引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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了光刻劑。但重大挑戰(zhàn)仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半導(dǎo)體制造業(yè)中使用微氣泡。因此，我們需要通過明確了解微氣泡去除光刻抗蝕劑層的功能機(jī)制，來提高微氣泡的去除能力。本研究的目的是闡明微氣泡對光刻膠層表面的影響。
2022-01-10 11:37:131980 
光刻膠為何要謀求國產(chǎn)替代？中國國產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場發(fā)展機(jī)會和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競爭力？在南京半導(dǎo)體大會期間，徐州博康公司董事長傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來前沿觀點和獨家分析。
2022-08-29 15:02:238662 
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337847 
近日，上海新陽發(fā)布公告稱，公司自主研發(fā)的KrF（248nm）厚膜光刻膠產(chǎn)品已經(jīng)通過客戶認(rèn)證，并成功取得第一筆訂單，取得不錯進(jìn)展。 ? 光刻膠用于半導(dǎo)體光刻工藝環(huán)節(jié)，是決定制造質(zhì)量的重要因素，根據(jù)曝光
2021-07-03 07:47:0026808 ，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的重要材料，目前主要被日美把控，國內(nèi)在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優(yōu)勢，國內(nèi)廠商在光
2021-08-12 07:49:006896 電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模增長帶動了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國內(nèi)關(guān)注焦點。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:004234 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 光刻膠作為芯片制造光刻環(huán)節(jié)的核心耗材，尤其高端材料長期被日美巨頭壟斷，國外企業(yè)對原料和配方高度保密，我國九成以上光刻膠依賴進(jìn)口。不過近期，國產(chǎn)光刻膠領(lǐng)域捷報頻傳——從KrF
2025-07-13 07:22:006083 這一突破的核心力量。 ? 然而，EUV光刻的廣泛應(yīng)用并非坦途，其光源本身存在反射損耗大、亮度低等固有缺陷，這對配套的光刻膠材料提出了前所未有的嚴(yán)苛要求——不僅需要具備高效的EUV吸收能力，還要在反應(yīng)機(jī)制的穩(wěn)定性、缺陷控制的精準(zhǔn)度等方面實
2025-08-17 00:03:004220 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日，我國半導(dǎo)體材料領(lǐng)域迎來重大突破。北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù)，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面
2025-10-27 09:13:046180 
收購湖北三峽實驗室重大科技成果“光刻膠用光引發(fā)劑制備專有技術(shù)及實驗設(shè)備所有權(quán)”，標(biāo)志著我國在這一關(guān)鍵材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破性進(jìn)展。 ? “這不僅是一項技術(shù)成果的市場轉(zhuǎn)化，更是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控進(jìn)程中的重要突破?！睒I(yè)內(nèi)專家
2025-12-17 09:16:275954 一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
，之后經(jīng)過物鏡投射到曝光臺，這里放的就是8寸或者12英寸晶圓，上面涂抹了光刻膠，具有光敏感性，紫外光就會在晶圓上蝕刻出電路?！ 《す馄髫?fù)責(zé)光源產(chǎn)生，而光源對制程工藝是決定性影響的，隨著半導(dǎo)體工業(yè)節(jié)點
2020-07-07 14:22:55
SU-8光刻膠 SU-8光刻膠克服了普通光刻膠采用UV光刻深寬比不足的問題，在近紫外光（365nm-400nm）范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比
2018-07-12 11:57:08
。光刻機(jī)的曝光波長也在由紫外譜g線 (436nm)→i線(365nm)→248nm→193nm→極紫外光（EUV）→X射線，甚至采用非光學(xué)光刻（電子束曝光、離子束曝光），光刻膠產(chǎn)品的綜合性能也必須隨之
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
電介質(zhì)和濾波應(yīng)用的旋涂材料 PC3 系列 產(chǎn)品可用于平坦化，臨時行粘接層和保護(hù)涂層。 BDC1/PDC1/ZPDC1 系列 產(chǎn)品可作為高效參雜層，代替昂貴的CVD參雜工序。 RD6系列 光刻膠顯影液，可用
2010-04-21 10:57:46
光刻膠在近紫外光(365nm- 400nm)范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比的厚膜圖形；它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性。SU-
2018-07-04 14:42:34
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
【作者】：呂鵬;劉春芳;張潮海;趙永蓬;王騏;賈興;【來源】：《強激光與粒子束》2010年02期【摘要】：描述了Z箍縮放電等離子體極紫外光源系統(tǒng)中的主脈沖電源,給出了主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),重點介紹了三級磁
2010-04-22 11:41:29
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 ? 前些天，新聞曝光的中芯國際花了1．2億美元從荷蘭ASML買來一臺EUV極紫外光刻機(jī)，未來可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片，而根據(jù)最新消息稱，長江存儲也迎來了自己的第一臺光刻機(jī)，國產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤將迎來重大突破。
2018-06-29 11:24:0010089 這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī)，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過機(jī)器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3719874 光刻膠是指通過紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、X 射線等光源的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料。主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：半導(dǎo)體領(lǐng)域的集成電路和分立器件、平板顯示、LED、以及倒扣封裝、磁頭及精密傳感器等產(chǎn)品的制作過程。
2019-02-11 13:54:5227397 
光刻膠是電子領(lǐng)域微細(xì)圖形加工關(guān)鍵材料之一，是由感光樹脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下，其溶解度發(fā)生變化，經(jīng)適當(dāng)溶劑處理，溶去可溶性部分，最終得到所需圖像。
2019-02-19 09:17:0641237 2018年，南大光電和上海新陽先后宣布，投入ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，立志打破集成電路制造最為關(guān)鍵的基礎(chǔ)材料之一——高檔光刻膠材料幾乎完全依賴于進(jìn)口的局面，填補國內(nèi)高端光刻膠材料產(chǎn)品的空白。
2019-05-21 09:24:247863 
近日，日本對韓國進(jìn)行出口限制，光刻膠材料赫然在列。
2019-07-15 09:28:494368 光刻膠概念股南大光電10月23日公告，擬投資新建光刻膠材料以及配套原材料項目。
2019-10-24 16:47:213744 今年7月17日，南大光電在互動平臺透露，公司設(shè)立光刻膠事業(yè)部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進(jìn)“ArF光刻膠開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”落地實施。目前該項目完成的研發(fā)技術(shù)正在等待驗收中，預(yù)計2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線，項目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。
2019-12-16 13:58:528273 隨著電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突飛猛進(jìn)，光刻膠市場總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場規(guī)模預(yù)計接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預(yù)計未來3年仍以年均5%的速度增長，預(yù)計至2022年全球光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。
2020-03-01 19:02:484848 光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，大致分為LCD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導(dǎo)體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:396218 光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。 據(jù)第三方機(jī)構(gòu)智研咨詢統(tǒng)計，2019年全球光刻膠市場規(guī)模預(yù)計近90億美元，
2020-09-15 14:00:1420205 技術(shù)水平與國際先進(jìn)水平仍存在較大差距，自給率僅10%，主要集中于技術(shù)含量相對較低的PCB領(lǐng)域，6英寸硅片的g/i線光刻膠的自給率約為20%，8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%，12寸硅片的ArF光刻膠目前尚沒有國內(nèi)企業(yè)可以大規(guī)模生產(chǎn)。 基于此，新材料在線特推出【2020年光
2020-10-10 17:40:253534 光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:542357 多年來，光刻膠的研發(fā)都被列入我國高新技術(shù)計劃、重大科技項目。今年9月28日，國家發(fā)展改革委、科技部、工業(yè)和信息化部以及財政部聯(lián)合印發(fā)的《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點增長極的指導(dǎo)意見》中
2020-10-22 15:20:154894 將先完成，預(yù)計2021年2月開始量產(chǎn)，屆時信越化學(xué)將得以在中國臺灣地區(qū)生產(chǎn)可與極紫外光（EUV）光刻技術(shù)兼容的光刻膠，以滿足臺積電等臺廠客戶的需求。 日本的工廠將建在新瀉縣，預(yù)計2022年開始運作。屆時中國臺灣地區(qū)的光刻膠將增產(chǎn)50%，日本
2020-10-22 17:25:324788 工藝的層層打磨，一顆嶄新的芯片才正式誕生。 而芯片制造所需的關(guān)鍵設(shè)備就是光刻機(jī)，但是我們今天不談光刻機(jī)，我們要來聊一聊光刻機(jī)中最重要的材料光刻膠。 光刻膠又稱為光致抗蝕劑，它是一種對光敏感的有機(jī)化合物，受紫外光曝
2020-11-14 09:36:577126 
在5nm、6nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)、第二代5nm工藝即將投產(chǎn)的情況下，芯片代工商臺積電對極紫外光刻機(jī)的需求也明顯增加。而外媒最新援引產(chǎn)業(yè)鏈消息人士的透露報道稱，臺積電已向阿斯麥下達(dá)了2021的極紫外光刻
2020-11-17 17:20:142373 光刻膠是微納加工過程中非常關(guān)鍵的材料。有專家表示，中國要制造芯片，光有光刻機(jī)還不夠，還得打破國外對“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564956 ? 導(dǎo) 讀 日前，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發(fā)的 ArF 光刻膠產(chǎn)品成功通過客戶使用認(rèn)證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。 圖：南大光電公告 ? 公告稱
2020-12-25 18:24:097828 系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。對準(zhǔn)精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域，光源有汞燈，準(zhǔn)分子激光器等。
最后小編
2020-12-29 09:14:542925 對于臺積電來說，他們今年依然會狂購極紫外光刻，用最先進(jìn)的工藝來確保自己處于競爭的最有力地位。
2021-01-26 11:21:511678 近日，荷蘭的光刻機(jī)制造商阿斯麥（ASML）發(fā)布2020年度財報，全年凈銷售額達(dá)到140億歐元，毛利率達(dá)到48.6%。ASML同時宣布實現(xiàn)第100套極紫外光刻（EUV）系統(tǒng)的出貨，至2020年年底已有
2021-02-01 09:30:233646 近期，專注于電子材料市場研究的TECHCET發(fā)布最新統(tǒng)計和預(yù)測數(shù)據(jù)：2021年，半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場規(guī)模將同比增長11％，達(dá)到19億美元。
2021-03-22 10:51:126146 按照應(yīng)用領(lǐng)域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學(xué)品（光引發(fā)劑和樹脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類。本文主要討論半導(dǎo)體光刻膠。
2021-05-17 14:15:525022 
5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開盤即走強，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達(dá)6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:154020 在半導(dǎo)體制造方面，國內(nèi)廠商需要突破的不只是光刻機(jī)等核心設(shè)備，光刻膠也是重要的一環(huán)。而南大光電研發(fā)的高端ArF光刻機(jī)，已經(jīng)獲得了國內(nèi)某企業(yè)的認(rèn)證，可用于55nm工藝制造。 南大光電發(fā)布公告稱，控股
2021-06-26 16:32:373071 光刻膠是光刻機(jī)研發(fā)的重要材料，換句話說光刻機(jī)就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0015758 類型和智能流體?配方發(fā)生反應(yīng)，將最有希望的組合進(jìn)行到第二階段進(jìn)行深入研究。后續(xù)實驗結(jié)果證明了通過改變工藝溫度設(shè)置和添加兆聲能來優(yōu)化工藝參數(shù)。通過目視檢查和接觸角測量來量化光刻膠剝離結(jié)果。 介紹 光刻膠材料的去
2022-03-03 14:20:05888 
什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:021489 
灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:178339 光刻膠產(chǎn)品說明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:2511 南大光電最新消息顯示，國產(chǎn)193nm（ArF）光刻膠研發(fā)成功，這家公司成為通過國家“02專項”驗收的ArF光刻膠項目實施主體；徐州博康宣布，該公司已開發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產(chǎn)品系列，包括
2022-08-31 09:47:142371 光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0423796 半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進(jìn)口依賴較重，不同品質(zhì)之間價 格差異大。以國內(nèi) PAG 對應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來看，樹脂在 光刻膠中的固含量占比約
2022-11-18 10:07:434882 科學(xué)家利用選擇性紫外光刻實現(xiàn)復(fù)合纖維材料的光纖微圖案化
2022-12-22 14:58:13761 
此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純試劑生產(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:321910 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:122944 ://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.82301
2022-02-14 09:46:22814 
MODEL：XT-01-UVlitho-手動版一、產(chǎn)品簡介光刻技術(shù)是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，是集成電路最重要的加工工藝。光刻膠在紫外光的照射下發(fā)生化學(xué)變化，通過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程
2022-12-20 09:24:263273 
? ? 紫外光刻和曝光 是半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀電路結(jié)構(gòu)的核心技術(shù)。在紫外光刻過程中，光源發(fā)射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細(xì)圖案。 長期以來
2023-07-05 10:11:242795 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:112940 
為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導(dǎo)致上萬片12吋晶圓報廢
2023-11-27 17:15:481717 勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:563929 
所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關(guān)鍵要素，廣泛應(yīng)用于晶圓和分立器件的精細(xì)圖案制作中。其品種繁多，此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠，將成為各廠商關(guān)注的焦點。
2023-12-28 11:14:341635 光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場景。
2024-01-03 18:12:212813 
光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，是半導(dǎo)體制造中使用的核心電子材料之一。伴隨著晶圓制造規(guī)模持續(xù)提升，中國有望承接半導(dǎo)體
2024-01-19 08:31:241602 
光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。
2024-03-04 10:49:162061 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機(jī)上的模板或掩模來進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:189618 與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:505058 
在紫外光照射下，三芳基碘鹽光敏劑被激活，釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單體反應(yīng)，引發(fā)單體之間的交聯(lián)反應(yīng)，導(dǎo)致SU-8光刻膠在曝光區(qū)域形成凝膠化的圖案。
2024-03-31 16:25:209092 
光刻膠按照種類可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時被去除，負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
2024-04-24 11:37:056635 
我們在使用光刻膠的時候往往關(guān)注的重點是光刻膠的性能，但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題，其實這個問題應(yīng)該在我們購買光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且，在光刻過程中如果發(fā)現(xiàn)有異常情況發(fā)生，我們
2024-07-08 14:57:083146 圖形反轉(zhuǎn)膠是比較常見的一種紫外光刻膠，它既可以當(dāng)正膠使用又可以作為負(fù)膠使用。相比而言，負(fù)膠工藝更被人們所熟知。本文重點介紹其負(fù)膠工藝。 應(yīng)用領(lǐng)域 在反轉(zhuǎn)工藝下，通過適當(dāng)?shù)墓に噮?shù)，可以獲得底切的側(cè)壁
2024-07-09 16:06:001988 
后烘是指（post exposure bake-PEB）是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影，也就是說還未閉合，PEB也可以在高于光刻膠軟化溫度的情況下進(jìn)行。前面的文章中我們在
2024-07-09 16:08:433446 
評價一款光刻膠是否適合某種應(yīng)用需要綜合看這款光刻膠的特定性能，這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度（sensitivity）是衡量曝光速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量
2024-07-10 13:43:492388 根據(jù)光刻膠的應(yīng)用工藝，我們可以采用適當(dāng)?shù)姆椒▽σ扬@影的光刻膠結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理以提高其化學(xué)或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實現(xiàn)整個光刻膠結(jié)構(gòu)的熱交聯(lián)，稱為硬烘烤或者堅膜。或通過低劑量紫外
2024-07-10 13:46:592702 
為了確保光刻工藝的可重復(fù)性、可靠性和可接受性，必須在基板表面上均勻涂覆光刻膠。光刻膠通常分散在溶劑或水溶液中，是一種高粘度材料。根據(jù)工藝要求，有許多工藝可用于涂覆光刻膠。 旋涂是用光刻膠涂覆基材
2024-07-11 15:46:362757 存儲時間 正膠和圖形反轉(zhuǎn)膠在存儲數(shù)月后會變暗，而且隨著儲存溫度升高而加速。因為該類型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料，在 可見光譜的部分具有很強的吸收能力，對紫外靈敏度沒有任何影響。這種變色過程
2024-07-11 16:07:491791 為了成功紫外曝光并且根據(jù)所需要的分辨率，光刻膠掩模必須盡可能的靠近SU-8光刻膠放置，不要有任何干擾。如要這樣做，可檢查如下幾件事。 首先，光掩模和晶圓之間的灰塵或任何其他元素的存在都會導(dǎo)致不完
2024-08-23 14:39:421859 在微流控PDMS芯片加工的過程中，需要使用烘膠臺或者烤膠設(shè)備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進(jìn)行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進(jìn)行2-3次。本文簡要介紹SU-8光刻膠烘烤的注意事項。 微流
2024-08-27 15:54:011241 共讀好書關(guān)于常用光刻膠型號也可以查看這篇文章：收藏！常用光刻膠型號資料大全，幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識星球，領(lǐng)取公眾號資料
2024-11-01 11:08:073091 來源：太紫微公司 近日，光谷企業(yè)在半導(dǎo)體專用光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破：武漢太紫微光電科技有限公司（以下簡稱“太紫微公司”）推出的T150 A光刻膠產(chǎn)品，已通過半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗證，實現(xiàn)配方全自主
2024-10-17 13:22:441105 
本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。
2024-10-31 15:59:452789 光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán)，而光刻膠，又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展，對微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強，光刻膠的需求也水漲船高，在微電子制造和納米技術(shù)等高精尖領(lǐng)域占據(jù)著至關(guān)重要的位置。
2024-11-11 10:08:214404 
光刻膠作為掩模進(jìn)行干法刻蝕或是濕法腐蝕后，一般都是需要及時的去除清洗，而一些高溫或者其他操作往往會導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。
2024-11-11 17:06:222391 
光刻膠是半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域的一種重要材料，在整個電子元器件加工產(chǎn)業(yè)有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中，感光樹脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關(guān)鍵性能，增感劑有助于提高
2024-12-19 13:57:362091 光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液
2025-03-18 13:59:533017 引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時，精準(zhǔn)測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531108 
，是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射，溶解度會發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的關(guān)鍵材料。 從芯片生產(chǎn)的工藝流程上來說，光刻膠的應(yīng)用處于芯片設(shè)計、制造、封測當(dāng)中的制造環(huán)節(jié)，是芯片制造過程里光刻工
2025-06-04 13:22:51993 干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用。 ? 減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法 ? 優(yōu)化光刻膠材料選擇 ? 選擇與半導(dǎo)體襯底兼容性良好的光刻膠材料，可增強光刻膠與襯底的粘附力，減少剝離時對襯底的損傷風(fēng)險。例如，針對特定的硅基襯
2025-06-14 09:42:56736 
引言 在半導(dǎo)體制造過程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色，但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關(guān)注。同時，光刻圖形的精準(zhǔn)
2025-06-17 10:01:01678 引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對銅產(chǎn)生腐蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精準(zhǔn)測量對確保 ARRAY 制程工藝精度
2025-06-18 09:56:08694 引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48816 光刻膠，又稱光致抗蝕劑，是一種關(guān)鍵的耐蝕劑刻薄膜材料。它在紫外光、電子束、離子束、X 射線等的照射或輻射下，溶解度會發(fā)生變化，主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。由于
2025-07-11 15:53:24430 
當(dāng)您尋找可靠的國產(chǎn)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商時，一家在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈突破的企業(yè)正脫穎而出——久日新材（688199.SH）。這家光引發(fā)劑巨頭，正以令人矚目的速度在半導(dǎo)體核心材料國產(chǎn)化浪潮中嶄露頭角
2025-08-12 16:45:381162 光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實施要點：濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
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