國際整流器公司IR推出高度創(chuàng)新的600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT，適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關應用，包括車載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、電池充電器等。
2012-05-17 10:00:20
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國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，適合在10kHz以下工作的電機驅(qū)動應用，包括冰箱和空調(diào)的壓縮機。
2012-09-05 11:09:191327 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出600V絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 系列，藉以優(yōu)化在10kHz以下操作的馬達驅(qū)動應用，包括冰箱及空調(diào)的壓縮機。
2012-09-06 09:51:002108 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱 IR） 推出 IRGR4045DPbF 和 IRGS4045DPbF，以此拓展絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 系列。全新 600V 超高速溝道
2012-10-17 09:27:031238 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241488 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出IR4311M 和IR4312M，以擴充PowIRaudio? 集成式功率模塊系列。
2013-01-14 11:38:242616 與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術和場截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:008908 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日擴充堅固耐用、可靠的超高速 600 V 溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，為不間斷電源 (UPS) 、太陽能
2011-11-16 08:54:111267 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出緊湊型三相位600V IC IRS2334SPbF和IRS2334MPbF，適用于節(jié)能家電及工業(yè)應用中的反相電機驅(qū)動器。
2012-03-21 08:57:313279 產(chǎn)品線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關電源和光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設計和工藝進行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:501327 
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
最近在做一個項目，直流輸出有600V，輸出與控制板完全隔離，現(xiàn)在我想通過電阻分壓的方式對其進行采樣。分別對輸出+和輸出-作分壓采樣。但是因為輸出地相對板子地是懸浮的，所以分壓電路設計上難把握。請問板上大聲有沒有有經(jīng)驗的或有想法的不吝賜教。另外問一下有沒有用過隔離式直流電壓采樣器件的嗎
2015-09-29 16:25:27
在高壓600V，額定電流10A的壓縮機電機控制中，IGBT經(jīng)常燒壞，主要有哪些原因?qū)е滤鼡p壞。
2024-02-22 17:58:38
IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域.IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定
2021-09-09 08:27:25
采用IR51H420構(gòu)成的高可靠性節(jié)能燈電子鎮(zhèn)流器電路圖
2019-10-31 09:10:48
獨立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。該輸出驅(qū)動器有一個高脈沖電流緩沖級，適用于最小的驅(qū)動器跨導，同時浮動通道可以用來驅(qū)動工作在高達600V高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET或 IGBT。這些器件可為兩種通道提供
2008-11-13 20:40:15
1. 特性? 高端懸浮自舉電源設計，耐壓可達 600V? 適應 5V、3.3V 輸入電壓? 最高頻率支持 500KHZ? VCC 和 VB 端電源帶欠壓保護? 低端 VCC 電壓范圍 10V-20V
2022-09-13 13:22:59
Tvjop=25 °C條件下1200V/150A EconoPACK TM 4 IGBT模塊的關斷和開通特性。 圖4：導通和關斷EconoPACK TM 4 , VCE=600V，IC=ICnom, RG
2018-12-03 13:49:12
具有高脈沖電流緩沖級的設計最小驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗АＦ〉耐ǖ揽捎糜隍?qū)動N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達600V耐負瞬態(tài)電壓，dV/dt柵極驅(qū)動電源
2021-05-11 19:40:19
` SLM2104S 600V IGBT/MOS管半驅(qū)動動IC 封裝SOP8 IR2104S* VOFFSET 600 V max.* IO+/- 130 mA/270 mA* VOUT 10 V
2018-09-07 15:03:06
` 產(chǎn)品特點：*輸出電流能力IO+/- 2.5A/2.5A*高端懸浮自舉電源設計，耐壓可達600V*適應5V，3.3V 15V輸入可方便與TTL，CMOS電平相匹配。*最高頻率支持500KHZ*輸出
2018-08-24 16:10:23
一、概述：SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅(qū)動器，專為驅(qū)動MOSFET和IGBT設計。其核心優(yōu)勢在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對稱驅(qū)動電流以及全電壓范圍內(nèi)的浮動通道
2025-11-20 08:47:23
影響
通道匹配兩通道間匹配傳輸延時核心特性詳解：
浮動通道與自舉供電：專為自舉操作設計的浮動通道，使SLM2181CA-DG能直接驅(qū)動高邊配置的N溝道功率MOSFET或IGBT，工作電壓高達600V，這顯著
2025-11-21 08:35:25
代替IR2186，為600V以下的MOSFET和IGBT應用提供高性價比的單芯片驅(qū)動方案。核心優(yōu)勢：高壓驅(qū)動與可靠保護的完美結(jié)合SiLM2186CA-DG的核心價值在于其卓越的電氣性能和強大的系統(tǒng)保護
2025-08-23 09:36:06
SiLM2234 600V半橋門極驅(qū)動器，支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力，專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅(qū)動設計，內(nèi)部集成自舉二極管，顯著簡化外部電路設計，具備優(yōu)異的抗負向
2025-09-11 08:34:41
了其對電壓波動的適應性。3. 簡化設計，集成度高
采用浮動通道架構(gòu)，可直接驅(qū)動工作電壓高達600V的高邊N溝道MOSFET或IGBT，無需復雜的隔離電源，極大地簡化了半橋、全橋等拓撲的設計，降低了方案
2025-09-05 08:31:35
和IGBT器件的可靠驅(qū)動，助力高壓功率器件實現(xiàn)可靠且高效的運行。
寬電壓耐受，驅(qū)動更可靠
1. 600V母線電壓支持：適配工業(yè)開關電源、電機驅(qū)動等高壓應用場景，穩(wěn)定應對高電壓波動。
2. 20V VCC寬
2025-10-21 09:09:18
升/下降時間及170ns典型傳播延遲，顯著降低開關損耗，提升高頻應用下的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。
高邊直驅(qū)設計： 獨特的浮動通道設計，支持直接驅(qū)動600V高邊N溝道MOSFET/IGBT，無需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。圖
2012-06-19 11:36:58
各位大大，最近在做雙向逆變，想問一下用2變比的高頻變壓器，高壓側(cè)600V降壓到300v，升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎，有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側(cè)輸入的電壓，請問有懂這個的能說一下能實現(xiàn)升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
提高了50V，達到650V。圖1圖1 全新650V IGBT4的截面圖。相對于600V IGBT3的改進：芯片厚度增加 （y）、溝道寬度降低（z）、背部P射極能效提高。650V IGBT4動態(tài)特性
2018-12-07 10:16:11
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設計，配有高端和低端驅(qū)動器，可廣泛適用于包括馬達控制、照明、開關電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
驪微電子是芯朋微一級代理商，提供ID2206D 600V 單相風扇驅(qū)動芯片，可兼容替代IR2106，更多驅(qū)動產(chǎn)品手冊 、應用料資請向驪微電子申請。>>
2021-12-22 13:57:58
本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場終止技術的 600V IGBT，即IGBT3在UPS中的應用。在介紹最新溝槽柵場終止技術的背景后，本文探討如何充分利用IGBT靜態(tài)與動態(tài)性能改進和175℃的
2009-11-20 14:30:27
89 供應ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
供應ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動芯片可替代ir2304，提供ID5S609SEC-R1 關鍵參數(shù) ，廣泛應用于中小型功率電機驅(qū)動、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
900A IGBT半橋模塊 SEMiXTM4
SEMiXTM IGBT系列采用溝道技術，具有600V、1200V 和 1700V三種電壓等級
相對于標準模塊30mm的高度，SEMiXTM4的高度才17mm，其長度為183mm，寬度為69m
2007-12-22 11:14:171242 
IGBT在客車DC 600V系統(tǒng)逆變器中的應用與保護
1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:211691 
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅(qū)動器,它采用高壓集成電路技術和無閂鎖CMOS技術,并采用雙直插式封裝,可用于工作母線電壓高達600V的系統(tǒng)中。其輸入與標準
2009-12-08 10:21:387334 
超高效率600V H系列整流器擴展硅二極管性能
為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)， Qspeed半導體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器（PFC
2009-12-31 10:03:111237 600V MOSFET繼續(xù)擴展Super Junction FET技術
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181434 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場領先的功率開關產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:342107 IR推出汽車驅(qū)動應用的AUIRS2301S 600V IC
國際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC，適用于汽車電機驅(qū)動、微型逆變器驅(qū)動和通用三相逆變器應用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411787 
IR上市600V耐壓的車載設備用柵極驅(qū)動IC
美國國際整流器公司（IR）上市了+600V耐壓的車載設備用柵極驅(qū)動IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:321234 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封裝,P溝道MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關，以及直流應用的系統(tǒng)/負載開
2010-09-20 08:59:091459 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出適用于DC-DC節(jié)能汽車應用的 AUIRS2191S 600V 驅(qū)動 IC 和 AUIRGP50B60PD1
2010-11-16 09:07:571350 帶 600V半橋柵極驅(qū)動器的鎮(zhèn)流器控制IC 應用：照明 IR2153 IR53H420 IR64HD420 IR2156 IR21571 IR21592 IR21593 IR2166 IR
2011-02-09 09:28:4729 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應用
2011-04-12 09:47:051350 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應用進行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:461170 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動器IC，適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅(qū)動應用。
2011-10-21 09:45:211990 華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:482638 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 技術平臺。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術平臺利用IR新一代溝道閘極場截止技術，為工業(yè)及節(jié)能
2012-11-21 09:39:403388 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日擴充600V絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，這些經(jīng)過優(yōu)化的新器件尤為適合不間斷電源 （UPS）、太陽能、感應加熱、工業(yè)電機和焊接應用。
2013-02-19 10:58:471416 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 宣布推出堅固可靠的超高速1400V溝道絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IRG7PK35UD1PbF，新器件為電磁爐和微波爐等軟開關應用作出了優(yōu)化。
2014-03-10 09:50:221976 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導通損耗和開關損耗，旨在為焊接應用做出優(yōu)化。
2014-08-19 16:31:533856 2014年10月21日，北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:422388 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR）近日發(fā)布600V車用IGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0，針對混合動力汽車和電動車中的小型輔助電機驅(qū)動應用而優(yōu)化，包括空調(diào)壓縮機應用等。
2014-12-11 11:48:093381 
MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供了
2017-02-10 15:10:112189 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2103，替代FD2503，替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2104，替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 描述bp6901a / bp6908a是一種高電壓，高速半橋預潛水員對功率MOSFET和IGBT。它具有高側(cè)和低側(cè)的輸入，以及具有內(nèi)部死區(qū)時間的兩個輸出通道，以避免交叉?zhèn)鲗?。輸入邏輯水平與3.3v/5v/15v信號兼容。浮高側(cè)通道可驅(qū)動N溝道功率MOSFET或IGBT 600V。
2017-11-23 14:13:3759 MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驅(qū) 動 器。 MIC4609具有300 ns的典型輸入濾波時間，旨在避免出現(xiàn)意外的脈沖和獲得550 ns的傳播延時。MIC4609具有 TTL輸入閾值。
2018-07-02 09:24:0011 意法半導體的STDRIVE601三相柵極驅(qū)動器用于驅(qū)動600V N溝道功率MOSFET和IGBT管，穩(wěn)健性居目前業(yè)內(nèi)最先進水平，可耐受低至-100V的負尖峰電壓，邏輯輸入響應速度在85ns以內(nèi)，處于同級產(chǎn)品一流水平。
2019-07-18 09:03:001529 商業(yè)化正處于起步階段，F(xiàn)S技術更是遠遠落后于發(fā)達國家。本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設計與制造方法，并通過
2019-12-19 17:59:0025 SVF12N60F/S/K 600V N溝道增強型場效應管資料下載。
2022-02-16 14:52:580 220V交流轉(zhuǎn)600V直流，沒有380的可以這樣接直流母線上
2022-06-06 10:07:2927 的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，廣泛應用于DCDC轉(zhuǎn)換器、功率MOSFET和IGBT驅(qū)動、DC/AC轉(zhuǎn)換器等領域。 ir2110替代芯片ID7S625特征 ■ 芯片工作電壓范圍10V~20V ■ 輸入
2022-07-30 16:48:442931 AN-9085 智能電源模塊，600V Motion SPM?3 ver.5 系列用戶指南
2022-11-14 21:08:341 IGBT 堅固性
2022-11-15 19:54:221 600V SPM? 2 系列熱性能（通過安裝扭矩）
2022-11-15 20:04:030 關鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當保護電路被激活時，警報輸出（...
2023-02-08 13:43:211573 
600V耐壓IGBT IPM：BM6337x系列?關鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:212074 PT5616/PT5616A是全橋驅(qū)動IC，在最大阻斷電壓為600V的三相系統(tǒng)中，用于控制功率器件，如MOS晶體管或IGBT。
2023-02-24 18:13:333035 RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:340 RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:470 RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:09:070 RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:11:000 RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:15:310 RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-31 19:26:480 RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:270 RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:390 RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:590 RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:170 RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:310 RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:450 RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:320 RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:430 RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:17:310 RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:19:160 RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-14 09:26:090 RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-14 09:37:470 逆變器、全橋驅(qū)動逆變器等領域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點■浮動工作電壓可達600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:353257 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 供應全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:491 供應600v 30a igbt模塊直流充電機SGT30T60SD1FD代換IGP15T60F，提供SGT30T60SD1FD代換IGP15T60F關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:15:051 供應SGT30T60SD3PU伺服電機控制igbt 600V、30A規(guī)格參數(shù)，提供SGT30T60SD3PU關鍵參數(shù) ，可應用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:09:042 供應50a 600v igbt 驅(qū)動電路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:15:593 供應電機常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:106 英飛凌再次引領行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術創(chuàng)新和卓越性價比，在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)MOSFET技術的新標桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266
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