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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>美光芯片輕視對(duì)手被判侵權(quán),聯(lián)電在DRAM上早有自主研發(fā)能力

美光芯片輕視對(duì)手被判侵權(quán),聯(lián)電在DRAM上早有自主研發(fā)能力

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紫光230億美元大手筆收購(gòu)?

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三星、SK海力士及全力防堵DRAM技術(shù)流入大陸

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聯(lián)起訴事件判決結(jié)果出爐,聯(lián)獲得勝訴,將賠償人民幣 2.7 億元并停止在華銷(xiāo)售業(yè)務(wù)

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晉華強(qiáng)硬:侵權(quán)肆無(wú)忌憚,中國(guó)區(qū)銷(xiāo)售百億美元股價(jià)應(yīng)聲跌

中國(guó)DRAM制造商福建晉華與圍繞專(zhuān)利問(wèn)題的糾葛為時(shí)已久。去年年初,指控福建晉華稱(chēng),其公司兩名前雇員離職后攜帶技術(shù)資料入職福建晉華,因此在臺(tái)灣地區(qū)控告福建晉華侵犯機(jī)密,同時(shí)以“未善盡管理之責(zé)”而將福建晉華合作商聯(lián)同步列為被告。今年年初,福建晉華和聯(lián)福州中級(jí)法院反告涉嫌侵害專(zhuān)利。
2018-07-05 14:56:294790

芯片被判侵權(quán) 美國(guó)芯片股價(jià)受此影響直線(xiàn)下跌

福州中法裁定對(duì)科技發(fā)出“訴中禁令”,其部分閃存SSD和內(nèi)存條DRAM將暫時(shí)禁止中國(guó)銷(xiāo)售。光有近半營(yíng)收來(lái)自中國(guó)市場(chǎng),為阿里巴巴等IT巨頭的SSD模組供應(yīng)商。
2018-07-05 15:08:174792

聯(lián)此次專(zhuān)利訴訟案先馳得點(diǎn),凸顯臺(tái)廠在記憶體專(zhuān)利開(kāi)發(fā)能量獲肯定

其實(shí)光和聯(lián)的競(jìng)爭(zhēng),就是中國(guó)想推自主DRAM和美不想讓中國(guó)發(fā)展DRAM的矛盾。早兩年,聯(lián)宣布與福建省晉華集成電路公司簽約合作,聯(lián)接受晉華委托開(kāi)發(fā) DRAM 相關(guān)制程技術(shù)。有關(guān)聯(lián)與晉華合作
2018-07-08 09:23:234212

光收專(zhuān)利侵權(quán)案的臨時(shí)禁令_收盤(pán)大跌5.5%

5日晚間發(fā)布聲明稱(chēng),中國(guó)2家子公司已收到福州中級(jí)人民法院針對(duì)聯(lián)與晉華提起的專(zhuān)利侵權(quán)案所發(fā)布的臨時(shí)禁令,目前已遞交強(qiáng)力證據(jù)至中國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專(zhuān)利復(fù)審委員會(huì)。并預(yù)估,受影響的產(chǎn)品約占光年度營(yíng)收逾1%,將使第4季度營(yíng)收減少約1%。
2018-07-08 10:47:083678

聯(lián)專(zhuān)利侵權(quán)訟案最新進(jìn)展_全球半導(dǎo)體版圖洗牌時(shí)程加速來(lái)臨

爭(zhēng)議逾1年的聯(lián)侵權(quán)訴訟案,福州中級(jí)人民法院對(duì)提出禁止令,要光在與聯(lián)專(zhuān)利侵權(quán)訴訟期間,停止半導(dǎo)體(西安)及半導(dǎo)體(上海)多項(xiàng)產(chǎn)品生產(chǎn)及銷(xiāo)售后,暫時(shí)由聯(lián)奪下首勝。背后意義值得關(guān)注,雙方爭(zhēng)訟已從一開(kāi)始力阻國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器自建計(jì)劃,演變成中美貿(mào)易大戰(zhàn)的前哨戰(zhàn)。
2018-07-08 11:02:094614

光表示對(duì)裁決結(jié)果感到失望,并堅(jiān)信聯(lián)與晉華的專(zhuān)利無(wú)效

光表示,聯(lián)欠缺先進(jìn)DRAM與NAND Flash技術(shù),也并未使用聯(lián)電聲稱(chēng)的自家專(zhuān)利,聯(lián)及福建晉華扭曲解釋專(zhuān)利內(nèi)容,并誣指侵權(quán)已經(jīng)強(qiáng)力證據(jù)遞交至中國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專(zhuān)利復(fù)審委員會(huì),證明其中技術(shù)早已有其他公司非中國(guó)地區(qū)申請(qǐng),借此證明聯(lián)電聲稱(chēng)的專(zhuān)利無(wú)效。
2018-07-10 08:29:414127

長(zhǎng)鑫發(fā)布首個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的8Gb LPDDR4 DRAM芯片,國(guó)產(chǎn)DRAM跨出重要一步

晉江建設(shè)DRAM晶圓廠,此前與發(fā)生專(zhuān)利糾紛導(dǎo)致芯片被福州法院禁售的就是與聯(lián)、晉江投資集團(tuán)有關(guān)。
2018-07-20 17:48:199888

認(rèn)為暫時(shí)用不EUV光刻機(jī),DRAM工藝還需發(fā)展

過(guò)DRAM進(jìn)入1Ynm節(jié)點(diǎn)時(shí)就需要考慮EUV工藝了,實(shí)際并沒(méi)有,包括三星在內(nèi)的三大DRAM巨頭都沒(méi)有很快使用EUV的打算,預(yù)計(jì)到1znm才會(huì)考慮,也就是10nm級(jí)左右。不過(guò),認(rèn)為1α及1β工藝依然都不需要EUV光刻工藝。
2018-08-20 17:41:491479

聯(lián)和美打全球法律大戰(zhàn),會(huì)不會(huì)對(duì)聯(lián)未來(lái)營(yíng)運(yùn)投下變量?

事實(shí),2016 年 4 月,經(jīng)濟(jì)部投審會(huì)就通過(guò)了聯(lián)和晉華的合作案,由聯(lián)南科研發(fā),再移轉(zhuǎn)到晉華生產(chǎn);聯(lián)如果成功,中國(guó)和臺(tái)灣將首度擁有自制 DRAM能力,全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)的格局將因此改變, 聯(lián)也能藉此擴(kuò)大利基型內(nèi)存市場(chǎng)的影響力,此役可謂非常關(guān)鍵。
2018-08-21 11:13:234608

光和晉華的專(zhuān)利糾紛是誘因,中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)受當(dāng)頭棒喝

去年12月,科技美國(guó)加州提起民事訴訟,控告聯(lián)及福建晉華侵害其DRAM的商業(yè)機(jī)密。紐約時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)中指出:“科技訴訟中表示,聯(lián)和晉華沒(méi)有開(kāi)啟設(shè)計(jì)芯片所需的漫長(zhǎng)旅程,而是決定采取盜竊的方式?!?,同時(shí),中國(guó)臺(tái)灣控訴聯(lián)員工從DRAM技術(shù)機(jī)密。
2018-11-01 11:18:395090

聯(lián)專(zhuān)利大律師跳槽入長(zhǎng)江存儲(chǔ)

近日,網(wǎng)友爆料一大消息。說(shuō)聯(lián)內(nèi)部一專(zhuān)利大律師, 跳槽進(jìn)入長(zhǎng)江存儲(chǔ),據(jù)稱(chēng)此律師極力反對(duì)聯(lián)晉華狀告。但值得注意的是,聯(lián)福建狀告沒(méi)有聽(tīng)從此律師的建議。導(dǎo)致禍從天降。此事件惹怒,才有后來(lái)制裁事件。
2018-11-12 09:41:485420

鎂光公然訴訟聯(lián)竊取機(jī)密,估計(jì)價(jià)值達(dá)87.5億美元

自美國(guó)將福建晉華納入“實(shí)體清單”以來(lái),聯(lián)、晉華以及關(guān)于DRAM專(zhuān)利技術(shù)之爭(zhēng)就備受關(guān)注,而這也被認(rèn)為是美國(guó)禁售的重要原因。隨后美國(guó)司法部也對(duì)晉華、聯(lián)以及三名個(gè)人提起訴訟,指控兩家公司涉嫌竊取美國(guó)存儲(chǔ)芯片公司科技的知識(shí)產(chǎn)權(quán)和商業(yè)機(jī)密,估計(jì)價(jià)值達(dá)87.5億美元。
2019-03-11 11:30:341841

聯(lián)嚴(yán)肅對(duì)待美方指控 全力應(yīng)對(duì)這場(chǎng)訴訟

及晉華集團(tuán)分別發(fā)表聲明,否認(rèn)盜竊商業(yè)機(jī)密。聯(lián)公司日前又發(fā)布了新的聲明,詳細(xì)解釋了聯(lián)DRAM技術(shù)的積累,強(qiáng)調(diào)聯(lián)已經(jīng)有超過(guò)15年的DRAM技術(shù)開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),聯(lián)開(kāi)發(fā)的DRAM技術(shù)與公司
2018-11-13 08:40:523297

聯(lián)電聲明反擊訴訟戰(zhàn)與設(shè)計(jì)架構(gòu)完全不同

為聲明全文: 聯(lián)華電子是國(guó)際公認(rèn)、中國(guó)***起家的半導(dǎo)體公司。38年來(lái),全球的供應(yīng)鏈,已經(jīng)成為不可或缺的一員,先進(jìn)量產(chǎn)技術(shù)達(dá)14納米。對(duì)比之下,公司爭(zhēng)執(zhí)所涉及的DRAM技術(shù),是32納米
2018-11-13 14:29:192874

聯(lián)發(fā)科技最新款Helio智能手機(jī)平臺(tái)提供業(yè)界容量最高的單片式移動(dòng)存儲(chǔ)器

關(guān)鍵詞:LPDDR4 , Helio , P90 12Gb LPDDR4X DRAM已在聯(lián)發(fā)科技Helio P90智能手機(jī)平臺(tái)的參考設(shè)計(jì)得到驗(yàn)證 芯片封裝的內(nèi)存容量翻倍,單臺(tái)智能手機(jī)容量可達(dá)
2018-12-17 16:00:01310

計(jì)劃削減12.5億美元的資本支出,減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

總裁、CEO Sanjay Mehrotra財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議上表示,為了適應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)的狀況,將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)的數(shù)據(jù),2019年他們預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%,低于此前預(yù)測(cè)的20%增長(zhǎng),而NAND閃存預(yù)計(jì)增長(zhǎng)35%,也低于之前預(yù)計(jì)的35-40%增長(zhǎng)率。
2018-12-21 11:15:054225

2019年開(kāi)年以來(lái),第一樁赴陸半導(dǎo)體人才大舉回流的案例

聯(lián)坦承,原本編制為福建晉華研發(fā)DRAM的團(tuán)隊(duì)約300多人,礙于控告福建晉華侵權(quán)及竊取營(yíng)業(yè)秘密 ,美國(guó)也限禁相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備和零組件出口給晉華,導(dǎo)致福建晉華生產(chǎn)線(xiàn)停擺。不過(guò),聯(lián)目前只是停止為福建晉華開(kāi)發(fā)DRAM技術(shù),雙方并未中止合作關(guān)系。
2019-01-08 14:02:093346

聯(lián)將縮減與福建晉華合作計(jì)劃,相關(guān)DRAM開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)也將被裁撤

的合作伙伴 DRAM 內(nèi)存的緊密合作,除了將影響原本聯(lián)本身的晶圓代工生意之外,也因?yàn)榫A代工的業(yè)務(wù)非常依賴(lài)與美國(guó)相關(guān)企業(yè)的合作,例如美商應(yīng)材或是 Lam Research, 因此最終可能為聯(lián)帶來(lái)更大的麻煩。
2019-01-08 14:15:004819

南亞科啟動(dòng)自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā) 將擴(kuò)大辦理超過(guò)100人以上的研發(fā)人才招募

今年以來(lái)DRAM價(jià)格持續(xù)下跌,DRAM廠南亞科今年獲利表現(xiàn)恐不如去年好。為了維持穩(wěn)定獲利,南亞科將朝向優(yōu)化產(chǎn)品組合方向調(diào)整,提高DDR4及LPDDR4X等毛利率較好的產(chǎn)品比重。此外,南亞科已取得的1x/1y納米制程技術(shù)授權(quán)選擇權(quán),并啟動(dòng)自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā)。
2019-03-01 16:30:254592

公布DRAM和NANDFlash的最新技術(shù)線(xiàn)路圖 將持續(xù)推進(jìn)1ZnmDRAM技術(shù)及研發(fā)128層3DNAND

作為全球知名的存儲(chǔ)器廠商,近日,召開(kāi)了2019年投資者大會(huì),大會(huì)中上,展示了DRAM和NAND Flash下一代技術(shù)的發(fā)展以及規(guī)劃。
2019-05-24 16:56:354645

小米獲勝 小米生活被判侵權(quán)且需要賠償5000萬(wàn)元

小米打官司獲勝了,那個(gè)山寨小米的小米生活被判侵權(quán),且還需要賠償小米公司5000萬(wàn)元。
2019-06-20 14:12:003347

恢復(fù)對(duì)華為的部分芯片供應(yīng) 禁運(yùn)半月?lián)p失2億美元!

由于美國(guó)商務(wù)部將華為列入“實(shí)體清單”,多個(gè)企與華為中止合作關(guān)系。作為業(yè)內(nèi)第三大DRAM芯片廠商和第五大NAND閃存生產(chǎn)廠商,也與華為停止合作。然而,停止合作兩個(gè)月后,就反悔了,他們決定恢復(fù)與華為的部分合作。
2019-07-01 15:34:414381

推出內(nèi)容量最高的單片式的LPDDR4X DRAM

科技股份有限公司推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。16Gb LPDDR4X 能夠單個(gè)智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM),顯示了為當(dāng)前和下一代移動(dòng)設(shè)備提供卓越內(nèi)存容量和性能的前沿地位。
2019-09-10 10:28:005101

業(yè)績(jī)與存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供需關(guān)系大

據(jù)鉅亨網(wǎng)報(bào)道,專(zhuān)門(mén)生產(chǎn) DRAM 和 NAND 的可謂最具周期性的科技業(yè)務(wù),其財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)會(huì)隨著存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供需關(guān)系而大幅波動(dòng)。
2019-12-20 11:40:063947

UFS多芯片封裝正式送樣,可提升5G智能手機(jī)的電池續(xù)航力

根據(jù)官方消息,(Micron)今日宣布業(yè)界首款搭載 LPDDR5 DRAM 的通用閃存(UFS)多芯片封裝(uMCP)正式送樣。
2020-03-11 16:03:1521443

宣布首款LPDDR5 DRAM UFS多芯片封裝正式送樣 可節(jié)省功耗并減少存儲(chǔ)器占用空間

存儲(chǔ)器大廠(Micron Technology)于11日宣布,業(yè)界首款搭載LPDDR5 DRAM的通用快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存(UFS)多芯片封裝(uMCP)正式送樣。新款UFS多芯片封裝(uMCP5)是基于光在多芯片規(guī)格尺寸創(chuàng)新及領(lǐng)導(dǎo)地位所打造。
2020-03-12 11:06:324480

低功耗DDR5 DRAM 芯片,挖掘移動(dòng)設(shè)備5G潛能

內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布,摩托羅拉新推出的motorola edge+ 智能手機(jī)已搭載的低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 芯片。
2020-04-25 10:32:51962

低功耗DDR5 DRAM芯片助力5G網(wǎng)絡(luò)

內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商科技與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布,摩托羅拉新推出的新款motorola edge+智能手機(jī)已搭載的低功耗DDR5 DRAM芯片,為用戶(hù)帶來(lái)完整的5G功能體驗(yàn)。
2020-04-27 16:00:001254

兆易創(chuàng)新DRAM芯片自主研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目完成資金募集

公告顯示,兆易創(chuàng)新DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目計(jì)劃投資總額約40億元,擬投入募集資金33億元。兆易創(chuàng)新擬通過(guò)本項(xiàng)目,研發(fā)1Xnm級(jí)(19nm、17nm)工藝制程下的DRAM技術(shù),設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。
2020-08-17 16:44:293795

量產(chǎn)并出貨1αnm DRAM內(nèi)存芯片 功耗可降低15%

今天宣布,已經(jīng)開(kāi)始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。 不同于CPU、GPU等新品,DRAM內(nèi)存、NAND閃存
2021-01-27 17:28:332298

科技量產(chǎn)全球首款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝產(chǎn)品

uMCP5。uMCP5將高性能、高密度及低功耗的內(nèi)存和存儲(chǔ)集成一個(gè)緊湊的封裝中,使智能手機(jī)能夠應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)密集型5G工作負(fù)載,顯著提升速度和功效。 量產(chǎn)全球首款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝
2020-10-27 15:17:473518

聯(lián)、晉華案期待以6000萬(wàn)美元進(jìn)行和解

10月22日,據(jù)外媒報(bào)道,聯(lián)發(fā)出重大信息公告表示,針對(duì)聯(lián)之前被指控協(xié)助福建晉華以竊取科技DRAM生產(chǎn)技術(shù)一案, 聯(lián)已向美國(guó)商務(wù)部提出此案的建議量刑信函,根據(jù)雙方磋商,期待以6000萬(wàn)美元
2020-10-30 14:17:131810

歷時(shí)兩年 聯(lián)被訴竊取機(jī)密案公開(kāi)最新進(jìn)展

文|樂(lè)川 集微網(wǎng)消息,歷時(shí)近兩年的聯(lián)被訴竊取機(jī)密案于近日公開(kāi)最新進(jìn)展。加州北部地區(qū)法院舊金山分院判決結(jié)果顯示,聯(lián)向美國(guó)司法部提出和解解決方案,以期最短時(shí)間內(nèi)結(jié)束本案。聯(lián)提出的建議量刑狀
2020-10-30 15:11:261719

宣稱(chēng)其被竊取的營(yíng)業(yè)秘密估計(jì)約為4億到87億美元

從最近幾年過(guò)去類(lèi)似罰金或和解金來(lái)看案件,XTAL2019年曾被判賠償8.45億美元給ASML,業(yè)界曾分析如果法院最終判決聯(lián)可能遭到高達(dá)200億美元的賠償,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">美宣稱(chēng)其被竊取的營(yíng)業(yè)秘密估計(jì)約為4億到87億美元。
2020-11-05 13:57:571859

消息稱(chēng)桃園工廠停電可能影響全球 DRAM 供應(yīng)

12 月 4 日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,昨天下午,存儲(chǔ)芯片及存儲(chǔ)解決方案提供商科技位于桃園的工廠發(fā)生無(wú)預(yù)警停電事件。業(yè)內(nèi)消息人士稱(chēng),桃園工廠停電可能影響全球 DRAM 供應(yīng),尤其是服務(wù)器部分
2020-12-04 15:21:322444

科技攜手聯(lián)想及聯(lián)寶科技成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

1月25日消息,科技宣布攜手聯(lián)想及聯(lián)寶科技 (聯(lián)想旗下最大的制造和研發(fā)機(jī)構(gòu)) 成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。該實(shí)驗(yàn)室是內(nèi)存和存儲(chǔ)業(yè)界首家同時(shí)聯(lián)合原始設(shè)計(jì)制造商 (ODM) 及原始設(shè)備制造商 (OEM) 的聯(lián)合
2021-01-26 09:47:402529

推出 1α DRAM 制程技術(shù):內(nèi)存密度提升了 40% 節(jié)能 15%

1 月 27 日消息 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商科技今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界最為先進(jìn)的 DRAM 技術(shù),密度、功耗和性能等各方面
2021-01-27 13:56:032777

全球首創(chuàng)1αnm DRAM內(nèi)存芯片

今天宣布,已經(jīng)開(kāi)始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896

:市場(chǎng)對(duì)DRAM的需求將有增無(wú)減,供需緊張的情況將延續(xù)好幾年

集微網(wǎng)消息,據(jù)MoneyDJ報(bào)道,存儲(chǔ)器大廠執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示,今年DRAM產(chǎn)業(yè)將受惠5G帶動(dòng)相關(guān)應(yīng)用,加上車(chē)用快速回溫,DRAM將供不應(yīng)求,目前部分DRAM
2021-01-28 15:54:452392

率先于業(yè)界推出1α DRAM制程技術(shù)

的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠,并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動(dòng)平臺(tái)帶來(lái)運(yùn)行速度更快的 LPDDR5。
2021-01-28 17:28:081182

DRAM芯片工藝可提升密度40%

本周二公布其用于DRAM的1α新工藝,該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%,功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存,未來(lái)或?qū)⒌采w所有類(lèi)型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442841

宣布已經(jīng)開(kāi)始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片

的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內(nèi)存芯片,尤其適用于最新旗艦手機(jī)標(biāo)配的LPDDR5,相比于1z工藝可以將容量密度增加多達(dá)40%,同時(shí)還能讓功耗降低15%,能讓5G手機(jī)性能更好、機(jī)身更輕薄、續(xù)航更持久。
2021-01-31 10:16:422399

中國(guó)內(nèi)地語(yǔ)音芯片產(chǎn)能快速擴(kuò)張,已成為聯(lián)的可怕對(duì)手

聯(lián)發(fā)科結(jié)盟英特爾,并強(qiáng)調(diào)有助于提升「成熟制程的產(chǎn)能供給」,市場(chǎng)認(rèn)為,對(duì)臺(tái)積先進(jìn)制程來(lái)說(shuō)影響不大,但沖擊聯(lián)、世界先進(jìn)等二線(xiàn)晶圓代工廠。財(cái)經(jīng)專(zhuān)家示警,聯(lián)除了要當(dāng)心大單被英特爾搶走,中國(guó)內(nèi)地芯片
2022-08-02 16:12:5612617

出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM

β DRAM產(chǎn)品已開(kāi)始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺(tái)合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證,并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。率先在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存采用該新一代制程技術(shù),其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能
2022-11-02 17:27:481537

發(fā)布基于1-alpha技術(shù)制造的LPDDR5X芯片

推出了最新的DRAM芯片,其采用了1-beta制造技術(shù),大幅提高了芯片的能效和內(nèi)存密度。稱(chēng)計(jì)劃在明年開(kāi)始量產(chǎn)這種芯片。
2022-11-03 10:49:011189

科技日本廣島開(kāi)始量產(chǎn)尖端存儲(chǔ)器DRAM

最新消息,據(jù)日本共同社報(bào)道,科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本光存儲(chǔ)器公司”,已于16日該市廣島工廠啟動(dòng)最尖端DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的量產(chǎn)。 據(jù)悉,量產(chǎn)的最新產(chǎn)品名為“1
2022-11-28 10:40:521736

反超SK海力士,躍居第二大DRAM供應(yīng)商

芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下,美國(guó)芯片制造商科技公司九年來(lái)首次超越韓國(guó) SK 海力士公司成為全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 市場(chǎng)的第二大廠商。 根據(jù)臺(tái)灣市場(chǎng)研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:061184

DRAM的技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)

2023年2月國(guó)際學(xué)會(huì)ISSCC,三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲(chǔ)容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要(下圖左)和硅芯片(下圖右)。
2023-10-29 09:46:583095

8項(xiàng)專(zhuān)利被侵權(quán)!與長(zhǎng)江存儲(chǔ)陷入專(zhuān)利之爭(zhēng)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)與芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ),已于9日美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美國(guó)記憶芯片龍頭科技提告,指控侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國(guó)專(zhuān)利。
2023-11-13 17:24:511517

科技: 納米印刷助降DRAM成本

近期的演示會(huì)上,詳細(xì)闡述了其針對(duì)納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出,DRAM工藝的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復(fù)雜。
2024-03-05 16:18:241316

計(jì)劃部署納米印刷技術(shù),降低DRAM芯片生產(chǎn)成本

3 月 5 日消息,科技公司計(jì)劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù),從而進(jìn)一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲(chǔ)芯片的單層成本。 公司近日舉辦了一場(chǎng)演講,介紹將納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細(xì)節(jié)
2024-03-06 08:37:35838

科技或需賠償Netlist內(nèi)存子系統(tǒng)專(zhuān)利三倍

5月23日,美國(guó)得克薩斯州東區(qū)地方法院裁判小組判定生產(chǎn)的DRAM芯片侵犯了Netlist關(guān)于優(yōu)化檔案調(diào)用性能的兩項(xiàng)專(zhuān)利,并認(rèn)定光有意侵權(quán)。
2024-05-27 09:19:55733

將在日本廣島建DRAM芯片制造工廠,2027年底或?qū)⒖⒐?/a>

科技計(jì)劃在日本投資建設(shè)DRAM芯片工廠

近日,美國(guó)芯片巨頭科技宣布了一項(xiàng)重大投資計(jì)劃。據(jù)悉,該公司將在日本廣島縣建設(shè)一家全新的DRAM芯片工廠,預(yù)計(jì)總投資將達(dá)到6000至8000億日元。
2024-05-29 09:16:201203

三星已成功開(kāi)發(fā)16層3D DRAM芯片

近日舉行的IEEE IMW 2024活動(dòng)上,三星DRAM部門(mén)的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個(gè)重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時(shí),他透露,競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也已將其3D DRAM技術(shù)擴(kuò)展至8層。
2024-05-29 14:44:071398

計(jì)劃投資約300億元日本新建DRAM

據(jù)日媒報(bào)道,科技計(jì)劃投入6000億-8000億日?qǐng)A(約合人民幣277-369億元)日本廣島縣興建新廠,用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動(dòng)工,并安裝極紫外光刻(EUV)設(shè)備
2024-05-29 16:28:29649

科技將在日本廣島新建DRAM芯片工廠

近日,科技宣布,將在日本廣島縣建立一座新的DRAM芯片生產(chǎn)工廠,預(yù)計(jì)最早于2027年底正式投入運(yùn)營(yíng)。該項(xiàng)目的總投資預(yù)估6000億至8000億日元之間,體現(xiàn)了對(duì)于日本市場(chǎng)及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的堅(jiān)定信心。
2024-05-31 11:48:231570

科技發(fā)布新一代GDDR7顯存

近日舉行的臺(tái)北國(guó)際電腦展,美國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭科技正式發(fā)布了其新一代GDDR7顯存。這款新型GPU顯卡內(nèi)存基于的1βDRAM架構(gòu),將內(nèi)存性能提升至新的高度。
2024-06-06 09:24:511108

日本廣島DRAM新廠預(yù)計(jì)2027年量產(chǎn)

全球知名的DRAM大廠,早在去年就已宣布了其日本廣島的重大投資計(jì)劃。據(jù)悉,計(jì)劃斥資6,000至8,000億日元,廣島興建一座全新的DRAM工廠。這一項(xiàng)目預(yù)計(jì)將在2026年初破土動(dòng)工,最快有望2027年底前完成廠房建設(shè)、機(jī)臺(tái)設(shè)備安裝,并正式投入營(yíng)運(yùn)。
2024-06-14 09:53:101341

已在廣島Fab15工廠利用EUV試產(chǎn)1γ DRAM

存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域,技術(shù)的每一次革新都牽動(dòng)著行業(yè)的脈搏。近日,存儲(chǔ)芯片大廠科技公布其2024財(cái)年第三財(cái)季財(cái)報(bào)的同時(shí),也宣布了一個(gè)令人振奮的消息——該公司正在其位于日本廣島的Fab15工廠試產(chǎn)基于極紫外(EUV)光刻技術(shù)的1γ(1-gamma)DRAM,標(biāo)志著光在DRAM制造領(lǐng)域邁出了重要的一步。
2024-06-29 09:26:061438

HBM市場(chǎng)雄心勃勃,SK海力士加速應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)

存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域,美國(guó)巨頭(Micron)近日釋放了強(qiáng)烈的市場(chǎng)擴(kuò)張信號(hào),宣布其目標(biāo)是2025年自然年將高帶寬內(nèi)存(HBM)市場(chǎng)占有率提升至與DRAM市占率相當(dāng)?shù)乃?,即約20%至25%。這一
2024-07-03 09:28:591061

科技計(jì)劃大規(guī)模擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能

據(jù)業(yè)內(nèi)消息,科技預(yù)計(jì)今年將繼續(xù)積極擴(kuò)大其DRAM產(chǎn)能,與去年相似。得益于美國(guó)政府確認(rèn)的巨額補(bǔ)貼,近期將具體落實(shí)對(duì)現(xiàn)有DRAM工廠進(jìn)行改造的投資計(jì)劃。   去年底,科技宣布將在
2025-01-07 17:08:561311

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