引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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了光刻劑。但重大挑戰(zhàn)仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半導(dǎo)體制造業(yè)中使用微氣泡。因此，我們需要通過(guò)明確了解微氣泡去除光刻抗蝕劑層的功能機(jī)制，來(lái)提高微氣泡的去除能力。本研究的目的是闡明微氣泡對(duì)光刻膠層表面的影響。
2022-01-10 11:37:131980 
光刻膠為何要謀求國(guó)產(chǎn)替代？中國(guó)國(guó)產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競(jìng)爭(zhēng)力？在南京半導(dǎo)體大會(huì)期間，徐州博康公司董事長(zhǎng)傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來(lái)前沿觀點(diǎn)和獨(dú)家分析。
2022-08-29 15:02:238662 
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337845 
波長(zhǎng)不同，可分為g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm），ArF（193nm）以及EUV光刻膠，其中KrF、ArF和EUV光刻膠被認(rèn)為是高端光刻膠，目前國(guó)內(nèi)幾乎空白。 ? 日本壟斷全球光刻膠大部分市場(chǎng)份額，全球排名前四的光刻膠廠商都來(lái)自日本，包括合成橡膠
2021-07-03 07:47:0026808 ，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的重要材料，目前主要被日美把控，國(guó)內(nèi)在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽(yáng)、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優(yōu)勢(shì)，國(guó)內(nèi)廠商在光
2021-08-12 07:49:006896 電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)帶動(dòng)了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國(guó)內(nèi)關(guān)注焦點(diǎn)。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國(guó)Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:004234 厚膠量產(chǎn)到ArF浸沒(méi)式膠驗(yàn)證，從樹脂國(guó)產(chǎn)化到EUV原料突破，一場(chǎng)靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長(zhǎng)的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過(guò)中芯國(guó)際28nm產(chǎn)線驗(yàn)證，開(kāi)創(chuàng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006083 這一突破的核心力量。 ? 然而，EUV光刻的廣泛應(yīng)用并非坦途，其光源本身存在反射損耗大、亮度低等固有缺陷，這對(duì)配套的光刻膠材料提出了前所未有的嚴(yán)苛要求——不僅需要具備高效的EUV吸收能力，還要在反應(yīng)機(jī)制的穩(wěn)定性、缺陷控制的精準(zhǔn)度等方面實(shí)
2025-08-17 00:03:004220 一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
,對(duì)準(zhǔn)精度的提高也受到較多的限制。一般認(rèn)為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)?！ 》墙佑|式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中，掩膜圖形經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠
2012-01-12 10:51:59
、FinFET、Pitch-split以及波段鈴木的光刻膠等技術(shù)，一只用到現(xiàn)在的7nm/10nm，但這已經(jīng)是193nm光刻機(jī)的極限了?！ ≡诂F(xiàn)有技術(shù)條件上，NA數(shù)值孔徑并不容易提升，目前使用的鏡片NA值
2020-07-07 14:22:55
MEMS、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU8光刻膠來(lái)制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項(xiàng)新技術(shù)。在微流控芯片加工中，SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。運(yùn)用
2018-07-12 11:57:08
。 IC制造中所用光刻膠通常有三種成分：樹脂或基體材料、感光化合物（PAC）以及可控制光刻膠機(jī)械性能（基體粘滯性）并使其保持液體狀態(tài)的溶劑 [4]。正性光刻膠中，PAC在曝光前后發(fā)生了從抑制劑到感光增強(qiáng)
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來(lái)將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過(guò)曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過(guò)顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺(jué)間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
并可作永久隔層。 NR9-P 系列 負(fù)性光刻膠，具有高粘附性適用于電鍍及濕法蝕刻。 NR71-P 系列 負(fù)性光刻膠，用于干法蝕刻中掩模應(yīng)用并能作為永久隔層。 NR21-P 系列 負(fù)性光刻膠，用于厚度超過(guò)
2010-04-21 10:57:46
后，將負(fù)光掩模與涂覆晶片接觸并在汞燈的紫外輻射劑量10-250mJ/㎝2條件下進(jìn)行曝光。曝光結(jié)束后，選擇合適的烘烤溫度及時(shí)間。將晶片在顯影液中浸漬顯影，隨后用氮?dú)獯蹈?。SU-8光刻膠的優(yōu)點(diǎn)：1
2018-07-04 14:42:34
lithography是一種平板印刷技術(shù)，在平面光波回路的制作中一直發(fā)揮著重要的作用。具體過(guò)程如下：首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面，淀積一層光刻膠；使用掩模版對(duì)光刻膠曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過(guò)程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
，三合一工藝平臺(tái)，CMOS圖像傳感器工藝平臺(tái)，微電機(jī)系統(tǒng)工藝平臺(tái)。 光掩模版:基板，不透光材料 光刻膠:感光樹脂，增感劑，溶劑。 正性和負(fù)性。 光刻工藝: 涂光刻膠。掩模版向下曝光。定影和后烘固化蝕刻
2025-03-27 16:38:20
151n光刻膠曝光顯影后開(kāi)口底部都會(huì)有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī)，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過(guò)機(jī)器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3719874 光刻膠是指通過(guò)紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、X 射線等光源的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料。主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：半導(dǎo)體領(lǐng)域的集成電路和分立器件、平板顯示、LED、以及倒扣封裝、磁頭及精密傳感器等產(chǎn)品的制作過(guò)程。
2019-02-11 13:54:5227397 
2018年，南大光電和上海新陽(yáng)先后宣布，投入ArF光刻膠產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，立志打破集成電路制造最為關(guān)鍵的基礎(chǔ)材料之一——高檔光刻膠材料幾乎完全依賴于進(jìn)口的局面，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高端光刻膠材料產(chǎn)品的空白。
2019-05-21 09:24:247863 
隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計(jì)尺寸不斷縮小的極限，極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)的運(yùn)用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對(duì)于 7 納米及更小的高級(jí)節(jié)點(diǎn)，EUV 光刻技術(shù)是一種能夠簡(jiǎn)化圖案形成工藝的支持技術(shù)。要在如此精細(xì)的尺寸下進(jìn)行可靠制模，超凈的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32:372675 
7月1日，日本政府宣布將韓國(guó)移除對(duì)外貿(mào)易白名單，韓國(guó)進(jìn)口日本公司的三種原材料——光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫需要提前90天申請(qǐng)，這些材料是生產(chǎn)柔性屏面板、半導(dǎo)體芯片的重要原料，而這兩個(gè)行業(yè)又是韓國(guó)的經(jīng)濟(jì)支柱。
2019-08-11 10:54:423912 光刻膠概念股南大光電10月23日公告，擬投資新建光刻膠材料以及配套原材料項(xiàng)目。
2019-10-24 16:47:213744 今年7月17日，南大光電在互動(dòng)平臺(tái)透露，公司設(shè)立光刻膠事業(yè)部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進(jìn)“ArF光刻膠開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地實(shí)施。目前該項(xiàng)目完成的研發(fā)技術(shù)正在等待驗(yàn)收中，預(yù)計(jì)2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線，項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。
2019-12-16 13:58:528273 隨著電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突飛猛進(jìn)，光刻膠市場(chǎng)總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預(yù)計(jì)未來(lái)3年仍以年均5%的速度增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)至2022年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)100億美元。
2020-03-01 19:02:484848 光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，大致分為L(zhǎng)CD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來(lái)看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導(dǎo)體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:396218 光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場(chǎng)景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。 據(jù)第三方機(jī)構(gòu)智研咨詢統(tǒng)計(jì)，2019年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)近90億美元，
2020-09-15 14:00:1420205 全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模從2016 年的15 億美元增長(zhǎng)至2019年的18億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)6.3%；應(yīng)用方面，光刻膠主要應(yīng)用在PCB、半導(dǎo)體及LCD顯示等領(lǐng)域，各占約25%市場(chǎng)份額。 國(guó)內(nèi)光刻膠整體
2020-10-10 17:40:253534 光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對(duì)光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過(guò)紫外光
2022-12-06 14:53:542357 光刻膠是微納加工過(guò)程中非常關(guān)鍵的材料。有專家表示，中國(guó)要制造芯片，光有光刻機(jī)還不夠，還得打破國(guó)外對(duì)“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564956 ? 導(dǎo) 讀 日前，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發(fā)的 ArF 光刻膠產(chǎn)品成功通過(guò)客戶使用認(rèn)證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。 圖：南大光電公告 ? 公告稱
2020-12-25 18:24:097828 近期，專注于電子材料市場(chǎng)研究的TECHCET發(fā)布最新統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)：2021年，半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11％，達(dá)到19億美元。
2021-03-22 10:51:126146 光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。在硅片表面涂上光刻膠薄層，經(jīng)過(guò)光照、顯影，在光刻膠上留下掩模版的圖形。
2021-04-09 14:27:1964 由于KrF光刻膠產(chǎn)能受限以及全球晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)等，占據(jù)全球光刻膠市場(chǎng)份額超兩成的日本供應(yīng)商信越化學(xué)已經(jīng)向中國(guó)大陸多家一線晶圓廠限制供貨KrF光刻膠，且已通知更小規(guī)模晶圓廠停止供貨KrF光刻膠。 信越
2021-06-25 16:12:281241 5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開(kāi)盤即走強(qiáng)，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達(dá)6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚(yáng)帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:154020 最近光博會(huì)上看到一本關(guān)于光刻的小冊(cè)子，里面有一點(diǎn)內(nèi)容，分享給大家。 關(guān)于光刻的原理、光刻設(shè)備、光刻膠的種類和選擇等。 開(kāi)篇 光刻的原理 表面處理：一般的晶圓光刻前都需要清潔干凈，特別是有有機(jī)物
2021-10-13 10:59:425701 
光刻膠是光刻機(jī)研發(fā)的重要材料，換句話說(shuō)光刻機(jī)就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0015756 來(lái)源：?果殼硬科技 1、光刻膠究竟是怎樣一個(gè)行業(yè)？ 光刻膠，又稱“光致抗蝕劑”，是光刻成像的承載介質(zhì)，可利用光化學(xué)反應(yīng)將光刻系統(tǒng)中經(jīng)過(guò)衍射、濾波后的光信息轉(zhuǎn)化為化學(xué)能量，從而把微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到
2022-01-20 21:02:462355 
摘要 在這項(xiàng)工作中，研究了新一代相流體剝離溶液在各種半導(dǎo)體光刻膠中的應(yīng)用。這些實(shí)驗(yàn)中使用的獨(dú)特的水基智能流體配方均為超大規(guī)模集成電路級(jí)，與銅兼容且無(wú)毒。實(shí)驗(yàn)的第一階段是確定是否在合理的時(shí)間內(nèi)與光刻膠
2022-03-03 14:20:05888 
什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過(guò)程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對(duì)準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:021489 
灰化，簡(jiǎn)單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過(guò)泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:178339 與此同時(shí)，在ASML看來(lái)，下一代高NA EUV光刻機(jī)為光刻膠再度帶來(lái)了挑戰(zhàn)，更少的隨機(jī)效應(yīng)、更高的分辨率和更薄的厚度。首先傳統(tǒng)的正膠和負(fù)膠肯定是沒(méi)法用了，DUV光刻機(jī)上常用的化學(xué)放大光刻膠（CAR）也開(kāi)始在5nm之后的分辨率和敏感度上出現(xiàn)瓶頸
2022-07-22 10:40:083923 光刻膠產(chǎn)品說(shuō)明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:2511 193nmArF濕法光刻膠、ArF干法光刻膠，248nmKrF正負(fù)型光刻膠、KrF厚膜光刻膠、365nmi線光刻膠以及電子束膠等。
2022-08-31 09:47:142371 光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對(duì)光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0423795 半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進(jìn)口依賴較重，不同品質(zhì)之間價(jià) 格差異大。以國(guó)內(nèi) PAG 對(duì)應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來(lái)看，樹脂在 光刻膠中的固含量占比約
2022-11-18 10:07:434880 此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒(méi)式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純?cè)噭┥a(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗(yàn)證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:321910 晶圓廠通常使用光刻膠來(lái)圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來(lái)保護(hù)晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會(huì)在第一個(gè)轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:001680 
EUV光刻膠需要具有足夠的耐刻蝕性，以便在后續(xù)的刻蝕過(guò)程中保護(hù)圖案。為了提高耐刻蝕性，研究人員正在開(kāi)發(fā)新型刻蝕抑制劑和交聯(lián)劑，以增強(qiáng)光刻膠的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
2023-05-08 15:21:291287 
光刻膠可以通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場(chǎng)景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:498982 
光刻機(jī)需要采用全反射光學(xué)元件，掩模需要采用反射式結(jié)構(gòu)。
這些需求帶來(lái)的是EUV光刻和掩模制造領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。EUV光刻掩模的制造面臨著許多挑戰(zhàn)，包括掩模基底的低熱膨脹材料的開(kāi)發(fā)、零缺陷襯底拋光、多層膜缺陷檢查、多層膜缺陷修復(fù)等。
2023-06-07 10:45:543943 
JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應(yīng)商之一，其產(chǎn)品是制造先進(jìn)芯片必不可少的原料。
2023-06-27 15:51:211769 EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì)，當(dāng)受到EUV光子照射時(shí)會(huì)發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。
2023-09-11 11:58:421622 
近20年來(lái)，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-09-14 09:45:122263 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:112940 
為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過(guò)程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測(cè)也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導(dǎo)致上萬(wàn)片12吋晶圓報(bào)廢
2023-11-27 17:15:481717 近期，萬(wàn)潤(rùn)股份在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)透露，其“年產(chǎn)65噸半導(dǎo)體用光刻膠樹脂系列”項(xiàng)目已經(jīng)順利投入運(yùn)營(yíng)。該項(xiàng)目旨在為客戶提供專業(yè)的半導(dǎo)體用光刻膠樹脂類材料。
2023-12-12 14:02:582311 光刻膠類別的多樣化，此次漲價(jià)案所涉KrF光刻膠屬于高階防護(hù)用品，也是未來(lái)各地廠家的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。當(dāng)前市場(chǎng)中，光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學(xué)、住友化學(xué)及東進(jìn)半導(dǎo)體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:362439 勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們?cè)趧?b class="flag-6" style="color: red">膠時(shí)，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:563928 
所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會(huì)產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關(guān)鍵要素，廣泛應(yīng)用于晶圓和分立器件的精細(xì)圖案制作中。其品種繁多，此次漲價(jià)涉及的KrF 光刻膠則屬高級(jí)別光刻膠，將成為各廠商關(guān)注的焦點(diǎn)。
2023-12-28 11:14:341635 光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-03 18:12:212813 
光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來(lái)定。比如對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場(chǎng)景，較厚的光刻膠層能提供更長(zhǎng)的耐蝕刻時(shí)間。
2024-03-04 10:49:162061 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過(guò)光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:189618 在曝光過(guò)程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1，分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離，隨著曝光次數(shù)的增加，會(huì)引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:373691 
與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過(guò)程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來(lái)，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:505058 
我們?cè)谑褂?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠的時(shí)候往往關(guān)注的重點(diǎn)是光刻膠的性能，但是有時(shí)候我們會(huì)忽略光刻膠的保存和壽命問(wèn)題，其實(shí)這個(gè)問(wèn)題應(yīng)該在我們購(gòu)買光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且，在光刻過(guò)程中如果發(fā)現(xiàn)有異常情況發(fā)生，我們
2024-07-08 14:57:083146 形態(tài)。這種方法的主要應(yīng)用領(lǐng)域是剝離過(guò)程，在剝離過(guò)程中，底切的形態(tài)可以防止沉積的材料在光刻膠邊緣和側(cè)壁上形成連續(xù)薄膜，有助于獲得干凈的剝離光刻膠結(jié)構(gòu)。 在圖像反轉(zhuǎn)烘烤步驟中，光刻膠的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性可以得到
2024-07-09 16:06:001988 
后烘是指（post exposure bake-PEB）是指在曝光之后的
光刻膠膜的烘烤過(guò)程。由于
光刻膠膜還未顯影，也就是說(shuō)還未閉合，PEB也可以在高于
光刻膠軟化溫度的情況下進(jìn)行。前面的文章
中我們?cè)?/div>
2024-07-09 16:08:433446 
評(píng)價(jià)一款光刻膠是否適合某種應(yīng)用需要綜合看這款光刻膠的特定性能，這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度（sensitivity）是衡量曝光速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量
2024-07-10 13:43:492388 和高溫的結(jié)合的方法，使用深紫外堅(jiān)膜工藝只能使得光刻膠表面發(fā)生交聯(lián)。下面詳細(xì)介紹這兩種工藝，以及光刻膠在處理過(guò)程中的變化。 堅(jiān)膜 堅(jiān)膜（硬烘）是光刻膠顯影后可選做的烘烤工藝步驟。其目的是通過(guò)堅(jiān)膜使得光刻膠結(jié)構(gòu)更加
2024-07-10 13:46:592702 
為了確保光刻工藝的可重復(fù)性、可靠性和可接受性，必須在基板表面上均勻涂覆光刻膠。光刻膠通常分散在溶劑或水溶液中，是一種高粘度材料。根據(jù)工藝要求，有許多工藝可用于涂覆光刻膠。 旋涂是用光刻膠涂覆基材
2024-07-11 15:46:362757 存儲(chǔ)時(shí)間 正膠和圖形反轉(zhuǎn)膠在存儲(chǔ)數(shù)月后會(huì)變暗，而且隨著儲(chǔ)存溫度升高而加速。因?yàn)樵擃愋?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料，在 可見(jiàn)光譜的部分具有很強(qiáng)的吸收能力，對(duì)紫外靈敏度沒(méi)有任何影響。這種變色過(guò)程
2024-07-11 16:07:491791 市場(chǎng)對(duì)需要EUV光刻系統(tǒng)的先進(jìn)芯片的需求不斷增長(zhǎng)，東京應(yīng)化、信越化學(xué)、三菱化學(xué)等日本公司正在增加投資并關(guān)注EUV關(guān)鍵技術(shù)所用材料的供應(yīng)。 東京應(yīng)化（TOK）正在福島縣建造一座全新的先進(jìn)光刻膠工廠，該工廠預(yù)計(jì)將于2024年底開(kāi)工，2026年完工。
2024-07-16 18:27:02816 美的接觸。在曝光的過(guò)程中，通過(guò)清潔光掩模和仔細(xì)的操作可以很容易的避免這個(gè)問(wèn)題。 但是還有另一個(gè)不可避免的現(xiàn)象，那就是在SU-8光刻膠曝光的過(guò)程中，可能會(huì)有一個(gè)巨大的后果。事實(shí)上，如果SU-8光刻膠通過(guò)旋涂技術(shù)來(lái)涂覆，那么在晶圓
2024-08-23 14:39:421859 在微流控PDMS芯片或SU-8模具制作的過(guò)程中，需要把PDMS膠或SU-8光刻膠根據(jù)所需要的厚度來(lái)選擇合適的旋涂轉(zhuǎn)速并且使PDMS膠或SU-8膠涂布均勻化。 如何成功的旋涂微流控SU-8光刻膠
2024-08-26 14:16:011298 在微流控PDMS芯片加工的過(guò)程中，需要使用烘膠臺(tái)或者烤膠設(shè)備對(duì)SU-8光刻膠或PDMS聚合物進(jìn)行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進(jìn)行2-3次。本文簡(jiǎn)要介紹SU-8光刻膠烘烤的注意事項(xiàng)。 微流
2024-08-27 15:54:011241 共讀好書關(guān)于常用光刻膠型號(hào)也可以查看這篇文章：收藏！常用光刻膠型號(hào)資料大全，幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識(shí)星球，領(lǐng)取公眾號(hào)資料
2024-11-01 11:08:073091 本文介紹了光刻膠的使用過(guò)程與原理。
2024-10-31 15:59:452789 光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán)，而光刻膠，又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展，對(duì)微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強(qiáng)，光刻膠的需求也水漲船高，在微電子制造和納米技術(shù)等高精尖領(lǐng)域占據(jù)著至關(guān)重要的位置。
2024-11-11 10:08:214404 
光刻膠作為掩模進(jìn)行干法刻蝕或是濕法腐蝕后，一般都是需要及時(shí)的去除清洗，而一些高溫或者其他操作往往會(huì)導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。
2024-11-11 17:06:222391 
光刻膠是半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域的一種重要材料，在整個(gè)電子元器件加工產(chǎn)業(yè)有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中，感光樹脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關(guān)鍵性能，增感劑有助于提高
2024-12-19 13:57:362091 隨著半導(dǎo)體器件的應(yīng)用范圍越來(lái)越廣，晶圓制造技術(shù)也得到了快速發(fā)展。其中，光刻技術(shù)在晶圓制造過(guò)程中的地位尤為重要。光刻膠是光刻工藝中必不可少的材料，其質(zhì)量直接影響到晶圓生產(chǎn)的效率和質(zhì)量。本文將圍繞著晶圓
2025-01-03 16:22:061227 光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液
2025-03-18 13:59:533017 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí)，精準(zhǔn)測(cè)量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531108 
，是指通過(guò)紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射，溶解度會(huì)發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的關(guān)鍵材料。 從芯片生產(chǎn)的工藝流程上來(lái)說(shuō)，光刻膠的應(yīng)用處于芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)當(dāng)中的制造環(huán)節(jié)，是芯片制造過(guò)程里光刻工
2025-06-04 13:22:51993 干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。 ? 減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法 ? 優(yōu)化光刻膠材料選擇 ? 選擇與半導(dǎo)體襯底兼容性良好的光刻膠材料，可增強(qiáng)光刻膠與襯底的粘附力，減少剝離時(shí)對(duì)襯底的損傷風(fēng)險(xiǎn)。例如，針對(duì)特定的硅基襯
2025-06-14 09:42:56736 
引言 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色，但因其高含量使用帶來(lái)的成本、環(huán)保等問(wèn)題備受關(guān)注。同時(shí)，光刻圖形的精準(zhǔn)
2025-06-17 10:01:01678 引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對(duì)銅產(chǎn)生腐蝕，影響器件性能。同時(shí)，光刻圖形的精準(zhǔn)測(cè)量對(duì)確保 ARRAY 制程工藝精度
2025-06-18 09:56:08694 引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48816 當(dāng)您尋找可靠的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商時(shí)，一家在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈突破的企業(yè)正脫穎而出——久日新材（688199.SH）。這家光引發(fā)劑巨頭，正以令人矚目的速度在半導(dǎo)體核心材料國(guó)產(chǎn)化浪潮中嶄露頭角
2025-08-12 16:45:381162 在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測(cè)薄膜厚度測(cè)量?jī)xAF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn)，為光刻膠厚度監(jiān)測(cè)提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:461542 
光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實(shí)施要點(diǎn)：濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例，這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來(lái)的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進(jìn)制程芯片 時(shí)代，不僅需要EUV光刻機(jī)，更需要EUV光刻膠的參與。但在過(guò)去 國(guó)內(nèi)長(zhǎng)期依賴進(jìn)
2025-10-28 08:53:356236 已全部加載完成
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