已經(jīng)完成，現(xiàn)在可以為客戶提供樣品。通過在其基于極紫外（EUV）的工藝產(chǎn)品中添加另一個尖端節(jié)點，三星再次證明了其在先進晶圓代工市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。 與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術(shù)將邏輯區(qū)域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，從而使其能夠擁有更多創(chuàng)
2019-04-18 15:48:47
7184 MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼?zhèn)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-07-26 08:30:0010550 
在3年內(nèi)展開MRAM量產(chǎn)，也引起了業(yè)界高度的注目。韓媒指出， STT-MRAM是可望取代傳統(tǒng)DRAM、SRAM的新世代存儲器技術(shù)。與目前的NAND Flash相比，寫入速度快上10萬倍，而讀取速度則是快上接近10倍。
2016-08-01 11:04:321255 臺積電提到對于包含60%邏輯單元、30% SRAM，以及10%模擬I/O的移動SoC而言，其5nm工藝能夠縮減芯片35%-40%的尺寸——這樣的值是更具參考價值的。
2021-01-30 11:47:1233817 
9月13日，晶圓代工廠聯(lián)電宣布，手美商 Avalanche Technology，推出采 22 納米制程生產(chǎn)的自旋轉(zhuǎn)移矩磁性內(nèi)存 (STT-MRAM)，將應(yīng)用于航天等領(lǐng)域。9月12日，外媒報道，美國
2022-09-13 13:38:156508 
在7nm及以下節(jié)點上，臺積電的進展是最快的，今年量產(chǎn)7nm不說，最快明年4月份就要試產(chǎn)5nm EUV工藝了，不過這個節(jié)點的投資花費也是驚人的，臺積電投資250億美元建廠，5nm芯片設(shè)計費用也要比7nm工藝提升50%。
2018-10-08 09:52:334230 研究機構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文，該研究表明，在5nm節(jié)點上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢比非易失性和較小的空間占用更重要。
2019-10-18 06:01:42
產(chǎn)品會取代獨立存儲器目前各廠商已經(jīng)基本掌握了用于實現(xiàn)第一階段應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。在車載MCU中,通常是將設(shè)備工作時使用的sram存儲器和用于存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。如果能夠?qū)⒆孕⑷?b class="flag-6" style="color: red">MRAM集成到
2023-04-07 16:41:05
，這使其能夠在耐久性方面提高多個數(shù)量級，從而提高了性能。Everspin Technologies 是設(shè)計制造離散和嵌入式MRAM和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領(lǐng)導(dǎo)者，其市場和應(yīng)用領(lǐng)域
2020-08-12 17:42:01
和DRAM的潛能。用MTJ存儲單元構(gòu)建的MRAM存儲器可以用作高速緩存。 高速緩存可以用與SRAM幾乎相同的方式來組建。MRAM與SRAM具有相似的電路結(jié)構(gòu)(見圖1)。 它們都由字線來選擇目標(biāo)操作單元,由位線
2020-11-06 14:17:54
STT-MRAM萬能存儲器芯片
2021-01-06 06:31:10
求大神詳細(xì)介紹一下STT-MRAM的存儲技術(shù)
2021-04-20 06:49:29
STT-MRAM技術(shù)的優(yōu)點
2020-12-16 06:17:44
MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼?zhèn)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
Eversipn STT-MRAM的MJT細(xì)胞
2021-02-24 07:28:54
Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢德勒，主要是設(shè)計和制造MRAM、STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者，Everspin所生產(chǎn)的MRAM產(chǎn)品包括40nm，28nm及更高工藝在內(nèi)
2020-08-31 13:59:46
自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機存取存儲器（STT-MRAM）是一種持久性存儲技術(shù)，可利用各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品利用稱為JE-DDR4
2021-01-15 06:08:20
開啟下一波儲存浪潮STT-MRAM（又稱自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩MRAM技術(shù)）具有在單一元件中，結(jié)合數(shù)種常規(guī)存儲器的特性而獲得市場重視。在多年來的發(fā)展中發(fā)現(xiàn)，STT-MRAM具備了SRAM的速度與快閃存儲器的穩(wěn)定性與耐久性。STT-MRAM是透過電子自旋的磁性特性，在芯片中提供非揮發(fā)性儲存的功能。
2019-10-02 07:00:00
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計人員利用MRAM的四倍隨機存取周期時間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
的寬度，也被稱為柵長。柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
年三月進入了風(fēng)險試產(chǎn)階段，據(jù)說試產(chǎn)良率可以達(dá)到40%，而在今年的第二季度，就可以實現(xiàn)大規(guī)模的量產(chǎn)。面對這一商機，全球5nm產(chǎn)業(yè)鏈上的相關(guān)廠商都繃緊了神經(jīng)，要么爭取分一杯羹，要么爭取產(chǎn)能。因此，關(guān)注
2020-03-09 10:13:54
本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產(chǎn)品化和優(yōu)異的性能，是產(chǎn)品其能夠在-35C至110C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)使用。
2020-12-28 06:16:06
臺積電宣布5nm基本完工開始試產(chǎn)：面積縮小45%、性能提升15%.pdf(105.52 KB)
2019-04-24 06:00:42
SRAM存儲單元的寫裕度(WM)。同時,可以優(yōu)化SRAM存儲單元的抗PVT波動能力,并且可以降低SRAM存儲單元的最小操作電壓。 基于SMIC 28nm工藝節(jié)點仿真結(jié)果顯示,新型10T單元結(jié)構(gòu)在電源電壓為
2020-04-01 14:32:04
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能
2021-02-01 06:55:12
作者 MahendraPakala半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進展。
2019-07-16 08:46:10
萌新求助，求一個基于嵌入式STT-MRAM的架構(gòu)方案
2021-10-25 07:33:36
MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠(yuǎn)未
2020-04-15 14:26:57
耐久性。該算法如圖6所示。 圖6.智能寫操作算法，顯示動態(tài)組寫和帶寫驗證的多脈沖寫。 MRAM數(shù)據(jù)可靠性 在基于自旋的STT-MRAM的許多應(yīng)用中，磁場干擾是一個潛在的問題。該解決方案是在封裝上沉積
2020-07-02 16:33:58
在此演示中，Everspin演示了基于STT-MRAM的NVMe存儲加速器提供了卓越的延遲確定性，可為Apache Log4J等應(yīng)用程序啟用低延遲寫入緩沖區(qū)。
2018-11-23 05:55:003872 IMEC進行了設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO），以確定5nm節(jié)點上STT-MRAM單元的要求和規(guī)格，并得出了一個結(jié)論，高性能STT-MRAM位單元的MRAM間距是45nm接觸柵極間距的兩倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33:544807 
Everspin 近日宣布，其已開始試生產(chǎn)最新的 1Gb STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻）非易失性隨機存取器。
2019-06-27 08:59:4310623 眼下，臺積電和三星都在全力沖刺5nm工藝，這將是7nm之后的又一個重要節(jié)點，全面應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù)，提升效果會非常明顯，所以都受到了高度重視。
2019-07-10 16:32:082651 與過去相比，研究人員現(xiàn)在已經(jīng)將EUVL作為存儲器關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的圖形化工藝的一個選項，例如DRAM的柱體結(jié)構(gòu)及STT-MRAM的MTJ。在本文的第二部分，IMEC的研發(fā)工程師Murat Pak提出了幾種STT-MRAM關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的圖形化方案。
2019-09-05 11:45:009114 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532742 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26818 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:563103 ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲技術(shù)，因為它是一種高性能存儲器（可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM），可擴展至10nm以下，并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋轉(zhuǎn)傳遞扭矩。在ST-MRAM器件中，電子的自旋
2020-04-03 16:35:181821 Everspin是專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)MRAM、STT-MRAM等半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，在包括40nm，28nm及更高的技術(shù)節(jié)點在內(nèi)的先進技術(shù)節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ
2020-04-07 17:16:071157 Everspin在磁存儲器設(shè)計，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。擁有超過600多項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)
2020-04-15 17:27:051485 隨著制程邁向5nm甚至3nm，半導(dǎo)體工藝復(fù)雜性劇增導(dǎo)致高密度SRAM在先進技術(shù)節(jié)點處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗，STT-MRAM存儲器已成為替代基于SRAM的最后一級高速緩存存儲器的有希望
2020-05-26 11:13:341738 
MRAM內(nèi)存的Everspin開始向STT-MRAM發(fā)運最高1Gb的芯片容量，這種內(nèi)存密度使這些設(shè)備在許多應(yīng)用中更受關(guān)注。Everspin代理商英尚微電子提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。 主要的嵌入式半導(dǎo)體制造商為工業(yè)和消費應(yīng)用中使用的嵌入式產(chǎn)品提供MRAM非易失性存儲器選項。這些鑄造廠包括全球
2020-06-23 15:31:031349 （STT-MRAM）。這些技術(shù)提供了密集的位單元（“1T1R”），并通過改變單元的靜態(tài)電阻來操作，這種電阻是通過材料的“Write1”和“Write0”脈沖電流和大小引起。當(dāng)單元被訪問時，讀操作感知電阻大小，大大降低單元電流。理想情況下，兩個電阻之間的比率非常高，以加速讀取操作。
2020-06-30 11:01:335569 存儲器芯片。Everspin總代理宇芯電子可提供技術(shù)支持和產(chǎn)品解決方案。 MRAM可能是當(dāng)今最有前途的下一代非易失性存儲技術(shù)。Toggle MRAM和STT-MRAM已經(jīng)進入市場，在許多應(yīng)用中獲得了
2020-07-13 11:25:581500 隨著有希望的非易失性存儲器架構(gòu)的可用性不斷增加，以增加并潛在地替代傳統(tǒng)的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復(fù)挑戰(zhàn)正在出現(xiàn)。通過將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術(shù)
2020-08-04 17:24:264376 ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面均處于市場領(lǐng)先地位。本篇文章everspin代理宇芯電子要介紹的是如何最大限度提高STT-MRAM IP的制造產(chǎn)量。 鑄造廠需要傳統(tǒng)的CMOS制造中不使用的新設(shè)備，例如離子束蝕刻，同時提高MTJ位單元的可靠性，以支持某些應(yīng)用所需的大（1Mbit?256Mbit）存儲器陣列密度
2020-08-05 14:50:52832 但以目前的容量而言，STT－MRAM容量仍小，離取代一般存儲器還有一段路要走，另一種比較可行的應(yīng)用，是把STT－MRAM嵌入其他系統(tǒng)芯片，目前已有SRAM嵌入邏輯芯片的技術(shù)，而STT－MRAM記憶密度比SRAM更高，有助于提高邏輯芯片內(nèi)的記憶容量。
2020-08-21 14:18:00996 第一代現(xiàn)場交換MRAM的主要缺點。 STT-RAM作為通用的可擴展存儲器具有巨大的潛在市場。它可以取代嵌入式SRAM和45nm的閃存，32nm的DRAM，并最終取代NAND。STT-RAM是一項很有
2020-08-10 15:30:201233 Everspin是設(shè)計制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。 在磁存儲器設(shè)計，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗以及在平面內(nèi)和垂直磁隧道
2020-08-28 14:19:13849 MRAM是一種非易失性存儲技術(shù)，可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用。基于MRAM的設(shè)備可以為黑匣子應(yīng)用提供解決方案，因為它以SRAM的速度
2020-09-18 14:25:181535 
中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品。Everspin一級代理英尚微電子提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。 MRAM涉及汽車應(yīng)用。對于碰撞記錄器，MRAM可以在事故發(fā)生時收集和存儲更多數(shù)據(jù)，并幫助確定車輛事故或故障的原因。 使用傳感器的汽車應(yīng)用可以受益于MRAM。由于傳感器連續(xù)地寫入數(shù)據(jù)
2020-09-18 14:13:161085 Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢： 1. 非易失性存儲器
2020-09-19 11:38:323601 根據(jù)官方數(shù)據(jù)，相較于7nm（第一代DUV），5nm芯片能夠提供1.8倍的邏輯密度、速度提升15%，或功耗降低30%。而且5nm節(jié)點據(jù)稱也有較好的良率，基于這些優(yōu)點，盡管臺積電5nm芯片造價不斐，市場需求仍旺盛。
2020-09-25 15:41:022270 芯片是三星與vivo聯(lián)手定制，有望被vivo X60系列首發(fā)。 和三星去年同期推出的Exynos 980（8nm）相比，Exynos 1080在最新5nm工藝的加持下可以讓性能提升14%，功耗降低30
2020-11-14 09:58:0514680 蘋果對iPad Air 4、iPhone 12和Mac上5nm芯片的訂單非常強勁，臺積電相關(guān)產(chǎn)能已經(jīng)滿載，并將持續(xù)到年底。
2020-09-27 13:43:472665 
，各家手機芯片廠商就開始了激烈的5nm芯片角逐，蘋果、華為、高通、三星相繼推出旗艦級5nm移動處理器，并宣稱無論是在性能上還是在功耗上都有著優(yōu)秀的表現(xiàn)。 不過從這幾款5nm芯片的實際表現(xiàn)來看，一些用戶并不買賬，認(rèn)為5nm手機芯片表現(xiàn)并沒有達(dá)到
2021-01-25 13:59:468452 。 MRAM替代SRAM做L2高速緩存 首先比較具有同樣面積的MRAM和SRAM。直接用相同面積的MRAM替換SRAM作L2高速緩存能降低錯誤率。但是寫入延時較長。當(dāng)寫入操作強度高時，錯誤率降低的優(yōu)勢會被長延時所抵消導(dǎo)致性能下降。雖然這種直接替代能大大降低漏功耗，但當(dāng)寫
2020-11-09 16:46:481077 MRAM因具有許多優(yōu)點，有取代SRAM和DRAM的潛能。用MTJ存儲單元構(gòu)建的MRAM存儲器可以用作高速緩存。然而MRAM寫入操作的長延時和較高的功耗成為其瓶頸，阻礙了其性能的進一步提高。讀取優(yōu)先
2020-11-17 16:31:48805 
本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu)，將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計中，與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較，能夠降低芯片漏電流，減少芯片靜態(tài)功耗，延長手持設(shè)備的在線工作
2020-11-20 15:20:241099 
來極化電流的技術(shù)。通過使用自旋極化電流來改變磁取向來執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入MTJelement中信息存儲層的位置。MTJ元件的合成電阻差用于信息讀取。 STT-MRAM是一種適用于未來使用超精細(xì)工藝生產(chǎn)的MRAM的技術(shù)，可以有效地嵌入到隨后的諸如FPGA和微處理器，微控制器和片上
2020-11-20 15:23:461300 最初的MRAM都是用微電磁線圈產(chǎn)生電磁場，使自由層的磁矩方向反轉(zhuǎn)來進行0、1數(shù)據(jù)的讀寫。這種復(fù)雜的結(jié)構(gòu)大大地制約了MRAM存貯單元的微型化進程，因此當(dāng)時MRAM的存貯密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)不及DRAM和SRAM
2020-12-07 14:24:001176 越來越多的代工廠提供5nm，Sondrel宣布將通過5nm設(shè)計工作來支持它們。以此為基礎(chǔ)，它是為數(shù)眾多的7nm設(shè)計進行錄音的少數(shù)設(shè)計公司之一。 Sondrel的首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人Graham
2021-02-04 17:39:4464560 在ISSCC 2020上臺積電呈現(xiàn)了其基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT－MRAM。該MRAM具有10ns的讀取速度，1M個循環(huán)的寫入耐久性，在150度下10年以上的數(shù)據(jù)保持能力和高抗磁場干擾能力。
2020-12-24 15:51:141739 從 2020 年下半年開始，各家手機芯片廠商就開始了激烈的 5nm 芯片角逐，蘋果、華為、高通、三星相繼推出旗艦級 5nm 移動處理器，并宣稱無論是在性能上還是在功耗上都有著優(yōu)秀的表現(xiàn)。 不過
2021-01-20 14:57:5442510 
藝的價格，其中7nm晶圓代工價格不過9346美元，5nm價格就陡然提升到了16988美元，算下來差不多11萬人民幣了。 價格提升這么多，蘋果為啥還會搶先用5nm工藝呢？對于這個問題，ARM的高管Winnie Shao在其個人微博上公布了一個模擬結(jié)果，基于不同節(jié)點的工藝密度，計算了
2021-01-28 09:44:061990 ，產(chǎn)品有望最快在2023年底量產(chǎn)上市;特斯拉也在備戰(zhàn)“芯片升級”，與三星電子合作為全自動駕駛開發(fā)5nm芯片。 剛剛，IT行業(yè)5nm芯片被曝集體翻車余音未了，車規(guī)5nm芯片又甚囂塵上了。汽車芯片真的進入了5nm時代？我們來分析一下，這炙手可熱的車規(guī)5nm芯片究竟貨色如何？
2021-02-03 10:35:457872 功耗是芯片制造工藝演進時備受關(guān)注的指標(biāo)之一。比起7nm工藝節(jié)點，5nm工藝可以使產(chǎn)品性能提高15%，晶體管密度最多提高1.8倍。三星獵戶座1080、華為麒麟9000、驍龍888和蘋果的A14芯片都
2021-02-04 08:40:575208 功耗是芯片制造工藝演進時備受關(guān)注的指標(biāo)之一。比起7nm工藝節(jié)點，5nm工藝可以使產(chǎn)品性能提高15%，晶體管密度最多提高1.8倍。三星獵戶座1080、華為麒麟9000、驍龍888和蘋果的A14芯片都
2021-02-04 14:33:108218 隨著三星在先進制造節(jié)點上繼續(xù)與臺積電競爭，這家韓國巨頭的努力將使其排名達(dá)到第四位。據(jù)報道，三星從5nm到3nm的芯片開發(fā)實現(xiàn)了跳躍式發(fā)展，但仍被排除在全球前三的半導(dǎo)體制造商之外。
2021-02-04 14:55:192654 它無法滿足高速RAM應(yīng)用必須兼具高速寫入、無限耐久性，以及可接受的數(shù)據(jù)保存能力之需求。 ? STT-MRAM（也稱為STT-RAM或有時稱為ST-MRAM和ST-RAM）是一種高級類型的MRAM設(shè)備。與常規(guī)設(shè)備相比，STT-MRAM可實現(xiàn)更高的密度、低功耗和更低的成本。 STT-MRAM 相對于
2021-12-11 14:47:441648 Everspin Technologies，Inc是設(shè)計制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。E...
2022-01-25 19:29:14
3 本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu),將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計中,與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較,能夠降低芯...
2022-01-25 20:15:003 Everspin是設(shè)計制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。在磁存儲器設(shè)計，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器，是磁性存儲器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲的結(jié)構(gòu)簡單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。
2022-05-05 16:00:292446 
雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。
2022-05-27 17:24:136 7nm芯片和5nm芯片的區(qū)別在哪？7nm芯片和5nm芯片哪個好？在其他變量恒定的情況下，5nm芯片肯定要強于7nm芯片，5納米芯片意味著更小的芯片，5納米芯片要優(yōu)于7納米芯片，但是最終還是要看機器是否能夠發(fā)揮芯片的最大功效。
2022-07-05 09:26:1825002 MRAM可能是非易失性存儲技術(shù)的下一個大事件。該技術(shù)利用了磁性材料的相對極性和電阻之間的關(guān)系。本質(zhì)上，當(dāng)兩個磁鐵靠近時，它們的電阻會發(fā)生變化，這取決于它們的磁極相對于另一個磁極的位置。
2022-07-25 16:04:331460 everspin在磁存儲器設(shè)計，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。
2022-11-17 14:23:283317 
在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。包括40nm，28nm及更高工藝在內(nèi)的先進技術(shù)節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。
2022-11-17 14:32:391050 
STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時間長的存儲。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187 Everspin的xSPI STT-MRAM產(chǎn)品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引腳數(shù)SPI兼容總線接口，時鐘頻率高達(dá)200MHz。這些持久存儲器MRAM設(shè)備在單個1.8V電源
2022-12-08 16:07:201143 Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無限耐用性。醫(yī)療器械理想的存儲器用于快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，至少應(yīng)用于數(shù)量引腳。它具有優(yōu)異的性能和非易失特性。詳情請洽英尚微。
2023-02-23 14:49:59449 安全地獲得備份。能夠充分執(zhí)行該作用的存儲器，在工業(yè)設(shè)備中至關(guān)重要。Netsol的Parallel STT-MRAM 具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說，這是合適的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的PC、PLC、HM
2023-02-27 15:48:17478 STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護機制。SPl（串行外圍接口）是一個帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:071582 其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39882 Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory（STT-MRAM）審稿人：北京大學(xué)蔡一茂陳青鈺https://www.pku.edu.cn
2022-03-25 10:48:47789 
目前，蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等世界知名廠商已與臺積電能達(dá)成緊密合作，預(yù)示臺積電將繼續(xù)增加 5nm產(chǎn)能至該節(jié)點以滿足客戶需求，這標(biāo)志著其在3nm制程領(lǐng)域已經(jīng)超越競爭對手三星及英特爾。
2024-03-19 14:09:031306 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在存儲技術(shù)快速演進的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35248
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