(SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動汽車
2022-05-17 11:55:24
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Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301823 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計人員在多個MOSFET并聯(lián)使用時減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211630 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:112875 今天凌晨舉行的2018蘋果秋季新品發(fā)布會上，蘋果隆重推出了重新設(shè)計的第四代Apple Watch，首批科技媒體評價已經(jīng)出爐。外媒The Verge的評論是：“Bigger is better，屏幕
2018-09-13 11:48:034207 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006418 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311541 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲（SPST）CMOS模擬開關(guān)
2019-03-08 15:06:392742 日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
第四代CSR8670開發(fā)板開發(fā)步驟Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
在4月26日召開的第十三屆中國衛(wèi)星導(dǎo)航年會（CSNC2022）上，深圳華大北斗科技股份有限公司研發(fā)的第四代北斗芯片正式發(fā)布。
這是一款擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)基帶和射頻一體化SoC芯片，作為
2023-09-21 09:52:00
第四代移動通信技術(shù)是什么？有什么主要特點？第四代移動通信系統(tǒng)有哪些關(guān)鍵技術(shù)？
2021-05-26 07:07:28
器件的MOSFET的復(fù)雜性?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率MOSFET的設(shè)計過程中采取措施使其中的寄生晶體管盡量不起作用。在不同代功率MOSFET中其 措施各有不同，但總的原則是使漏極下的橫向電阻RB盡量小。因為只有在漏極N
2023-02-27 11:52:38
ARK推出新一代250V MOS器件 近日，成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，簡稱ARK)推出新一代250V MOSFET系列產(chǎn)品，包括N型
2011-04-19 15:01:29
）新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，采用體積更小、且支持第四代PCIe的非易失性存儲器高速（NVMe）固態(tài)硬盤?！ ∵@些固態(tài)硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點
2020-11-23 06:10:45
MIMO-OFDM系統(tǒng)為什么能成為第四代移動通信領(lǐng)域研究的熱點和重點？
2021-05-27 06:39:06
據(jù)我所知，第五代capsense相比第四代將電容（包括自電容+互電容技術(shù)）和電感觸摸技術(shù)集成到了一起，snr信噪比是上一代的十多倍，同時功耗僅是上一代的十分之一。但是這張圖在感應(yīng)模式上第四代
2024-05-23 06:24:34
隨著企業(yè)計算從第三代串行標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)向第四代串行標(biāo)準(zhǔn)，我們的客戶需要一臺高精度示波器，支持并可擴展地進行無縫轉(zhuǎn)換。DPO70000SX的最低型號為23或33GHz，其可擴充的結(jié)構(gòu)提供了“升級空間“，在
2016-06-08 15:02:10
接上篇橫掃第四代串行測試文章，隔得太久大家可能忘記前排文章的內(nèi)容了，這里就不重復(fù)敘述了，上篇直通車→橫掃第四代串行測試一 隨著各種重大行業(yè)規(guī)范不斷進化，如PCIe，我們的測試測量工具也必須保持同步
2016-07-07 17:28:56
本文通過對本田第四代混合動力系統(tǒng)IMA的工作特性與主要零部件的分析研究，揭示了其基本的設(shè)計思想和工作原理，對于國內(nèi)輕度混聯(lián)混合動力汽車的研發(fā)具有一定的借鑒作用。
2021-05-12 06:08:11
的電子通過導(dǎo)電溝道進入被耗盡的垂直的N區(qū)中和正電荷，從而恢復(fù)被耗盡的N型特性，因此導(dǎo)電溝道形成。由于垂直N區(qū)具有較低的電阻率，因而導(dǎo)通電阻較常規(guī)MOS管將明顯降低?！ ⊥ㄟ^以上分析可以看到：阻斷電壓與導(dǎo)
2018-11-01 15:01:12
階段，可見未來5年工地對第四代強制式干混砂漿罐的需求會越來越大。 那么一款專業(yè)的工人專用空氣凈化施工產(chǎn)品應(yīng)當(dāng)是怎樣的標(biāo)準(zhǔn)呢？ 第四代強制式干混砂漿罐的產(chǎn)品介紹： 攪拌機開機后，罐內(nèi)的砂漿通過手動蝶閥或
2017-06-16 11:00:57
本文從基本概念、接入系統(tǒng)、關(guān)鍵技術(shù)等幾個方面全面介紹了第四代移動通信系統(tǒng)，并簡單介紹了OFDM 技術(shù)在第四代移動通信中的應(yīng)用。
2009-11-28 11:46:59
42 iPod nano(第四代)功能指南手冊
2009-12-10 15:29:1259 9294第四代智VCD維修解碼板使用說明
第四代智能VCD維修解碼板新增功能：1、增加目前市面上最流行的LED數(shù)碼屏
2009-04-28 15:39:251718 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 第四代大功率UPS的技術(shù)—無變壓器設(shè)計簡介
1 無變壓器UPS的技術(shù)發(fā)展史
自從小功率UPS問世以來,無變壓器UPS設(shè)計經(jīng)歷了
2009-12-09 10:39:10742 
第四代iPhone細節(jié)曝光
北京時間2月9日早間消息，美國數(shù)碼產(chǎn)品維修網(wǎng)站iResQ今天刊文，曝光了蘋果第四代iPhone的更多細節(jié)及圖片，第四代iPhone要比當(dāng)前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00937 第四代iPhone細節(jié)曝光
2010-02-22 10:25:18522 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54877 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887
全球有線和無線通信半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)者Broadcom(博通)公司近日宣布，推出第四代先進的藍牙頭戴式耳機單芯片系統(tǒng)(S
2011-01-01 15:49:561332 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081830 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301776 S2C在中國推出ALLEGRO公司的廣播級、第四代H.264 High Profile編碼器。相對于前面三代，第四代的特點是支持MVC(3D)、支持低延遲、支持低比特率、支持藍光和B幀
2011-07-21 09:07:091903 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:191026 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 4月27日，英特爾宣布將于6月3日（北京時間6月4日）正式推出第四代酷睿處理器Haswell。
2013-04-28 10:18:012873 目前，英特爾正式宣布推出第四代Haswell酷睿處理器。全新的Haswell處理器將更好地解決目前業(yè)界計算性能與低功耗難題。
2013-06-03 10:14:451745 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211312 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122 第四代移動通信技術(shù)研究，很好的網(wǎng)絡(luò)資料，快來下載學(xué)習(xí)吧。
2016-04-19 11:30:480 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供了
2017-02-10 15:10:112189 TrenchFET? 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，為移動設(shè)備、消費電子和電源提供了更高的功率密度和效率。
2017-04-25 15:58:551806 ;功率MOSFET所用的MICRO FOOTreg;封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚至更低。 Si8802DB和Si8805EDB可用于手持設(shè)備中的負(fù)載切換，包括智能手機、平板電腦、便攜式媒體播放器和移動計算設(shè)備。在
2019-01-01 16:29:011015 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180 金山云宣布基于全新Intel Cascade Lake CPU、最新六通道DDR4內(nèi)存的第四代云服務(wù)器正式上線。
2020-03-19 13:44:592974 全球高速計算與網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用領(lǐng)域創(chuàng)新連接方案領(lǐng)軍企業(yè) TE Connectivity （TE） 宣布推出用于第四代串行連接SCSI（SAS）的插座產(chǎn)品，分別以24 Gbps和16 GT/s的速度支持 SAS 和 PCIe 通道。
2020-10-13 15:46:513583 近日，福特汽車攜手自動駕駛技術(shù)合作伙伴Argo AI在美國推出第四代自動駕駛測試車。該車基于福特Escape（國產(chǎn)版本為福特銳際）混動版車型打造，擁有道路感知和計算能力。福特將逐步把第四代自動駕駛
2020-10-28 09:27:142490 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:542337 AN65--第四代LCD背光技術(shù)
2021-04-19 11:43:336 Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導(dǎo)通電阻低至 0.95 mΩ，優(yōu)異的 FOM 僅為 29.8?mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:573908 的視頻增強軟件公司IMINT Image Intelligence AB（簡稱“Imint”）今日宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的Vidhance第四代視頻防抖解決方案，引領(lǐng)智能手機性能的又一次范式變革。 全新的Vidhance第四代視頻防抖解決方案延續(xù)了Imint不斷突破視頻體驗界限的表現(xiàn)。經(jīng)過領(lǐng)先的智能手機制造
2021-11-29 13:43:333014 適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET——SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的器件，10 V
2021-12-05 10:21:115 wifi技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)第四代是第四代移動通信技術(shù)的意思，第五代就是第五代移動通信技術(shù)，那么這兩代之間有什么區(qū)別呢？
2022-01-01 16:43:0041537 德賽西威與高通技術(shù)公司宣布，雙方將基于第4代驍龍座艙平臺，共同打造德賽西威第四代智能座艙系統(tǒng)。
2022-01-05 14:25:234213 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298 在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 Vishay Intertechnology， Inc.（紐約證券交易所代碼：VSH）??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。
2022-03-28 11:54:142760 第四代半導(dǎo)體我們其實叫超禁帶半導(dǎo)體，它分兩個方向，一是超窄禁帶，禁帶寬度（指被束縛的價電子產(chǎn)生本征激發(fā)所需要的最小能量）在零點幾電子伏特（eV），比超窄禁帶更窄的材料便稱為導(dǎo)體；
2022-08-22 11:10:3918936 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 （NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14780 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:121359 高性能低功耗物聯(lián)網(wǎng)無線連接領(lǐng)導(dǎo)廠商Nordic 半導(dǎo)體公司宣布推出第四代多協(xié)議系統(tǒng)級芯片（SoC）系列中的首款產(chǎn)品nRF54H20。
2023-06-06 12:46:151802 ，今天宣布推出其新的FastFrame第四代以太網(wǎng)產(chǎn)品系列智能網(wǎng)卡。第四代FastFrameSmartNICs產(chǎn)品線具有四種獨特的型號，產(chǎn)品線涵蓋10/25/40/50/1
2023-05-11 10:36:091129 
納微半導(dǎo)體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴(yán)苛的大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)樹立新標(biāo)桿
2023-09-07 14:30:151913 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:081686 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141479 Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供高效的高功率密度解決方案。
2024-05-10 11:47:422283 
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù)，標(biāo)志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計算領(lǐng)域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341 意法半導(dǎo)體（簡稱ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，標(biāo)志著公司在高效能半導(dǎo)體領(lǐng)域又邁出了重要一步。此次推出的第四代技術(shù)，在能效、功率密度和穩(wěn)健性方面均樹立了新的市場標(biāo)桿，將為汽車和工業(yè)市場帶來革命性的改變。
2024-10-10 18:27:331619 意法半導(dǎo)體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導(dǎo)體還針對
2024-10-12 11:30:592195 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN65-第四代LCD背光技術(shù).pdf》資料免費下載
2025-01-09 14:12:250 近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38957 
高通技術(shù)公司今日宣布推出高通躍龍第四代固定無線接入平臺至尊版，這是全球首款5G Advanced FWA平臺。
2025-03-04 16:27:111154 今日，高通技術(shù)公司宣布推出第四代驍龍8s移動平臺，該平臺專為追求出色娛樂體驗和創(chuàng)作體驗的用戶打造，旨在將旗艦性能和先進特性帶給更多消費者，并為手游玩家和創(chuàng)作者提供強勁支持。第四代驍龍8s能夠確保終端持久運行，滿足用戶全天候的多樣化需求，無論是隨時隨地暢玩游戲、享受影音娛樂體驗，還是拍攝精彩瞬間。
2025-04-03 17:44:291784 高通技術(shù)公司今日推出最新驍龍7系產(chǎn)品——第四代驍龍7移動平臺。這一全新平臺旨在增強用戶喜愛的多媒體體驗并提供全面的穩(wěn)健性能。無論是利用先進圖像處理功能拍攝珍貴瞬間，還是借助精選的Snapdragon
2025-05-19 15:02:141847 產(chǎn)品，第四代SiC MOSFET不僅進一步降低了導(dǎo)通電阻，還顯著減少了開關(guān)損耗，并優(yōu)化了開通/關(guān)斷波形，從而實現(xiàn)更高的載流能力與系統(tǒng)效率。
2025-08-05 15:19:011208 
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續(xù)工作，助力動力總成系統(tǒng)實現(xiàn)最大性能。
2025-08-11 16:54:232327 Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設(shè)計用于高效電源開關(guān)應(yīng)用。SiEH4800EW采用緊湊型PowerPAK
2025-11-11 13:53:18348
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