美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2900 的電流隔離是一個常見的要求，功率電平通常低于 100 W。由于直流鏈路電壓的變化，它還應(yīng)該能夠在寬輸入電壓范圍內(nèi)工作，通常從 300 V 到 1000 V。單開關(guān)反激式拓撲結(jié)構(gòu)簡單，元件數(shù)量最少，成本低，是此類低功率 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換的廣泛使用的拓撲結(jié)構(gòu)之一。
2022-08-03 09:11:512292 
遠山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級結(jié)
2025-01-14 09:42:281901 
在高耐壓范圍中，SiC MOSFET與Si-MOSFET相比，具有“開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢。基于這些優(yōu)勢，當(dāng)SiC-MOSFET用于AC/DC轉(zhuǎn)換器和DC
2019-04-24 12:46:442725 基于SBD的700V、1200V和1700V電源模塊可最大程度地提升開關(guān)效率、減少溫升和縮小系統(tǒng)尺寸。
2020-03-19 07:40:001214 1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴大了設(shè)計人員對效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 14:47:031990 
PI看到了電動車的這個發(fā)展趨勢，因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品，該產(chǎn)品采用碳化硅（SiC）初級開關(guān)MOSFET的汽車級開關(guān)電源IC，將耐壓值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:226763 PIN Schottky（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計，具有高浪涌電流保護能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助于提升開關(guān)電源設(shè)計能效和可靠性。 ? 日前發(fā)布的新一代SiC二極管包括4A至4
2023-05-24 17:09:591188 
中國上海， 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:551734 
?-2系列單級、獨立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術(shù)制造而成，是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC。1700V額定耐壓進一步提升了氮化鎵功率器件的先進水平
2024-11-05 10:56:55863 
鎵開關(guān)IC，這是業(yè)內(nèi)首款高達1700V的氮化鎵開關(guān)IC。新品一出，PI再次成為在氮化鎵領(lǐng)域首家突破額定耐壓水平的電源管理芯片企業(yè)。 PI的功率變換開關(guān)持續(xù)迭代 早在2022年，PI就推出了1700V 碳化硅初級開關(guān)的汽車級高壓開關(guān)電源IC，彼時，該產(chǎn)品以高輸入電壓，高輸出
2024-11-18 08:57:006135 
及汽車電子領(lǐng)域占據(jù)重要地位。其集成90m?低阻值高端MOSFET，配合峰值電流模式控制技術(shù)，可實現(xiàn)高達95%的轉(zhuǎn)換效率（實測5V輸出時309kHz工況）。
?二、關(guān)鍵技術(shù)亮點?
智能能效管理
2025-08-05 15:04:56
CRD-060DD12P，用于單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計的演示板，采用市售的1700V碳化硅（SiC）MOSFET，取代傳統(tǒng)的雙開關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器，用于三相應(yīng)用的高壓輸入輔助電源。演示板不是專為產(chǎn)品而設(shè)計的，僅用作評估Cree開關(guān)設(shè)備性能的工具
2019-04-30 07:42:31
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
，而且在高溫條件下的工作也表現(xiàn)良好，可以說是具有極大優(yōu)勢的開關(guān)元件。這張圖是各晶體管標(biāo)準(zhǔn)化的導(dǎo)通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出，理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高，可制作低導(dǎo)通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小?！ ≈饕獞?yīng)用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。 2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-04-09 04:58:00
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統(tǒng)設(shè)計的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）的形式出現(xiàn)。SemiSouth實驗室遵循JFET方法，因為當(dāng)時雙極結(jié)晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4
2019-07-30 15:15:17
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-05-07 06:21:55
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車電機控制器
2021-11-10 09:10:42
Gross表示：“我們的極低雜散電感標(biāo)準(zhǔn)SP6LI封裝非常適合為用于高開關(guān)頻率、高電流和高效率應(yīng)用的SiC MOSFET器件改善性能，通過提供更小尺寸的電源系統(tǒng)解決方案，幫助客戶大幅降低設(shè)備需求。我們
2018-10-23 16:22:24
，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13
功率器件與拓撲優(yōu)化
寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用
傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET因開關(guān)損耗高，限制了系統(tǒng)效率。采用碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）器件可顯著降低損耗：
SiC MOSFET導(dǎo)通電阻低（僅為硅
2025-05-21 14:38:45
MOSFET相比，SiC MOSFET的功率轉(zhuǎn)換效率可提升高達5%采用準(zhǔn)諧振方式，可實現(xiàn)更低EMI通過減少元器件數(shù)量，可實現(xiàn)顯著的小型化和更高可靠性可確保長期穩(wěn)定供應(yīng)，很適合工業(yè)設(shè)備應(yīng)用產(chǎn)品陣容新增4款保護功能
2022-07-27 11:00:52
擊穿電壓仿真工具中實現(xiàn)，因此假定電荷為零。采用深P-區(qū)域可減少軸向壽命殺傷器（如氦氣或質(zhì)子）的泄漏電流，并使器件在硬開關(guān)條件下具有魯棒性。圖 1：1700V 器件的平面結(jié) VLD 端接的橫截面。圖 2
2023-02-27 09:32:57
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
1700V高耐壓，還是充分發(fā)揮SiC的特性使導(dǎo)通電阻大幅降低的MOSFET。此外，與SiC-MOSFET用的反激式轉(zhuǎn)換器控制IC組合，還可大幅改善效率。ROHM不僅開發(fā)最尖端的功率元器件，還促進充分發(fā)揮
2018-12-04 10:11:25
]Nch1700V3.7A35W1.15Ω(Typ.)14nC(Typ.)4A44W57W0.75Ω(Typ.)17nC(Typ.)☆：開發(fā)中SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET 重點必看與SiC用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC組合，效率顯著提高＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-MOSFETSi-MOSFET
2018-12-05 10:01:25
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-12 03:43:18
的門檻變得越來越低，價格也在逐步下降，應(yīng)用領(lǐng)域也在慢慢扭轉(zhuǎn)被海外品牌一統(tǒng)天下的局面。據(jù)統(tǒng)計，目前國內(nèi)多家龍頭企業(yè)已開始嘗試與內(nèi)資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當(dāng)前國內(nèi)品牌尚不具備競爭優(yōu)勢。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列！我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù)，賦能客戶在三大核心維度實現(xiàn)飛躍性提升：效率躍升、空間減負、成本優(yōu)化與可靠性保障
2025-07-23 14:36:03
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計演示板。該設(shè)計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
IGBT一樣易于驅(qū)動。事實上，其TO-247封裝可以替代許多這類器件，實現(xiàn)即時的性能提升。對于新的設(shè)計，還有一種低電感、熱增強型DFN8x8封裝，充分利用了SiC-FET的高頻性能?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC
2023-02-27 14:28:47
1700V?SiC MOSFET+AC/DC轉(zhuǎn)換器 評估板BD7682FJ-EVK-401為三相AC400～690V輸入 24V/1A輸出，搭載了ROHM適用于大功率工業(yè)設(shè)備的1700V高耐壓SiC
2020-02-20 11:50:40
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的導(dǎo)通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出，上述IC的柵極驅(qū)動電壓在每種MOSFET將要飽和前變?yōu)閂GS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
可提供從650V到1700V不等的諸多產(chǎn)品，目前這類產(chǎn)品都是基于第三代碳化硅技術(shù)，并且都與未來能效相關(guān)的，能夠節(jié)省高達50%的損耗，提高開關(guān)頻率，降低使用成本。 圖4：ST氮化鎵產(chǎn)品戰(zhàn)略 另一方面，ST
2022-07-01 10:28:37
銀聯(lián)寶六級能效標(biāo)準(zhǔn)的電源芯片U6116是一款多模式控制的芯片，可用于大電流充電器、LED驅(qū)動電源、較大功率控制電源系統(tǒng)、電源適配器等。銀聯(lián)寶六級能效標(biāo)準(zhǔn)的電源芯片U6116內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制，無異
2020-03-19 14:02:41
驅(qū)動1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設(shè)計:通過對幾種常用的1700V IGBT 驅(qū)動專用集成電路進行詳細的分析，對M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進行深入的討論，給出了電氣特性參數(shù)和內(nèi)部
2009-06-19 20:29:52
40 1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款工業(yè)級第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 繼續(xù)在碳化硅 (SiC) 領(lǐng)域
2023-07-28 14:21:34
SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關(guān)的特質(zhì)，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉(zhuǎn)換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應(yīng)用在高頻轉(zhuǎn)換器上，為重型電機、工業(yè)設(shè)備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢
2015-06-25 16:16:401994 SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 09:29:312449 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:002379 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。
2018-09-26 11:32:174500 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品
2018-10-23 11:34:376278 支持電動和混合動力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:415483 了解如何使用安森美半導(dǎo)體NCP1611高能效增強型PFC控制器，提升一款100 W電源的輕載能效而不影響其滿載能效。安森美半導(dǎo)體應(yīng)用專家回答您的高能效設(shè)計問題。
2019-03-28 06:28:003871 ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:523238 阻和緊湊的芯片，可確保低電容和柵極變化。因此NTBG020N090SC1 SiC MOSFET系統(tǒng)的好處包括最高效率、更快工作頻率、增加的功率密度、更低EMI以及更小的系統(tǒng)尺寸。典型應(yīng)用包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、升壓逆變器、UPS、太陽能和電源。
2020-06-15 14:19:404976 金升陽緊跟功率半導(dǎo)體市場動向，推出QAxx3D-2GR3（下文稱：QA-R3系列驅(qū)動電源），可有效應(yīng)用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上。
2021-05-07 11:49:581827 峰岹科技高能效電機驅(qū)動控制芯片技術(shù)，贏得合作伙伴的肯定，獲全球十大熱水器品牌萬和授予技術(shù)創(chuàng)新獎。核“芯”技術(shù)賦能新一代電器產(chǎn)品，峰岹科技攜手廠商共同助力實現(xiàn)高品質(zhì)低碳生活。
2021-08-26 15:39:431262 
參考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是為支持客戶采用SIC MOSFET設(shè)計輔助電源而開發(fā)的。該參考板旨在支持客戶為三相系統(tǒng)設(shè)計輔助電源，工作電壓范圍在200VDC至1000VDC
2021-09-07 14:11:033834 
在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢更為凸顯。 下文主要對國產(chǎn)SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對比。 國產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:375746 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818 Power Integrations今日發(fā)布兩款新器件，為InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列新添兩款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級
2022-02-16 14:10:122674 （SiC）初級開關(guān) MOSFET。這些新設(shè)備可產(chǎn)生高達 70 瓦的輸出功率，用于 600 和 800 伏電池和燃料電池電動乘用車，以及電動巴士、卡車和一系列工業(yè)電源應(yīng)用。InnoSwitch3-AQ
2022-07-29 08:07:272204 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動功率器件，為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設(shè)計更簡單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:584653 BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC，采用一體化封裝，已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于小型表貼封裝（TO263-7L）中。主要
2022-08-14 10:00:242094 
Infineon，最新1700V的SiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設(shè)計
2022-08-28 11:17:069 高壓功率系統(tǒng)設(shè)計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計人員現(xiàn)在有機會在提高性能的同時，應(yīng)對所有其他挑戰(zhàn)。
2022-12-28 17:50:151154 
MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用提供可靠、高能效的性能。 安森美的1700 V EliteSiC MOSFET
2023-01-04 13:46:191213 新的1700 V EliteSiC器件在能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用中實現(xiàn)可靠、高能效的工作 2023年1月4日?—?領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號
2023-01-05 13:16:581201 新的1700 V EliteSiC器件在能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用中實現(xiàn)可靠、高能效的工作 來源：安森美 2023年1月4日— 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票
2023-01-05 20:20:49988 重點必看內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－規(guī)格篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計更容易支持自動安裝的小型解決方案&...
2023-02-08 13:43:191305 
SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFET，采用4引腳封裝。此次共推出6款機型（650V耐壓和1200V耐壓）。
2023-02-09 10:19:223467 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:231760 
ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:241336 
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:051223 
3.1 驅(qū)動電源SiC MOSFET開啟電壓比Si IGBT低，但只有驅(qū)動電壓達到18V～20V時才能完全開通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對比 Cree的產(chǎn)品手冊中單管
2023-02-27 14:41:0910 前幾天，三一集團的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄（.點這里.），很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰，今天答案正式揭曉！
2023-06-14 18:19:552104 ModelName：ASC5N1700MT3Package：TO-247-3LVoltage：1700VRon：1000mohmTemperatureRange：-40～150°CStatus
2022-03-04 10:51:051603 
安科瑞華楠前言推進工業(yè)能效提升，是產(chǎn)業(yè)提質(zhì)升級、實現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展的內(nèi)在要求，是降低工業(yè)領(lǐng)域碳排放、實現(xiàn)碳達峰碳中和目標(biāo)的重要途徑，是培育形成綠色低碳發(fā)展新動能、促使工業(yè)經(jīng)濟增長的合理舉措。為深入
2022-09-08 10:55:56987 
對于SiC功率MOSFET技術(shù)，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:571674 芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應(yīng)速度更快、體積縮小、壽命延長等，對提升車輛電源系統(tǒng)整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:311230 
點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出業(yè)界首款 [1] 2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:071150 
電源中，由于母線電壓和功率不同，一般會選用單管反激或雙管反激拓撲，無論那種拓撲都離不開核心的功率器件，即1500V~1700V 功率MOS。
2023-10-16 11:38:052882 
11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，
2023-11-30 09:39:183074 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種
2024-04-17 13:37:49873 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。
2024-04-17 14:02:491619 
納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展現(xiàn)了出色的導(dǎo)電性能。這款產(chǎn)品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，滿足車規(guī)與工規(guī)不同等級的需求。
2024-05-06 15:20:521273 新型碳化硅 (SiC) 肖特基二極管 器件采用?MPS?結(jié)構(gòu)設(shè)計，額定電流?5 A ~ 40 A 低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低 Vishay?推出?16?款新型第三代?1200 V?碳化硅
2024-07-05 09:36:122318 
肖特基（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計，具有高浪涌電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低，有助于提升開關(guān)電源設(shè)計能效和可靠性。 日前發(fā)布的新一代SiC二極
2024-07-24 09:26:20822 
近年來，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當(dāng)前使用IGBT的電力轉(zhuǎn)換器設(shè)計師的真正替代方案。到目前為止，大多數(shù)SiCMOSFET的設(shè)計成功主要發(fā)生在低功率到20kW范圍內(nèi)
2024-08-19 11:31:252088 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。
2024-10-29 13:54:371063 
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出InnoMux-2系列單級、獨立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN技術(shù)制造而成，是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC。
2024-11-05 13:40:571066 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計。
2025-01-22 11:03:221224 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58999 GB20943-2025標(biāo)準(zhǔn)的核心更新內(nèi)容,基于GB20943-2025能效標(biāo)準(zhǔn)的國產(chǎn)SiC MOSFET技術(shù)優(yōu)勢分析以及產(chǎn)生的功率半導(dǎo)體行業(yè)變革: GB20943-2025能效標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計將聚焦于提升
2025-03-03 17:46:33990 
隨著新能源、工業(yè)電源及電動汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展，輔助電源對高效率、高功率密度及高溫穩(wěn)定性的需求日益迫切。傳統(tǒng)的硅基器件已逐漸難以滿足嚴(yán)苛的性能要求，而碳化硅(SiC)MOSFET憑借其優(yōu)異的開關(guān)速度
2025-06-09 17:21:23507 
隨著全球?qū)δ茉?b class="flag-6" style="color: red">效率與低碳技術(shù)的需求日益增長，商空熱泵(Commercial HVAC)作為大型建筑供暖、通風(fēng)與空調(diào)系統(tǒng)的核心設(shè)備，亟需更高性能的功率器件以提升能效與可靠性。BASiC
2025-06-19 16:44:44676 
兩款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計中廣受歡迎
2025-07-23 18:10:061028 
SiC MOSFET模塊革命：傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時代 34mm封裝BMF80R12RA3模塊——工業(yè)電源的能效突破者 ? ? 一、產(chǎn)品核心優(yōu)勢（直擊客戶痛點） 極致能效，成本銳減
2025-07-29 09:57:57511 
傾佳電力電子設(shè)備高壓輔助電源拓撲、器件選型與1700V SiC MOSFET技術(shù)分析報告 I. 緒論：高壓電力電子系統(tǒng)對輔助電源的嚴(yán)苛要求 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體
2025-10-14 15:06:06456 
傾佳電子面向電力電子功率變換系統(tǒng)的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式輔助電源設(shè)計 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-11-03 11:26:47447 
傾佳電子研究報告：B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源中的應(yīng)用與替代分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源
2025-11-21 21:29:06864 
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