前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:50
2390 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應(yīng)管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:322459 的公司，在第三代半導(dǎo)體氮化鎵的技術(shù)和產(chǎn)品推進上，又有了新的動作。 安世每年交付900多億件、15000種產(chǎn)品，聞泰進一步收購并計劃擴產(chǎn) 2019年安世半導(dǎo)體的年銷售額達到14.3億美元，公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、
2020-06-17 17:17:309805 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。
2021-04-27 09:35:371842 業(yè)內(nèi)唯一可同時提供級聯(lián)型（cascade）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應(yīng)商 奈梅亨 ， 2023 年 5 月 10 日 ： 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出
2023-05-10 09:24:511055 
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料，是被國際普遍關(guān)注并認(rèn)可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠(yuǎn)高于后兩者，其禁帶寬度達到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
被譽為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的選擇?！ ∩罡h(huán)保 為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無法實現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
應(yīng)對能力以及供應(yīng)鏈的靈活性和固有可靠性。作為新一代無線基礎(chǔ)設(shè)施獨一無二的出色半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵有望以LDMOS成本結(jié)構(gòu)實現(xiàn)優(yōu)異的氮化鎵性能，并且具備支持大規(guī)模需求的商業(yè)制造擴展能力。 MACOM
2018-08-17 09:49:42
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
MACOM科技解決方案控股有限公司(納斯達克證交所代碼: MTSI) (簡稱“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化鎵GaN 合作開發(fā)協(xié)議。據(jù)此協(xié)議，意法半導(dǎo)體為MACOM制造硅上氮化鎵射頻晶片。除擴大
2018-02-12 15:11:38
的優(yōu)勢，近年來在功率器件市場大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術(shù)的深入研究，我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路，甚至可以說是顛覆性的半導(dǎo)體技術(shù)。這就
2017-07-18 16:38:20
21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布，日本知名網(wǎng)絡(luò)/IPTV服務(wù)商NTT Plala株式會社于4月17日推出的新一代先進機頂盒采用了意法半導(dǎo)體Orly 系統(tǒng)級
2013-09-22 11:35:00
21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布，日本知名網(wǎng)絡(luò)/IPTV服務(wù)商NTT Plala株式會社于4月17日推出的新一代先進機頂盒采用了意法半導(dǎo)體Orly 系統(tǒng)級
2013-11-08 10:36:06
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
Canaccord Genuity預(yù)計，到2025年，電動汽車解決方案中每臺汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個能將最小能量的數(shù)字信號，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
）以外新一代的半導(dǎo)體材料，也就成了一個重要方向。在這個過程中，近年來作為一個高頻詞匯，進入了人們的視野。[color=rgb(51, 51, 51) !important]GaN和SiC同屬于第三代高大禁
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時候是應(yīng)用層面的問題，和芯片沒有關(guān)系。這種情況對新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
德州儀器（TI）推出新一代KeyStone II架構(gòu)
2021-05-19 06:23:29
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請聯(lián)系站內(nèi)信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
Systems的同仁們。GaN Systems的產(chǎn)品以650V和100V表貼氮化鎵單管為主，根據(jù)筆者以前收集的資料，公司的氮化鎵產(chǎn)品主要通過臺積電Fab2代工。GaN Systems的產(chǎn)品以650V
2023-03-03 16:48:40
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
三菱電機推出新一代功率半導(dǎo)體模塊
三菱電機株式會社推出新一代功率半導(dǎo)體模塊：第6代NX系列IGBT模塊。第6代NX系列IGBT模塊用于驅(qū)動一般工業(yè)變頻
2010-03-24 18:01:351527 以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表第三代半導(dǎo)體材料越來越受到市場重視，半導(dǎo)體企業(yè)正在競相加速布局。日前，意法半導(dǎo)體宣布已簽署收購法國氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權(quán)的并購協(xié)議。
2020-03-10 11:22:193244 基于MasterGaN?平臺的創(chuàng)新優(yōu)勢，意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品，是一個適用于軟開關(guān)有源鉗位反激拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">GaN集成化解決方案。 2021
2021-01-20 11:20:443769 氮化鎵（GaN）是下一代半導(dǎo)體技術(shù)，它的器件開關(guān)速度比傳統(tǒng)硅器件快20倍。
2021-09-08 12:22:201780 關(guān)鍵半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布推出 650 V、10 A SiC 肖特基二極管，進軍大功率碳化硅 （SiC） 二極管市場。這是 Nexperia 的一項戰(zhàn)略舉措，Nexperia 已經(jīng)是值得信賴的高效功率氮化鎵 （GaN） FET 供應(yīng)商，旨在擴展其高壓寬帶隙半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。
2022-03-28 14:30:093138 氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場效應(yīng)管（GaN Power［FET］）、驅(qū)動、控制和保護模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132201 TP650H070L系列650V，72m? 氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件。它們結(jié)合了最先進的技術(shù)高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術(shù)。
2022-03-31 15:03:35
10 元宇宙到底有多火爆？小編看得Nexperia (安世半導(dǎo)體) 把招聘會都做成了“元宇宙 ”； 安世發(fā)出了邀約， 8月18日晚八點，安世在"元宇宙"與你不見不散！ Nexperia
2022-08-17 14:55:41890 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進電子器件的供應(yīng)商 KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH
2022-11-20 22:11:47832 Nexperia（安世半導(dǎo)體）持續(xù)加大投資，擴大產(chǎn)能，以滿足市場對于 CFP 封裝產(chǎn)品不斷增長的需求。為滿足高電壓功率應(yīng)用的廣大需求，Nexperia（安世半導(dǎo)體）計劃進一步擴大 650 V 表面貼裝的快恢復(fù)整流管（高達30 A）
2022-11-22 14:57:251359 氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計、制造、封測以及芯片等主要應(yīng)用場景。
2023-02-07 09:36:562409 
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關(guān)速度，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:060 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 魚得水，從2018年開始，業(yè)界對氮化鎵關(guān)注度不斷升溫，甚至將7月31日定為世界氮化鎵日。 接下來，就讓我們一起來探究氮化鎵材質(zhì)的特性如何？氮化鎵市場的發(fā)展方向？以及氮化鎵的封裝技術(shù)需求？ △圖1：第三代半導(dǎo)體發(fā)展及特性對比。 氮化鎵
2023-02-17 18:13:204100 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:496 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 Nexperia（安世半導(dǎo)體）的高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管，共將分為（上）（下）兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等
內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia（安世半導(dǎo)體）氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝
2023-02-22 15:40:430 領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）（納斯達克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實時、智能的傳感和保護電路，
進一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時增加了
2023-02-22 13:48:053 氮化鎵 (GaN) 是一種半導(dǎo)體材料，因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。
2023-03-03 10:14:391394 由世紀(jì)電源主辦的第十三屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在已于2月25日在深圳成功落下帷幕。在論壇同期舉辦的 2022 電源行業(yè)配套品牌頒獎晚會評選中，Nexperia（安世半導(dǎo)體）憑借高效率、高可靠性 GaN（氮化鎵）器件在市場的不俗表現(xiàn)與強大的國際競爭力，突出重圍，成功斬獲「國際功率器件行業(yè)卓越獎」大獎。
2023-03-06 10:00:261518 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650 V
2023-04-20 15:55:362348 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
2023-05-24 15:19:341314 
氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
2023-06-02 16:41:13893 
【中國上海 – 2023 年8 月3 日】 氮化鎵功率半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結(jié)盟，共同致力于加速并擴大氮化鎵功率半導(dǎo)體于電動車應(yīng)用的發(fā)展。安世博
2023-08-03 09:52:19726 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應(yīng)用的 E-mode（增強型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:541513 氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料
?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:401519 
氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽半導(dǎo)體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:123281 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進電子器件的供應(yīng)商 KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH
2023-11-28 08:31:54659 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:171650 2023年12月15日，中國-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡化電源設(shè)計，實現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計目標(biāo)。
2023-12-15 16:44:111621 近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）憑借其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領(lǐng)域的杰出表現(xiàn)，榮獲兩項權(quán)威大獎：“SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”和“中國GaN功率器件十強”。這一榮譽充分展示了安世半導(dǎo)體作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)者的強大實力，以及其在三代半領(lǐng)域的深厚積累。
2024-01-03 15:46:131818 氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324486 全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出全新的專用于監(jiān)測和保護 1.8 V 電子系統(tǒng)的 4 通道和 8 通道模擬開關(guān)系列產(chǎn)品。該系列多路復(fù)用器包含適用于汽車
2024-03-06 10:25:581191 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDson 值可供選擇。
2024-05-22 10:38:312066 在半導(dǎo)體技術(shù)的浪潮中，韓國8英寸晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體（SK keyfoundry）近日宣布了一項重大技術(shù)突破——已確保新一代功率半導(dǎo)體GaN（氮化鎵）的關(guān)鍵器件特性。這一里程碑式的進展不僅彰顯了公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實力，也預(yù)示著GaN技術(shù)的廣闊應(yīng)用前景。
2024-06-25 10:38:551076 半導(dǎo)體制造商Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，計劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施
2024-06-28 09:30:591876 在全球電氣化和數(shù)字化浪潮不斷加速的今天，半導(dǎo)體技術(shù)作為其核心驅(qū)動力，正迎來前所未有的發(fā)展機遇。近日，全球知名半導(dǎo)體制造商Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布，將斥資2億美元（約合1.84億歐元）用于
2024-06-28 16:56:381688 本文要點氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術(shù)可實現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988 
在半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新浪潮中，Nexperia再次站在了行業(yè)的前沿，隆重推出了兩款專為高壓環(huán)境精心設(shè)計的650V超快速恢復(fù)整流二極管。這兩款產(chǎn)品不僅代表了Nexperia在高壓半導(dǎo)體元件領(lǐng)域的深厚積累，也預(yù)示著工業(yè)及消費領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀咝?、更可靠的電力轉(zhuǎn)換解決方案。
2024-07-12 15:20:431381 Navitas半導(dǎo)體公司日前宣布擴展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET，新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對高功率
2024-08-05 11:25:201265 
第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛
2024-11-27 16:06:503150 
英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管，該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視
2024-11-28 01:00:46839 
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新，隨著氮化鎵技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，其市場規(guī)模正
2024-12-06 01:02:431399 的 650V 氮化鎵 HEMT工藝推出了 EcoGaN 系列新產(chǎn)品。 ? 羅姆、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系 ? 羅姆、臺積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術(shù)與臺積電業(yè)界先進的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術(shù)優(yōu)勢結(jié)合起來，滿足市場對高耐壓和高頻特性優(yōu)
2024-12-12 18:43:321573 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
安世半導(dǎo)體近日宣布，旗下先進的氮化鎵(GaN)器件成功應(yīng)用于浩思動力(Horse Powertrain)首款超級集成動力系統(tǒng)—Gemini小型增程器的發(fā)電系統(tǒng)中，并且憑借高功率性能和高頻開關(guān)特性
2025-04-29 10:48:473343 
近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等
2025-05-09 11:45:401019 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論