Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢撸S著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強(qiáng)代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng)，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場(chǎng)合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢(shì)。

　　SiC與Si性能對(duì)比

　　簡(jiǎn)單來說，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)為：擊穿電壓強(qiáng)度高（10倍于Si），更寬的能帶隙（3倍于Si），熱導(dǎo)率高（3倍于Si），這些特性使得SiC器件更適合應(yīng)用在高功率密度、高開關(guān)頻率的場(chǎng)合。

　　SiC MOSFET性能明顯優(yōu)于Si MOSFET

　　1.極其低的導(dǎo)通電阻RDS（ON），導(dǎo)致了極其優(yōu)越的正向壓降和導(dǎo)通損耗，更能適應(yīng)高溫環(huán)境下工作。

　　2.SiC MOSFET管具有Si MOSFET管的輸入特性，即相當(dāng)?shù)偷臇艠O電荷，導(dǎo)致性能卓越的切換速率。

　　3. 寬禁帶寬度材料，具有相當(dāng)?shù)偷穆╇娏?，更能適應(yīng)高電壓的環(huán)境應(yīng)用。

　　SiC MOSFET與Si MOSFET在設(shè)備中應(yīng)用對(duì)比

　　世強(qiáng)市場(chǎng)經(jīng)理宮一樵解釋道，現(xiàn)代工業(yè)對(duì)電力電子設(shè)備提出了許多新的要求，要求體積小、功率大、發(fā)熱量小、設(shè)備輕便等。面對(duì)這些新要求，Si MOSFET一籌莫展，而SiC MOSFET 就開始大顯身手了。通過對(duì)SiC MOSFET管與Si MOSFET管相關(guān)電氣參數(shù)進(jìn)行比較，我們可以肯定SiC MOSFET將成為高壓高頻場(chǎng)合中應(yīng)用的主流器件，可謂應(yīng)用SiC MOSFET者得天下。

　　圖1：SiC MOSFET與Si MOSFET在設(shè)備中應(yīng)用的對(duì)比圖

　　低電阻特性，SiC具有低電阻特性，在同等電壓和電流等級(jí)的MOSFET中，SiC MOSFET 的內(nèi)阻要幾倍小于Si MOSFET 的內(nèi)阻，且SiC的模塊體積小型化，有利于增加系統(tǒng)功率密度。

　　高速工作特性，SiC MOSFET相對(duì)于Si MOSFET具有更高頻率的工作特性，使系統(tǒng)中的電容電感器件體積小型化，減小系統(tǒng)整體體積，同時(shí)也降低了生產(chǎn)加工成本。

　　高溫工作特性，SiC MOSFET比Si MOSFET更適合應(yīng)用于高溫工作環(huán)境，原因在于一方面SiC MOSFET 自身損耗小，發(fā)熱量小，自身溫升相對(duì)較小，另一方面，熱導(dǎo)率高3倍于Si MOSFET。

　　圖2：SiC與 Si性價(jià)比對(duì)照?qǐng)D

　　有了以上特性對(duì)比結(jié)果，我們可以清楚的認(rèn)識(shí)到SiC MOSFET 性能全面優(yōu)于Si MOSFET。雖然單個(gè)SiC MOSFET價(jià)格高于Si MOSFET，

　　但是應(yīng)用了SiC MOSFET 的系統(tǒng)設(shè)備整體價(jià)格低于應(yīng)用Si MOSFET的設(shè)備，原因在于SiC MOSFET各項(xiàng)優(yōu)秀性能使得設(shè)備中的電容容值減小、電感降低、散熱片面積和體積減少以及設(shè)備整體體積和成本明顯減小。歡迎撥打世強(qiáng)服務(wù)熱線電話 40088-73266 獲得專業(yè)快捷的服務(wù)！

　　相關(guān)閱讀

　　業(yè)界首款900V SiC MOSFET，導(dǎo)通電阻65 mΩ

　　干貨福利：SiC器件如何更勝Si器件一籌

　　SiC功率模塊關(guān)鍵在價(jià)格，核心在技術(shù)

　　SiC MOSFET半橋模塊用于開關(guān)電源，系統(tǒng)效率能達(dá)到99%

　　相關(guān)產(chǎn)品詳情

　　?碳化?硅MOSF?ET?

　　關(guān)于世強(qiáng)

　　世強(qiáng)先進(jìn)成立于1993年，是包括安華高、瑞薩電子、Silicon Labs、Rogers、Melexis、英飛凌、acam、Alliance、Micrel、Littelfuse、NEMICON、EMC & RF Labs、EPSON、Cpyress、Vincotech、SMI、理光微電子、是德等在內(nèi)的全球知名半導(dǎo)體企業(yè)及測(cè)試測(cè)量儀器公司在大中國(guó)區(qū)的重要分銷商，同時(shí)也是眾多電子制造和研發(fā)企業(yè)的重要供應(yīng)商，產(chǎn)品業(yè)務(wù)除了覆蓋傳統(tǒng)的工業(yè)、通信、消費(fèi)和汽車電子領(lǐng)域，更為新興的物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、智能移動(dòng)終端等市場(chǎng)帶來更多前沿技術(shù)和創(chuàng)新產(chǎn)品。

　　作為技術(shù)驅(qū)動(dòng)型分銷企業(yè) ，世強(qiáng)還擁有成熟的技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)和系統(tǒng)的服務(wù)流程，根據(jù)需求向客戶提供新產(chǎn)品推介、快速樣品、應(yīng)用咨詢、方案及軟件設(shè)計(jì)、開發(fā)環(huán)境、售后及物流等方面的專業(yè)服務(wù)。2014年，世強(qiáng)年銷售額2.32億美金，在全國(guó)設(shè)有17個(gè)分公司和辦事處，擁有員工近500人。