封裝成為ESD保護(hù)器件未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
2022-07-20 17:12:421820 
雖然尺寸至關(guān)重要，但在許多方面，Nexperia的DFN0603 MOSFET的真正優(yōu)勢(shì)在于其RDSon。提供額定 VGS 為 4.5 V 的選項(xiàng)，典型 RDSon 低至 122 mΩ。在某些
2023-02-03 10:39:551024 
盡管DFN封裝的尺寸非常緊湊，但它具有出色的功耗能力。然而， 使用具有低熱阻和足夠?qū)嵝缘?PCB 是強(qiáng)制性的，以允許適當(dāng)?shù)臋M向散熱.圖2中的紅外圖片顯示了高功率密度，顯示了SOT23
2023-02-08 09:45:384506 
DFN 封裝的熱性能-AN90023_ZH
2023-02-16 21:17:480 DFN 封裝的熱性能-AN90023
2023-02-17 19:10:101 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 電源應(yīng)用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時(shí)尺寸較小
2023-03-10 21:50:042469 RQK0606KGDQA 數(shù)據(jù)表
2023-03-30 19:35:220 點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們~DFN0603封裝簡(jiǎn)稱0201封裝，貼片時(shí)容易料袋粘料，雷卯教您如何解決有客戶反應(yīng)在使用防靜電元器件ESD，超小封裝0201(DFN0603)時(shí)，料帶有沾料的現(xiàn)象，這一現(xiàn)象會(huì)
2022-01-17 10:26:362803 
管理好各個(gè)耗電環(huán)節(jié)。矽力杰新一代DC/DC降壓芯片SY80004，適用于小型移動(dòng)互聯(lián)產(chǎn)品，在DFN1.5x1.5mm的超小封裝下為設(shè)備提供4A輸出電流，靜態(tài)電流僅為
2022-05-21 09:29:441869 
RQK0606KGDQA 數(shù)據(jù)表
2023-07-13 19:05:590 RJF0606JPE 數(shù)據(jù)表
2023-07-14 09:42:580 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無(wú)引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 15:36:081 1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:522610 
DFN封裝是一種先進(jìn)的電子元件封裝工藝，與SMD封裝相比，DFN封裝提供了更高的靈活性和穩(wěn)定性。
2024-01-28 17:24:5514424 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用DFN封裝的 TPS63802 2A、高效率、低IQ降壓/升壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-07 10:11:320 DFN封裝和QFN封裝作為技術(shù)先進(jìn)的芯片封裝形式，具有許多共同點(diǎn)。首先，它們都屬于無(wú)引腳表面貼裝封裝結(jié)構(gòu)，這使得它們?cè)诂F(xiàn)代電子制造中具有極高的集成度和靈活性。
2024-12-30 11:23:304218 圣邦微電子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低導(dǎo)通電阻，單通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFET 器件。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過電壓保護(hù)開關(guān)，電池充放電開關(guān)和直流-直流轉(zhuǎn)換器。
2025-01-08 16:34:241182 物聯(lián)網(wǎng)、智能穿戴、小型便攜設(shè)備等市場(chǎng)需求不斷升級(jí)，消費(fèi)者追求更小、更輕薄、待機(jī)時(shí)間更長(zhǎng)的電子產(chǎn)品，高容量小尺寸的元器件需求持續(xù)攀升。遠(yuǎn)翔推出創(chuàng)新超小封裝的FP7153芯片，采用DFN-10L封裝能夠
2025-02-08 15:38:001122 
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其成為便攜式設(shè)備、信號(hào)開關(guān)和ESD敏感電路的理想選擇。
2025-04-29 18:14:340 2.4G芯片DFN封裝的作用是什么 在無(wú)線通信技術(shù)快速發(fā)展的今天，2.4G頻段因其廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景（如Wi-Fi、藍(lán)牙、ZigBee等）成為高頻芯片設(shè)計(jì)的重要領(lǐng)域。而DFN（Dual Flat
2025-04-30 10:31:321210 上海雷卯推出兩款5V，小封裝（DFN1006和DFN0603），帶回掃，低鉗位電壓VCmax的防靜電二極管：ULC0521CLV、ULC0542CLV。帶回掃ESD和普通ESD二極管電性參數(shù)圖如下：我們可以看到，普通的ESD是隨著IPP
2025-05-23 16:16:19879 在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，DFN（雙邊扁平無(wú)引腳）封裝因其小尺寸、高導(dǎo)熱性和優(yōu)良的電性能被廣泛應(yīng)用，而高效精準(zhǔn)的劃片機(jī)正是確保DFN封裝質(zhì)量的關(guān)鍵。在集成電路電子元件向精密微型與高度集成方向發(fā)展中，晶圓厚度
2025-10-30 17:01:15545 
中科微電研發(fā)的N溝道MOSFET ZK150G09T，以150V耐壓、90A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型封裝及SGT（屏蔽柵溝槽）工藝為核心特征，精準(zhǔn)匹配中壓場(chǎng)景的小型化與高效化訴求，其技術(shù)設(shè)計(jì)與應(yīng)用表現(xiàn)，為理解中壓小封裝功率器件的發(fā)展邏輯提供了典型范例。
2025-11-04 16:20:18299 
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