TriQuint半導體公司(納斯達克代碼：TQNT)，推出完整、經濟高效的 Ka 波段砷化鎵 (GaAs) 射頻芯片組
2012-10-17 15:10:46
2424 TriQuint半導體公司(納斯達克代碼：TQNT)和Richardson RFPD今天宣布，Richardson RFPD新建立的氮化鎵技術中心 (Tech Hub) 展示了TriQuint業(yè)內領先的廣泛氮化鎵 (GaN) 產品系列——包括放大器、晶體管和
2012-10-23 16:48:571341 TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵（GaN）HEMT射頻功率晶體管產品。
2012-12-18 09:13:261621 TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵 （GaN） HEMT 射頻功率晶體管產品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半，同
2012-12-19 10:19:091538 宜普電源轉換公司是增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領先供應商，致力提高產品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本，最新推出EPC2059 （6.8 m?、170 V）氮化鎵場效應晶體管
2020-11-13 08:01:002013 在廠商的推廣和終端產品的面世后，氮化鎵器件的優(yōu)勢大家也都有所耳聞了。更快的開關速度省去了更多的無源器件，從而實現(xiàn)了更小的體積和更低的成本；更小的開關損耗使得系統(tǒng)的能效做得更高，以及耐高溫、耐輻射等
2023-03-21 01:55:002133 
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 編輯
北京飛特馳科技有限公司對外提供6英寸半導體工藝代工服務和工藝加工服務，包括：產品代工、短流程加工、單項工藝加工等
2015-01-07 16:15:47
明佳達電子優(yōu)勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優(yōu)勢，實單歡迎洽談。產品信息型號1：NV6127絲?。篘V6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
、ZENDURE 45W氮化鎵充電器+移動電源66、ZENDURE氮化鎵拓展塢+充電器從以上已有30多家廠商推出了超達66款氮化鎵快充產品來看，其中，60W及以上占比達到了五分之三之多；而30W規(guī)格的只占了五分之一
2020-03-18 22:34:23
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能，被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點，下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
持續(xù)下去。氮化鎵技術路線圖和氮化鎵供應鏈的并行優(yōu)勢實現(xiàn)了氮化鎵加速向商業(yè)領域滲透所需的制造規(guī)模和成本結構。針對客戶基于性能和成本的指標來評價氮化鎵適用性的情況，第四代氮化鎵在模式上做出了較大的改變
2017-08-15 17:47:34
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
。我們預計這項協(xié)議在擴大MACOM供應來源的同時，還將促進擴大規(guī)模、提高產能和成本結構優(yōu)化，從而加速硅基氮化鎵技術在大眾市場的普及。 對于無線網絡基礎設施，這次合作有望使硅基氮化鎵技術經濟高效地部署
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現(xiàn)快速開關？氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
深圳市三佛科技有限公司供應CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC,原裝現(xiàn)貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關器件
2025-03-31 14:26:10
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
深圳市尊信電子技術有限公司專業(yè)開發(fā)設計電子產品方案鈺泰，智融，賽芯微一級代理吉娜：*** 微信：mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系，獲取datasheet、報價、樣片等更多產品信息氮化鎵技術的普及，使
2021-11-28 11:16:55
，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術的報告，該技術能夠實現(xiàn)智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
趕上甚至超過了成本昂貴的硅上氮化鎵產品的替代技術。我們期待這項合作讓這些GaN創(chuàng)新在硅供應鏈內結出碩果，最終服務于要求最高的客戶和應用?！币夥ò雽w汽車與分立器件產品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購來擴充產品線與進入新市場，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術，共有40多條生產線
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化鎵技術。2017 電子設計創(chuàng)新大會展臺現(xiàn)場演示在2017年的電子設計創(chuàng)新大會上，MACOM上海無線產品中心設計經理劉鑫表示，硅襯底有一些優(yōu)勢，材料便宜，散熱系數好。且MACOM在高性能射頻領域
2017-07-18 16:38:20
QPD1004氮化鎵晶體管產品介紹QPD1004報價QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1018內部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產品介紹TGF2977-SM報價TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
包括更低的開關損耗、更快的開關速度、更高的功率密度、更出色的熱預算，并進一步降低重量和成本。除了電動汽車市場之外，基于氮化鎵的電子產品也為進一步降低數據中心和消費類設備的功耗提供了良機。電動汽車
2018-07-19 16:30:38
極限。而上限更高的氮化鎵，可以將充電效率、開關速度、產品尺寸和耐熱性的優(yōu)勢有機統(tǒng)一，自然更受青睞。
隨著全球能量需求的不斷增加，采用氮化鎵技術除了能滿足能量需求，還可以有效降低碳排放。事實上，氮化鎵
2023-06-15 15:47:44
超低的電阻和電容，開關速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力，電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運行。近年加入控制芯片之后，氮化鎵充電器的開關頻率，已經從 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
帶寬更高，這一點很重要，載波聚合技術的使用以及準備使用更高頻率的載波都是為了得到更大的帶寬。[color=rgb(51, 51, 51) !important]與硅或者其他器件相比，氮化鎵速度更快
2019-07-08 04:20:32
從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導體行業(yè)異軍突起，憑借領先的氮化鎵（GaN）技術儲備和不斷推出的新產品
2025-05-19 10:16:02
組件來實現(xiàn)產品設計。也因為消費性市場存在可觀的潛在需求，相較于碳化硅組件基本上是整合組件制造商(IDM)的天下，氮化鎵制程已經吸引臺積電等晶圓代工業(yè)者投入。不過，氮化鎵陣營的業(yè)者也有問鼎大功率
2021-09-23 15:02:11
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
砷化鎵晶圓代工廠。
公司主要從事砷化鎵微波集成電路(GaAs MMIC)晶圓之代工業(yè)務，提供HBT、pHEMT微波集成電路/離散組件與后端制程的晶圓代工服務，應用于高功率基站、低噪聲放大器(LNA
2019-05-27 09:17:13
半導體的優(yōu)勢，使用氮化鎵開關管的保護板，具有更高的耐壓，可為保護板提供更高的過電壓保護能力。期待配套的保護芯片早日成熟，助推氮化鎵鋰電池保護應用，推出更輕、更高效的電池產品。原作者：充電頭網編輯部充電頭網
2023-02-21 16:13:41
已經非常明朗。而除了熟知的手機廠商之外，各大電商品牌推出的氮化鎵快充產品更是琳瑯滿目，極大豐富了產品的品類，為消費者帶來更多選擇，同時也對推動氮化鎵快充的發(fā)展，起到了重要的作用。今天這篇文章就為大家盤點
2021-04-16 09:33:21
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
%、采用的元件少50%、縮短設計時間和更高效的解決方案。氮化鎵集成電路使產品更小、更快、更高效和更易于設計。
誤解4：氮化鎵器件的供應鏈不可靠
EPC的GaN FET和集成電路的制造工藝非常簡單和成熟。通過
2023-06-25 14:17:47
業(yè)務服務，改變過去僅由Cree、Infineon、Qorvo等整合組件大廠供應的狀況。GaN的部分，有臺積電及世界先進提供GaN-on-Si的代工業(yè)務，穩(wěn)懋則專攻GaN-on-SiC領域瞄準5G基站
2019-05-09 06:21:14
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對有線電視網絡的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時采用了氮化鎵 HEMT 和砷化鎵 pHEMT 技術，可在
2011-11-16 10:06:461607 技術創(chuàng)新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT），今天發(fā)布了新型氮化鎵 （GaN） 集成功率倍增器，為快速增長的有線電視基礎構架提供了優(yōu)異的性能。
2013-07-16 10:50:071645 業(yè)內領先的廣泛氮化鎵 (GaN) 產品系列——包括放大器、晶體管和開關。TriQuint GaN解決方案可提高射頻效率、降低總成本和增強系統(tǒng)堅固性。
2019-03-20 10:56:09849 TriQuint公司的TriAccessTM CATV/FTTH產品提供的集成方 案能夠以更低的成本實現(xiàn)更高效、更有競爭力的網絡 全球射頻產品的領導廠商和晶圓代工服務的重要供應商 TriQuint
2017-12-12 04:18:351221 “全氮化鎵”氮化鎵充電系列有七個新產品，包括四個充電器、兩個移動電源和一個插座，屬于“全氮化鎵”氮化鎵充電系列，進一步滿足消費者多樣化的充電需求。
2022-07-27 16:21:041774 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)今天宣布，全球電源產品和電動汽車充電站供應商飛宏(Phihong)新推出
2022-07-29 09:14:471102 未來已來，氮化鎵的社會經濟價值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅動器配合，隔離驅動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:251383 
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導體制造基礎設施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導體技術，硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導體制造基礎設施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 16:44:264975 
硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導體制造基礎設施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-10 10:43:342743 
氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:1429358 Nexperia（安世半導體）的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為（上）（下）兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產品及封裝等
內容。本期將先介紹 Nexperia（安世半導體）氮化鎵產品的成熟的工藝
2023-02-22 15:40:43
0 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結構材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學和機械性質，因此受到了廣泛關注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的電子和光學性質，也是氮化鎵納米線的主要材料來源。
2023-02-25 17:25:151497 氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導體材料，具有優(yōu)良的電學和光學性質，因此廣泛用于以下領域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍、綠、白光LED，廣泛應用于照明
2023-06-02 15:34:4613932 舉辦的「2021（春季）USBPD＆Type-C亞洲展」上，東科半導體無錫有限公司副總經理孫經緯先生發(fā)表了《加速氮化鎵全面普及-東科半導體全系合封氮化鎵產品介紹》
2022-06-21 09:48:084006 
三星詳細介紹了他們的2納米制造工藝量產計劃和性能水平，并宣布從2025年開始提供8英寸氮化鎵（GaN）功率半導體代工服務，以滿足人工智能技術的需求。這種半導體具有高性能低功耗的特點，在消費類電子、數據中心和汽車等領域將得到廣泛應用。
2023-06-29 14:48:151834 氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開關速度等優(yōu)勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:561027 作為第三代半導體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:331748 
氮化鎵芯片的選用要從實際應用出發(fā)，結合實際使用場景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達到最佳的性能和效果。明確應用場景。首先要明確使用的具體場景，如音頻、視頻、計算還是其他應用場景。不同的場景對氮化鎵芯片的性能和特點要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時，要充分考慮應用的場景。
2023-10-26 17:02:181576 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質制造的芯片，它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領域，如通信、雷達、衛(wèi)星通信、微波射頻等領域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 氮化鎵充電器和普通充電器是兩種不同的充電設備，它們在充電速度、充電效率、體積大小、重量、安全性能等方面存在一些差異。下面我們將詳細介紹氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別。 一、充電速度和效率 氮化鎵
2023-11-24 11:00:5631061 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵的提取過程和所
2023-11-24 11:15:206429 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416137 氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的擊穿電壓能力，使得氮化鎵MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:154274 氮化鎵是一種重要的半導體材料，屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應用前景的材料，受到了廣泛關注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化鎵的晶體結構、性質以及應用領域。 首先，我們來介紹
2024-01-10 10:03:216728 氮化鎵作為材料，而硅芯片則采用硅作為材料。氮化鎵具有優(yōu)秀的物理特性，包括較高的電子與空穴遷移率、較高的飽和電子漂移速度和較高的擊穿電壓等，這些特性使得氮化鎵芯片在高功率、高頻率和高溫環(huán)境下表現(xiàn)出較好的性能。
2024-01-10 10:08:143855 氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導體材料，其結構具有許多獨特的性質和應用。本文將詳細介紹氮化鎵的結構、制備方法、物理性質和應用領域。 結構： 氮化鎵是由鎵（Ga）和氮（N）元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:336032 、氮化鎵充電器的優(yōu)勢以及其在未來的應用前景等方面進行詳細介紹。 首先，我們先來了解一下氮化鎵的基本特性。氮化鎵是一種寬能隙半導體材料，具有高電子遷移率、高電學飽和速度和高電熱導率的特點。這些特性使得氮化鎵在高頻
2024-01-10 10:20:292311 氮化鎵產品系列。 新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和Tra
2024-04-25 10:46:561248 全球氮化鎵功率半導體行業(yè)的領軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件（SiP）。這兩款新品與去年偉詮電子
2024-05-23 11:20:001098 本文要點氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術可實現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988 
氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導體材料領域的重要成員，它們在各自的應用領域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個更先進，并不是一個簡單的二元對立問題，因為它們的先進性取決于具體的應用場
2024-09-02 11:37:167233 近日，日本功率器件大廠羅姆半導體（ROHM）宣布，將在氮化鎵功率半導體領域深化與臺積電的合作，其氮化鎵產品將全面交由臺積電代工生產。這一舉措標志著氮化鎵市場的代工趨勢正在加速發(fā)展。
2024-10-29 11:03:391595
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工商網監(jiān)
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