引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
12484 
了光刻劑。但重大挑戰(zhàn)仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半導(dǎo)體制造業(yè)中使用微氣泡。因此，我們需要通過(guò)明確了解微氣泡去除光刻抗蝕劑層的功能機(jī)制，來(lái)提高微氣泡的去除能力。本研究的目的是闡明微氣泡對(duì)光刻膠層表面的影響。
2022-01-10 11:37:131980 
光刻膠為何要謀求國(guó)產(chǎn)替代？中國(guó)國(guó)產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競(jìng)爭(zhēng)力？在南京半導(dǎo)體大會(huì)期間，徐州博康公司董事長(zhǎng)傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來(lái)前沿觀點(diǎn)和獨(dú)家分析。
2022-08-29 15:02:238662 
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337845 
波長(zhǎng)不同，可分為g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm），ArF（193nm）以及EUV光刻膠，其中KrF、ArF和EUV光刻膠被認(rèn)為是高端光刻膠，目前國(guó)內(nèi)幾乎空白。 ? 日本壟斷全球光刻膠大部分市場(chǎng)份額，全球排名前四的光刻膠廠商都來(lái)自日本，包括合成橡膠
2021-07-03 07:47:0026808 ，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的重要材料，目前主要被日美把控，國(guó)內(nèi)在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽(yáng)、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優(yōu)勢(shì)，國(guó)內(nèi)廠商在光
2021-08-12 07:49:006896 (EUV)干膜光刻膠創(chuàng)新技術(shù)。三方將合作對(duì)未來(lái)幾代邏輯和 DRAM 器件生產(chǎn)所使用的 EUV 干膜光刻膠技術(shù)進(jìn)行研發(fā)，這將
2022-07-19 10:47:091117 
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)帶動(dòng)了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國(guó)內(nèi)關(guān)注焦點(diǎn)。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國(guó)Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:004234 厚膠量產(chǎn)到ArF浸沒(méi)式膠驗(yàn)證，從樹(shù)脂國(guó)產(chǎn)化到EUV原料突破，一場(chǎng)靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長(zhǎng)的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過(guò)中芯國(guó)際28nm產(chǎn)線驗(yàn)證，開(kāi)創(chuàng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006083 這一突破的核心力量。 ? 然而，EUV光刻的廣泛應(yīng)用并非坦途，其光源本身存在反射損耗大、亮度低等固有缺陷，這對(duì)配套的光刻膠材料提出了前所未有的嚴(yán)苛要求——不僅需要具備高效的EUV吸收能力，還要在反應(yīng)機(jī)制的穩(wěn)定性、缺陷控制的精準(zhǔn)度等方面實(shí)
2025-08-17 00:03:004220 一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機(jī)就是沖洗臺(tái)，它把掩膜版上的芯片電路一個(gè)個(gè)的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過(guò)刻蝕技術(shù)把電路“畫”在晶圓上?！ ‘?dāng)然
2020-07-07 14:22:55
SU-8光刻膠 SU-8光刻膠克服了普通光刻膠采用UV光刻深寬比不足的問(wèn)題，在近紫外光（365nm-400nm）范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個(gè)光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比
2018-07-12 11:57:08
、分立器件及液晶顯示器件的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，無(wú)論是紫外膠還是248nm、 193nm EUV光刻膠及離子束、電子束膠，由于它們之間用途不盡相同，且不可互替，所以應(yīng)繼續(xù)跟蹤國(guó)際光刻膠的發(fā)展，進(jìn)行更深入研究，開(kāi)發(fā)出更高水平光刻膠，以滿足未來(lái)市場(chǎng)需求[15]。 :
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來(lái)將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過(guò)曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過(guò)顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺(jué)間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
Futurrex,成立于1985年，位總部設(shè)在美國(guó)新澤西州，富蘭克林市。 公司業(yè)務(wù)范圍覆蓋北美、亞太以及歐洲。Futurrex在開(kāi)發(fā)最高端產(chǎn)品方面已經(jīng)有很長(zhǎng)的歷史，尤其是其光刻膠
2010-04-21 10:57:46
SU 8光刻膠系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介：新型的化學(xué)增幅型負(fù)像 SU- 8 膠是一種負(fù)性、環(huán)氧樹(shù)脂型、近紫外線光刻膠，克服了普通光刻膠采用 UV光刻導(dǎo)致的深寬比不足的問(wèn)題，十分適合于制備高深寬比微結(jié)構(gòu)。SU- 8
2018-07-04 14:42:34
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過(guò)程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
噴膠機(jī)是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設(shè)備?？蓪?duì)不同尺寸和形狀的基片進(jìn)行涂膠，最大涂膠尺寸達(dá)8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時(shí)可對(duì)大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行均勻涂膠；通過(guò)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制器進(jìn)行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
151n光刻膠曝光顯影后開(kāi)口底部都會(huì)有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 光刻膠是用來(lái)制作圖案的光敏聚合物，它是造成隨機(jī)性效應(yīng)的罪魁禍?zhǔn)字?。根?jù)定義，隨機(jī)效應(yīng)描述了具有光量子隨機(jī)變化的事件。它們是不可預(yù)測(cè)的，沒(méi)有穩(wěn)定的模式。
2018-03-27 08:09:0011855 
隨機(jī)變化需要新方法、新工具，以及不同公司之間的合作。 極紫外（EUV）光刻技術(shù)正在接近生產(chǎn)，但是隨機(jī)性變化又稱為隨機(jī)效應(yīng)正在重新浮出水面，并為這項(xiàng)期待已久的技術(shù)帶來(lái)了更多的挑戰(zhàn)
2018-03-31 11:52:006365 這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī)，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過(guò)機(jī)器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3719874 干膜光刻膠是由預(yù)先配制好的液態(tài)光刻膠（Photoresist）在精密的涂布機(jī)上和高清潔度的條件下均勻涂布在載體聚酯薄膜（PET膜）上，經(jīng)烘干、冷卻后，再覆上聚乙烯薄膜（PE膜），收卷而成卷狀的薄膜型光刻膠。
2019-01-30 16:49:1411964 
2018年，南大光電和上海新陽(yáng)先后宣布，投入ArF光刻膠產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，立志打破集成電路制造最為關(guān)鍵的基礎(chǔ)材料之一——高檔光刻膠材料幾乎完全依賴于進(jìn)口的局面，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高端光刻膠材料產(chǎn)品的空白。
2019-05-21 09:24:247863 
7月1日，日本政府宣布將韓國(guó)移除對(duì)外貿(mào)易白名單，韓國(guó)進(jìn)口日本公司的三種原材料——光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫需要提前90天申請(qǐng)，這些材料是生產(chǎn)柔性屏面板、半導(dǎo)體芯片的重要原料，而這兩個(gè)行業(yè)又是韓國(guó)的經(jīng)濟(jì)支柱。
2019-08-11 10:54:423912 據(jù)businessKorea報(bào)道，自去年7月日本開(kāi)始限制對(duì)韓國(guó)的出口以來(lái)，三星仍沒(méi)有找到為EUV技術(shù)提供足夠光刻膠的替代供應(yīng)商。到2030年成為全球代工行業(yè)老大的目標(biāo)恐遇阻。
2019-11-29 15:42:103248 盡管三星方面沒(méi)有透露具體的公司名字，但出售EUV光刻膠的應(yīng)該是日本JSR公司與比利時(shí)微電子中心IMEC合作成立的公司，2016年成立，主要由JSR比利時(shí)比利時(shí)子公司持股。
2019-12-09 13:56:083426 今年7月17日，南大光電在互動(dòng)平臺(tái)透露，公司設(shè)立光刻膠事業(yè)部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進(jìn)“ArF光刻膠開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地實(shí)施。目前該項(xiàng)目完成的研發(fā)技術(shù)正在等待驗(yàn)收中，預(yù)計(jì)2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線，項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。
2019-12-16 13:58:528273 2月28日，美國(guó)泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時(shí)微電子中心合作開(kāi)發(fā)了新的EUV光刻技術(shù)，不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產(chǎn)能，還將光刻膠的用量最多降至原來(lái)的1/10，大幅降低了成本。
2020-02-29 11:20:583930 隨著電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突飛猛進(jìn)，光刻膠市場(chǎng)總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預(yù)計(jì)未來(lái)3年仍以年均5%的速度增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)至2022年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)100億美元。
2020-03-01 19:02:484848 光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，大致分為L(zhǎng)CD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來(lái)看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導(dǎo)體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:396218 來(lái)源：浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對(duì)光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹(shù)脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等
2020-09-15 14:00:1420205 全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模從2016 年的15 億美元增長(zhǎng)至2019年的18億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)6.3%；應(yīng)用方面，光刻膠主要應(yīng)用在PCB、半導(dǎo)體及LCD顯示等領(lǐng)域，各占約25%市場(chǎng)份額。
2020-09-21 11:28:046826 
全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模從2016 年的15 億美元增長(zhǎng)至2019年的18億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)6.3%；應(yīng)用方面，光刻膠主要應(yīng)用在PCB、半導(dǎo)體及LCD顯示等領(lǐng)域，各占約25%市場(chǎng)份額。 國(guó)內(nèi)光刻膠整體
2020-10-10 17:40:253534 光刻膠是由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對(duì)光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過(guò)紫外光
2022-12-06 14:53:542357 光刻膠是微納加工過(guò)程中非常關(guān)鍵的材料。有專家表示，中國(guó)要制造芯片，光有光刻機(jī)還不夠，還得打破國(guó)外對(duì)“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564956 大光電的ArF光刻膠產(chǎn)品測(cè)試各項(xiàng)性能滿足工藝規(guī)格要求，良率結(jié)果達(dá)標(biāo)?！?“ArF 光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”是寧波南大光電承接國(guó)家 “02 專項(xiàng)”的一個(gè)重點(diǎn)攻關(guān)項(xiàng)目。本次產(chǎn)品的認(rèn)證通過(guò)，標(biāo)志著 “ArF 光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目取得了關(guān)鍵性的突破
2020-12-18 09:29:427279 ，“ArF 光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”是寧波南大光電承接國(guó)家“02 專項(xiàng)”的一個(gè)重點(diǎn)攻關(guān)項(xiàng)目。本次產(chǎn)品的認(rèn)證通過(guò)，標(biāo)志著“ArF 光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目取得了關(guān)鍵性的突破，成為國(guó)內(nèi)通過(guò)產(chǎn)品驗(yàn)證的第一只國(guó)產(chǎn) ArF 光刻膠。? 此舉意味著國(guó)產(chǎn)193nm ArF 光刻膠產(chǎn)
2020-12-25 18:24:097828 近期，專注于電子材料市場(chǎng)研究的TECHCET發(fā)布最新統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)：2021年，半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11％，達(dá)到19億美元。
2021-03-22 10:51:126146 按照應(yīng)用領(lǐng)域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學(xué)品（光引發(fā)劑和樹(shù)脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類。本文主要討論半導(dǎo)體光刻膠。
2021-05-17 14:15:525022 
由于KrF光刻膠產(chǎn)能受限以及全球晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)等，占據(jù)全球光刻膠市場(chǎng)份額超兩成的日本供應(yīng)商信越化學(xué)已經(jīng)向中國(guó)大陸多家一線晶圓廠限制供貨KrF光刻膠，且已通知更小規(guī)模晶圓廠停止供貨KrF光刻膠。 信越
2021-06-25 16:12:281241 5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開(kāi)盤即走強(qiáng)，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達(dá)6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚(yáng)帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:154020 光刻膠是光刻機(jī)研發(fā)的重要材料，換句話說(shuō)光刻機(jī)就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0015756 摘要 我們?nèi)A林科納提出了一種新型的雙層光阻劑方法來(lái)減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對(duì)浮渣平均數(shù)量的影響。實(shí)驗(yàn)表明，低粘度正光刻膠
2022-01-26 11:43:221169 
摘要 在這項(xiàng)工作中，研究了新一代相流體剝離溶液在各種半導(dǎo)體光刻膠中的應(yīng)用。這些實(shí)驗(yàn)中使用的獨(dú)特的水基智能流體配方均為超大規(guī)模集成電路級(jí)，與銅兼容且無(wú)毒。實(shí)驗(yàn)的第一階段是確定是否在合理的時(shí)間內(nèi)與光刻膠
2022-03-03 14:20:05888 
什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過(guò)程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對(duì)準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:021489 
本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來(lái)減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對(duì)浮渣平均數(shù)量的影響。實(shí)驗(yàn)表明，低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:231451 
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細(xì)地說(shuō)，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
2022-04-13 13:56:421659 
灰化，簡(jiǎn)單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過(guò)泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:178339 與此同時(shí)，在ASML看來(lái)，下一代高NA EUV光刻機(jī)為光刻膠再度帶來(lái)了挑戰(zhàn)，更少的隨機(jī)效應(yīng)、更高的分辨率和更薄的厚度。首先傳統(tǒng)的正膠和負(fù)膠肯定是沒(méi)法用了，DUV光刻機(jī)上常用的化學(xué)放大光刻膠（CAR）也開(kāi)始在5nm之后的分辨率和敏感度上出現(xiàn)瓶頸
2022-07-22 10:40:083923 光刻膠產(chǎn)品說(shuō)明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:2511 南大光電最新消息顯示，國(guó)產(chǎn)193nm（ArF）光刻膠研發(fā)成功，這家公司成為通過(guò)國(guó)家“02專項(xiàng)”驗(yàn)收的ArF光刻膠項(xiàng)目實(shí)施主體；徐州博康宣布，該公司已開(kāi)發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產(chǎn)品系列，包括
2022-08-31 09:47:142371 光刻膠的組成：樹(shù)脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對(duì)光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0423795 用Seeed Studio BeagleBone Green Wireless開(kāi)發(fā)板解決物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)面臨的挑戰(zhàn)
2022-11-02 08:16:210 半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進(jìn)口依賴較重，不同品質(zhì)之間價(jià) 格差異大。以國(guó)內(nèi) PAG 對(duì)應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來(lái)看，樹(shù)脂在 光刻膠中的固含量占比約
2022-11-18 10:07:434880 此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒(méi)式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純?cè)噭┥a(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗(yàn)證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:321910 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開(kāi)發(fā)，必須通過(guò)精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開(kāi)發(fā)了一個(gè)新的工具箱來(lái)匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:122944 晶圓廠通常使用光刻膠來(lái)圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來(lái)保護(hù)晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會(huì)在第一個(gè)轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:001680 
EUV光刻膠需要具有足夠的耐刻蝕性，以便在后續(xù)的刻蝕過(guò)程中保護(hù)圖案。為了提高耐刻蝕性，研究人員正在開(kāi)發(fā)新型刻蝕抑制劑和交聯(lián)劑，以增強(qiáng)光刻膠的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
2023-05-08 15:21:291287 
JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應(yīng)商之一，其產(chǎn)品是制造先進(jìn)芯片必不可少的原料。
2023-06-27 15:51:211769 近20年來(lái)，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-09-14 09:45:122263 
金屬圖案的剝離方法已廣泛應(yīng)用于各種電子器件的制造過(guò)程中，如半導(dǎo)體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優(yōu)點(diǎn)是節(jié)省成本和工藝簡(jiǎn)化。在剝離過(guò)程中，經(jīng)過(guò)涂層、曝光和開(kāi)發(fā)過(guò)程后，光刻膠會(huì)在晶片上形成圖案。
2023-10-25 10:40:05946 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:112940 
為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹(shù)脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過(guò)程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測(cè)也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導(dǎo)致上萬(wàn)片12吋晶圓報(bào)廢
2023-11-27 17:15:481717 光刻膠類別的多樣化，此次漲價(jià)案所涉KrF光刻膠屬于高階防護(hù)用品，也是未來(lái)各地廠家的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。當(dāng)前市場(chǎng)中，光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學(xué)、住友化學(xué)及東進(jìn)半導(dǎo)體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:362439 勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們?cè)趧?b class="flag-6" style="color: red">膠時(shí)，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:563928 
光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-03 18:12:212813 
光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來(lái)定。比如對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場(chǎng)景，較厚的光刻膠層能提供更長(zhǎng)的耐蝕刻時(shí)間。
2024-03-04 10:49:162061 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過(guò)光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:189618 與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過(guò)程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來(lái)，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:505058 
在紫外光照射下，三芳基碘鹽光敏劑被激活，釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單體反應(yīng)，引發(fā)單體之間的交聯(lián)反應(yīng)，導(dǎo)致SU-8光刻膠在曝光區(qū)域形成凝膠化的圖案。
2024-03-31 16:25:209092 
光刻膠按照種類可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時(shí)被去除，負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
2024-04-24 11:37:056635 
我們?cè)谑褂?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠的時(shí)候往往關(guān)注的重點(diǎn)是光刻膠的性能，但是有時(shí)候我們會(huì)忽略光刻膠的保存和壽命問(wèn)題，其實(shí)這個(gè)問(wèn)題應(yīng)該在我們購(gòu)買光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且，在光刻過(guò)程中如果發(fā)現(xiàn)有異常情況發(fā)生，我們
2024-07-08 14:57:083146 圖形反轉(zhuǎn)膠是比較常見(jiàn)的一種紫外光刻膠，它既可以當(dāng)正膠使用又可以作為負(fù)膠使用。相比而言，負(fù)膠工藝更被人們所熟知。本文重點(diǎn)介紹其負(fù)膠工藝。 應(yīng)用領(lǐng)域 在反轉(zhuǎn)工藝下，通過(guò)適當(dāng)?shù)墓に噮?shù)，可以獲得底切的側(cè)壁
2024-07-09 16:06:001988 
已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論