3月14日消息，三星電子宣布將批量生產(chǎn)全球容量最大的12GB LPDDR4X（低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率4X）移動DRAM。 該產(chǎn)品主要針對高階智能手機(jī)內(nèi)存市場應(yīng)用，包括Galaxy Fold
2019-03-15 14:55:39
5834 9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151919 三星電子宣布，將從本月開始在全球率先量產(chǎn)30納米級4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內(nèi)存模塊
2011-06-01 08:55:552760 三星最近打破了目前市場上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。
2012-09-21 10:14:521228 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 1、三星宣布512GB eUFS3.1閃存已大規(guī)模生產(chǎn)，寫入速度提升3倍 據(jù)ZDnet報(bào)道，三星電子宣布，已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)面向智能手機(jī)的512GB嵌入式通用閃存（eUFS） 3.1。這款新的閃存
2020-03-18 11:33:375189 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:543513 SK海力士宣布開始量產(chǎn)業(yè)界最高容量的18GB LPDDR5 移動端DRAM產(chǎn)品。此次實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的產(chǎn)品將搭載于最高配置的旗艦智能手機(jī)，為高分辨率游戲與視頻處理需求提供最佳的性能體驗(yàn)。公司預(yù)測此產(chǎn)品
2021-03-08 15:03:173190 6月16日，三星電子宣布，6月開始量產(chǎn)其最新的智能手機(jī)內(nèi)存解決方案，即基于LPDDR5和UFS的多芯片封裝uMCP。三星的uMCP集成了最快的LPDDR5?DRAM 和最新的UFS3.1?NAND
2021-06-17 07:08:004659 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）日前，鎧俠宣布，其采用第八代BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)的2Tb四級單元 (QLC) 存儲器已開始送樣。這款2Tb QLC存儲器擁有業(yè)界最大容量，將存儲器容量
2024-07-17 00:17:004491 
我們將會介紹SSD市場的一些最新發(fā)展，如日益普及的3D NAND和存儲器單元的堆疊技術(shù)。3D NAND緊跟三星之后，慢慢地肯定有更多的制造商使用3D NAND閃存。 利用這種技術(shù)，使存儲單元被垂直堆疊
2017-11-17 14:30:57
，既有超強(qiáng)的性能，同時兼顧了低功耗的設(shè)計(jì)，外加強(qiáng)大的3D性能及視頻處理能力，將成為三星高端市場的主力處理器。S5P6818 核心板尺寸為標(biāo)配了1GB DDR3內(nèi)存、8GB EMMC存儲并配備有三星電源
2017-06-29 09:30:45
Storage（OCS）”,容量也比原來格子狀排列時增大1.57倍。OSC是三星已在此前工藝中導(dǎo)入的技術(shù)。Air Spacer技術(shù)是最近經(jīng)常采用的通過在電極及布線周圍設(shè)置空隙來減小寄生電容的技術(shù)。三星表示通過該技術(shù)，與原來布線絕緣采用Si3N4時相比，可使Cb減小34％。
2015-12-14 13:45:01
三星NC20-KA01 參考售價：4100元 三星NC20-KA01使用的是NC10的模板，所以在外觀上沒有什么變化。整機(jī)采用白色設(shè)計(jì)。12.1英寸的LED屏幕最大分辨率為1280*800，在屏幕
2009-07-02 09:09:38
的存儲卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲卡產(chǎn)品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲卡起售價$199.99，對于一張存儲卡而言，這個定價可以算得
2015-12-16 11:31:26
數(shù)據(jù)存儲架構(gòu)發(fā)生變化，一個表現(xiàn)在QLC的大容量，另一個是3D Xpoint技術(shù)的高性能、低延遲。目前IBM云服務(wù)、騰訊數(shù)據(jù)中心分別采用傲騰和QLC技術(shù)，百度云人工智能更是結(jié)合了QLC和傲騰的優(yōu)勢，達(dá)到
2018-09-20 17:57:05
。GALAXY TabPro S平板電腦搭載Windows 10操作系統(tǒng)，采用主頻為2.2GHz的Core M處理器、4GHz內(nèi)存，配備128GB或256GB固態(tài)硬盤。12寸AMOLED顯示屏分辨率為
2016-01-06 18:28:14
隨機(jī)存儲器，DynamicRandomAccessMemory)VLSI芯片，并因此成為世界半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前，三星只是為本國市場生產(chǎn)半導(dǎo)體。 在八十年代中期，三星開始進(jìn)入系統(tǒng)開發(fā)業(yè)務(wù)領(lǐng)域，在
2019-04-24 17:17:53
IKD300SM/16GB/32GB閃存硬盤IKD300SM/64GB/128GB全球閃存產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)品牌(金士頓)Kingston今天將推出全新DataTraveler HyperX Predator
2022-02-10 12:13:59
LS1012AXN7EKB是否支持128GB容量的SD卡（SDXC）？
2023-03-22 07:06:21
RK3399核心板采用Cortex-A72+Cortex-A53六核64-bit 2.0GHz處理器，超高性能，最高配置4GB/128GB，提供全功能評估板選購，可以二次開發(fā)/擴(kuò)展，快速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品研發(fā)
2019-09-16 02:37:59
至128K字節(jié)之間的STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器。大容量產(chǎn)品是指閃存存儲器容量在256K至512K字節(jié)之間的STM32F101xx和ST
2021-08-05 07:48:19
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品，包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
代Intel?Core?i7-8850H8代Intel?Xeon?E-2176M8代Intel?Xeon?E-2186MONLY支持64GB RAM。我知道三星為筆記本電腦提供32GB ram單調(diào)，有
2018-10-26 14:58:40
跡可循。 在2002年開啟MRAM研發(fā)工作后，三星在2005年又率先開始了STT-MRAM的研發(fā)，該技術(shù)后來被證明可以滿足高性能計(jì)算領(lǐng)域?qū)ψ詈笠患壘彺娴?b class="flag-6" style="color: red">性能要求，被認(rèn)為是MRAM突破利基市場的利器
2023-03-21 15:03:00
?！ ?、硬盤存儲器 信息可以長期保存，可以讀寫，容量大，但是不方便攜帶?！ ?b class="flag-6" style="color: red">3、移動存儲器 主要包括閃存盤（優(yōu)盤）、移動硬盤、固態(tài)硬盤（SSD）?！ ?、閃存盤（優(yōu)盤） 采用Flash存儲器（閃存
2019-06-05 23:54:02
參考資料：小容量產(chǎn)品是指閃存存儲器容量在16K至32K字節(jié)之間的STM32F101xx、 STM32F102xx和STM32F103xx微控制器。中容量產(chǎn)品是指閃存存儲器容量在64K至128K字節(jié)
2021-07-22 07:17:59
我想將我的M2從128GB升級到500（三星860 EVO，我需要做些什么來完成這個？以上來自于谷歌翻譯以下為原文I want to upgrade my M2 from 128GB to 500
2018-10-29 14:25:44
2018年上半進(jìn)入96層的技術(shù)規(guī)格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00
年首款DDR4從韓國三星誕生，隨后海力士迅速跟進(jìn)研制生產(chǎn)；2012年5月8日，美光官方正式宣布該公司首款DDR4內(nèi)存開發(fā)生產(chǎn)出成品，并已經(jīng)開始提供樣品給主要客戶進(jìn)行測試，預(yù)計(jì)2013年開始量產(chǎn)
2012-12-30 18:45:31
筆者有個筆記本使用的三星Samsung BGND3R 32GB eMMC字庫，想升級一下，請問可以更換那些字庫？可以更換128GB的哪些型號？N3150 Braswell平臺
2020-06-09 06:36:04
*69*7(mm)2.5英寸，100*69.85*6.8(mm)控制器 SMI控制器500GB/250/120GB:三星MGX控制器質(zhì)保3年5年支持的系統(tǒng)Windows XP,Windows 7
2016-05-09 15:08:10
TCL AT29128三星存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:24:36
43 ZQ9712HV高性能的3bit串轉(zhuǎn)并驅(qū)動芯片
ZQ9712HV 芯片是專門為LED 驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計(jì)的芯片。采用了12V 電源電壓供電，
2010-04-20 09:18:3926 MTFC32GAKAEEF-AIT 產(chǎn)品概述 MTFC32GAKAEEF-AIT是Micron推出的一款高性能NAND閃存存儲器，具有32GB的存儲容量。該器件設(shè)計(jì)用于滿足各種嵌入式
2024-10-15 23:15:35
三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程N(yùn)AND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:041005 SanDisk NAND閃存部門今天宣布公司將開始生產(chǎn)128Gb，也就是16GB容量的閃存芯片，該芯片將采用19納米制程，每單元三層結(jié)構(gòu)，尺寸為0.26平方英寸，比一個一便士硬幣還要小，而傳輸速率可
2012-02-23 10:44:061200 
文中研究并實(shí)現(xiàn)了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態(tài)存儲系統(tǒng),成果為實(shí)際研制應(yīng)用于星的基于閃存的大容量存儲器奠定了基礎(chǔ),具體較好的指導(dǎo)和借鑒意義。
2012-03-23 11:15:536 云端的存儲解決方案并不是適用于所有的移動平臺用戶。最近，三星打破了目前市場上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。
2012-09-21 10:11:251273 目前，移動手持設(shè)備市場的存儲配置多種多樣，從4GB到64GB版本，一應(yīng)俱全。但絕大多數(shù)智能手機(jī)都標(biāo)配16GB存儲。在這種情況下，三星或推出尺寸更小、更薄，但性能卻更加強(qiáng)勁的64
2012-11-30 17:36:281427 自從Galaxy Note 7出現(xiàn)爆炸門后，整個三星品牌的銷量都受到不小影響。近日，為了挽回爆炸事件對三星造成的負(fù)面影響，三星開始向法國Note 7用戶發(fā)送免費(fèi)的128GB SD卡，此外還將向用戶贈送一定名額免費(fèi)游覽三星VR游樂園的機(jī)會。
2016-11-25 11:37:12851 目前，三星官方天貓旗艦店已經(jīng)出現(xiàn)了Galaxy S7 edge新配色的信息，而它是冠以“耀巖黑”的稱號，機(jī)身存儲容量達(dá)到了128GB，售價是6288元
2016-12-09 11:53:581272 三星512GB UFS閃存開始量產(chǎn)，它具有860MB/s讀取速度和255MB/s寫入速度，它的存在必將滅亡手機(jī)存儲卡。
2017-12-05 14:21:281953 三星表示，這款512GB的閃存芯片專門面向移動設(shè)備開發(fā)，其中整合了八個多層存儲數(shù)據(jù)的V-NAND芯片。和過去三星256GB的芯片相比，雖然容量翻一倍，但是使用的空間卻相同。這給手機(jī)設(shè)計(jì)帶來了福音。
2017-12-06 11:03:441513 三星手機(jī)存儲器最新資料下載
2018-01-19 09:44:541 三月份首次公開展示之后，三星電子今天宣布，已經(jīng)全球第一個開始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條，主要面向企業(yè)和云服務(wù)應(yīng)用。
2018-06-13 15:09:004819 三星今天正式宣布開始生產(chǎn)16Gb GDDR6顯存，全新的GDDR6顯存將用在高端游戲設(shè)備和顯卡以及汽車，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備以及人工智能系統(tǒng)等地方。三星存儲業(yè)務(wù)高級副總裁Jinman Han表示三星將為行業(yè)提供
2018-01-23 11:23:486685 TLC是一種閃存顆粒的存儲單元，它的英文是TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell。在TLC發(fā)明之前，固態(tài)硬盤大部分采用SLC和MLC，即Single-Level
2018-06-28 09:19:0046224 三星電子 30 日宣布，已開始正式量產(chǎn)全球首款 32GB 容量、適用于小型雙列直插式存儲器模組（SoDIMM）規(guī)格的電競筆電 DDR4 存儲器。而新的 SoDIMM 存儲器模組是以 10 納米制程技術(shù)打造，可以用戶享受豐富的電競游戲之外，并具有更大的容量與更快的速度，而且傭有更低的耗能表現(xiàn)。
2018-06-11 11:49:001095 目前，全球存儲器芯片技術(shù)主要掌握在韓、日、美等國企業(yè)手中，屬于相對壟斷市場。去年6月，三星宣布64層NAND閃存開始大規(guī)模量產(chǎn)。這些技術(shù)和產(chǎn)品，將推動以TB為單位的固態(tài)盤以及128GB以上的手機(jī)閃存迅速普及。
2018-04-17 10:51:003599 
日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲器，核心容量可達(dá) 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過因 QLC 快閃存儲器
2018-07-26 18:01:002759 三星 17 日宣布，量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲器顆粒，速率可達(dá) 6，400Mbps，比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲器快了 50%，同時功耗降低 30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動設(shè)備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 存儲器大廠美光 26 日宣布，正式量產(chǎn) GDDR6 存儲器。其核心容量 8Gb，速率 12、14Gbps。美光表示，其速度最高可達(dá) 20Gbps，而且未來還會推出容量翻倍的 16Gb GDDR6 存儲器，傳輸速率達(dá) 16Gbps
2018-06-27 09:54:584715 
三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲器顆粒，速率可達(dá)6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲器快了50%，同時功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲器的測試。
2018-07-20 10:39:445216 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 很顯然從今年開始，廠商們都開始將目光轉(zhuǎn)向了QLC閃存，之前Intel就已經(jīng)推出了首款搭載QLC閃存的SSD，而現(xiàn)在三星也正式宣布量產(chǎn)首款搭載QLC閃存的SSD，這些SSD從1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三種規(guī)格。
2018-08-07 17:00:031358 4月25日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能，同時還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262837 的首批UFS 3.0存儲芯片將會有128GB/256GB/512GB三種規(guī)格，最大數(shù)據(jù)傳輸速率為2GB/s，而1T芯片投入商用還需要等到2020年。
2018-10-26 10:34:526105 趨勢看，128GB、256GB、512GB容量的機(jī)型也層出不窮，閃存容量高達(dá)1TB的機(jī)型也出現(xiàn)過，因此存儲卡的作用與需求將越來越小，從三星的512GB的存儲卡目前只上架不發(fā)售的情況看，似乎有炫技的意圖在里面。
2018-11-02 14:42:434062 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 配置方面，vivo Y93s搭載八核高性能處理器、4GB運(yùn)存，能夠滿足日常使用的需求。與此同時，vivo Y93s標(biāo)配128GB閃存，三卡槽設(shè)計(jì)最高支持256GB閃存拓展，即使再多的照片音樂游戲都能輕易安放。
2018-12-11 16:51:489812 近日，華碩官方宣布，通過UEFI BIOS更新，旗下Z390系列主板可支持128GB內(nèi)存。接下來，華碩將通過BIOS更新，陸續(xù)為旗下全線Z390系列主板提供最大128GB的內(nèi)存容量支持。
2019-01-11 17:05:433798 天字一號閃存企業(yè)三星電子今天（1月30日）宣布開始量產(chǎn)單芯片1TB容量的UFS存儲產(chǎn)品，主力用于智能手機(jī)。
2019-02-11 11:33:414435 
三星電子14日表示，將批量生產(chǎn)史上最大容量的移動式DRAM“12GB LPDDR4X”（Low Power Double Data Rate 4X）。
2019-03-18 16:52:13950 對于溫?cái)?shù)據(jù)層的存儲介質(zhì)，英特爾更看好采用QLC顆粒的新款SSD。相比TLC閃存顆粒，QLC顆粒一個單元可以存儲4bit數(shù)據(jù)，TLC顆粒只能存儲3bit，因此在使用相同數(shù)量晶圓的情況下，QLC SSD的存儲容量比TLC SSD提高了33%，性價比更高。
2019-07-01 16:27:191052 三星最新宣布，已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲芯片，三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-07-02 11:46:151133 5G超級SIM卡有SIM卡有完整通訊功能的同時，它也是一張超大容量的存儲卡。目前有32GB、64GB和128GB三個版本，未來還將推出512GB和1TB版本。
2019-08-26 16:50:124167 紫光旗下的長江存儲邁出了國產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長江存儲研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:452263 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。
2019-09-27 17:23:291500 三星宣布，已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲芯片，三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-10-18 14:30:401575 根據(jù)韓國媒體報(bào)導(dǎo)，在當(dāng)前存儲器價格已經(jīng)觸底反彈，整體市場庫水水位也進(jìn)一步降低的情況之下，三星決定開始恢復(fù)針對存儲器產(chǎn)業(yè)的投資。而根據(jù)知情人士的消息指出，三星最近為韓國P2晶圓廠訂購了DRAM設(shè)備，也
2019-10-30 15:15:303224 據(jù)韓國業(yè)界 27 日消息，三星電子重啟存儲器投資項(xiàng)目。據(jù)了解，目前新建的平澤存儲器第二工廠和中國西安第二工廠已經(jīng)開始進(jìn)入半導(dǎo)體設(shè)備訂購階段。
2019-11-19 10:37:46998 10月24日，三星電子宣布，在業(yè)內(nèi)率先開始量產(chǎn)12GB容量、基于UFS的LPDDR4X多芯片內(nèi)存。
2019-11-27 17:20:061305 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 在CES展會上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 08:41:5212167 三星電子今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)第一個16GB 的 LPDDR5移動 DRAM 封裝，基于三星第二代10nm級工藝技術(shù)，可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手機(jī)。繼2019年7
2020-02-25 13:48:202465 三星今日宣布，已開始量產(chǎn)單封片16GB容量的LPDDR5內(nèi)存，追上高端筆記本、游戲PC的水準(zhǔn)。
2020-02-25 13:53:423606 
近日三星宣布開始量產(chǎn)單封片16GB容量LPDDR5內(nèi)存，而16GB LPDDR5的內(nèi)存速率可以達(dá)5500Mps，是LPDDR4X-4266的1.3倍，功耗也降低了不少。
2020-02-26 16:52:293372 從時間表來看，在三星Galaxy S20系列發(fā)布的同時，Note 20系列也應(yīng)該結(jié)束了研發(fā)工作，開始測試和量產(chǎn)準(zhǔn)備。
2020-03-05 11:13:262206 今日，三星電子宣布已開始量產(chǎn)512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存，可用于手機(jī)、平板等。
2020-03-17 11:45:262694 3月18日，據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星電子已經(jīng)開始批量生產(chǎn)一種512GB的eUSF 3.1高速智能手機(jī)存儲器，該存儲器能夠在4秒內(nèi)存儲5GB內(nèi)容，相當(dāng)于一部藍(lán)光電影。
2020-03-20 10:51:281830 盡管新冠疫情仍存在影響，三星 （Samsung） 已按計(jì)劃啟動了其位于中國西安的新閃存工廠，開始量產(chǎn)閃存晶圓。
2020-03-25 11:43:563552 2020年4月13日，中國武漢，長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款
2020-04-13 09:29:416830 的3DNAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量①。此次同時發(fā)布的還有128層512GbTLC（3bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020-04-13 14:25:114118 上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù)，QLC類型容量做到了1.33Tb容量，創(chuàng)造了三個世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn)，三星等公司也沒閑著，三星正在開發(fā)160堆棧的3D閃存。
2020-04-20 09:29:47834 長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功。同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），用以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421991 加而成，第一批為TLC顆粒，單個Die的容量為512Gb（64GB），當(dāng)然后期很可能會加入QLC。 更重要的是，美光不只是宣布了新技術(shù)，而且176層閃存已經(jīng)量產(chǎn)并出貨了，已經(jīng)用于一些Crucial英睿達(dá)品牌的消費(fèi)級SSD，明年還會發(fā)布更多新產(chǎn)品。 在176層閃存技術(shù)上，美光
2020-11-14 10:01:202368 1 月 19 日消息 根據(jù)外媒 WinFuture 的消息，三星即將發(fā)布新款的 870 EVO SSD ，采用了 TLC 顆粒，SATA 3 接口，最高 4TB 容量。 IT之家了解到，三星 870
2021-01-19 17:52:314572 日前，三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已經(jīng)開始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱，其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國華城工廠開始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:272953 和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361624 三星電子計(jì)劃從今年第四季度開始生產(chǎn)128gb和256gb產(chǎn)品，并生產(chǎn)512gb產(chǎn)品。256gb產(chǎn)品的連續(xù)讀取速度為2000兆/秒，連續(xù)寫入速度為700兆/秒。
2023-07-14 11:33:521477 三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器（HBM）。
2024-03-08 10:10:511277 三星電子于6日正式宣布，其已成功實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動態(tài)隨機(jī)存儲器（LPDDR5X DRAM）的量產(chǎn)，這款存儲器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領(lǐng)行業(yè)，同時提供12GB及16GB的存儲容量選項(xiàng)。
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