1月23日,彭博社最新消息,三星電子公司正在考慮斥資逾100億美元,在美國建設(shè)其最先進(jìn)的芯片制造廠,這是一項(xiàng)重大投資。三星希望借此贏得更多美國客戶,并幫助其趕超行業(yè)領(lǐng)先者臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司。
2021-01-23 16:01:17
5330 德國英飛凌科技(Infineon Technologies AG)開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET(JFET)“CoolSiC產(chǎn)品群”,并在2012年5月8日~10日于德國舉行的電源技術(shù)展會(huì)“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
2140 2012年10月10日,德國紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢(shì)壘二極管,壯大其SiC(碳化硅)產(chǎn)品陣容。
2012-10-10 13:37:10
1451 據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀周四表示,他不排除在美國建新芯片工廠的可能性,但在美國生產(chǎn)芯片,包括蘋果、高通和英偉達(dá)在內(nèi)的美國客戶利益會(huì)受損。
2017-01-14 10:43:32
882 根據(jù)日經(jīng)新聞今天的報(bào)導(dǎo),鴻海和旗下子公司夏普正考慮在美國興建液晶面板工廠,產(chǎn)能規(guī)模將與2016年底在廣州宣布興建的10代面板廠一樣。
2017-01-15 10:40:20
803 據(jù)悉,美國德州暴風(fēng)雪惡劣天氣,對(duì)當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體晶圓廠帶來巨大影響。外媒報(bào)道,英飛凌在美國德州奧斯汀的8寸廠有1萬片產(chǎn)能是生產(chǎn)NOR Flash芯片,這次大停電,給全球NOR Flash芯片缺口擴(kuò)大,埋下缺貨漲價(jià)的伏筆。
2021-02-20 09:55:33
4280 在PCIM Asia展上,英飛凌展示了廣泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率電子產(chǎn)品組合,其中多款應(yīng)用于可再生能源、電動(dòng)交通、智能家居的產(chǎn)品和解決方案首次亮相。電子發(fā)燒友記者現(xiàn)場(chǎng)探館,和大家分享一下現(xiàn)場(chǎng)所見。
2024-09-04 23:07:39
4696 
2月18日,英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造,將為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供先進(jìn)的SiC功率技術(shù),包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運(yùn)輸和電動(dòng)汽車等。
2025-02-18 17:45:34
4652 
11 月 10 日消息,據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,臺(tái)積電赴美國建 5nm 廠各項(xiàng)規(guī)劃已逐漸清晰。
2020-11-10 11:39:15
2567 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近期英飛凌宣布,將為Rivian的R2平臺(tái)提供適用于牽引逆變器的功率模塊。R2平臺(tái)將使用英飛凌HybridPACK Drive G2產(chǎn)品系列的碳化硅(SiC)和硅(Si)模塊
2025-06-22 00:02:00
2999 2009年美國建材展/2009年美國衛(wèi)浴潔具展/2009年美國門窗五金展/2009年美國陶瓷石材展/2009年美國鋼材混凝土展2009年美國建材展/2009年美國衛(wèi)浴潔具展/2009年美國門窗五金展
2008-08-19 09:33:48
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
的Ioffe研究所。埃爾蘭根大學(xué)和林克平在歐洲的SUNY-Stony Brook,Carnegie Mellon和美國的普渡大學(xué)等等?! ≡谒麄儼l(fā)布后的幾年內(nèi),SiC肖特基二極管經(jīng)歷了可追溯到材料質(zhì)量和器件
2023-02-27 13:48:12
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么?SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)?SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
2021-07-09 07:11:50
電導(dǎo)率調(diào)制,向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小,但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流,從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
山東等地大量回收IGBT模塊電話151-5220-9946微信同步QQ2360670759山東地區(qū)回收IGBT模塊,公司專業(yè)回收西門康模塊,求購英飛凌模塊,大量回收富士模塊,高價(jià)回收三菱模塊,功率
2021-09-12 18:03:24
,通過對(duì)芯片組的優(yōu)化構(gòu)建更好的系統(tǒng),從而減少道路交通事故傷亡人數(shù)。例如,根據(jù)美國法律規(guī)定,汽車必須安裝輪胎壓力傳感器系統(tǒng),而英飛凌在這一領(lǐng)域取得了領(lǐng)先地位。安全系統(tǒng)也在向主動(dòng)安全系統(tǒng)發(fā)展,在事故發(fā)生
2018-12-13 17:15:46
年,可再生能源在全球能源消費(fèi)總量中所占的份額將大幅上升。其中,美國能源信息管理署估計(jì)這一比例約為8%,綠色和平組織和歐洲可再生能源委員會(huì)的預(yù)測(cè)更是高達(dá)30%。英飛凌的芯片和模塊為風(fēng)力、水力和太陽能等
2018-12-03 14:03:30
),公司的銷售額達(dá) 58億歐元,在全球范圍內(nèi)擁有約 35,400 名員工。英飛凌在法蘭克福證券交易所(股票代碼:IFX)和美國柜臺(tái)交易市場(chǎng) OTCQX International Premier
2018-12-12 09:47:49
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙,能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實(shí)現(xiàn)更高功率,更高開關(guān)速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
09年美國建材展/09年拉斯維加斯建材展/09年美國最大建材展/09年歐美建材五金石材展/趙細(xì)金0592-2653917/國際建材展會(huì)咨詢/09年美國建材機(jī)械展/09年美國建筑材料展/09年美國建
2008-11-19 14:29:14
;:betty980718@hotmail.com2009年美國建材展/2009年美國衛(wèi)浴潔具展/2009年美國門窗五金展/2009年陶瓷石材展2009年美國建材展/2009年美國衛(wèi)浴潔具展/2009年美國門窗五金展/2009年陶瓷
2008-08-13 20:02:17
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
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2021-05-15 15:24:55
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2021-10-19 15:05:28
***QQ:879821252 】 ▲收購英飛凌電子IC以下型號(hào): SPD02N80C3|BGF121E6329|35N60CFD|47N60C3...▲▲大量回收工廠電子IC,整廠回收,電子IC收購
2021-08-30 19:01:01
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
向大家請(qǐng)教一下:國內(nèi)大陸的USB3.0 hub芯片原廠可以舉例2-3家嗎?我在網(wǎng)上查到的基本是韓國,日本,美國,***的這類芯片
2022-05-10 21:45:59
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入,但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列:TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
低功率因素方案SIC953XD系列 :TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D0.514Ω 500VSOP7
2021-08-27 18:06:47
PWM調(diào)光方案SIC994XB/D 系列SIC9942B/DSOP7
2021-07-22 11:05:27
深愛原廠一級(jí)代理SIC995x系列 全系列代理詳細(xì)內(nèi)容低功率因素非隔離按鍵調(diào)光方案SIC995X 系列SIC9953 500VSOP7/DIP7
2021-07-22 11:10:22
09年美國潔具展/09年美國衛(wèi)浴展/09年世界上最大廚衛(wèi)展/09年美國廚衛(wèi)展/09年 KBIS/09年美國建材展/趙細(xì)金0592-2653917/09年美國潔具展/09年美國衛(wèi)浴展/09年美國廚具展
2008-12-02 20:24:19
韓國政府批準(zhǔn)三星LG Display中國建液晶面板廠
據(jù)國外媒體報(bào)道,韓國政府已批準(zhǔn)全球前兩大液晶顯示器制造商三星電子和LG Display在中國興建面板廠的計(jì)劃。
2009-12-25 10:59:36
1073 福耀玻璃(600660)董事長(zhǎng)曹德旺的一席話在國內(nèi)掀起軒然大波,時(shí)隔數(shù)日,討論聲仍然此起彼伏。其實(shí),中國企業(yè)去美國建廠,福耀玻璃不是第一家,此前已經(jīng)有多家中國企業(yè)在美國建立了自己的工廠?!爸袊髽I(yè)在
2016-12-22 11:24:44
1574
據(jù)外媒報(bào)道,在特朗普威脅提高關(guān)稅的恫嚇下,世界許多大廠紛紛表態(tài)將在美國本土投資建廠?,F(xiàn)在,LG也加入這些廠商的行列,這家韓國電子巨頭將投資2.5億美元在美國建設(shè)新工廠。
上月
2017-03-02 10:48:18
1412 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求,并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:00
4336 
作為特斯拉最早兩個(gè)超級(jí)電池廠的重要成員,松下公司日前表示,正考慮再次與特斯拉合作,在中國建立一個(gè)超級(jí)電池廠。
2018-05-03 15:36:32
4446 鴻海集團(tuán)董事長(zhǎng)郭臺(tái)銘搭機(jī)離臺(tái)出訪美國,外媒指,郭董此行系前往美國白宮參加會(huì)議、處理威州廠投資相關(guān)事宜。
2019-05-05 10:09:34
3039 如果成本合適,臺(tái)積電可能考慮在美國建新廠。
2019-06-09 14:38:00
3415 第三代半導(dǎo)體材料碳化硅的發(fā)展在功率器件市場(chǎng)成為絕對(duì)的焦點(diǎn)。全球功率器件龍頭廠商英飛凌持續(xù)投入碳化硅器件的研發(fā)生產(chǎn),并打入多個(gè)應(yīng)用市場(chǎng)。日前,在英飛凌科技舉辦的媒體見面會(huì)上,該公司大中華區(qū)工業(yè)功率控制事業(yè)部副總裁于代輝和工業(yè)功率控制事業(yè)部總監(jiān)馬國偉博士介紹了英飛凌碳化硅SiC市場(chǎng)的最新進(jìn)展。
2019-07-02 16:33:21
7396 由于安全方面的擔(dān)憂,美國政府希望該公司在美國本土生產(chǎn)。而兩名消息人士表示,臺(tái)積電正積極考慮在美國建廠,新工廠生產(chǎn)的半導(dǎo)體會(huì)比蘋果公司即將用在今年最新5G iPhone中的5納米芯片還要先進(jìn)。
2020-03-17 14:31:30
2686 在半導(dǎo)體領(lǐng)域,不只是中國擔(dān)心被卡脖子,美國也一樣擔(dān)心,因?yàn)榕_(tái)積電是全球最大也是最先進(jìn)的晶圓代工廠,生產(chǎn)并不控制在美國人手中。特朗普政府一直希望臺(tái)積電去美國建廠,不過這事并不容易。
2020-04-20 09:15:32
2920 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:50
5544 作為全球半導(dǎo)體技術(shù)最先進(jìn)的國家,美國本土最新工藝還是14nm,已經(jīng)落后于臺(tái)積電了。今年5月份臺(tái)積電宣布在美國建設(shè)5nm晶圓廠,總投資120億美元,現(xiàn)在已經(jīng)開始啟動(dòng)招聘了。
2020-11-04 10:00:11
1793 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,臺(tái)積電赴美國建 5nm 廠各項(xiàng)規(guī)劃已逐漸清晰。 臺(tái)積電規(guī)劃明年二月動(dòng)工,2023 年正式裝機(jī)試產(chǎn) 5nm、2024 年量產(chǎn)。臺(tái)積電敲定中科廠十五 A 廠長(zhǎng)林廷皇及技術(shù)處資深處長(zhǎng)吳怡璜二大
2020-11-11 17:42:24
2113 全球半導(dǎo)體代工前2大廠臺(tái)積電、三星加大在美國投資力道,《日本經(jīng)濟(jì)新聞》認(rèn)為背景是中美科技戰(zhàn),并指出臺(tái)積電態(tài)度比較堅(jiān)定,三星是中美雙押,但對(duì)于半導(dǎo)體雙雄而言,密切關(guān)注國際政治動(dòng)向顯然比以前更加必要。
2020-12-28 15:39:01
2015 近日,英飛凌與GT Advanced Technologies(GTAT)已經(jīng)簽署碳化硅(SiC)晶棒供貨協(xié)議,合同預(yù)期五年。英飛凌此舉無疑是看到了SiC廣闊的市場(chǎng)規(guī)模,據(jù)Yole預(yù)測(cè),SiC
2020-12-29 16:12:16
3419 臺(tái)積電最近興高采烈,因?yàn)闃I(yè)績(jī)太好了,利潤破紀(jì)錄,與此同時(shí),臺(tái)積電正考慮在日本建芯片研發(fā)基地,業(yè)界推測(cè)這是為后續(xù)建工廠做準(zhǔn)備。可是,臺(tái)積電之前一再談要去美國建芯片工廠,難道臺(tái)積電要同時(shí)在美國、日本建芯片廠?這無疑引發(fā)了業(yè)內(nèi)高度關(guān)注。
2021-01-11 13:59:14
2333 2020年5月15日,之前一直否認(rèn)去美國建廠的臺(tái)積電突然宣布,將投資120億美元在美國建設(shè)晶圓代工廠,生產(chǎn)5nm工藝。
2021-02-24 12:03:01
2450 2020年5月15日,之前一直否認(rèn)去美國建廠的臺(tái)積電突然宣布,將投資120億美元在美國建設(shè)晶圓代工廠,生產(chǎn)5nm工藝。
2021-02-24 12:01:25
2297 英飛凌TLE9879資料
2022-06-20 14:47:35
1 在地緣關(guān)系緊張的當(dāng)下,技術(shù)沿著不同的道路發(fā)展著。西方SiC供應(yīng)商通過在中國建立合資公司來實(shí)現(xiàn)全球統(tǒng)一的SiC開發(fā)和生產(chǎn)的年代已經(jīng)一去不復(fù)返了。在這個(gè)脫鉤時(shí)代,我們看到的是兩種獨(dú)立的SiC技術(shù)(制造和供應(yīng)鏈基礎(chǔ)設(shè)施)的并行發(fā)展。
2022-12-21 10:53:08
1150 即將開展為期多年的碳化硅(SiC)半導(dǎo)體供應(yīng)合作。英飛凌將預(yù)留產(chǎn)能,并在2025年至2030年間向Stellantis的一級(jí)Tier 1供應(yīng)商提供CoolSiC?裸片。此次協(xié)議潛在的采購量和產(chǎn)能儲(chǔ)備估值
2022-12-27 10:30:58
547 
【 2023 年 02 月 09 日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴(kuò)大與碳化硅(SiC)供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導(dǎo)體
2023-02-09 17:51:29
868 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片?(英飛凌官方) 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者M(jìn)OSFET參數(shù)特性上有所不同,并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中, 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:04
83 英飛凌和Schweizer Electronic AG正在合作,將英飛凌的1200V CoolSiC?芯片嵌入印刷電路板(PCB),以提高基于碳化硅的芯片效率。
2023-05-05 10:31:31
1477 
英飛凌環(huán)保技術(shù)部門負(fù)責(zé)人Peter Wawer表示,公司正在審查《通貨膨脹削減法案》中與美國制造的商品價(jià)值相關(guān)的要求?!拔覀儺?dāng)然需要注意這一點(diǎn),我們遵守這些規(guī)則,”Wawer 說,“我們不會(huì)因?yàn)槲覀冊(cè)?b class="flag-6" style="color: red">美國沒有的某些價(jià)值份額而被排除在業(yè)務(wù)之外”。
2023-06-20 16:33:31
758 
隨著對(duì)制造設(shè)施的投資創(chuàng)下歷史最高紀(jì)錄,拜登政府所說的未來將再次實(shí)現(xiàn)“美國制造(made in america)”似乎比以前更值得信任。但是下一步還不確定。
2023-08-07 09:46:37
753 英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49
2169 
Wolfspeed 計(jì)劃在德國建設(shè)全球最大的 SiC 工廠,到三菱計(jì)劃在日本建設(shè)8 英寸 SiC 晶圓廠,這些項(xiàng)目不僅涉及氣候變化,還涉及緩和全球緊張局勢(shì)和保障芯片供應(yīng)。 我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">美國政府為其國內(nèi)芯片制造提供的 527 億美元補(bǔ)貼計(jì)劃中看到了這一點(diǎn),作為其“芯
2023-10-16 18:38:22
1124 本文將詳細(xì)介紹各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局,以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應(yīng)用情況等,探討車企大規(guī)模進(jìn)入功率半導(dǎo)體行業(yè)背后的原因,助力車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康持續(xù)發(fā)展。
2023-11-02 11:40:30
1593 
英飛凌的功率半導(dǎo)體對(duì)電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)型至關(guān)重要。這種轉(zhuǎn)型將帶動(dòng)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)勁增長(zhǎng),尤其是基于功能硅材料(如SiC)的半導(dǎo)體市場(chǎng)。通過在馬來西亞居林?jǐn)U建廠房,英飛凌將打造全球最大的8吋SiC功率半導(dǎo)體廠
2023-11-07 11:00:57
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在汽車和可再生能源領(lǐng)域,英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計(jì)勝利,相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財(cái)政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻(xiàn)。英飛凌已經(jīng)從6家原始設(shè)備制造商(OEMs)和5家主要客戶那里獲得了總計(jì)約50億歐元的設(shè)計(jì)勝利。
2023-11-27 10:25:06
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,GreenIndustrialPower)事業(yè)部,也可以看出英飛凌繼續(xù)加碼綠色能源市場(chǎng)的決心和信心。SiC作為英飛凌減碳事業(yè)的關(guān)鍵產(chǎn)品,一直以來英飛凌對(duì)SiC產(chǎn)品在多個(gè)關(guān)鍵應(yīng)用市場(chǎng)推進(jìn)付出了諸多
2024-01-10 08:13:51
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Power)事業(yè)部,也可以看出英飛凌繼續(xù)加碼綠色能源市場(chǎng)的決心和信心。 SiC作為英飛凌減碳事業(yè)的關(guān)鍵產(chǎn)品,一直以來英飛凌對(duì)SiC產(chǎn)品在多個(gè)關(guān)鍵應(yīng)用市場(chǎng)推進(jìn)付出了諸多努力。同時(shí),英飛凌也堅(jiān)定看好SiC的發(fā)展前景,2024年,英飛凌還將發(fā)布多款碳化硅產(chǎn)品和新一代碳化硅技術(shù)
2024-01-14 20:09:47
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英飛凌與韓國SK Siltron子企業(yè)SK Siltron CSS最近達(dá)成了一項(xiàng)重要協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅(SiC)晶圓,以支持英飛凌在SiC半導(dǎo)體生產(chǎn)方面的需求。
2024-01-17 14:08:35
1190 近日,英飛凌與SiC晶圓供應(yīng)商韓國SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式簽署了一項(xiàng)協(xié)議。
2024-01-19 10:00:07
1106 英飛凌科技(Infineon Technologies)與美國半導(dǎo)體制造商Wolfspeed近日宣布,雙方將擴(kuò)大并延長(zhǎng)現(xiàn)有的晶圓供應(yīng)協(xié)議。這一協(xié)議的擴(kuò)展將進(jìn)一步加強(qiáng)英飛凌與Wolfspeed之間的合作關(guān)系,以滿足市場(chǎng)對(duì)碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。
2024-01-24 17:19:52
1459 英飛凌技術(shù)公司與美國北卡羅來納州達(dá)勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家專門生產(chǎn)碳化硅(SiC)材料和功率半導(dǎo)體器件的制造商 — 已經(jīng)擴(kuò)大并延長(zhǎng)了他們的現(xiàn)有長(zhǎng)期150毫米碳化硅(SiC)晶圓供應(yīng)
2024-01-30 17:06:00
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英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:00
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近期,英飛凌科技公司宣布與安克創(chuàng)新和盛弘電氣兩大知名廠商達(dá)成合作,共同推動(dòng)SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)技術(shù)在各領(lǐng)域的應(yīng)用。這些合作將進(jìn)一步提升功率半導(dǎo)體器件的效率和性能,為行業(yè)帶來更多
2024-02-02 15:06:34
1360 2月22日消息,據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,半導(dǎo)體封測(cè)廠日月光投控今天宣布,收購芯片大廠英飛凌的菲律賓和韓國兩座后段封測(cè)廠,擴(kuò)大車用和工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用的電源芯片模塊封測(cè)與導(dǎo)線架封裝,投資金額逾新臺(tái)幣21億元,最快今年第二季底完成交易。
2024-02-23 09:49:29
1497 近日,半導(dǎo)體封測(cè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)日月光投控與知名芯片制造商英飛凌共同宣布,雙方已正式簽署收購協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,日月光投控將以6258.9萬歐元的價(jià)格,收購英飛凌位于菲律賓甲美地市及韓國天安市的兩座后段封測(cè)廠。
2024-02-25 11:11:01
1254 日月光投控近日宣布,將以約21億元新臺(tái)幣的價(jià)格收購英飛凌位于菲律賓和韓國的兩座后段封測(cè)廠。據(jù)悉,這兩座封測(cè)廠分別位于菲律賓的甲米地省和韓國的天安市。
2024-02-25 11:33:20
1366 半導(dǎo)體封裝測(cè)試大廠日月光投控宣布,將以逾新臺(tái)幣21億元的投資金額,收購晶片大廠英飛凌位于菲律賓和韓國的兩座后段封裝測(cè)試廠。此次收購將進(jìn)一步擴(kuò)大日月光投控在車用和工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用領(lǐng)域的電源晶片模組封裝測(cè)試與導(dǎo)線架封裝能力。交易預(yù)計(jì)最快在今年第二季度末完成。
2024-02-25 16:47:39
1364 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司于2月25日至29日參加2024年美國國際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)(APEC),并重點(diǎn)展示其在業(yè)界非常全面的功率電子器件。英飛凌的寬禁帶解決方案具有高能效
2024-04-07 14:00:32
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英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:20
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近日,我們注意到在電動(dòng)車行業(yè)中,小米電動(dòng)汽車的新款SU7將由英飛凌科技提供具備碳化硅(SiC)元素的功率模塊CoolSiC以及裸芯片產(chǎn)品。英飛凌的這款CoolSiC技術(shù)產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)更高的工作溫度,并
2024-05-07 11:30:36
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在全球半導(dǎo)體封裝測(cè)試領(lǐng)域,日月光投控以其卓越的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)份額,一直穩(wěn)坐行業(yè)龍頭地位。近日,公司CEO吳田玉在股東會(huì)后的媒體訪談中透露了公司未來的全球擴(kuò)張計(jì)劃,包括在美國建設(shè)第二座測(cè)試廠,以及在日本、墨西哥、馬來西亞等國家的產(chǎn)能布局。
2024-06-28 09:57:47
1401 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)于2024年7月23日在美國加利福尼亞北區(qū)地方法院,對(duì)英諾賽科(珠海)科技有限公司、英諾賽科美國公司及其關(guān)聯(lián)公司(以下簡(jiǎn)稱:英
2024-07-29 13:41:52
751 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商英飛凌,近日在馬來西亞正式啟動(dòng)了其史上規(guī)模最大的功率芯片工廠——居林工廠的生產(chǎn)線。這一里程碑式的舉措標(biāo)志著英飛凌在碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)域的布局邁出了堅(jiān)實(shí)的一步,預(yù)示著未來五年內(nèi),該工廠有望成為全球最大的SiC芯片生產(chǎn)基地。
2024-08-09 09:37:10
1300 近日,英飛凌科技股份公司在馬來西亞隆重揭幕了一座新的制造設(shè)施,標(biāo)志著全球最大、最具競(jìng)爭(zhēng)力的200毫米碳化硅(SiC)電力半導(dǎo)體制造廠的初步建成。這項(xiàng)投資是針對(duì)全球日益增長(zhǎng)的電力半導(dǎo)體需求,尤其是因
2024-08-09 11:51:26
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來源:半導(dǎo)體芯科技編譯 基于 SiC 的推進(jìn)系統(tǒng)將提供四倍的功率,而尺寸僅為前代產(chǎn)品的四分之一 美國國家可再生能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)將重新設(shè)計(jì)美國地面戰(zhàn)車使用的牽引逆變器,這種基于SiC的推進(jìn)系統(tǒng)
2024-10-15 13:32:33
717 英飛凌開始向客戶提供首批采用先進(jìn)的200mm碳化硅(SiC)晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn),為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)200mmSiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所
2025-02-18 17:32:45
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,尤其是美國的 Wolfspeed、西西里的 STMicroelectronics和捷克共和國的 onsemi以及日本的 Rohm 和 Mitsubishi。?? 英飛凌科技股份公司日前宣布,在其 200
2025-02-19 11:16:55
813 英飛凌在200mm碳化硅(SiC)產(chǎn)品領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展,計(jì)劃在2025年第一季度向客戶推出首批基于這一先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)品。這些創(chuàng)新產(chǎn)品將在奧地利的菲拉赫生產(chǎn)基地制造,標(biāo)志著英飛凌在高壓應(yīng)用領(lǐng)域邁出
2025-02-19 15:35:36
1302 進(jìn)入2025年伊始,外資品牌IGBT模塊比如英飛凌,富士等大幅度降價(jià)超過30%來絞殺國產(chǎn)功率模塊,面對(duì)外資功率模的瘋狂價(jià)格絞殺,國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊需通過技術(shù)、成本、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同等多維度策略應(yīng)對(duì)
2025-03-21 07:00:50
938 國產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊在技術(shù)性能、成本控制及產(chǎn)業(yè)鏈整合方面已取得顯著進(jìn)展,但面對(duì)英飛凌等國際巨頭在技術(shù)積累、全球化布局和產(chǎn)品生態(tài)上的優(yōu)勢(shì),仍需從多個(gè)維度學(xué)習(xí)其經(jīng)驗(yàn)。 傾佳電子(Changer
2025-05-05 12:01:57
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在碳化硅(SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)
2025-04-30 18:21:20
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9 月 28 日消息,兩家重要功率半導(dǎo)體企業(yè)德國英飛凌 Infineon 和日本羅姆 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。 根據(jù)這份協(xié)議,雙方
2025-09-29 18:24:36
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全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)宣布,與英飛凌科技股份公司(總部位于德國諾伊比貝格,以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”)就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。雙方旨在對(duì)應(yīng)用于車載充電器、太陽能
2025-09-29 10:46:22
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評(píng)論