動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-12-24 09:21
AI芯片發(fā)展關(guān)鍵痛點(diǎn)就是：CoWoS封裝散熱
摘要：由于半導(dǎo)體行業(yè)體系龐大，理論知識(shí)繁雜，我們將通過(guò)多個(gè)期次和專(zhuān)題進(jìn)行全面整理講解。本專(zhuān)題主要從AI芯片發(fā)展關(guān)鍵痛點(diǎn)就是：CoWoS封裝散熱進(jìn)行講解，讓大家更準(zhǔn)確和全面的認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體地整個(gè)行業(yè)體系。我們分為半導(dǎo)體知識(shí)、半導(dǎo)體“芯”聞幾個(gè)模塊，歡迎各位大佬交流學(xué)習(xí)。英偉達(dá)算力芯片功率持續(xù)上升，對(duì)散熱提出更高要求根據(jù)Nvidia、KAIST、tomshardwa -
發(fā)布了文章 2025-12-19 08:00
SiC功率半導(dǎo)體可靠性全面解析：失效的本質(zhì)、缺陷控制手段、失效率測(cè)試兩種方法
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)EE」知識(shí)星球-關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體可靠性全面解析-「SysPro電力電子」知識(shí)星球節(jié)選-文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：英飛凌，網(wǎng)絡(luò)-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語(yǔ)：隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，因其更高的效率和更好的熱性能，正逐漸成為功率器件領(lǐng)域的明星。然而，與416瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-12-11 07:20
800V快充電機(jī)絕緣散熱材料新方案 | 二維氮化硼PI散熱膜
摘要隨著電動(dòng)汽車(chē)向800V高壓平臺(tái)的快速發(fā)展，電機(jī)功率密度顯著提升至60千瓦/升，比傳統(tǒng)400V系統(tǒng)高出35%。然而，這一技術(shù)進(jìn)步給電機(jī)絕緣膜帶來(lái)了前所未有的散熱挑戰(zhàn)。本文系統(tǒng)分析了800V快充電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)絕緣膜面臨的多重散熱難題，包括絕緣材料的導(dǎo)熱與絕緣性能天然矛盾、扁線Hairpin工藝的熱傳導(dǎo)瓶頸、冷卻系統(tǒng)適配性不足、絕緣厚度與槽滿率的權(quán)衡制約以及熱循 -
發(fā)布了文章 2025-12-08 07:20
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發(fā)布了文章 2025-12-06 12:21
從 PMSM 到軸向磁通：PMSM、感應(yīng)電機(jī)、SRM、BLDC、軸向磁通怎么選？
-關(guān)于5類(lèi)驅(qū)動(dòng)電機(jī)設(shè)計(jì)選型白皮書(shū)-文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)-本篇為知識(shí)星球節(jié)選，完整版報(bào)告與解讀在知識(shí)星球發(fā)布-1600+最新電動(dòng)汽車(chē)前瞻技術(shù)報(bào)告與解析已上傳知識(shí)星球，歡迎學(xué)習(xí)交流導(dǎo)語(yǔ)：為何部分新能源汽車(chē)能實(shí)現(xiàn)“彈射起步”與超長(zhǎng)續(xù)航，而部分車(chē)型卻動(dòng)力孱弱、續(xù)航焦慮？答案隱藏在驅(qū)動(dòng)電機(jī)的技術(shù)基因中。作為新能源汽車(chē)的“動(dòng)力心臟”，驅(qū)動(dòng)電機(jī)的類(lèi)型、設(shè)計(jì)與材料選擇直4.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-12-02 09:01
比亞迪30000轉(zhuǎn)電機(jī)12個(gè)核心秘密
關(guān)于最新比亞迪超級(jí)e平臺(tái)的技術(shù)方案深度揭秘504瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-12-01 07:22
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發(fā)布了文章 2025-11-26 06:32
800V 快充電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)用絕緣膜材料要求 | 二維氮化硼熱管理材料
1.800V快充電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)絕緣膜材技術(shù)要求1.1電氣性能要求800V快充電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)絕緣膜材的電氣性能要求遠(yuǎn)超傳統(tǒng)400V系統(tǒng)，主要體現(xiàn)在耐壓強(qiáng)度、局部放電起始電壓（PDIV）、介電性能等關(guān)鍵指標(biāo)的大幅提升。耐壓強(qiáng)度要求方面，800V平臺(tái)要求骨架主絕緣耐壓從傳統(tǒng)400V系統(tǒng)的≥3kVAC提升至≥6kVAC（IEC60664-1標(biāo)準(zhǔn)），部分關(guān)鍵區(qū)域（如電池包1.4k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-21 12:21
IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣材料
文章大綱IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU”·IGBT是功率器件中的“結(jié)晶”·IGBT技術(shù)不斷迭代，產(chǎn)品推陳出新IGBT搭乘新能源快車(chē)打開(kāi)增長(zhǎng)空間天花板·新能源汽車(chē)市場(chǎng)成為IGBT增長(zhǎng)最充足動(dòng)力·新能源發(fā)電前景廣闊驅(qū)動(dòng)IGBT增長(zhǎng)·工業(yè)控制平穩(wěn)發(fā)展支撐IGBT行業(yè)需求國(guó)產(chǎn)IGBT崛起有望重塑海外寡頭壟斷格局·行業(yè)壁壘成為IGBT集中度高的內(nèi)在因素·海外龍頭主導(dǎo) -
發(fā)布了文章 2025-11-19 07:30
