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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>工藝/制造>安路科技徐春華:工藝與設(shè)計(jì)的時(shí)間差是良率提升的“天敵”

安路科技徐春華:工藝與設(shè)計(jì)的時(shí)間差是良率提升的“天敵”

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psoc 4-定時(shí)器/計(jì)數(shù)器捕獲出現(xiàn)時(shí)間差

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2019-09-18 12:24:08

三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試

較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">時(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的,這高于
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為什么實(shí)測(cè)運(yùn)放開環(huán)階升階降時(shí)間差的那么多

哪位大神知道,為什么實(shí)測(cè)運(yùn)放開環(huán)階升階降時(shí)間差的那么多,比如先給一個(gè)信號(hào),在撤銷掉,就出現(xiàn)階降時(shí)間很長(zhǎng)的現(xiàn)象,這正常嗎
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如何求方波上升沿與正弦波峰值之間的時(shí)間差

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2018-08-31 17:08:04

如何獲取軟件?

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2023-08-11 06:04:32

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2018-03-23 00:21:36

我在程序里設(shè)定的死區(qū)時(shí)間和實(shí)際波形測(cè)得的死區(qū)時(shí)間差別挺大的,為什么呢?

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2016-10-07 19:52:23

有什么電路元件可以計(jì)算兩輸入端輸入信號(hào)的時(shí)間差

本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 23:03 編輯 有什么電路元件可以計(jì)算兩輸入端輸入信號(hào)的時(shí)間差,然后根據(jù)時(shí)間差輸出信號(hào)并顯示在顯示屏上。
2012-11-17 08:08:28

求救!大神們,如何求兩信號(hào)的幅值和相位差?

如何用labview 求出兩信號(hào)的峰峰值之差(圖示0減去圖示1)?如何求出兩信號(hào)相近波峰的時(shí)間差圖示2?如何求出其中一信號(hào)的周期如圖示3? 萬(wàn)分感謝了!
2014-04-11 14:22:46

測(cè)量正負(fù)脈沖之間的時(shí)間差值,脈沖轉(zhuǎn)方波

如圖,想測(cè)量正負(fù)脈沖之間的時(shí)間差,我現(xiàn)在的想法是當(dāng)正脈沖來(lái)的時(shí)候輸出高電平并且保持,直到負(fù)脈沖來(lái)的時(shí)候輸出0并保持,然后再當(dāng)正脈沖來(lái)的時(shí)候高電平并保持,如此循環(huán),就輸出了一個(gè)方波,然后測(cè)量方波
2017-05-22 08:50:58

理論<實(shí)際,多出來(lái)的PCB板工廠為什么不留著?一文告訴你

關(guān)于PCB多層板線上下單的事情,之前給朋友們說(shuō)了交期,那么,接下來(lái),說(shuō)關(guān)于的事情。對(duì)于已經(jīng)在線上下單PCB多層板的朋友,假如對(duì)PCB行業(yè)了解不深,可能對(duì)于關(guān)注的事情,會(huì)有“丈二的和尚
2022-08-18 18:22:48

用單片機(jī)可以測(cè)到兩個(gè)傳感器接收信號(hào)的時(shí)間差嗎?求助

我想要測(cè)得不同位置的兩個(gè)傳感器接收到信號(hào)的時(shí)間差(ps:時(shí)間大概是ms級(jí)的),傳感器輸出是電壓信號(hào),想問(wèn)下能用單片機(jī)完成這個(gè)嗎~
2015-04-07 19:54:13

百能PCB邦定新工藝,邦定無(wú)金工藝線路板

PCB打樣27元/10片、雙面板小批量260元/平米PCB自動(dòng)報(bào)價(jià)郵箱k@pcbpp.com邦定無(wú)金工藝線路板,實(shí)現(xiàn)上錫好的同時(shí)大大降低成本下降20%,同時(shí)提升產(chǎn)品
2019-04-10 13:58:13

百能PCB邦定板新工藝介紹

應(yīng)用行業(yè):LED顯示屏、U盾、電子稱、數(shù)顯卡尺、萬(wàn)用表工藝介紹:之前邦定板工藝有兩種:一種是沉金:優(yōu)點(diǎn)是上錫好,缺點(diǎn)是不耐磨;另外一種工藝是鍍金,優(yōu)點(diǎn)是耐磨,好邦定,缺點(diǎn)是上錫弱;邦定新工藝可以實(shí)現(xiàn)上錫好的同時(shí)大大降低成本,可以降低20%的成本,還可以提升QQ:2414764046
2019-04-09 10:07:14

菜鳥問(wèn)一下大家,如何計(jì)算信號(hào)的時(shí)間差,望不吝賜教

有一個(gè)波形,我想知道波形最高點(diǎn)到我指定的某個(gè)點(diǎn)之間的時(shí)間差是多少,本人菜鳥一個(gè),研究了一下午加一晚上,還不知道怎么辦,希望大家?guī)蛶兔Γ?/div>
2016-06-28 21:08:22

請(qǐng)問(wèn)LabVIEW中如何求取方波上上升沿與正弦波峰值之間的相位差(時(shí)間差

在一根旋轉(zhuǎn)軸上同時(shí)采集同周期的振動(dòng)信號(hào)與方波信號(hào),求同一周期內(nèi)(一轉(zhuǎn))方波的上升沿與振動(dòng)信號(hào)最大峰值處的相位差(時(shí)間差),怎么在LabVIEW里實(shí)現(xiàn)?還望大神們相助?。?!不甚感激?。?!
2018-09-04 16:25:29

請(qǐng)問(wèn)安器件分對(duì)可以設(shè)置輸出信號(hào)的電壓和擺幅嗎?

器件分對(duì)可以設(shè)置輸出信號(hào)的電壓和擺幅么?
2023-08-11 10:19:37

請(qǐng)問(wèn)我怎么做才能求出時(shí)間差呢?

我想做一下09年國(guó)賽的B題,其中,需要用到輸入捕捉。沒(méi)用過(guò),所以沒(méi)太有思路,題目?jī)?nèi)容是發(fā)射機(jī)發(fā)射一個(gè)聲音信號(hào),有兩個(gè)接收機(jī)接收,接收后,比較兩者接收的時(shí)間差,然后做出控制聲音信號(hào)通過(guò)濾波比較處理,輸入stm32的信號(hào)是一個(gè)3.2khz的方波,怎樣求出時(shí)間差呢,要用到32的什么功能呢?
2019-08-07 00:40:22

請(qǐng)問(wèn)有哪些方法可以仿真TDC的分辨嗎?

本人目前做一個(gè)基于延時(shí)單元的兩步式TDC,在仿真上采用改變輸入時(shí)間差跑tran的方式來(lái)得到每一個(gè)數(shù)字字跳變的時(shí)間差,以此計(jì)算分辨和線性度,但是耗時(shí)太長(zhǎng)了,請(qǐng)問(wèn)還有其他的方法仿真這類TDC分辨的嗎?
2021-06-24 08:04:06

麻煩各位大神指導(dǎo)下,如何用labview測(cè)量?jī)蓚€(gè)通道信號(hào)的時(shí)間差

`本人剛學(xué)習(xí)labview,想做一個(gè)控制示波器的程序,需要自動(dòng)測(cè)量示波器各個(gè)通道之間信號(hào)的時(shí)間差,如下圖所示,請(qǐng)高手指導(dǎo)如何實(shí)現(xiàn)。`
2019-01-14 15:43:54

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臺(tái)積電為了趕進(jìn)度已在當(dāng)前試產(chǎn)10nm工藝,不過(guò)臺(tái)媒指其10nm工藝存在較嚴(yán)重的問(wèn)題,這意味著其10nm工藝產(chǎn)能將相當(dāng)有限,在它優(yōu)先將該工藝產(chǎn)能供給蘋果的情況下,對(duì)另一大客戶聯(lián)發(fā)科顯然不是好消息。
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臺(tái)積電否認(rèn)10nm工藝存在較嚴(yán)重的問(wèn)題

12月29日消息,之前有海外媒體報(bào)道,臺(tái)積電的10nm工藝量產(chǎn)時(shí)間本來(lái)就較晚,比三星晚了兩個(gè)月,臺(tái)積電為了趕進(jìn)度已在當(dāng)前試產(chǎn)10nm工藝過(guò)程中,出現(xiàn)10nm工藝存在較嚴(yán)重的問(wèn)題,對(duì)于聯(lián)發(fā)科來(lái)說(shuō)可謂是雪上加霜的事情。
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半導(dǎo)體取決于許多因素。如果您的設(shè)備使用領(lǐng)先的工藝生產(chǎn),您可能與代工廠不辭辛勞地密切合作以確保工藝和產(chǎn)品有一定程度的相應(yīng)提升。不過(guò),如果您的集成電路應(yīng)用面向成熟節(jié)點(diǎn)進(jìn)行了優(yōu)化,可能就不會(huì)讓你徹夜難眠了 -- 除非發(fā)生意外。
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線路板的布線越來(lái)越密 怎么提升PCB一次?

電子產(chǎn)品一直在進(jìn)行精致化,功能強(qiáng)大的演變,線路板的布線也是越來(lái)越密,PCB一次提升是個(gè)永遠(yuǎn)的議題。
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新思宣布先進(jìn)工藝學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得最大突破 為三星后續(xù)先進(jìn)工藝奠定基礎(chǔ)

集成電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)新思(Synopsys)近日宣布,面向三星7LPP(7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得最大突破,也為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-08 15:56:453656

業(yè)界hdi板pcb

大家知道業(yè)界hdi板pcb嗎? 對(duì)于PCB廠商來(lái)說(shuō)是賴以生存的一個(gè)硬性指標(biāo),相對(duì)而言,是沒(méi)有固定值的,但是太低的廠商肯定活不下去,這需要廠商不斷的更新維護(hù)設(shè)備、提高生產(chǎn)工藝和技術(shù)手段
2019-10-12 11:19:156377

臺(tái)積電晶圓代工沒(méi)有對(duì)手,nm工藝得到提高

臺(tái)積電的5nm工藝已經(jīng)完成研發(fā),今年下半年試產(chǎn)了,蘋果新一代處理器A14、華為新一代處理器麒麟1000(暫定名)在9月份就流片驗(yàn)證了,臺(tái)積電目前正在積極提升5nm工藝,為明年上半年量產(chǎn)做準(zhǔn)備。
2019-11-30 09:43:183981

單片機(jī)芯片生產(chǎn)工藝對(duì)單片機(jī)芯片的影響

單片機(jī)芯片生產(chǎn)工藝對(duì)單片機(jī)芯片的影響是至關(guān)重要的。這些因素可以細(xì)化到單片機(jī)芯片工藝制程步驟數(shù)量、單片機(jī)生產(chǎn)工藝制程周期、還有封裝和最終測(cè)試,都影響著單片機(jī)芯片工藝良品率。
2020-07-05 11:08:403226

如何通過(guò)虛擬制造提高7nm

通過(guò)失效分類、預(yù)測(cè)和工藝窗口優(yōu)化實(shí)現(xiàn)預(yù)測(cè)和提升 器件的在很大程度上依賴于適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">工藝規(guī)格設(shè)定和對(duì)制造環(huán)節(jié)的誤差控制,在單元尺寸更小的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上就更是如此。過(guò)去為了識(shí)別和防止工藝失效,必須
2020-09-04 17:39:402645

半導(dǎo)體工藝開發(fā):利用虛擬晶圓制造的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)來(lái)提高

工藝來(lái)開發(fā)新產(chǎn)品,但這些工藝本身也需要工程師來(lái)開發(fā)。工藝開發(fā),相較于設(shè)計(jì)新的芯片,對(duì)于工程師以及他們的技能要求完全不同。前者的目標(biāo)在于創(chuàng)造新的半導(dǎo)體制造工藝,不僅要滿足器件性能要求而且要保證高。 過(guò)去的開
2020-12-10 18:03:422640

通過(guò)虛擬工藝加速工藝優(yōu)化

該DRAM案例研究表明,通過(guò)在虛擬環(huán)境中執(zhí)行大量的DOE和工藝變化研究,可以消除不相關(guān)DOE路徑的時(shí)間和成本,并快速實(shí)現(xiàn)性能和目標(biāo),從而加快產(chǎn)品上市時(shí)間。
2020-12-24 17:57:361124

如何把控晶圓芯片的?

今天查閱了一下晶圓的控制,晶圓的成本和能否量產(chǎn)最終還是要看。晶圓的十分關(guān)鍵,研發(fā)期間,我們關(guān)注芯片的性能,但是量產(chǎn)階段就必須看,有時(shí)候?yàn)榱?b class="flag-6" style="color: red">良也要減掉性能。 那么什么是晶圓的
2021-03-05 15:59:508329

YieldWerx管理軟件介紹.PDF

YieldWerx管理軟件介紹.PDF
2021-12-29 14:23:2721

利用AI+大數(shù)據(jù)技術(shù)提升先進(jìn)制造產(chǎn)品

在工業(yè)生產(chǎn)中占據(jù)非常重要的地位,在某些高端制造行業(yè),管理能力甚至可以被認(rèn)為是企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力。比如在面板生產(chǎn)中,如果面板偏低,將會(huì)影響終端設(shè)備如蘋果手機(jī)的出貨量。產(chǎn)品也成為了是否能入圍龍頭企業(yè)供應(yīng)鏈的關(guān)鍵指標(biāo)。
2022-03-11 15:57:072067

Soitec 宣布與 KLA 公司拓展合作,提升碳化硅生產(chǎn)

(SiC) 器件的高。KLA 公司是工藝控制和先進(jìn)檢測(cè)系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。 ? Soitec 利用其獨(dú)特的專利技術(shù) SmartSiC? 生產(chǎn)碳化硅優(yōu)化襯底,助力提升電力電子設(shè)備的性能以及電動(dòng)汽車
2022-07-22 11:50:361261

華秋告訴你:理論<實(shí)際,多出來(lái)的PCB板工廠為什么不留著?

關(guān)于PCB多層板線上下單的事情,之前給朋友們說(shuō)了交期,那么,接下來(lái),說(shuō)關(guān)于的事情。對(duì)于已經(jīng)在線上下單PCB多層板的朋友,假如對(duì)PCB行業(yè)了解不深,可能對(duì)于關(guān)注的事情,會(huì)有“丈二的和尚
2022-08-19 15:40:121686

蘋果拒絕為3nm工藝缺陷買單 臺(tái)積電3nm按收費(fèi)!

根據(jù)外媒報(bào)道,據(jù)稱臺(tái)積電新的3nm制造工藝的次品約為30%。不過(guò)根據(jù)獨(dú)家條款,該公司僅向蘋果收取品芯片的費(fèi)用!
2023-08-08 15:59:271872

為什么要提升芯片?為什么難提升

提高芯片的變得越來(lái)越困難,很多新建的晶圓廠通線數(shù)年仍難以量產(chǎn),有的雖勉強(qiáng)量產(chǎn),但是始終無(wú)法爬坡式的提升,很多朋友會(huì)問(wèn):芯片的提升真的有那么難嗎?為什么會(huì)這么難?今天來(lái)聊聊。
2023-09-06 09:07:158260

如何用示波器測(cè)時(shí)間差?

示波器是一種用于檢測(cè)波形的電子設(shè)備,它可以顯示電壓隨時(shí)間的變化。在電子工程和電子測(cè)試中,示波器是一種非常重要的工具。在某些情況下,您可能需要測(cè)量?jī)蓚€(gè)電子設(shè)備之間的時(shí)間差。在這種情況下,示波器可以用來(lái)測(cè)量時(shí)間差。
2023-12-04 14:24:203964

Mini LED超99.9999%+ 大為技術(shù)材料廠商打響“攻堅(jiān)戰(zhàn)”

在Mini/Micro LED火熱度狂飆的今天,Mini/Micro LED應(yīng)用存在產(chǎn)品低、成本高等現(xiàn)象。
2024-01-25 13:36:181940

EDA助力提升:紫光展銳與西門子的成功合作

紫光展銳研發(fā)團(tuán)隊(duì)和西門子EDA在很多領(lǐng)域都有合作,在提升方面更是合作緊密。西門子EDA工具SONR的機(jī)器學(xué)習(xí)能力非常強(qiáng)大,在缺陷模型在物理版圖中的匹配起到至關(guān)重要的作用。
2024-01-26 15:12:131586

SK海力士HBM3E內(nèi)存已達(dá)80%

早在今年3月份,韓國(guó)媒體DealSite報(bào)道中指出,全球HBM存儲(chǔ)器的平均約為65%。據(jù)此來(lái)看,SK海力士在近期對(duì)HBM3E存儲(chǔ)器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:301079

傳三星電子12nm級(jí)DRAM內(nèi)存不足五成

近日,據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,三星在其1b nm(即12nm級(jí))DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過(guò)程中遇到了不足的挑戰(zhàn)。目前,該制程的仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的80%~90%,僅達(dá)到五成左右。為了應(yīng)對(duì)這一局面,三星已在上月成立了專門的工作組,致力于迅速提升。
2024-06-12 10:53:411408

半導(dǎo)體工藝之生產(chǎn)力和工藝

晶圓實(shí)際被加工的時(shí)間可以以天為單位來(lái)衡量。但由于在工藝站點(diǎn)的排隊(duì)以及由于工藝問(wèn)題導(dǎo)致的臨時(shí)減速,晶圓通常在制造區(qū)域停留數(shù)周。晶圓等待的時(shí)間越長(zhǎng),增加了污染的機(jī)會(huì),這會(huì)降低晶圓分選。向準(zhǔn)時(shí)制制造的轉(zhuǎn)變(見后面章節(jié))是提高和降低與增加的在線庫(kù)存相關(guān)的制造成本的一次嘗試。
2024-07-01 11:18:013200

優(yōu)可測(cè)白光干涉儀:激光陀螺儀提升與精度的關(guān)鍵

激光陀螺儀廣泛應(yīng)用于航空航天、軍事防御、海洋勘探、自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域,其高靈敏度、強(qiáng)抗干擾和可靠性源于精密制造技術(shù)。優(yōu)可測(cè)白光干涉儀助力激光陀螺儀鏡片精度提升,提高生產(chǎn)效率和。
2024-09-28 08:06:212216

淺談?dòng)绊懢A分選的因素(2)

在晶圓制造率部分討論的工藝變化會(huì)影響晶圓分選。在制造區(qū)域,通過(guò)抽樣檢查和測(cè)量技術(shù)檢測(cè)工藝變化。檢查抽樣的本質(zhì)是并非所有變化和缺陷都被檢測(cè)到,因此晶圓在一些問(wèn)題上被傳遞。這些問(wèn)題在晶圓分選中顯現(xiàn)為失敗的設(shè)備。
2024-10-09 09:45:301672

晶圓制造限制因素簡(jiǎn)述(1)

下圖列出了一個(gè)11步工藝,如第5章所示。典型的站點(diǎn)列在第3列,累積列在第5列。對(duì)于單個(gè)產(chǎn)品,從站點(diǎn)計(jì)算的累積fab與通過(guò)將fab外的晶圓數(shù)量除以fab線開始的晶圓數(shù)量計(jì)算的相同
2024-10-09 09:50:462094

如何提高錫膏印刷

要提高錫膏印刷,可以從以下幾個(gè)方面著手。
2025-01-07 16:00:03816

芯片相關(guān)知識(shí)點(diǎn)詳解

芯片(或成品)是指在芯片制造過(guò)程中,從一片晶圓上生產(chǎn)出的芯片中,能正常工作的比例,即合格芯片數(shù)量與總芯片數(shù)量的比率。的高低反映了生產(chǎn)工藝的成熟度、設(shè)備的精度和穩(wěn)定性、材料質(zhì)量以及設(shè)計(jì)合理性
2024-12-30 10:42:326728

集成電路制造中損失來(lái)源及分類

本文介紹了集成電路制造中損失來(lái)源及分類。 的定義 是集成電路制造中最重要的指標(biāo)之一。集成電路制造廠需對(duì)工藝和設(shè)備進(jìn)行持續(xù)評(píng)估,以確保各項(xiàng)工藝步驟均滿足預(yù)期目標(biāo),即每個(gè)步驟的結(jié)果都處于生產(chǎn)
2025-01-20 13:54:012001

三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì),應(yīng)對(duì)與性能挑戰(zhàn)

nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P,其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似,顯示出三星在半導(dǎo)體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。 據(jù)了解,在決定啟動(dòng)D1B-P項(xiàng)目時(shí),三星現(xiàn)有的12nm級(jí)DRAM工藝
2025-01-22 14:04:071411

三星1c nm DRAM開發(fā)里程碑延期

據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對(duì)三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109

三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)里程碑推遲

據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的里程碑時(shí)間推遲了半年。原本,三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的提升至70%,以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入量產(chǎn)階段的要求。然而,實(shí)際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002

革新焊接工藝,MiniLED焊錫膏開啟精密制造超高時(shí)代

MiniLED焊錫膏在MiniLED制造領(lǐng)域,工藝的每一個(gè)細(xì)節(jié)都決定著產(chǎn)品的成敗。而焊錫膏,這一看似微小的材料,卻承載著連接精密元件、保障的核心使命。如今,東莞市大為新材料技術(shù)有限公司以創(chuàng)新破局
2025-04-25 10:37:56734

玻璃基板精密檢測(cè),優(yōu)可測(cè)方案提升至90%

優(yōu)可測(cè)白光干涉儀(精度0.03nm)&超景深顯微鏡-高精度檢測(cè)方案,助力玻璃基板提升至90%,加速產(chǎn)業(yè)高端化進(jìn)程。
2025-05-12 17:48:57696

廣立微YAD貫穿全鏈診斷分析

長(zhǎng)期以來(lái),一直被視為芯片廠商和晶圓代工廠的生命線,其不僅是成本控制的關(guān)鍵因素,更是提升生產(chǎn)效率、增加產(chǎn)能以及增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的核心驅(qū)動(dòng)力。
2025-05-21 14:54:171163

屹立芯創(chuàng)半導(dǎo)體除泡技術(shù):提升先進(jìn)封裝的關(guān)鍵解決方案

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,氣泡問(wèn)題一直是影響產(chǎn)品和可靠性的重要因素。隨著芯片集成度不斷提高,封裝工藝日益復(fù)雜,如何有效消除制程中的氣泡成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。
2025-07-23 11:29:35670

廣立微DE-YMS系統(tǒng)助力紫光同芯管理

廣立微(Semitronix)與國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的汽車電子及安全芯片供應(yīng)商紫光同芯,在管理領(lǐng)域已開展近兩年深度合作。期間,廣立微DE-YMS系統(tǒng)憑借其快速、精準(zhǔn)的損失根因定位能力,有效應(yīng)對(duì)了日益復(fù)雜的芯片制造挑戰(zhàn),顯著提升了紫光同芯的管理效率與水平。
2025-09-06 15:02:351354

華大九天Vision平臺(tái)重塑晶圓制造優(yōu)化新標(biāo)桿

摩爾定律驅(qū)動(dòng)下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正步入復(fù)雜度空前的新紀(jì)元。先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的持續(xù)突破疊加國(guó)產(chǎn)化供應(yīng)鏈的深度整合,不僅推動(dòng)芯片性能實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展,更使管理面臨前所未有的技術(shù)挑戰(zhàn)。納米級(jí)尺度下的設(shè)計(jì)缺陷被放大,工藝窗口收窄,任何偏差都可能引發(fā)驟降、產(chǎn)品延期。
2025-09-12 16:31:462003

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