全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天披露說(shuō)，他們將按計(jì)劃在2015年提供450毫米晶圓制造設(shè)備的原型，Intel、三星電子、臺(tái)積電等預(yù)計(jì)將在2018年實(shí)現(xiàn)450毫米晶圓的商業(yè)性量產(chǎn)，與此同時(shí)，極紫外（EUV）光刻設(shè)備也進(jìn)展順利，將在今年交付兩套新的系統(tǒng)。
2013-04-21 09:42:14
1660 極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)。
2023-06-06 11:23:541996 
紫外發(fā)光二極管是指可發(fā)出波長(zhǎng)約400nm的近紫外光的發(fā)光二極管（led）。
2024-02-26 16:03:2925342 
15瓦高功率紫外激光器用在陶瓷杯旋轉(zhuǎn)打標(biāo)，激光刻字 很多人對(duì)于現(xiàn)代的激光技術(shù)還不夠了解，以為激光只能做到簡(jiǎn)單的切割、打孔，其實(shí)現(xiàn)在的激光技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到了，可以在工藝品上進(jìn)行雕刻甚至根據(jù)需求刻上各種
2022-01-13 08:38:25
數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。 常規(guī)光刻技術(shù)是采用波長(zhǎng)為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實(shí)現(xiàn)圖形的變換、轉(zhuǎn)移和處理，最終把圖像信息
2012-01-12 10:51:59
）光刻技術(shù)，而GlobalFoundries當(dāng)年也曾經(jīng)研究過(guò)7nm EUV工藝，只不過(guò)現(xiàn)在已經(jīng)放棄了?！ 《褂?b class="flag-6" style="color: red">極紫外光（EUV）作為光源的光刻機(jī)就是EUV光刻機(jī)，當(dāng)然這絕對(duì)不是單純只換個(gè)光源這么簡(jiǎn)單
2020-07-07 14:22:55
SU-8光刻膠 SU-8光刻膠克服了普通光刻膠采用UV光刻深寬比不足的問(wèn)題，在近紫外光（365nm-400nm）范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個(gè)光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比
2018-07-12 11:57:08
。光刻機(jī)的曝光波長(zhǎng)也在由紫外譜g線 (436nm)→i線(365nm)→248nm→193nm→極紫外光（EUV）→X射線，甚至采用非光學(xué)光刻（電子束曝光、離子束曝光），光刻膠產(chǎn)品的綜合性能也必須隨之
2018-08-23 11:56:31
了UVA、UVB，僅對(duì)UVC波段的紫外線響應(yīng)。各自 的用途大致為：紫外線的分段說(shuō)明可見(jiàn)光盲的紫外線傳感器 光刻過(guò)程; 紫外治療過(guò)程 血液分析儀; 生物科學(xué)實(shí)驗(yàn)室研究設(shè)備 生物武器的探測(cè)
2012-03-13 10:39:47
于紫外線消毒燈的效果評(píng)估、高分子材料老化研究、探傷以及大規(guī)模集成電路光刻等領(lǐng)域的紫外輻照度測(cè)量工作。
綜上所述，紫外能量計(jì)因其獨(dú)特的技術(shù)原理而在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景。隨著科技的不斷進(jìn)步和人們對(duì)紫外線輻射認(rèn)識(shí)的深入，紫外能量計(jì)的應(yīng)用范圍還將不斷拓展。
2024-10-15 14:42:52
，購(gòu)買(mǎi)或者開(kāi)發(fā)EUV光刻機(jī)是否必要？中國(guó)應(yīng)如何切實(shí)推進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展？EUV面向7nm和5nm節(jié)點(diǎn)所謂極紫外光刻，是一種應(yīng)用于現(xiàn)代集成電路制造的光刻技術(shù)，它采用波長(zhǎng)為10～14納米的極紫外光作為
2017-11-14 16:24:44
SU 8光刻膠系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介：新型的化學(xué)增幅型負(fù)像 SU- 8 膠是一種負(fù)性、環(huán)氧樹(shù)脂型、近紫外線光刻膠，克服了普通光刻膠采用 UV光刻導(dǎo)致的深寬比不足的問(wèn)題，十分適合于制備高深寬比微結(jié)構(gòu)。SU- 8
2018-07-04 14:42:34
三種常見(jiàn)的光刻技術(shù)方法根據(jù)暴光方法的不同,可以劃分為接觸式光刻,接近式光刻和投影式光刻三種光刻技術(shù)?！ 敉队笆奖┕馐抢猛哥R或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的暴光方法.在這種暴光方法中,由于掩膜
2012-01-12 10:56:23
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分別采用了什么芯片？ 3協(xié)同通信的方式有哪些？ 4大數(shù)據(jù)及認(rèn)知無(wú)線電（名詞解釋） 4半導(dǎo)體工藝的4個(gè)主要步驟： 4簡(jiǎn)敘半導(dǎo)體光刻技術(shù)基本原理 4給出4個(gè)全球著名的半導(dǎo)體設(shè)備制造商并指出其生產(chǎn)的設(shè)備核心技術(shù)： 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
如何才能制作用無(wú)線技術(shù)發(fā)光的紫外燈？
2021-12-10 16:07:14
快照】：極紫外(EUV)光刻技術(shù)一直被認(rèn)為是光學(xué)光刻技術(shù)之后最有前途的光刻技術(shù)之一,國(guó)際上對(duì)EUV光刻技術(shù)已開(kāi)展了廣泛的研究[1-4]。在EUV光刻技術(shù)中,EUV光源是其面臨的首要技術(shù)難題。實(shí)現(xiàn)EUV
2010-04-22 11:41:29
限定在一定的距離內(nèi)。因此紫外光通信是基于大氣散射和吸收的無(wú)線光通信技術(shù)。選擇紫外“日盲”波段光波進(jìn)行傳輸信號(hào)時(shí)，信號(hào)在傳輸過(guò)程中很少受到大氣背景噪聲干擾。由于紫外輻射在大氣中由瑞利散射所造成的光能損失
2019-06-18 08:00:06
主要介紹了集成門(mén)極換流晶閘管(IGCT)的光刻技術(shù)。IGCT器件的光刻次數(shù)多，精度要求高，如何保證光刻質(zhì)量是關(guān)鍵。根據(jù)IGCT光刻的特點(diǎn)，從光刻機(jī)的性能、光刻膠的選用以及刻
2010-06-24 16:48:43
14 新式半導(dǎo)體光刻技術(shù)中，極紫外光刻(EUV)被認(rèn)為是最有前途的方法之一，不過(guò)其實(shí)現(xiàn)難度也相當(dāng)高，從上世紀(jì)八十年代開(kāi)始探尋至今已經(jīng)將近三十年， 仍然未能投入實(shí)用。極紫外光
2010-06-17 17:27:381823 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210 隨著芯片集成度的不斷提高、器件尺寸的不斷縮小，光刻技術(shù)和光刻設(shè)備發(fā)生著顯著變化。通過(guò)對(duì)目前國(guó)內(nèi)外光刻設(shè)備生產(chǎn)廠商對(duì)下一代光刻技術(shù)的開(kāi)發(fā)及目前已經(jīng)應(yīng)用到先進(jìn)生產(chǎn)線上
2011-10-31 16:38:1770 若要將電力設(shè)備的檢測(cè)效率提高，就需要采用建立在紫外內(nèi)窺檢測(cè)技術(shù)和嵌入式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)基礎(chǔ)上的先進(jìn)檢測(cè)方式。本文給出了相應(yīng)的電力設(shè)備紫外監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，它在構(gòu)造上主要分為部分，即CJPRS模塊、嵌入式計(jì)算機(jī)
2017-11-10 15:00:0911 對(duì)于邏輯器件、存儲(chǔ)器件等主流IC行業(yè)，可以利用不同技術(shù)實(shí)現(xiàn)10nm以下工藝的光刻設(shè)備商只有三家：荷蘭ASML–EUV（極紫外光）光刻、日本尼康–浸沒(méi)式DUV（深紫外光）光刻、日本佳能–納米壓印光刻（NIL）
2018-03-24 10:10:001838 
? 前些天，新聞曝光的中芯國(guó)際花了1．2億美元從荷蘭ASML買(mǎi)來(lái)一臺(tái)EUV極紫外光刻機(jī)，未來(lái)可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片，而根據(jù)最新消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也迎來(lái)了自己的第一臺(tái)光刻機(jī)，國(guó)產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤(pán)將迎來(lái)重大突破。
2018-06-29 11:24:0010089 納米電子與數(shù)字技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新中心 IMEC 與美國(guó)楷登電子( Cadence) 公司聯(lián)合宣布，得益于雙方的長(zhǎng)期深入合作，業(yè)界首款 3nm 測(cè)試芯片成功流片。該項(xiàng)目采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)。
2018-03-19 15:08:308957 隨機(jī)變化需要新方法、新工具，以及不同公司之間的合作。 極紫外（EUV）光刻技術(shù)正在接近生產(chǎn)，但是隨機(jī)性變化又稱為隨機(jī)效應(yīng)正在重新浮出水面，并為這項(xiàng)期待已久的技術(shù)帶來(lái)了更多的挑戰(zhàn)
2018-03-31 11:52:006365 據(jù)《日經(jīng)亞洲評(píng)論》（Nikkei Asian Review）援引消息人士的話稱，中國(guó)芯片加工企業(yè)中芯國(guó)際（SMIC）向全球最大的芯片設(shè)備制造商——荷蘭ASML訂購(gòu)了首臺(tái)最先進(jìn)的EUV（極紫外
2018-05-26 01:54:0016411 ，同時(shí)集成電路的設(shè)計(jì)人員也更喜歡選擇這種全面符合設(shè)計(jì)規(guī)則的光刻技術(shù)。極紫外光刻技術(shù)掩模的制造難度不高，具有一定的產(chǎn)量?jī)?yōu)勢(shì)。
EUV光刻技術(shù)設(shè)備制造成本十分高昂，包括掩模和工藝在內(nèi)的諸多方面花費(fèi)
2018-06-27 15:43:5013171 今年4月開(kāi)始，臺(tái)積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產(chǎn)，蘋(píng)果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或?qū)?huì)使用它制造，但仍在使用傳統(tǒng)的深紫外光刻(DUV)技術(shù)。
2018-10-17 15:44:565426 極紫外光刻時(shí)代的大幕已拉開(kāi)……
2019-02-27 13:41:11881 臺(tái)積電官方宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡，也領(lǐng)先Intel、三星一大步。
2019-05-28 11:20:413960 臺(tái)積電官方宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡。
2019-05-28 16:18:244210 隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計(jì)尺寸不斷縮小的極限，極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)的運(yùn)用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對(duì)于 7 納米及更小的高級(jí)節(jié)點(diǎn)，EUV 光刻技術(shù)是一種能夠簡(jiǎn)化圖案形成工藝的支持技術(shù)。要在如此精細(xì)的尺寸下進(jìn)行可靠制模，超凈的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32:372675 
紫外發(fā)光二極管是指可發(fā)出波長(zhǎng)約400nm的近紫外光的發(fā)光二極管（LED）。紫外光通常是用作識(shí)別鈔票是否偽造，一些紫外發(fā)光二極管照明物在夜總會(huì)和派對(duì)上很受歡迎，它們被用來(lái)使熒光物質(zhì)發(fā)出更亮的光。
2020-01-15 10:52:523705 
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在芯片的制造過(guò)程中，光刻機(jī)是必不可少的設(shè)備，在芯片工藝提升到7nm EUV、5nm之后，極紫外光刻機(jī)也就至關(guān)重要。
2020-03-07 10:50:592349 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在芯片的制造過(guò)程中，光刻機(jī)是必不可少的設(shè)備，在芯片工藝提升到7nm EUV、5nm之后，極紫外光刻機(jī)也就至關(guān)重要。
2020-03-07 14:39:545816 2020年3月25日，三星電子（Samsung Electronics）公開(kāi)透露，在半導(dǎo)體生產(chǎn)的主要工序中首次采用了新一代“EUV（極紫外線）”光刻設(shè)備的量產(chǎn)線。成為在半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，全球首家使用EUV光刻設(shè)備。
2020-03-30 15:40:133914 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，半導(dǎo)體行業(yè)光刻系統(tǒng)供應(yīng)商ASML（阿斯麥）去年交付了26臺(tái)極紫外光刻機(jī)（EUV），調(diào)查公司Omdia表示，其中約一半面向大客戶臺(tái)積電。ASML此前公布，2019年，共向客戶交付了26
2020-04-09 11:20:062845 對(duì)于芯片制造廠商來(lái)說(shuō)，光刻機(jī)的重要性不言而喻，尤其是目前芯片制造工藝已經(jīng)提升至5nm和3nm之后，極紫外光刻機(jī)就顯得更為重要。而ASML作為全球唯一有能力制造極紫外光刻機(jī)的廠商，他的一舉一動(dòng)，牽動(dòng)著所有相關(guān)產(chǎn)業(yè)上下游廠商的心。
2020-04-15 09:27:562282 對(duì)于芯片制造廠商來(lái)說(shuō)，光刻機(jī)的重要性不言而喻，尤其是目前芯片制造工藝已經(jīng)提升至5nm和3nm之后，極紫外光刻機(jī)就顯得更為重要。而ASML作為全球唯一有能力制造極紫外光刻機(jī)的廠商，他的一舉一動(dòng)，牽動(dòng)著所有相關(guān)產(chǎn)業(yè)上下游廠商的心。
2020-04-15 15:44:364637 4月17日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在智能手機(jī)等高端設(shè)備芯片的工藝提升到5nm之后，能生產(chǎn)5nm芯片的極紫外光刻機(jī)就顯得異常重要，而作為目前全球唯一能生產(chǎn)極紫外光刻機(jī)的廠商，阿斯麥的供應(yīng)量直接決定了各大芯片制造商5nm芯片的產(chǎn)能。
2020-04-18 09:09:433946 頂級(jí)光刻機(jī)有多難搞？ASML的光刻機(jī)，光一個(gè)零件他就調(diào)整了10年！拿荷蘭最新極紫外光EUV光刻機(jī)舉例，其內(nèi)部精密零件多達(dá)10萬(wàn)個(gè)，比汽車(chē)零件精細(xì)數(shù)十倍！
2020-07-02 09:38:3912919 荷蘭阿斯麥（ASML）公司的光刻機(jī)作為世界上最貴最精密的儀器，相信大家都有耳聞，它是加工芯片的設(shè)備。其最先進(jìn)的EUV（極紫外光）光刻機(jī)已經(jīng)能夠制造7nm以下制程的芯片，據(jù)說(shuō)一套最先進(jìn)的7納米EUV
2020-10-15 09:20:055352 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，已經(jīng)推出了兩款極紫外光刻機(jī)的阿斯麥，正在研發(fā)第三款，計(jì)劃在明年年中開(kāi)始出貨。
2020-10-15 16:14:112148 光刻機(jī)，在整個(gè)芯片生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)，是最最最核心的設(shè)備，技術(shù)難度極高。在全球光刻機(jī)市場(chǎng)，日本的尼康、佳能，和荷蘭的ASML，就占據(jù)了市場(chǎng)90%以上份額。而最高級(jí)的EUV（極紫外光）技術(shù)，則更是只有荷蘭的ASML一家可以掌握。
2020-10-17 09:49:454287 
根據(jù)韓國(guó)媒體《BusinessKorea》的報(bào)道，日前三星電子副董事長(zhǎng)李在镕前往荷蘭拜訪光刻機(jī)大廠ASML，其目的就是希望ASML的高層能答應(yīng)提早交付三星已經(jīng)同意購(gòu)買(mǎi)的極紫外光光刻設(shè)備（EUV）。
2020-10-24 09:37:303414 日前三星電子副董事長(zhǎng)李在镕前往荷蘭拜訪光刻機(jī)大廠ASML，其目的就是希望ASML 的高層能答應(yīng)提早交付三星已經(jīng)同意購(gòu)買(mǎi)的極紫外光光刻設(shè)備（EUV）。
2020-10-24 09:39:062041 中國(guó)需要光刻機(jī)，尤其是支持先進(jìn)制程的高端光刻機(jī)。具體來(lái)說(shuō)，就是 EUV （極紫外光源）光刻機(jī)。
2020-11-11 10:13:305279 
在5nm、6nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)、第二代5nm工藝即將投產(chǎn)的情況下，芯片代工商臺(tái)積電對(duì)極紫外光刻機(jī)的需求也明顯增加。而外媒最新援引產(chǎn)業(yè)鏈消息人士的透露報(bào)道稱，臺(tái)積電已向阿斯麥下達(dá)了2021的極紫外光刻
2020-11-17 17:20:142373 盡管尚不清楚確切的交付和安裝時(shí)間表，但這些設(shè)備將在2021年全年交付。同時(shí)，臺(tái)積電明年的實(shí)際需求可能高達(dá)16 – 17臺(tái)EUV光刻機(jī)，因?yàn)樵摴菊谑褂镁哂蠩UV層的制造技術(shù)來(lái)提高產(chǎn)量。
2020-11-19 14:10:101709 近日，據(jù)外媒報(bào)道，在芯片制程工藝方面一直落后于臺(tái)積電的三星電子，目前正在尋求加強(qiáng)與極紫外光刻機(jī)供應(yīng)商ASML的合作，以加速5nm和3nm制程的研發(fā)。
2020-11-24 14:54:522593 近兩年來(lái)，芯片制造成為了半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的焦點(diǎn)。芯片制造離不開(kāi)光刻機(jī)，而光刻技術(shù)則是光刻機(jī)發(fā)展的重要推動(dòng)力。在過(guò)去數(shù)十載的發(fā)展中，光刻技術(shù)也衍生了多個(gè)分支，除了光刻機(jī)外，還包括光源、光學(xué)元件、光刻膠等材料設(shè)備，也形成了極高的技術(shù)壁壘和錯(cuò)綜復(fù)雜的產(chǎn)業(yè)版圖。
2020-11-27 16:03:3621975 自從芯片工藝進(jìn)入到7nm工藝時(shí)代以后，需要用到一臺(tái)頂尖的EUV光刻機(jī)設(shè)備，才可以制造7nm EUV、5nm等先進(jìn)制程工藝的芯片產(chǎn)品，但就在近日，又有外媒豪言：這種頂尖的EUV極紫外光刻機(jī)，目前全球
2020-12-03 13:46:227524 特別是，韓國(guó)公司正在迅速縮小其在極紫外光刻技術(shù)上與外國(guó)公司的差距。2019年，韓國(guó)本土提出的專利申請(qǐng)數(shù)量為40件，超過(guò)了國(guó)外企業(yè)的10件。這是韓國(guó)提交的專利申請(qǐng)首次超過(guò)國(guó)外。2020年，韓國(guó)提交的申請(qǐng)數(shù)量也是國(guó)外的兩倍多。
2020-12-11 13:40:541972 ， ArF 準(zhǔn)分子激光：193 nm
極紫外光（EUV），10 ～ 15 nm
對(duì)光源系統(tǒng)的要求：
a．有適當(dāng)?shù)牟ㄩL(zhǎng)。波長(zhǎng)越短，可曝光的特征尺寸就越??；［波長(zhǎng)越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利
2020-12-28 14:17:153559 , ArF 準(zhǔn)分子激光：193 nm
極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
對(duì)光源系統(tǒng)的要求:
a.有適當(dāng)?shù)牟ㄩL(zhǎng)。波長(zhǎng)越短，可曝光的特征尺寸就越?。籟波長(zhǎng)越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利
2020-12-29 09:14:542925
對(duì)于阿斯麥（ASML）來(lái)說(shuō)，他們正在研發(fā)更先進(jìn)的***，這也是推動(dòng)芯片工藝?yán)^續(xù)前行的重要?jiǎng)恿Α?
ASML是全球目前唯一能制造極紫外***的廠商，其在推出TWINSCAN NXE:3400B
2020-12-29 11:00:102186
對(duì)于阿斯麥（ASML）來(lái)說(shuō)，他們正在研發(fā)更先進(jìn)的***，這也是推動(dòng)芯片工藝?yán)^續(xù)前行的重要?jiǎng)恿Α?
ASML是全球目前唯一能制造極紫外***的廠商，其在推出TWINSCAN NXE:3400B
2020-12-29 11:06:572977 日本半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備廠商Lasertec正在借助占世界最大份額的EUV（極紫外）測(cè)試設(shè)備持續(xù)增長(zhǎng)。極紫外光刻機(jī)生產(chǎn)的半導(dǎo)體有望實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，支持極紫外的測(cè)試設(shè)備的需求也正在擴(kuò)大。Lasertec專注于
2021-01-25 14:22:032849 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)積電和三星電子的芯片制程工藝，均已提升到了 5nm，更先進(jìn)的工藝研發(fā)也在推進(jìn)，并在謀劃量產(chǎn)事宜。 在制程工藝提升到 5nm 之后，也就意味著臺(tái)積電、三星等廠商，對(duì)極紫外光刻機(jī)的需求
2021-01-25 17:10:181914 ，對(duì)極紫外光刻機(jī)的需求會(huì)不斷增加，而全球目前唯一能生產(chǎn)極紫外光刻機(jī)廠商的阿斯麥，也就大量供應(yīng)極紫外光刻機(jī)。 英文媒體在最新的報(bào)道中表示，在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列的臺(tái)積電，在今年預(yù)計(jì)可獲得 18 臺(tái)極紫外光刻機(jī)，三星和英特爾也將
2021-01-25 17:21:544030 如今全球芯片短缺，不僅僅已經(jīng)嚴(yán)重營(yíng)銷到了科技數(shù)碼產(chǎn)業(yè)，就連汽車(chē)產(chǎn)業(yè)也深受其害。為了滿足2021年的需求激增，目前有國(guó)外媒體稱臺(tái)積電一口氣向荷蘭ASML下達(dá)了18臺(tái)最先進(jìn)的極紫外光刻機(jī)需求，如此之大的需求令可以說(shuō)是史上的天量，三星英特爾急了。
2021-01-26 09:22:051640 對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，他們今年依然會(huì)狂購(gòu)極紫外光刻，用最先進(jìn)的工藝來(lái)確保自己處于競(jìng)爭(zhēng)的最有力地位。
2021-01-26 11:21:511678 2600萬(wàn)片晶圓采用EUV系統(tǒng)進(jìn)行光刻。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻的精度不斷提高，2021年先進(jìn)工藝將進(jìn)入5nm/3nm節(jié)點(diǎn)，極紫外光刻成為必修課，EUV也成為半導(dǎo)體龍頭廠商競(jìng)相爭(zhēng)奪采購(gòu)的焦點(diǎn)。未來(lái)，極紫外光刻技術(shù)將如何發(fā)展？產(chǎn)業(yè)格局如何演變？我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)如何解決光刻技術(shù)的難題？
2021-02-01 09:30:233645 2月2日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)積電和三星電子，從阿斯麥購(gòu)買(mǎi)了大量的極紫外光刻機(jī)，用于為蘋(píng)果、高通等客戶代工最新的智能手機(jī)處理器。 而從外媒的報(bào)道來(lái)看，除了臺(tái)積電和三星，存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士，也
2021-02-02 18:08:483347 2月25日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，芯片制程工藝提升至5nm的臺(tái)積電和三星，已從阿斯麥購(gòu)買(mǎi)了大量的極紫外光刻機(jī)，并且還在大量購(gòu)買(mǎi)。
2021-02-26 09:22:012149 2021年3月5日消息，近日，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所的研究人員提出了一種基于厚掩模模型和社會(huì)學(xué)習(xí)的極紫外光刻（EUVL）源掩模優(yōu)化（SMO）技術(shù)粒子群優(yōu)化（SL-PSO）算法。
2021-03-08 13:46:572269 眾所周知，想要在芯片領(lǐng)域打破由歐美國(guó)家所壟斷的市場(chǎng)，必須要解決光刻機(jī)的問(wèn)題，這是傳統(tǒng)硅基芯片制造過(guò)程中最為重要的一環(huán)。而在光刻機(jī)領(lǐng)域，荷蘭的ASML則是光刻機(jī)領(lǐng)域金字塔最頂尖的企業(yè)，尤其是在極紫外光領(lǐng)域
2021-04-16 14:31:125274 
美國(guó)媒體7月19日?qǐng)?bào)道，美國(guó)政府正在努力阻止荷蘭ASML EUV光刻機(jī)（極紫外光刻機(jī)）進(jìn)入中國(guó)大陸。 報(bào)道稱，中國(guó)政府此前與荷蘭政府協(xié)商，要求允許中國(guó)公司購(gòu)買(mǎi)ASML生產(chǎn)的EUV光刻機(jī)設(shè)備（極紫外光刻
2021-07-21 16:52:252514 光刻機(jī)設(shè)備（極紫外光刻機(jī)），中方希望將這款價(jià)值1.5億美元的機(jī)器用于大陸芯片制造。 這款180噸重、售價(jià)1.5億美元的設(shè)備是艾司摩爾招牌產(chǎn)品，稱為「極紫外光（EUV）微影系統(tǒng)」，是制造最先進(jìn)微處理器必需。英特爾、三星電子、臺(tái)積電等公司都使用EUV設(shè)備，生
2021-07-25 17:35:153479 制造超大規(guī)模集成電路的核心技術(shù)之一?，F(xiàn)代集成電路制造業(yè)基本按照摩爾定律在不斷發(fā)展，芯片的特征尺寸(CriticalDimension，簡(jiǎn)稱CD)不斷縮小，光刻技術(shù)也經(jīng)歷了從g線光刻、i線光刻、深紫外(Deep Ultraviolet，簡(jiǎn)稱DUV)光刻到極紫外(ExtremeUltraviolet，簡(jiǎn)
2021-12-16 10:36:481678 
極紫外光刻(EUVL)掩模壽命是要解決的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一，因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)正在為大批量制造做準(zhǔn)備。反射式多層掩模體系結(jié)構(gòu)對(duì)紫外線輻射高度敏感，容易受到表面氧化和污染。由于各種表面沉積過(guò)程造成的EUV標(biāo)線的污染
2021-12-17 15:22:421649 
三星電子和ASML就引進(jìn)今年生產(chǎn)的EUV光刻機(jī)和明年推出高數(shù)值孔徑極紫外光High-NA EUV光刻機(jī)達(dá)成采購(gòu)協(xié)議。
2022-07-05 15:26:156764 目前，光刻機(jī)主要分為EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)。DUV是深紫外線，EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術(shù)，EUV使用的是深紫外光刻技術(shù)。EUV為先進(jìn)工藝芯片光刻的發(fā)展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1087067 2019 年是極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)的重要里程碑。當(dāng)年，EUV圖案化技術(shù)首次用于7nm技術(shù)一代邏輯芯片的量產(chǎn)。插入以圖案化芯片后端 (BEOL) 的最關(guān)鍵層，它可以打印間距為 36-40nm
2022-07-26 10:22:552836 
根據(jù)所使用的輻射，有不同類型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、電子束光刻、x射線光刻、光刻和離子束光刻。在光學(xué)光刻技術(shù)中，有部分不透明和部分不透明的圖案掩模(光片)半透明區(qū)域被使用。紫外線輻射或氣體激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例減少。
2022-07-27 16:54:534814 
EUV 光刻是以波長(zhǎng)為 10-14nm 的極紫外光作為光源的芯片光刻技術(shù)，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是以極紫外光作“刀”，對(duì)芯片上的晶圓進(jìn)行雕刻，讓芯片上的電路變成人們想要的圖案。
2022-10-10 11:15:027389 熱點(diǎn)新聞 1、 ASML 阿斯麥 CEO 透露高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī) 2024?年開(kāi)始出貨 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，光刻機(jī)制造商阿斯麥的 CEO 兼總裁彼得?維尼克 (Peter Wennink)，在本周
2022-11-18 19:00:034892 科學(xué)家利用選擇性紫外光刻實(shí)現(xiàn)復(fù)合纖維材料的光纖微圖案化
2022-12-22 14:58:13761 
過(guò)去二十年見(jiàn)證了193 nm以下波長(zhǎng)光刻技術(shù)的發(fā)展。在使用 F2 準(zhǔn)分子激光器開(kāi)發(fā)基于 157 納米的光刻技術(shù)方面付出了一些努力，但主要關(guān)注點(diǎn)是使用 13.5 納米軟 X 射線作為光源的極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。
2023-02-02 11:49:593901 DUV是深紫外線（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是極深紫外線（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者采用極紫外光刻技術(shù)，后者采用深紫外光刻技術(shù)。
2023-03-20 14:23:2413751 超快光譜學(xué)和半導(dǎo)體光刻領(lǐng)域皆依賴于非常短的波長(zhǎng)，往往在極紫外extreme ultraviolet，EUV波段。然而，大多數(shù)光學(xué)材料強(qiáng)烈地吸收該波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光，導(dǎo)致缺乏通?？捎玫耐干洳考?。
2023-04-12 11:03:531982 極紫外光刻的制約因素
耗電量高極紫外線波長(zhǎng)更短，但易被吸收，可利用率極低，需要光源提供足夠大的功率。如ASML 3400B光刻機(jī)，250W的功率，每天耗電達(dá)到三萬(wàn)度。
生產(chǎn)效率仍不
2023-06-08 15:56:421359 
MODEL：XT-01-UVlitho-手動(dòng)版一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介光刻技術(shù)是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，是集成電路最重要的加工工藝。光刻膠在紫外光的照射下發(fā)生化學(xué)變化，通過(guò)曝光、顯影、刻蝕等工藝過(guò)程
2022-12-20 09:24:263273 
，半導(dǎo)體制造領(lǐng)域使用 傳統(tǒng)大功率汞燈技術(shù) 用于光刻設(shè)備的紫外光源。這種光源雖然輸出功率高，但輸出光譜范圍寬，制造和生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生對(duì)環(huán)境有害的物質(zhì)，并且工作壽命短，更換周期頻繁。 UVLED 具有獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和成本優(yōu)勢(shì)，能夠輸
2023-07-05 10:11:242795 
摘要 ：隨著微電子產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，我國(guó)迫切需要研制極大規(guī)模集成電路的加工設(shè)備-光刻機(jī)。曝光波長(zhǎng)為193nm的投影式光刻機(jī)因其技術(shù)成熟、曝光線寬可延伸至32nm節(jié)點(diǎn)的優(yōu)勢(shì)已成為目前光刻領(lǐng)域的主流設(shè)備
2023-07-17 11:02:381673 
EUV掩膜，也稱為EUV掩?；駿UV光刻掩膜，對(duì)于極紫外光刻（EUVL）這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:021237 EUVL是下一代半導(dǎo)體芯片制造的關(guān)鍵步驟。目前唯一一家生產(chǎn)EUVL掃描儀組件的公司是總部位于荷蘭的ASML。EUVL系統(tǒng)并非僅在荷蘭制造，而是由在全球開(kāi)發(fā)的許多模塊組成，然后運(yùn)送到荷蘭的ASML總部進(jìn)行最終組裝和測(cè)試，最終交付給客戶。
2023-09-11 16:42:032317 目前，商用EUV光刻機(jī)采用激光等離子體型-極紫外（LPP-EUV）光源系統(tǒng)，主要由驅(qū)動(dòng)激光器、液滴錫靶、收集鏡組成。
2024-02-21 10:18:482915 
雖然DUVL機(jī)器可以通過(guò)多重曝光技術(shù)將線寬縮小到7-5納米，但如果要獲得更小的線寬，DUVL已經(jīng)達(dá)到了極限。采用EUV作為光源的極紫外光刻（EUVL）成為研究的重點(diǎn)，其波長(zhǎng)為13.5納米。
2024-04-25 10:06:027017 
近日，日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)（OIST）發(fā)布了一項(xiàng)重大研究報(bào)告，宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外（EUV）光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當(dāng)前半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限，其設(shè)計(jì)的光刻設(shè)備能夠采用更小巧的EUV光源，并且功耗僅為傳統(tǒng)EUV光刻機(jī)的十分之一，從而實(shí)現(xiàn)了能源消耗的顯著降低。
2024-08-03 12:45:362296 來(lái)源：Trend Force 據(jù)STDaily援引日本沖繩科學(xué)技術(shù)研究生院（OIST）官網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道稱，該大學(xué)設(shè)計(jì)出一種超越半導(dǎo)體制造標(biāo)準(zhǔn)邊界的極紫外（EUV）光刻技術(shù)。 基于此設(shè)計(jì)的光刻設(shè)備可以
2024-08-06 16:32:59950 
據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日?qǐng)?bào)道，Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司，已經(jīng)開(kāi)始在北海道芯片制造廠內(nèi)安裝極紫外光刻系統(tǒng)。 它將分四個(gè)階段進(jìn)行安裝，設(shè)備安裝預(yù)計(jì)在
2024-12-20 13:48:201498 
納米級(jí)別的分辨率。本文將詳細(xì)介紹光刻機(jī)的主要組成部分及其功能。 光源系統(tǒng) ? 光源系統(tǒng)是光刻機(jī)的心臟，負(fù)責(zé)提供曝光所需的能量。早期的光刻機(jī)使用汞燈作為光源，但隨著技術(shù)的進(jìn)步，目前多采用深紫外（DUV）或極紫外（EUV）光源，
2025-01-07 10:02:304530 
芯片制造、價(jià)值1.5億美元的極紫外（EUV，https://spectrum.ieee.org/tag/euv）光刻掃描
2025-01-09 11:31:181280 光刻技術(shù)對(duì)芯片制造至關(guān)重要，但傳統(tǒng)紫外光刻受衍射限制，摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。為突破瓶頸，下一代光刻（NGL）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。本文將介紹納米壓印技術(shù)（NIL）的原理、發(fā)展、應(yīng)用及設(shè)備，并探討其在半導(dǎo)體制造中
2025-02-13 10:03:503711 
隨著極紫外光刻（EUV）技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn)，X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢(shì)，在特定領(lǐng)域正形成差異化競(jìng)爭(zhēng)格局。
2025-05-09 10:08:491374 
的應(yīng)用。 改善光刻圖形線寬變化的方法 優(yōu)化曝光工藝參數(shù) 曝光是決定光刻圖形線寬的關(guān)鍵步驟。精確控制曝光劑量，可避免因曝光過(guò)度導(dǎo)致光刻膠過(guò)度反應(yīng)，使線寬變寬；或曝光不足造成線寬變窄。采用先進(jìn)的曝光設(shè)備，如極紫外（EUV）光刻機(jī)
2025-06-30 15:24:55740 
極紫外光刻（EUVL）技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝制程的關(guān)鍵路徑，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。當(dāng)前，LPP-EUV 光源是極紫外光刻機(jī)所采用的主流光源，其工作原理是利用波長(zhǎng)為 10.6um 的紅外
2025-07-22 17:20:36957 
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