MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-07-26 08:30:00
10550 
三星電子（Samsung Electronics）與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸（Spin Transfer Torque）磁性存儲器（STT-MRAM）。兩家公司也表示，預(yù)計
2016-08-01 11:04:321255 9月13日，晶圓代工廠聯(lián)電宣布，手美商 Avalanche Technology，推出采 22 納米制程生產(chǎn)的自旋轉(zhuǎn)移矩磁性內(nèi)存 (STT-MRAM)，將應(yīng)用于航天等領(lǐng)域。9月12日，外媒報道，美國
2022-09-13 13:38:156508 
研究機構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文，該研究表明，在5nm節(jié)點上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢比非易失性和較小的空間占用更重要。
2019-10-18 06:01:42
，這使其能夠在耐久性方面提高多個數(shù)量級，從而提高了性能。Everspin Technologies 是設(shè)計制造離散和嵌入式MRAM和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領(lǐng)導(dǎo)者，其市場和應(yīng)用領(lǐng)域
2020-08-12 17:42:01
STT-MRAM萬能存儲器芯片
2021-01-06 06:31:10
求大神詳細介紹一下STT-MRAM的存儲技術(shù)
2021-04-20 06:49:29
STT-MRAM技術(shù)的優(yōu)點
2020-12-16 06:17:44
MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
Eversipn STT-MRAM的MJT細胞
2021-02-24 07:28:54
Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢德勒，主要是設(shè)計和制造MRAM、STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者，Everspin所生產(chǎn)的MRAM產(chǎn)品包括40nm，28nm及更高工藝在內(nèi)
2020-08-31 13:59:46
自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機存取存儲器（STT-MRAM）是一種持久性存儲技術(shù)，可利用各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品利用稱為JE-DDR4
2021-01-15 06:08:20
開啟下一波儲存浪潮STT-MRAM（又稱自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩MRAM技術(shù)）具有在單一元件中，結(jié)合數(shù)種常規(guī)存儲器的特性而獲得市場重視。在多年來的發(fā)展中發(fā)現(xiàn)，STT-MRAM具備了SRAM的速度與快閃存儲器的穩(wěn)定性與耐久性。STT-MRAM是透過電子自旋的磁性特性，在芯片中提供非揮發(fā)性儲存的功能。
2019-10-02 07:00:00
TAS-MRAM概念從磁性隨機存取存儲器到磁性邏輯單元
2021-03-03 06:10:33
本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產(chǎn)品化和優(yōu)異的性能，是產(chǎn)品其能夠在-35C至110C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)使用。
2020-12-28 06:16:06
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能
2021-02-01 06:55:12
作者 MahendraPakala半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲器技術(shù)的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進展。
2019-07-16 08:46:10
萌新求助，求一個基于嵌入式STT-MRAM的架構(gòu)方案
2021-10-25 07:33:36
MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠未
2020-04-15 14:26:57
耐久性。該算法如圖6所示。 圖6.智能寫操作算法，顯示動態(tài)組寫和帶寫驗證的多脈沖寫。 MRAM數(shù)據(jù)可靠性 在基于自旋的STT-MRAM的許多應(yīng)用中，磁場干擾是一個潛在的問題。該解決方案是在封裝上沉積
2020-07-02 16:33:58
The PM004M is Mbit of SPI/QPI (serial/quad parallel interface) MRAM device. This device
2022-07-05 16:48:31
近日，北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國內(nèi)首個80納米自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機存儲器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。
2017-05-09 01:07:311725 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲器技術(shù)的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器 （MRAM） 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進展。
2018-05-29 15:42:002967 
在此演示中，Everspin演示了基于STT-MRAM的NVMe存儲加速器提供了卓越的延遲確定性，可為Apache Log4J等應(yīng)用程序啟用低延遲寫入緩沖區(qū)。
2018-11-23 05:55:003872 來源：全球SSD 上周，在第64屆國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體巨頭展示了嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。 首先，我們來了解一下 MRAM (Magnetic
2018-12-17 16:09:01428 IMEC進行了設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO），以確定5nm節(jié)點上STT-MRAM單元的要求和規(guī)格，并得出了一個結(jié)論，高性能STT-MRAM位單元的MRAM間距是45nm接觸柵極間距的兩倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33:544805 
在第 64 屆國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。
2018-12-21 11:17:393985 研究機構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文，該研究表明，在5nm節(jié)點上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢比非易失性和較小的空間占用更重要。 半導(dǎo)體行業(yè)著名機構(gòu)IMEC在
2019-04-22 15:51:321618 
Everspin 近日宣布，其已開始試生產(chǎn)最新的 1Gb STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻）非易失性隨機存取器。
2019-06-27 08:59:4310623 群聯(lián)電子宣布與Everspin策略聯(lián)盟，整合Everspin的1Gb STT-MRAM，至群聯(lián)的企業(yè)級SSD儲存解決方案。
2019-08-13 19:07:024129 與過去相比，研究人員現(xiàn)在已經(jīng)將EUVL作為存儲器關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的圖形化工藝的一個選項，例如DRAM的柱體結(jié)構(gòu)及STT-MRAM的MTJ。在本文的第二部分，IMEC的研發(fā)工程師Murat Pak提出了幾種STT-MRAM關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的圖形化方案。
2019-09-05 11:45:009113 通過使用較小的電流和電壓來控制MTJ的磁對準(zhǔn)，可以降低器件功耗。但是，自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM（STT-MRAM）的問題在于，當(dāng)其寫入速度很高時，其電壓會使用大量功率迅速增加。
2020-02-29 17:26:502931 
GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532742 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26818 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:563103 Everspin是專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)MRAM、STT-MRAM等半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，在包括40nm，28nm及更高的技術(shù)節(jié)點在內(nèi)的先進技術(shù)節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ
2020-04-07 17:16:071157 Everspin在磁存儲器設(shè)計，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。擁有超過600多項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)
2020-04-15 17:27:051485 的候選者。STT-MRAM器件的核心元件是磁隧道結(jié)，其中薄介電層夾在磁固定層和磁自由層之間。通過利用注入磁隧道結(jié)的電流切換自由磁層的磁化來執(zhí)行存儲單元的寫入。 與合作伙伴如GlobalFoundries、華為、美光、高通、索尼半導(dǎo)體解決方案、臺積電和西部數(shù)據(jù)合作，
2020-05-26 11:13:341738 
MRAM內(nèi)存的Everspin開始向STT-MRAM發(fā)運最高1Gb的芯片容量，這種內(nèi)存密度使這些設(shè)備在許多應(yīng)用中更受關(guān)注。Everspin代理商英尚微電子提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。 主要的嵌入式半導(dǎo)體制造商為工業(yè)和消費應(yīng)用中使用的嵌入式產(chǎn)品提供MRAM非易失性存儲器選項。這些鑄造廠包括全球
2020-06-23 15:31:031349 （STT-MRAM）。這些技術(shù)提供了密集的位單元（“1T1R”），并通過改變單元的靜態(tài)電阻來操作，這種電阻是通過材料的“Write1”和“Write0”脈沖電流和大小引起。當(dāng)單元被訪問時，讀操作感知電阻大小，大大降低單元電流。理想情況下，兩個電阻之間的比率非常高，以加速讀取操作。
2020-06-30 11:01:335568 存儲器芯片。Everspin總代理宇芯電子可提供技術(shù)支持和產(chǎn)品解決方案。 MRAM可能是當(dāng)今最有前途的下一代非易失性存儲技術(shù)。Toggle MRAM和STT-MRAM已經(jīng)進入市場，在許多應(yīng)用中獲得了
2020-07-13 11:25:581500 行良好的MTJ設(shè)計和測試。Everspin在磁存儲器設(shè)計，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的，為汽車、工業(yè)和軍事。云存儲等行業(yè)等提供了大量可靠優(yōu)質(zhì)的MRAM，STT-MRAM存儲芯片。Everspin一級代理商接下來介紹Everspin MRAM器件的
2020-07-17 13:56:10895 
Everspin在磁存儲器設(shè)計，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有600多項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)，在平面和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位
2020-08-03 16:26:49823 隨著有希望的非易失性存儲器架構(gòu)的可用性不斷增加，以增加并潛在地替代傳統(tǒng)的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復(fù)挑戰(zhàn)正在出現(xiàn)。通過將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術(shù)
2020-08-04 17:24:264376 ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面均處于市場領(lǐng)先地位。本篇文章everspin代理宇芯電子要介紹的是如何最大限度提高STT-MRAM IP的制造產(chǎn)量。 鑄造廠需要傳統(tǒng)的CMOS制造中不使用的新設(shè)備，例如離子束蝕刻，同時提高MTJ位單元的可靠性，以支持某些應(yīng)用所需的大（1Mbit?256Mbit）存儲器陣列密度
2020-08-05 14:50:52832 新興MRAM市場的主要參與者之一已經(jīng)開發(fā)了專有技術(shù)，該技術(shù)表示將通過增加保持力并同時降低電流來增強任何MRAM陣列的性能。 自旋轉(zhuǎn)移技術(shù)（STT）的進動自旋電流（PSC）結(jié)構(gòu)，它有潛力提高MRAM
2020-08-18 17:34:531152 
Everspin主要是設(shè)計制造和商業(yè)銷售MRAM和STT-MRAM的領(lǐng)先者，其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心，云存儲，能源
2020-08-17 14:42:143229 Everspin是設(shè)計制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。 在磁存儲器設(shè)計，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗以及在平面內(nèi)和垂直磁隧道
2020-08-28 14:19:13849 中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品。Everspin一級代理英尚微電子提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。 MRAM涉及汽車應(yīng)用。對于碰撞記錄器，MRAM可以在事故發(fā)生時收集和存儲更多數(shù)據(jù)，并幫助確定車輛事故或故障的原因。 使用傳感器的汽車應(yīng)用可以受益于MRAM。由于傳感器連續(xù)地寫入數(shù)據(jù)
2020-09-18 14:13:161084 Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢： 1. 非易失性存儲器
2020-09-19 11:38:323601 的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復(fù)挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)。通過將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術(shù)的領(lǐng)先趨勢來增強動力，同時考慮了汽車應(yīng)用的需求。要為嵌入式MRAM選擇合適的內(nèi)存測試和修復(fù)解決方案，設(shè)計人員需
2020-10-14 15:52:191027 
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷進步，芯片工藝制程的不斷演進和成本的不斷降低，半導(dǎo)體芯片廣泛應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)、個人終端、汽車電子、可穿戴設(shè)備、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等各個領(lǐng)域。 隨著芯片工藝的逐步升級，性能問題已不在是芯片
2020-11-09 16:44:531726 本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu)，將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計中，與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較，能夠降低芯片漏電流，減少芯片靜態(tài)功耗，延長手持設(shè)備的在線工作
2020-11-20 15:20:241099 
自旋傳遞扭矩RAM（STT-MRAM）它結(jié)合了非易失性，出色的可擴展性和耐用性以及較低的功耗和快速的讀寫功能。 自旋傳遞轉(zhuǎn)矩（STT）寫入是一種通過對齊流過磁性隧道結(jié)（MTJ）元件的電子的自旋方向
2020-11-20 15:23:461300 最初的MRAM都是用微電磁線圈產(chǎn)生電磁場，使自由層的磁矩方向反轉(zhuǎn)來進行0、1數(shù)據(jù)的讀寫。這種復(fù)雜的結(jié)構(gòu)大大地制約了MRAM存貯單元的微型化進程，因此當(dāng)時MRAM的存貯密度遠遠不及DRAM和SRAM
2020-12-07 14:24:001176 在ISSCC 2020上臺積電呈現(xiàn)了其基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT－MRAM。該MRAM具有10ns的讀取速度，1M個循環(huán)的寫入耐久性，在150度下10年以上的數(shù)據(jù)保持能力和高抗磁場干擾能力。
2020-12-24 15:51:141739 Everspin Technologies，Inc是設(shè)計制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品
2021-01-16 11:28:23913 STT-MRAM不僅是嵌入式SRAM的替代方案，也是嵌入式Flash （NOR）的替代方案。這對于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用來說可能特別有趣，因為低功耗是最重要的。
2021-03-22 11:15:153845 
它無法滿足高速RAM應(yīng)用必須兼具高速寫入、無限耐久性，以及可接受的數(shù)據(jù)保存能力之需求。 ? STT-MRAM（也稱為STT-RAM或有時稱為ST-MRAM和ST-RAM）是一種高級類型的MRAM設(shè)備。與常規(guī)設(shè)備相比，STT-MRAM可實現(xiàn)更高的密度、低功耗和更低的成本。 STT-MRAM 相對于
2021-12-11 14:47:441648 Everspin Technologies，Inc是設(shè)計制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。E...
2022-01-25 19:29:14
3 本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu),將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計中,與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較,能夠降低芯...
2022-01-25 20:15:003 Everspin是設(shè)計制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。在磁存儲器設(shè)計，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 近日中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在STT-MRAM器件與集成技術(shù)研究領(lǐng)域取得了階段性進展。
2022-01-26 19:41:352 STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器，是磁性存儲器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲的結(jié)構(gòu)簡單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 Everspin科技有限公司是全球領(lǐng)先的設(shè)計， 制造嵌入式磁阻 RAM （MRAM） 和自旋轉(zhuǎn)移扭矩 MRAM （STT-MRAM） 的生產(chǎn)商，自從Everspin第一款產(chǎn)品進入市場，由于MRAM
2022-03-15 15:45:221165 MRAM可能是非易失性存儲技術(shù)的下一個大事件。該技術(shù)利用了磁性材料的相對極性和電阻之間的關(guān)系。本質(zhì)上，當(dāng)兩個磁鐵靠近時，它們的電阻會發(fā)生變化，這取決于它們的磁極相對于另一個磁極的位置。
2022-07-25 16:04:331460 everspin在磁存儲器設(shè)計，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。
2022-11-17 14:23:283317 
在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。包括40nm，28nm及更高工藝在內(nèi)的先進技術(shù)節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。
2022-11-17 14:32:391050 
STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時間長的存儲。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187 Everspin的xSPI STT-MRAM產(chǎn)品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引腳數(shù)SPI兼容總線接口，時鐘頻率高達200MHz。這些持久存儲器MRAM設(shè)備在單個1.8V電源
2022-12-08 16:07:201143 Netsol是一家成立于2010年的無晶圓廠IC設(shè)計和營銷公司。在下一代存儲器解決方案方面處于世界領(lǐng)先地位，特別是在STT-MRAM方面。憑借強大的開發(fā)能力，為廣泛的應(yīng)用程序提供定制/優(yōu)化的內(nèi)存
2023-01-31 15:53:37485 Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無限耐用性。醫(yī)療器械理想的存儲器用于快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，至少應(yīng)用于數(shù)量引腳。它具有優(yōu)異的性能和非易失特性。詳情請洽英尚微。
2023-02-23 14:49:59449 英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說，這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器?？商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55585 安全地獲得備份。能夠充分執(zhí)行該作用的存儲器，在工業(yè)設(shè)備中至關(guān)重要。Netsol的Parallel STT-MRAM 具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說，這是合適的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的PC、PLC、HM
2023-02-27 15:48:17478 在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中，MRAM芯片的應(yīng)用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:222849 
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護機制。SPl（串行外圍接口）是一個帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:071582 其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39882 Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory（STT-MRAM）審稿人：北京大學(xué)蔡一茂陳青鈺https://www.pku.edu.cn
2022-03-25 10:48:47789 
MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過程?？梢杂涗浵到y(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數(shù) ；機器狀態(tài)；用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。
2023-06-20 17:06:22963 Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59913 【產(chǎn)品特點】高速：速度與DRAM相當(dāng)，比FLASH快1萬倍；高擦寫次數(shù)：比NANDFlash多一千萬倍掉電不丟失：MRAM可以斷電保存數(shù)據(jù)；低功耗，只有讀寫數(shù)據(jù)時才上電；抗輻射抗惡劣環(huán)境，CMOS
2022-07-05 16:47:264 目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:531113 
鑒于AI、5G新時代的到來以及自動駕駛、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識等應(yīng)用對更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫，如磁阻式隨機存取內(nèi)存（MRAM）這樣的新一代內(nèi)存技術(shù)已成為眾多廠商爭相研發(fā)的重點。
2024-01-18 14:44:002304 據(jù)報道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺積電在次世代MRAM存儲器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:127883 MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié)，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場驅(qū)動，后者則采用自旋極化電流驅(qū)動。
2024-01-22 10:50:501145 
瑞薩電子公司日前宣布，該公司已開發(fā)出用于嵌入式自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)的電路技術(shù)，以下簡稱MRAM）具有快速讀寫操作的測試芯片。
2024-02-25 10:53:521690 瑞薩日前宣布，公司已基于STT-MRAM的電路技術(shù)開發(fā)出具有快速讀寫能力的測試芯片。該MCU 測試芯片采用 22 納米工藝制造，包括一個 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存儲單元陣列。
2024-03-05 10:05:464206 
在當(dāng)今對數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨特的技術(shù)優(yōu)勢，成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點。
2025-11-05 14:34:28280 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在存儲技術(shù)快速演進的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35248
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