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TLV1117 800mA、15V、線性穩(wěn)壓器介紹

TLV1117 是一種正向低壓差電壓穩(wěn)壓器,旨在提供高達(dá) 800 mA 的輸出電流。該設(shè)備有 1.5-V、1.8-V、2.5-V、3.3-V、5-V 及可調(diào)輸出電壓等多種選項(xiàng)。所有內(nèi)部電路都設(shè)計(jì)得能在低至 1-V 的輸入輸出壓差下工作。在 800 mA 時(shí),壓差電壓最大為 1.3 V,在較低的負(fù)載電流時(shí)會(huì)減小。

技術(shù)資料#ISO7721 堅(jiān)固的EMC、雙通道、1/1、增強(qiáng)...

ISO772x 器件是高性能雙通道數(shù)字隔離器,具有符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)的 5000 VRMS(DW 和 DWV 封裝)和 3000 VRMS(D 封裝)隔離額定值。該系列包括具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 的增強(qiáng)絕緣等級(jí)的器件。ISO7721B 設(shè)備專為僅需要基本絕緣額定值的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

2025-02-25 關(guān)鍵字: 封裝絕緣數(shù)字隔離器emccqc

用戶指南#TMCS1100 隔離霍爾效應(yīng)電流傳感評(píng)估模塊

TMCS1100EVM 是一種工具,旨在促進(jìn) TMCS1100 的快速、便捷使用, 是一款利用外部參考的隔離式霍爾效應(yīng)精密 Crent Sense 監(jiān)控器。該評(píng)估模塊允許用戶在測量隔離輸出時(shí),將最大工作電流推過霍爾輸入側(cè)。夾具布局不用作目標(biāo)電路的模型,也不用于電磁 (EMI) 測試。TMCS1100EVM 由單個(gè) PCB 組成,可分成 4 個(gè)單獨(dú)的部分,以便評(píng)估不同的器件型號(hào)。

2025-02-25 關(guān)鍵字: 電磁霍爾效應(yīng)電流傳感PCB

Profinet IO從站數(shù)據(jù) 轉(zhuǎn) EthernetIP項(xiàng)目...

VFBOX協(xié)議轉(zhuǎn)換網(wǎng)關(guān)支持PLC,modbus,EthernetIP,Profinet,CCLink,EtherCAT,IEC61850,IEC104,bacnet,DLT645,HJ212,opc ua,opc da,DNP3。

PMP20873 效率為99%的1kW基于GaN的CCM圖騰...

連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種簡單但高效的功率轉(zhuǎn)換器。為了達(dá)到 99% 的效率,需要考慮許多設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)。PMP20873 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600VGaN 功率級(jí)、LMG3410 和 TI 的 UCD3138 數(shù)字控制器。設(shè)計(jì)概述提供了有關(guān) CCM 圖騰柱拓?fù)渥鞯母嘣敿?xì)信息,給出了電路的詳細(xì)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng),并提供了磁性元件和固件控制設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。這種轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)在 100KHz 下工作。

不懂DFM?設(shè)計(jì)隱患終成 “雷”!

設(shè)計(jì)隱患引發(fā)多數(shù)生產(chǎn)缺陷 在電子制造領(lǐng)域,相關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,產(chǎn)品總成本的60%由設(shè)計(jì)階段決定,而 生產(chǎn)過程中高達(dá)70%-80%的缺陷源于設(shè)計(jì)階段的疏漏 。具體表現(xiàn)如下。 1、設(shè)計(jì)文件與生產(chǎn)需求脫節(jié) 例如 Gerber文件描述模糊不清 ,關(guān)鍵的 阻抗控制未進(jìn)行明確標(biāo)注 , 拼版參數(shù)出現(xiàn)錯(cuò)誤 等。這些問題會(huì)導(dǎo)致板廠在生產(chǎn)過程中需要反復(fù)與設(shè)計(jì)方溝通確認(rèn),嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)斐缮a(chǎn)報(bào)廢,不僅延誤工期,還可能帶來數(shù)萬元的成本損失。 2、工藝

2025-02-25 關(guān)鍵字: DFMPCB華秋

SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特...

SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊...

2025-02-25 關(guān)鍵字: 肖特基二極管SBDSiC數(shù)據(jù)手冊

PMP22538 60W GaN PFC反激式參考設(shè)計(jì)

此參考設(shè)計(jì)使用UCC28811功率因數(shù)校正 (PFC) 反激式控制器來創(chuàng)建隔離式 60V 輸出,該輸出能夠承受 1A 負(fù)載,同時(shí)保持較低的輸入諧波失真。使用 LMG3411R150 GaN 初級(jí)開關(guān)的高效率可實(shí)現(xiàn)緊湊的尺寸和運(yùn)行期間的低溫升。

XKCON祥控智慧煤場全自動(dòng)激光盤點(diǎn)系統(tǒng)

XKCON祥控智慧煤場全自動(dòng)激光盤點(diǎn)系統(tǒng)融合了智能控制、大數(shù)據(jù)分析、三維激光建模等多項(xiàng)高新技術(shù),能夠取代人工實(shí)現(xiàn)煤場生意存煤量的自動(dòng)盤點(diǎn)。

2025-02-25 關(guān)鍵字: 激光全自動(dòng)

電力安全生產(chǎn)升級(jí):頂堅(jiān)防爆巡檢記錄儀成行業(yè)標(biāo)配的三大理由

電力安全生產(chǎn)步入全面升級(jí)階段,防爆巡檢記錄儀以其獨(dú)特優(yōu)勢,迅速成為行業(yè)標(biāo)配。其三大核心理由在于:強(qiáng)化現(xiàn)場監(jiān)控,確保作業(yè)合規(guī),有效預(yù)防事故;提升應(yīng)急響應(yīng)速度,保障人員安全,降低災(zāi)害影響;以及促進(jìn)管理智能化,優(yōu)化作業(yè)流程,推動(dòng)安全生產(chǎn)邁向新高度。防爆巡檢記錄儀電力安全生產(chǎn)升級(jí)中,防爆巡檢記錄儀成為行業(yè)標(biāo)配的三大理由主要包括以下幾點(diǎn):一、提升安全性與合規(guī)性電力生產(chǎn)

2025-02-25 關(guān)鍵字: 記錄儀電力安全巡檢記錄儀

第一篇 RA8889 實(shí)現(xiàn)酷炫車載液晶儀表系列文章:簡介及平...

由液晶驅(qū)動(dòng)控制芯片RA8889實(shí)現(xiàn)車載液晶儀表的方案,本系列文章會(huì)從最基本的UI界面制作,硬件平臺(tái)的介紹,以及軟件代碼實(shí)現(xiàn)來詳細(xì)介紹。

2025-02-25 關(guān)鍵字: 液晶驅(qū)動(dòng)控制芯片液晶儀表

技術(shù)資料#LMG3411R150 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過流...

LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,該器件的固有優(yōu)勢包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復(fù)(可將開關(guān)損耗降低多達(dá) 80%)以及低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴(可降低 EMI)。這些優(yōu)勢實(shí)現(xiàn)了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特...

SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性...

2025-02-25 關(guān)鍵字: 二極管肖特基二極管SBDSiC

技術(shù)資料#LMG3410R150 具有集成驅(qū)動(dòng)器和過流保護(hù)功...

LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,該器件的固有優(yōu)勢包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復(fù)(可將開關(guān)損耗降低多達(dá) 80%)以及低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴(可降低 EMI)。這些優(yōu)勢實(shí)現(xiàn)了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

技術(shù)資料#LMG3425R030 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)、溫度...

技術(shù)資料#LMG3425R030 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)、溫度報(bào)告和理想二極管模式的 600V 30mΩ GaN FET...

2025-02-25 關(guān)鍵字: 二極管轉(zhuǎn)換開關(guān)模式電源

技術(shù)資料#LMG3425R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)、溫度...

該LMG3425R050集成了硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結(jié)合,可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和最小的振鈴??烧{(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度允許控制 20V/ns 至 150V/ns 的轉(zhuǎn)換速率,可用于主動(dòng)控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。

參考設(shè)計(jì)#PMP41043 1.6kW 采用 C2000 和...

此參考設(shè)計(jì)演示了混合磁滯控制 (HHC) 方法,這是一種在半橋 LLC 級(jí)上使用 C2000 F28004x 微控制器的電流模式控制方法。該硬件基于 TIDA-010062,后者是 1kW、80 Plus 鈦、GaN CCM 圖騰柱無橋 PFC 和半橋 LLC 參考設(shè)計(jì)。添加了一個(gè)單獨(dú)的感應(yīng)卡用于混合磁滯控制,可重新生成諧振電容器上的電壓。

2025-02-25 關(guān)鍵字: 微控制器電容器電流LLCCCM

具有集成驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工...

具有集成驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)...

醫(yī)療手持機(jī)_醫(yī)療PDA手持終端主板方案過醫(yī)療認(rèn)證

醫(yī)療PDA手持機(jī)配備了強(qiáng)大的聯(lián)發(fā)科2.0GHz八核處理器,標(biāo)配4GB運(yùn)行內(nèi)存和64GB存儲(chǔ)空間,用戶可選配6GB內(nèi)存和128GB存儲(chǔ)。搭載的Android 13操作系統(tǒng)確保了設(shè)備的快速響應(yīng)和流暢的操作體驗(yàn),使醫(yī)護(hù)人員能夠迅速訪問關(guān)鍵信息。

2025-02-24 關(guān)鍵字: PDA醫(yī)療手持終端

技術(shù)資料LMG3422R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)...

LMG342xR050 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結(jié)合,可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和最小的振鈴??烧{(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度允許控制 20V/ns 至 150V/ns 的轉(zhuǎn)換速率,可用于主動(dòng)控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。LMG3426R050 包括零電壓檢測 (ZVD) 功能,當(dāng)實(shí)現(xiàn)零電壓切換時(shí),該功能可從 ZVD 引腳提供脈沖輸出。

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電池測試、電化學(xué)阻抗譜和半導(dǎo)體測試等測試和測量應(yīng)用需要準(zhǔn)確的電流和電壓輸出直流電源。在環(huán)境溫度變化為±5°C時(shí),設(shè)備的電流和電壓控制精度需要...

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(電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道 文/章鷹)9月中旬以來,電子時(shí)報(bào)報(bào)道,業(yè)內(nèi)人士透露,隨著交付周期延長到6個(gè)月以上,模擬芯片供應(yīng)商德州儀器(TI)和安森美均已...

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