據(jù)悉，蘋(píng)果 A12 仿生芯片內(nèi)部集成 69 億個(gè)晶體管，其晶體管密度為 8390 萬(wàn)個(gè)/平方毫米，而 A11 仿生芯片的晶體管密度為 4900 萬(wàn)個(gè)/平方毫米。對(duì)比之下，蘋(píng)果 A12 仿生芯片每平方毫米
2018-10-05 08:48:55
3996 Intel、三星、臺(tái)積電在10nm領(lǐng)域較勁的時(shí)候，藍(lán)色巨人攜測(cè)試版的7nm芯片強(qiáng)勢(shì)到來(lái)，據(jù)悉，相較10nm，使用7nm制程后的面積將所縮小近一半，但同時(shí)因?yàn)槟苋菁{更多的晶體管（200億+），效能也會(huì)
2015-07-23 16:38:172542 三星本周宣布，將定于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前，三星已經(jīng)在美國(guó)硅谷開(kāi)始向多個(gè)半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝，目前有超過(guò)20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 2016年各大晶圓廠的主流工藝都是14/16nm FinFET工藝，Intel、TSMC及三星明年還要推10nm工藝，由于Intel也要進(jìn)軍10nm代工了，這三家免不了一場(chǎng)大戰(zhàn)。但是另一家代工廠
2016-08-17 16:59:403049 今年底明年初TSMC、三星的10nm工藝就會(huì)量產(chǎn)了，Intel的真·10nm處理器也會(huì)在明年下半年發(fā)布，而GlobalFoundries已經(jīng)確定跳過(guò)10nm節(jié)點(diǎn)，他們下一個(gè)高性能工藝直接殺向了7nm，也不再選擇三星授權(quán)，是自己研發(fā)的。
2016-11-08 11:57:171360 隨著半導(dǎo)體制造工藝的提升，晶體管密度提升越來(lái)越困難，摩爾定律的存廢也引起了很大的爭(zhēng)議。14nm工藝的延期打亂了Intel的Tick-Tock戰(zhàn)略，后面的產(chǎn)品也不得不跟著變化，首款14工藝產(chǎn)品
2017-01-02 21:14:081298 三星與臺(tái)積電工藝之戰(zhàn)從三星跳過(guò)20nm工藝而直接開(kāi)發(fā)14nmFinFET打響，從10nm到如今的7nm之爭(zhēng)，無(wú)論誰(shuí)領(lǐng)先一步，都是半導(dǎo)體工藝的重大突破。 在半導(dǎo)體代工市場(chǎng)上，臺(tái)積電一直都以領(lǐng)先的工藝
2017-03-02 01:04:492107 一、前言：14nm的巔峰！Intel主流平臺(tái)迎來(lái)10核心 曾經(jīng)有一段時(shí)間筆者也難以理解，為什么早在2018年筆記本端的i3-8121U處理器就用上了10nm制程工藝，而桌面上最新十代酷睿還在堅(jiān)持
2020-07-28 16:27:2120374 
近日，有臺(tái)媒對(duì)比了半導(dǎo)體工藝10nm及以下制程的技術(shù)指標(biāo)演進(jìn)對(duì)比圖，其中技術(shù)指標(biāo)主要是看晶體管密度，也就是每平方毫米的晶體管數(shù)量。由于目前僅有Intel、臺(tái)積電、三星等少數(shù)幾家廠商掌握了10nm以下
2021-07-17 07:14:005705 臺(tái)積電和三星一直都是屬于競(jìng)爭(zhēng)狀態(tài)，近日高通宣布旗下的7nm 5G芯片由三星代工，臺(tái)積電再一次落后三星。比較當(dāng)前的10nm FinFET工藝，7nm會(huì)在某些地方更占優(yōu)勢(shì)。
2018-02-24 10:14:531472 三星官方宣布，已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產(chǎn)工作。據(jù)悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機(jī)器采購(gòu)自荷蘭ASML(阿斯麥)，型號(hào)為雙工件臺(tái)NXE:3400B(光源功率280W)，日產(chǎn)能1500片。
2018-10-18 09:48:281528 3nm工藝，外媒的報(bào)道顯示，臺(tái)積電是計(jì)劃每平方毫米集成2.5億個(gè)晶體管。 作為參考，采用臺(tái)積電7nmEUV工藝的麒麟9905G尺寸113.31mm2，晶體管密度103億，平均下來(lái)是0.9億/mm2，3nm工藝晶體管密度是7nm的3.6倍。這個(gè)密度形象化比喻一下，就是將奔騰4處理器縮小到
2020-04-20 11:27:495155 晶體管制造工藝在近年來(lái)發(fā)展得不是非常順利，行業(yè)巨頭英特爾的主流產(chǎn)品長(zhǎng)期停滯在14nm上，10nm工藝性能也遲遲得不到改善。臺(tái)積電、三星等巨頭雖然在積極推進(jìn)7nm乃至5nm工藝，但是其頻率和性能
2020-07-07 11:38:14
很多晶體管組成的。芯片制程是指在芯片中，晶體管的柵極寬度。因?yàn)樵谡麄€(gè)芯片中，晶體管的柵極是整個(gè)電路中最窄的線條。如果柵極寬度為10nm，則稱(chēng)其為10nm制程。納米數(shù)越小，比如從10nm到 7nm，就可以
2019-12-10 14:38:41
方式來(lái)改進(jìn)電容器表現(xiàn)，但穩(wěn)定性尚未達(dá)到預(yù)期水平，很可能會(huì)拖慢 1c nm 進(jìn)度。
半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示，“從三星電子的角度來(lái)看，剩下的任務(wù)是穩(wěn)定搭載在HBM上的DRAM以及封裝技術(shù)?！?
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱(chēng)，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
以些許性能優(yōu)勢(shì)擊敗三星，并使其16nm工藝于隔年獨(dú)拿了Apple的A10處理器(iPhone 7)訂單。2017年，三星卷土重來(lái)，自主設(shè)計(jì)了10nm技術(shù)工藝的Exynos8895(名稱(chēng)源于希臘單詞
2018-06-14 14:25:19
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說(shuō)7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢？面對(duì)美國(guó)的技術(shù)突破，中國(guó)應(yīng)該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
的寬度，也被稱(chēng)為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來(lái)越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
密度和性能都變得更好，根據(jù)臺(tái)積電給出的數(shù)據(jù)，相較于初代7nm工藝，7nm EUV（N7+）可以提供1.2倍的密度提升，同等功耗水平下提供10%的性能增幅，或者同性能節(jié)省15%的功耗。 現(xiàn)在三星和臺(tái)積電
2020-07-07 14:22:55
10月7日，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來(lái)了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工藝從目前的7nm升級(jí)到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43:04
開(kāi)始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨(dú)吃蘋(píng)果處理器大單的新記錄，2017年?duì)I收持續(xù)增長(zhǎng)基本沒(méi)什么問(wèn)題。剛剛失去蘋(píng)果訂單的三星，日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存，并將于今年下半年上市。這樣一來(lái)，臺(tái)積電和三星以及蘋(píng)果的性能之爭(zhēng)，就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
壇上，其總經(jīng)理兼聯(lián)合CEO劉德音表示，他們?cè)缫阎圃斐?b class="flag-6" style="color: red">7nm的SRAM，并確認(rèn)10nm將在2016年初試產(chǎn)，7nm則預(yù)期在2017年Q1開(kāi)試。報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電非常高興，因?yàn)榻K于超過(guò)英特爾了。他們還趁熱預(yù)告
2016-01-25 09:38:11
Intel CEO Paul Otellini近日對(duì)投資者透露， 半導(dǎo)體 巨頭已經(jīng)開(kāi)始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。 他說(shuō)：我們的研究和開(kāi)發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的，我是
2012-05-14 09:17:51789 
2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營(yíng)，下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是10nm，三方都會(huì)在明年量產(chǎn)，不過(guò)
2016-05-30 11:53:531179 導(dǎo)語(yǔ)：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27868 的10nm訂單都會(huì)交給三星，以及Intel將打造10nm ARM芯片，不過(guò)代工廠商GlobalFoundries卻爆料，“AMD下代處理器將直奔7nm工藝”。
2016-08-19 14:34:101024 晶體管通道的硅底板進(jìn)行的從負(fù)極流向正極的運(yùn)動(dòng)，也就是漏電。在柵長(zhǎng)大于7nm的時(shí)候一定程度上能有效解決漏電問(wèn)題。不過(guò)，在采用現(xiàn)有芯片材料的基礎(chǔ)上，晶體管柵長(zhǎng)一旦低于7nm，晶體管中的電子就很容易產(chǎn)生隧穿效應(yīng)。
2016-10-10 16:49:396418 近日，三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時(shí)間，韓國(guó)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101451 特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺(tái)積電和三星的10nm工藝。
2017-01-09 11:46:041029 Intel宣布投資70億美元升級(jí)Fab 42工廠，3-4年后準(zhǔn)備生產(chǎn)7nm工藝，拉開(kāi)了下下代半導(dǎo)體工藝競(jìng)爭(zhēng)的帷幕。 Intel宣布投資70億美元升級(jí)Fab 42工廠，3-4年后準(zhǔn)備生產(chǎn)7nm工藝
2017-02-11 02:21:11563 
%的性能提升。 那么我們不禁要問(wèn)，Intel的10nm怎么了? 先就本次投資會(huì)議，Intel表示，數(shù)據(jù)中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在CES上，CEO柯再奇曾證實(shí)，搭載10nm芯片筆記本產(chǎn)品會(huì)在今年底出貨。 這其實(shí)不難理解。由于8代酷睿還是下半年上市，局面很可能是
2017-02-11 02:23:11431 近日有韓國(guó)媒體透露，為了爭(zhēng)奪2018年的蘋(píng)果A系列芯片訂單，三星已經(jīng)在加速7nm工藝的開(kāi)發(fā)進(jìn)程。而且，三星還對(duì)自己的工藝和日后的搶單行動(dòng)非常有信心。這個(gè)時(shí)候，蘋(píng)果A10芯片供應(yīng)商臺(tái)積電就有話要說(shuō)了。臺(tái)積電日前向媒體透露，其第一代7nm工藝所生產(chǎn)的芯片良品率已經(jīng)高達(dá)76%。
2017-03-20 09:26:01881 英特爾此前已經(jīng)談?wù)撨^(guò)多次 10 納米的 Cannon Lake 芯片了，超級(jí)10nm領(lǐng)先一切對(duì)手,性能升25%功耗降45%,英特爾已經(jīng)有能力在1平方毫米中塞下1億個(gè)晶體管，絕對(duì)是行業(yè)歷史上史無(wú)前例的。
2017-04-05 18:01:142446 臺(tái)積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中，三星則宣布已推出第二代10nm工藝，這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗，而且這可能會(huì)影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 工藝制程的進(jìn)步是摩爾定律的關(guān)鍵一環(huán)，目前商用的最先進(jìn)是10nm，下一個(gè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)是7nm，后者將宣告半導(dǎo)體正式邁進(jìn)入10nm階段。
2017-07-25 15:13:241223 作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”，英特爾一直走在所有廠商前面。因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">10nm制程已經(jīng)跳票三年之久，每當(dāng)一款新的處理器發(fā)布，眾人翹首以待10nm的到來(lái)，可英特爾還是給用戶潑冷水，繼續(xù)跳票10nm工藝。
2018-06-15 15:53:006091 Intel的第一款10nm CPU已經(jīng)公布為i3-8121U，一款TDP只有15W的移動(dòng)版產(chǎn)品，其中聯(lián)想IdeaPad 330拿下了首發(fā)，產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)賣(mài)；后續(xù)，還有下個(gè)月的Crimson Canyon NUC要使用。
2018-05-18 11:49:001063 Intel就這么低調(diào)地公布了首款10nm處理器，型號(hào)i3-8121U。
2018-05-17 15:38:003449 
關(guān)鍵詞。 而作為芯片制造的一大頭，三星此前也已經(jīng)宣布了其7nm LPP工藝將會(huì)在2018年下半年投入生產(chǎn)，此外，在昨天的Samsung Foundry Forum論壇上，三星更是直接宣布了5/4/3nm工藝技術(shù)。
2018-05-25 11:09:004079 由于晶體管制造的復(fù)雜性，每代晶體管制程針對(duì)不同用途的制造技術(shù)版本，不同廠商的代次間統(tǒng)計(jì)算法也完全不同，單純用代次來(lái)比較并不準(zhǔn)確。根據(jù)目前業(yè)界常用晶體管密度來(lái)衡量制程水平，英特爾最新10nm制程的晶體管密度堪比三星 EUV版本7nm制程。
2018-07-10 16:31:004668 
Intel的10nm CPU的大規(guī)模出貨拖延到明年，目前只有一款Core i3-8121U用在聯(lián)想的筆記本上，而且相當(dāng)?shù)驼{(diào)，完全沒(méi)有大規(guī)模宣傳。
2018-06-28 11:38:00827 CPU 采用了 10-nm 的 Cannon Lake 架構(gòu)，更令人驚訝的是，它還整合了尚未發(fā)布的 Radeon 550 GPU 。此前消息稱(chēng)，酷睿 i3-8121U 芯片為雙核 / 四線程 @ 2.2GHz，但 WinFuture 指出該 CPU 不支持睿頻。
2018-06-14 10:45:003514 Cannonlake架構(gòu)的Core i3-8121處理器，通過(guò)分析英特爾的10nm工藝晶體管密度達(dá)到了100MTr/mm2，是14nm節(jié)點(diǎn)的2.7倍，而且英特爾首次使用了貴金屬釕。
2018-06-14 11:08:006886 46屆Cowen技術(shù)大會(huì)上，AMD技術(shù)總監(jiān)Mark Papermaster再一次向外公布朝向7nm工藝技術(shù)的發(fā)展，他表示7nm技術(shù)將會(huì)在晶體管密度和功耗上提升巨大，他還透露稱(chēng)目前研發(fā)的7nm產(chǎn)品有三款，之后的產(chǎn)品都會(huì)應(yīng)用7nm，下半年將會(huì)正式采樣。 本文引用地址: AMD現(xiàn)階段的12nm工藝
2018-07-06 10:33:00986 在說(shuō)明AMD 7nm處理器和Intel 7nm處理器的分別之前，我們必須了解一點(diǎn)就是，由于10nm的難產(chǎn)，Intel在7nm工藝上遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于AMD，如果是在7nm制作工藝上沒(méi)什么對(duì)比性，當(dāng)然實(shí)際性能就不一定了，因此我們可以主要來(lái)談?wù)凙MD的7nm處理器有什么改變。
2018-07-23 10:04:2320462 與16nm FF工藝相比，臺(tái)積電的7nm工藝（代號(hào)N7）將提升35%的性能，降低65%的能耗，同時(shí)晶體管密度是之前的三倍。2019年初則會(huì)推出EUV工藝的7nm+（代號(hào)N7+）工藝，晶體管密度再提升20%，功耗降低10%，不能性能沒(méi)有變化。
2018-08-17 10:28:3019290 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn)，并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對(duì)比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449 近日，SIA發(fā)了個(gè)聳人聽(tīng)聞的新聞，說(shuō)intel放棄了10nm工藝的研發(fā)，當(dāng)然這肯定是假消息就是了，今天intel也出面辟謠。不過(guò)相信很多人也會(huì)覺(jué)得奇怪，那邊TSMC 7nm都量產(chǎn)了，三星也宣布風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)了還上了EUV，為什么intel的10nm如此舉步維艱？
2018-10-25 09:34:447360 晶圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺，隨著英特爾的10nm制程久攻不下，聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進(jìn)制程的研發(fā)后，10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺(tái)積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463 原定2016年底量產(chǎn)的10nm拖到了2019年底，Intel目前僅敢在公開(kāi)市場(chǎng)拿出Cannon Lake家族的“獨(dú)苗”i3-8121U撐門(mén)面。可是它僅僅雙核設(shè)計(jì)，甚至連核顯還給屏蔽了，足見(jiàn)產(chǎn)能的尷尬。
2018-12-07 14:36:471644 三星電子今天宣布，開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 無(wú)疑這收獲了業(yè)界潮水般的質(zhì)疑，為何其10nm一直難以出師？有分析稱(chēng)，10nm工藝之難產(chǎn)的一個(gè)關(guān)鍵是最初指標(biāo)定的太高。相比14nm工藝，10nm工藝的晶體管密度是前者的2.7倍，也就是2.7x的縮放水平
2018-12-18 10:37:333103 %的面積。作為對(duì)比，臺(tái)積電7nm工藝的驍龍855為73.27平方毫米、麒麟980為74.13平方毫米、蘋(píng)果A12為83.27平方毫米。顯然，介于10nm LPP和7nm LPP EUV工藝之間的三星8nm LPP工藝并不占優(yōu)。
2019-03-14 16:19:483644 Intel雖然承諾將在今年底大規(guī)模量產(chǎn)10nm工藝產(chǎn)品，但從目前跡象看，初期還是集中在筆記本和低功耗領(lǐng)域，比如針對(duì)輕薄本的Ice Lake、首次采用3D Foveros封裝的Lakefield，服務(wù)器平臺(tái)更是要到2021年才會(huì)用上10nm。
2019-03-15 11:18:092973 
7nm工藝世代，天字一號(hào)代工廠臺(tái)積電可謂一騎絕塵，籠絡(luò)了幾乎所有大客戶的重要產(chǎn)品，而同期的三星只拿到了零星訂單，Intel甚至連10nm還沒(méi)搞出來(lái)，GlobalFoundries干脆宣布7nm及之后就不玩了。
2019-04-08 15:52:273710 在今天的投資者會(huì)議上，Intel向外界展示了未來(lái)三年的雄心壯志，在制程工藝上Intel還會(huì)繼續(xù)堅(jiān)持三條路——14nm不放棄、10nm量產(chǎn)、7nm加速。10nm工藝這幾年來(lái)讓Intel吃盡了苦頭，不過(guò)
2019-05-09 15:19:032265 三星的3nm工藝節(jié)點(diǎn)采用的GAAFET晶體管是什么？
2019-05-17 15:38:5412185 
在上周的美國(guó)SFF晶圓代工論壇上，三星發(fā)布了新一代的邏輯工藝路線圖，2021年就要量產(chǎn)3nm工藝了，而且首發(fā)使用新一代GAA晶體管工藝，領(lǐng)先對(duì)手臺(tái)積電1年時(shí)間，領(lǐng)先Intel公司至少2-3年時(shí)間。
2019-05-20 16:43:4512335 近日，全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破，這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:485070 7nm工藝計(jì)劃2021年推出，相比10nm工藝晶體管密度翻倍，每瓦性能提升20%，設(shè)計(jì)復(fù)雜度降低了4倍。
2019-07-19 10:49:363405 今年AMD確實(shí)大打翻身仗，7nm銳龍3000系列處理器讓AMD在CPU處理器的工藝上首次超越了Intel。而當(dāng)時(shí)Intel還在深耕14nm，好在最近Intel開(kāi)始量產(chǎn)10nm工藝，而且7nm工藝也已經(jīng)走上正軌。
2019-09-08 09:45:531222 7nm+ EUV節(jié)點(diǎn)之后，臺(tái)積電5nm工藝將更深入地應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù)，綜合表現(xiàn)全面提升，官方宣稱(chēng)相比第一代7nm EDV工藝可以帶來(lái)最多80%的晶體管密度提升，15%左右的性能提升或者30%左右的功耗降低。
2019-09-26 14:49:115945 Intel 10nm工藝遲到三年之后，仍然局限在低功耗移動(dòng)領(lǐng)域，而且還需要14nm工藝的輔助，甚至一度有傳聞稱(chēng)，Intel將在桌面上放棄10nm工藝，繼續(xù)使用14nm堅(jiān)持兩年后將直接轉(zhuǎn)入7nm。
2019-11-03 10:03:40959 Intel 10nm工藝遲到三年之后，仍然局限在低功耗移動(dòng)領(lǐng)域，而且還需要14nm工藝的輔助，甚至一度有傳聞稱(chēng)，Intel將在桌面上放棄10nm工藝，繼續(xù)使用14nm堅(jiān)持兩年后將直接轉(zhuǎn)入7nm。
2019-11-06 17:37:243663 高通今年發(fā)布的驍龍765系列處理器使用了三星的7nm EUV，這意味著三星的7nm工藝也可以量產(chǎn)了，這對(duì)其他半導(dǎo)體公司來(lái)說(shuō)也是一個(gè)機(jī)遇，因?yàn)榕_(tái)積電的7nm產(chǎn)能現(xiàn)在要搶?zhuān)珹MD的銳龍3000高端型號(hào)也遭遇了供不應(yīng)求的問(wèn)題，那AMD會(huì)使用三星代工嗎？
2019-12-12 10:54:243665 集微網(wǎng)消息，據(jù)外媒wccftech報(bào)道，英特爾在最近舉行的UBS會(huì)議上對(duì)外界澄清，該公司將不會(huì)跳過(guò)10nm直接采用7nm制程。
2019-12-16 14:52:172342 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開(kāi)發(fā)。
2020-01-06 16:13:073848 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:033601 根據(jù)三星的計(jì)劃，到2020年底，V1生產(chǎn)線的累計(jì)總投資將達(dá)到60億美元，預(yù)計(jì)7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的總產(chǎn)能將比2019年增長(zhǎng)三倍，目前的計(jì)劃是在第一季度開(kāi)始交付其基于6nm和7nm的移動(dòng)芯片。
2020-02-21 09:00:352667 Intel之前已經(jīng)宣布在2021年推出7nm工藝，首發(fā)產(chǎn)品是數(shù)據(jù)中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">Intel在這個(gè)節(jié)點(diǎn)會(huì)放棄FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA晶體管。
2020-03-11 09:51:096774 
根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱(chēng)英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝，據(jù)稱(chēng)使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 近日，臺(tái)積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情，其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2！
2020-04-20 09:02:365294 近日，臺(tái)積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情，其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2！
2020-04-20 09:09:154142 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，圖形處理器廠商英偉達(dá)周四推出了他們首款基于安培架構(gòu)的GPU英偉達(dá)A100，采用7nm工藝制造，集成超過(guò)540億個(gè)晶體管。
2020-05-15 10:33:423246 在近日的GTC上，Nvidia發(fā)布了最新的安培架構(gòu)，以及基于安培架構(gòu)的A100 GPU。A100 GPU使用臺(tái)積電7nm工藝實(shí)現(xiàn)，包含了542億個(gè)晶體管，據(jù)官方消息可以實(shí)現(xiàn)比起上一代V100高7倍的性能。
2020-05-20 10:17:503124 EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對(duì)上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(jí)（1z）工藝打造，請(qǐng)注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對(duì)應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:293544 關(guān)于芯片工藝，Intel前幾天還回應(yīng)稱(chēng)友商的7nm工藝是數(shù)字游戲，Intel被大家誤會(huì)了。不過(guò)今年Intel推出了新一代的10nm工藝，命名為10nm SuperFin工藝，簡(jiǎn)稱(chēng)10nm SF，號(hào)稱(chēng)是有史以來(lái)節(jié)點(diǎn)內(nèi)工藝性能提升最大的一次，沒(méi)換代就提升15%性能，比其他家的7nm還要強(qiáng)。
2020-09-27 10:35:064358 
最早規(guī)劃的一代10nm是Cannon Lake，可因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">工藝延期，原本SKU豐富的這一代最終砍掉了孤獨(dú)的一款，那就是Core i3-8121U。 在公開(kāi)市場(chǎng)，Core i3-8121U僅用在了聯(lián)想面向
2020-10-16 18:07:543533 這幾天發(fā)布Q3季度財(cái)報(bào)之后，Intel的股價(jià)跳水了10%，損失了1700多億的市值，一方面是Q3利潤(rùn)下滑，一方面還是跟Intel工藝有關(guān)，10nm產(chǎn)能還在提升，但是7nm延期了半年到一年。
2020-10-25 10:13:531906 這幾天發(fā)布Q3季度財(cái)報(bào)之后，Intel的股價(jià)跳水了10%，損失了1700多億的市值，一方面是Q3利潤(rùn)下滑，一方面還是跟Intel工藝有關(guān)，10nm產(chǎn)能還在提升，但是7nm延期了半年到一年。
2020-10-26 10:27:541699 平方毫米，密度為1.34億個(gè)晶體管/平方毫米。 作為對(duì)比，上代A13使用的是臺(tái)積電7nm工藝，集成85億個(gè)晶體管，內(nèi)核面積94.48平方毫米，密度為8997萬(wàn)個(gè)晶體管/平方毫米。更早的A12也是臺(tái)積電7nm工藝，集成69億個(gè)晶體管，內(nèi)核面積83.27平方毫米，密度為8286萬(wàn)個(gè)晶體管/平方毫米。 根據(jù)
2020-11-06 09:58:112359 的樂(lè)觀和自信，其將在2021年加速 10nm工藝的推出進(jìn)程。 Intel還表示，計(jì)劃在2021年第三季度推出Alder Lake系列，且Sapphire Rapids系列也將在明年年底開(kāi)始取樣，并在
2020-11-18 09:14:561593 臺(tái)積電、三星在2022年就有可能將制程工藝推到2nm，AMD、蘋(píng)果、高通、NVIDIA等公司也會(huì)跟著受益，現(xiàn)在自己生產(chǎn)芯片的就剩下Intel了，然而它們的7nm工藝已經(jīng)延期到至少2021年了。
2020-11-18 10:02:442079 最快明年1月份，Intel就要發(fā)布代號(hào)Rocket Lake-S的11代酷睿桌面版了，這次真的是最后一代14nm工藝了，明年Intel主力就會(huì)轉(zhuǎn)向10nm，產(chǎn)能也會(huì)歷史性超過(guò)14nm工藝，成為第一大主力。
2020-12-21 09:07:572523 隨著Tiger Lake處理器的量產(chǎn)，Intel的10nm工藝已經(jīng)解決了產(chǎn)能、性能等問(wèn)題，現(xiàn)在使用的是10nm SuperFin（以下簡(jiǎn)稱(chēng)10nm SF）工藝，下半年則會(huì)有更新的增強(qiáng)版10nm SF工藝，12代酷睿會(huì)首發(fā)。
2021-01-14 09:48:283786 
則是早早的用上了臺(tái)積電7nm工藝，晶體管集成度提高，性能和能耗比也有大幅提升。 近期，據(jù)驅(qū)動(dòng)之家報(bào)道，半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士稱(chēng)，Intel將其南橋芯片組的生產(chǎn)外包給了三星，GPU芯片則委托給臺(tái)積電代工生產(chǎn)，將使用臺(tái)積電的4nm工藝。 ? 這幾年Intel銷(xiāo)量占比持續(xù)下降，為了提高市場(chǎng)占
2021-01-25 17:58:532224 臺(tái)積電的5nm芯片每平方毫米約有1.73億個(gè)晶體管，三星的5nm芯片每平方毫米約有1.27億個(gè)晶體管。這樣對(duì)比來(lái)看，IBM 2nm晶體管密度達(dá)到了臺(tái)積電5nm的2倍。
2021-05-10 14:22:343501 
每平方毫米3.3 億個(gè)。而臺(tái)積電和三星的7納米芯片容納的晶體管數(shù)量大約在每平方毫米9，000萬(wàn)個(gè);三星的5LPE為1.3億個(gè);臺(tái)積電的5納米芯片則是1.7億個(gè)。 IBM 2nm芯片的性能/功耗提升靠
2021-05-19 16:14:213888 
不小，三星的3nm工藝密度才跟Intel的7nm差不多。 Digitimes日前發(fā)表了研究報(bào)告，分析了三星、臺(tái)積電、Intel及IBM四家的半導(dǎo)體工藝密度問(wèn)題，對(duì)比了10nm、7nm、5nm、3nm
2021-07-15 09:36:392460 
三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期，三星電子3nm制程工藝的良品率，才到10%-20%，遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo)。
2022-04-20 10:43:132740 完成3nm工藝的量產(chǎn)，還要在3nm工藝的質(zhì)量上勝過(guò)臺(tái)積電。 據(jù)了解，三星3nm工藝將采用GAAFET全柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管，相較于之前的FinFET鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管更為先進(jìn)，與7nm工藝相比，三星的3nm工藝將會(huì)降低50%功耗，提高35%性能，并且大小僅為7nm的5
2022-06-29 17:01:531839 IBM的2nm制程芯片采用的是什么技術(shù)？IBM 2nm制程芯片采用GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，晶體管密度可達(dá)5nm兩倍，每平方毫米容納3.3億個(gè)晶體管，2nm芯片將計(jì)算速度要提高45%，能源效率更是提高75%，電池續(xù)航時(shí)間提升至之前的4倍。
2022-06-29 17:43:081686 日前，三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已經(jīng)開(kāi)始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱(chēng)，其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國(guó)華城工廠開(kāi)始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:272953 ？2nm芯片何時(shí)量產(chǎn)呢？ 據(jù)了解，IBM所研制的這顆2nm芯片僅有人的指甲大，但是其內(nèi)部包含著高達(dá)500億個(gè)晶體管，平均每平方毫米內(nèi)包含著3.3億個(gè)晶體管，而蘋(píng)果著名的A15處理器采用了臺(tái)積電N5工藝，其內(nèi)部每平方毫米有1.7億個(gè)晶體管，這樣一對(duì)比
2022-07-06 11:28:203219 IBM于2021年完成了2納米技術(shù)的突破。據(jù)預(yù)計(jì)，IBM 2nm工藝或能在每平方毫米芯片上集成3.33億個(gè)晶體管。
2022-07-06 14:43:451664 在芯片設(shè)計(jì)和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7nm工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量，幾乎是14nm工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:53:4628010 而在臺(tái)積電3nm量產(chǎn)之前，三星已經(jīng)在今年6月30日宣布，其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝，在當(dāng)日開(kāi)始初步生產(chǎn)芯片，據(jù)外媒報(bào)道，三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片，定于7月25日出貨。臺(tái)積電、三星的3nm之爭(zhēng)似乎已經(jīng)拉開(kāi)帷幕。
2022-08-18 11:57:192174
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