采用的是超級結(jié)工藝。超級結(jié)技術是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件開發(fā)的，用于改善導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結(jié)技術有助于降低導通電阻，并提高MOS管開關速度，基于該技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉(zhuǎn)換器領域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
解決這些問題來的。這款600V、4A輸出的驅(qū)動器，用更強的抗干擾、更高的效率以及更簡潔的高邊驅(qū)動設計，能讓高壓驅(qū)動設計變得更省心、更可靠。它主要有哪些特點？
扛得住干擾，穩(wěn)得住高壓：能承受600V
2026-01-04 08:59:29
在工業(yè)風機、家電壓縮機或通用電機驅(qū)動等高壓應用中，一個簡潔可靠的半橋驅(qū)動電路是系統(tǒng)穩(wěn)定運行的基礎。SiLM2206CJ半橋門極驅(qū)動器，集成了關鍵的自舉二極管，支持高達600V的母線電壓，在幫助簡化高
2025-12-31 08:22:18
終止（TrenchFSII）技術的600V、7AIGBT。該器件集低損耗、高開關頻率與良好的溫度穩(wěn)定性于一身，為各類中功率變頻與能源轉(zhuǎn)換應用提供了優(yōu)質(zhì)解決方案。核
2025-12-25 16:57:49
681 
在工業(yè)自動化升級浪潮下，變頻器作為核心控制設備，對關鍵元器件的穩(wěn)定性、適配性提出更高要求。其中，600V快恢復二極管作為變頻器整流、續(xù)流回路的核心器件，長期依賴進口型號，BYV26C便是該領域的傳統(tǒng)
2025-12-23 14:43:34948 
、4A輸出的半橋門極驅(qū)動器，旨在通過增強抗擾性、提升驅(qū)動效率并簡化設計，幫助工程師更穩(wěn)妥地駕馭MOSFET和IGBT，確保系統(tǒng)在高功率場景下穩(wěn)定運行。產(chǎn)品主要特性：
寬工作電壓范圍：可承受高達600V
2025-12-23 08:36:15
高壓濾波車規(guī)電容在600V耐壓條件下的應用與換電站接口電壓穩(wěn)定性保障 隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，換電模式作為重要的能源補給方式正獲得廣泛應用。在換電站系統(tǒng)中，高壓濾波電容作為關鍵電子元件，其性能
2025-12-05 15:11:03269 在工業(yè)電機、新能源逆變器等高功率應用的設計中，你是否也在高壓驅(qū)動的門檻前反復權(quán)衡？
如果你的電路需要在最高600V的母線電壓下工作，驅(qū)動大功率MOSFET或IGBT，什么樣的門極驅(qū)動器才能在高頻開關
2025-12-03 08:25:35
傾佳電子研究報告：B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源中的應用與替代分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源
2025-11-21 21:29:06861 
一、概述：高性能半橋驅(qū)動SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，具備獨立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優(yōu)勢在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對稱
2025-11-21 08:35:25
Power Integrations正利用其高壓PowiGaN技術，助力新興800VDC數(shù)據(jù)中心總線架構(gòu)的發(fā)展。作為已實現(xiàn)量產(chǎn)1250V和1700V高壓GaN開關的重點供應商，PI正與NVIDIA合作，加速推動向800VDC供電和兆瓦級機架的轉(zhuǎn)型。
2025-11-20 16:49:471155 一、概述：SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅(qū)動器，專為驅(qū)動MOSFET和IGBT設計。其核心優(yōu)勢在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對稱驅(qū)動電流以及全電壓范圍內(nèi)的浮動通道
2025-11-20 08:47:23
Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導通和低開關損耗完美結(jié)合在一起。該整流器設計用于提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開關或諧振設計的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離，有助于構(gòu)建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224 
2025年，“2000V”成為光伏與儲能領域的熱詞。繼600V、1000V、1500V之后，行業(yè)正加速邁向更高電壓平臺。隨著器件耐壓、絕緣與標準體系的完善，更高母線電壓正成為提升功率密度與系統(tǒng)經(jīng)濟性的關鍵方向。
2025-11-05 09:26:136221 
傾佳電子面向電力電子功率變換系統(tǒng)的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式輔助電源設計 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源
2025-11-03 11:26:47447 
STMicroelectronics STEVAL-CTM011V1主流壓縮機解決方案是一款基于STSPIN32F0601Q控制器的三相逆變器。該解決方案內(nèi)置一個三相600V柵極驅(qū)動器和一個Arm
2025-10-31 11:45:59429 
大功率二極管、IGBT模塊，大功率IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的V-I特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣
2025-10-29 10:39:241726 
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT設計采用先進的溝槽式柵極場終止型結(jié)構(gòu)。STMicroelectronics STGD4H60DF IGBT
2025-10-23 09:58:461592 
STMicroelectronics STSPIN32G060x 600V三相BLDC控制器 采用一體化封裝，用于驅(qū)動三相應用。STMicro STSPIN32G060x包括一個帶32位Arm
2025-10-22 11:29:194441 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）最近多家車企推出的新車型搭載了全新的平臺，平臺電壓從過去的800V再次提升到900V甚至1000V。包括煥新極氪001和極氪7X上搭載了全棧900V高壓架構(gòu)，零跑D19
2025-10-22 09:22:082820 和IGBT器件的可靠驅(qū)動，助力高壓功率器件實現(xiàn)可靠且高效的運行。
寬電壓耐受，驅(qū)動更可靠
1. 600V母線電壓支持：適配工業(yè)開關電源、電機驅(qū)動等高壓應用場景，穩(wěn)定應對高電壓波動。
2. 20V VCC寬
2025-10-21 09:09:18
進行了固件上傳和工程測試。
介紹
Milk-V Duo 是一款基于 CV1800B 芯片的超緊湊型嵌入式開發(fā)平臺。 它可以運行 Linux 和 RTOS，為專業(yè)人士、工業(yè) ODM、AIoT 愛好者、DIY
2025-10-19 13:06:18
白皮書?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢，展示了其經(jīng)過實際應用驗證的可靠性以及滿足800VDC架構(gòu)的功率密度和效率要求(>98
2025-10-14 15:34:13804 
傾佳電力電子設備高壓輔助電源拓撲、器件選型與1700V SiC MOSFET技術分析報告 I. 緒論：高壓電力電子系統(tǒng)對輔助電源的嚴苛要求 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體
2025-10-14 15:06:06453 
)的TGAF40N60F2DIGBT，深入探討它的技術優(yōu)勢及應用前景。當我們拿到一顆IGBT，其數(shù)據(jù)手冊上的參數(shù)是冰冷的，但背后的技術內(nèi)涵卻是鮮活的。TGAF40
2025-09-30 09:41:221711 
，該平臺可以大幅度縮短軟硬件協(xié)同開發(fā)時間，實現(xiàn)“等待時間”向“開發(fā)時間”的轉(zhuǎn)化，助力RiSC-V從“可用”走向“好用”。
2025-09-25 00:32:003857 
揚杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管，產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺，極大的優(yōu)化了器件的導通損耗，產(chǎn)品參數(shù)一致性好，可靠性優(yōu)良，適用于伺服、變頻器等各類中低頻應用領域。
2025-09-18 18:01:392486 
推出全新DualPack 3（DP3）系列電源模塊。該系列模塊采用先進IGBT7技術，提供1200V和1700V兩種電壓等級的六款產(chǎn)品，額定電流范圍300–900A，旨在滿足市場對緊湊、經(jīng)濟高效且簡化的電源轉(zhuǎn)換器解決方案的日益增長需求。
2025-09-17 15:45:45911 各位關注先楫的小伙伴們，基于PX4v1.16.0版本的FMU-V6XHPMv0.1.0(基于HPM_SDKv1.10.0)正式發(fā)布了！為想使用先楫芯片開發(fā)PX4飛控的朋友們提供了基礎平臺，用戶可在此基礎上進行快速開發(fā)
2025-09-16 08:32:202123 
SiLM2234 600V半橋門極驅(qū)動器，支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力，專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅(qū)動設計，內(nèi)部集成自舉二極管，顯著簡化外部電路設計，具備優(yōu)異的抗負向
2025-09-11 08:34:41
了其對電壓波動的適應性。3. 簡化設計，集成度高
采用浮動通道架構(gòu)，可直接驅(qū)動工作電壓高達600V的高邊N溝道MOSFET或IGBT，無需復雜的隔離電源，極大地簡化了半橋、全橋等拓撲的設計，降低了方案
2025-09-05 08:31:35
國硅集成NSG2153D 600V自振蕩半橋MOSFET/IGBT電機驅(qū)動芯片一、概述NSG2153D是一款高壓、高速功率MOSFET自振蕩半橋驅(qū)動芯片。NSG2153D其浮動通道可用于驅(qū)動高低側(cè)N
2025-09-04 10:10:41
在工業(yè)高壓電源系統(tǒng)中，電解電容作為關鍵元器件，其性能直接關系到整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。冠坤電解電容600V高耐壓系列憑借其卓越的性能和穩(wěn)定的表現(xiàn)，成為高壓電路中的"扛把子"，為工業(yè)高壓電源系統(tǒng)提供
2025-09-02 15:44:42630 在跨國工業(yè)供電、數(shù)據(jù)中心及精密設備場景中，電壓不匹配與電網(wǎng)干擾是核心痛點——美國本土常見的600V級電網(wǎng)（480V線電壓）與全球通用的380V工業(yè)電機、208V服務器、220V精密儀器存在電壓壁壘
2025-08-27 10:42:19799 
： SLM2184SCA-13GTR的核心價值在于其高集成度（SOP8小封裝）、高壓能力（600V）、強勁的驅(qū)動電流（950mA） 以及內(nèi)置的智能保護功能（死區(qū)時間、UVLO、關斷引腳）。它為開發(fā)緊湊、可靠的高壓功率驅(qū)動系統(tǒng)提供了一個高效的單芯片解決方案。#SLM2184 #高壓半橋驅(qū)動 #半橋驅(qū)動 #門極驅(qū)動
2025-08-26 09:15:40
代替IR2186，為600V以下的MOSFET和IGBT應用提供高性價比的單芯片驅(qū)動方案。核心優(yōu)勢：高壓驅(qū)動與可靠保護的完美結(jié)合SiLM2186CA-DG的核心價值在于其卓越的電氣性能和強大的系統(tǒng)保護
2025-08-23 09:36:06
升/下降時間及170ns典型傳播延遲，顯著降低開關損耗，提升高頻應用下的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。
高邊直驅(qū)設計： 獨特的浮動通道設計，支持直接驅(qū)動600V高邊N溝道MOSFET/IGBT，無需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫」知識星球-關于IGBT關鍵特性參數(shù)應用指南v3.0版本-「SysPro|動力系統(tǒng)功能解讀」專欄內(nèi)容，全文15500字-文字原創(chuàng)，素材來源：infineon
2025-08-08 07:41:052382 
新品EconoDUAL3IGBT71700V900A半橋模塊帶EC8二極管通過EconoDUAL3TRENCHSTOPIGBT71700V半橋模塊實現(xiàn)可再生能源轉(zhuǎn)換效率最大化，助力脫碳進程產(chǎn)品型號
2025-08-04 18:10:291907 
變頻器重要的細分產(chǎn)品，690V變頻器主要應用于冶金、石油、造紙、港口大型起重設備和船舶等領域。英飛凌上一代的1700VEconoDUAL3IGBT4模塊已經(jīng)在69
2025-07-30 17:30:341044 賽昉科技（StarFive）正式入駐RuyiSDK開發(fā)者社區(qū)，攜手推動RISC-V技術創(chuàng)新。后續(xù)，賽昉科技的技術突破與生態(tài)進展將同步在RVspace及RuyiSDK雙平臺發(fā)布，賽昉技術團隊將定期解答
2025-07-30 10:35:23904 
：SLM21867CA-DG是一款高壓(600V)、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，專為驅(qū)動半橋或類似拓撲中的高邊和低邊開關而設計。其最大亮點在于直接兼容替代IRS21867S，且封裝同為緊湊的SOP8
2025-07-29 08:46:54
此前，7月16日至18日，第五屆RISC-V中國峰會在上海盛大召開。普華基礎軟件副總經(jīng)理兼戰(zhàn)略研究院院長張曉先受邀參會，發(fā)表《開源小滿助力RISC-V軟硬協(xié)同生態(tài)發(fā)展》主題演講，分享了開源小滿
2025-07-28 16:51:481010 
兩款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設計中廣受歡迎
2025-07-23 18:10:061027 
) 1700V 適用1140V交流系統(tǒng)/1500VDC母線 封裝 PrimePACK? 3+ 三菱專利封裝，支持雙面散熱/低電感 VCE(sat) @ IC=600A
2025-07-18 11:54:591476 
RISC-V 的魅力在于以模塊化、開源、開放的指令集為底座，通過平臺化技術框架降低芯片與應用開發(fā)門檻，并以協(xié)同共建的產(chǎn)業(yè)生態(tài)彌合碎片、加速落地。因此，高通高級副總裁 Leendert van
2025-07-17 14:04:484133 于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至
2025-07-16 15:14:08
、接觸器、電機控制器等多種場景，為電路提供可靠的保護。該產(chǎn)品具備快速響應特性，能在電路出現(xiàn)過載或短路情況時迅速切斷電路，有效保障用電安全。其額定電壓為 600V A
2025-07-16 08:48:52
驅(qū)動：±12A源/灌電流峰值，直驅(qū)1200V/1700V IGBT模塊
納秒級響應：90ns傳輸延遲（典型值），保障PWM控制精度
150kV/μs CMTI：工業(yè)級共?？箶_度，徹底杜絕誤觸發(fā)
寬壓
2025-07-15 09:25:36
具備快速響應特性，能在電路出現(xiàn)過載或短路情況時迅速切斷電路，有效保障用電安全。其額定電壓涵蓋 600V AC 和 600V DC，額定電流范圍為 0.1-30A，分
2025-07-14 11:34:41
，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通
2025-07-08 17:31:041890 艾為推出SIM卡電平轉(zhuǎn)換產(chǎn)品AW39103，其憑借優(yōu)異的性能，成功通過高通平臺認證，并獲得高通最高推薦等級(GOLD)。圖1高通平臺認證隨著手機平臺處理器工藝向4nm/3nm演進，其I/O電平已降至
2025-07-04 18:06:291030 
IGBT以發(fā)射極電壓為基準電位驅(qū)動。開關動作時，上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路中，要開通上橋臂IGBT時，需要對門極施加300V加15V，合計315V的母線電壓。因此，需要不受開關噪聲干擾影響的上橋臂驅(qū)動電路。
2025-07-03 10:46:044750 
2025年上海SNEC展會次日，上能電氣成功獲得TüV南德意志集團頒發(fā)的CTF認可實驗室證書，標志著其檢測能力獲得國際權(quán)威認可。TüV南德智慧能源副總裁許海亮為上能電氣無錫研發(fā)中心資源平臺總經(jīng)理吳亞平現(xiàn)場授證。
2025-06-17 18:23:32952 深度工藝審查規(guī)則 ，且更多工藝審查規(guī)則和企業(yè)版專屬高階功能持續(xù)新增中
3、企業(yè)級專屬服務
◆ 輕量 定制開發(fā) （最快3天交付企業(yè)專用規(guī)則庫）
◆ 代建元件庫服務：元件庫600萬+，支持代建服務
2025-06-11 16:02:36
IAR正式發(fā)布其旗艦產(chǎn)品的重大更新版本：Arm開發(fā)工具鏈v9.70和RISC-V開發(fā)工具鏈v3.40。
2025-06-11 14:28:28734 輸出高達600V的電壓；邏輯輸入兼容CMOS（3.3V）或LSTTL標準電平，內(nèi)部集成死區(qū)控制和關斷控制功能。 ? 二、?性能優(yōu)點： 1.?寬工作電壓8~20V； 2.?高輸出源電流/灌電流0.4A
2025-06-11 10:16:11908 
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 揚杰科技近日推出了一款TO-220AB-1 600V 小功率可控硅產(chǎn)品。 核心優(yōu)勢： 1.低導通壓降（VTM ：減少功率損耗，提高能效，降低溫升
2025-06-04 12:05:4446161 
在全球電動汽車市場快速發(fā)展的背景下，PowerIntegrations公司近日推出了一款1700VSiC(碳化硅)開關集成電路，專門為800V電動汽車系統(tǒng)設計。此款新產(chǎn)品
2025-05-28 11:42:09650 
? ? ? ?BDR6307B是一款耐壓600V的半橋柵極驅(qū)動芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動電路，用來驅(qū)動雙 N型 MOS 半橋
2025-05-27 17:21:03
1 MOSFET高輸入阻抗與BJT低導通壓降，形成四層半導體復合結(jié)構(gòu)（PNPN排列），支持600V以上高壓場景 ? 功能特性 ?：兼具高頻開關與高電流承載能力，導通功耗僅為傳統(tǒng)器件的1/5~1/10 ? SiC（碳化硅）功率器件 ? 第三代寬禁帶半導體技術的代表： ? 材料優(yōu)勢 ?：禁帶寬度達3.3eV（硅的3倍）
2025-05-26 14:37:052284 。
這款國產(chǎn)工具通過持續(xù)的技術迭代，正在重新定義硬件開發(fā)標準—— 讓專業(yè)設計更簡單，讓產(chǎn)品創(chuàng)新更高效 。對于追求設計質(zhì)量與效率平衡的工程師，V4.6版本已成為從概念到量產(chǎn)的必備助手。
華秋DFM不僅僅是
2025-05-22 16:07:31
內(nèi)容概要：HPD2606X是一款600V半橋柵極驅(qū)動器，采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術，能夠穩(wěn)定驅(qū)動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設計、抗dV/dt瞬態(tài)負電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300 （Power Integrations）推出五款面向800V汽車應用的全新參考設計，這些參考設計基于該公司的1700V InnoSwitch?3-AQ反激式開關IC實現(xiàn)。 ? 從12V 到800V ：解讀電動汽車高壓化背后的電源革命難題 與新能源汽車相比，傳統(tǒng)燃油汽車跟電源管理相關應用的電壓等級相
2025-05-16 18:21:297513 
UCC21710 是一款電隔離式單通道柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動高達 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進的集成保護、一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21710具有高達 ±10A
2025-05-16 17:26:07842 
UCC21717-Q1 是一款電隔離式單通道柵極驅(qū)動器，設計用于驅(qū)動高達 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進的集成保護、一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21717-Q1
2025-05-16 11:07:10697 
功率變換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今天宣布推出五款面向800V汽車應用的全新參考設計，這些參考設計基于該公司的1700V InnoSwitch
2025-05-08 14:30:334723 
在功率器件快速發(fā)展的當下，如何實現(xiàn)更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋，成為行業(yè)關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，專為高頻應用場景設計。依托先進工藝平臺與系統(tǒng)化設計能力，為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅(qū)動力。
2025-04-29 14:43:471042 云平臺連接（SC171開發(fā)套件V3）
序列
課程名稱
視頻課程時長
視頻課程鏈接
課件鏈接
工程源碼
1
SC171連接華為云案例Part1
7分55秒
https://t.elecfans.com
2025-04-27 14:23:27
平臺介紹及基本使用（SC171開發(fā)套件V3）
序列
課程名稱
視頻課程時長
視頻課程鏈接
課件鏈接
1
邊緣AIoT開發(fā)套件V3
*附件：邊緣AIoT開發(fā)套件V3.pdf
2
開箱指南
8分44
2025-04-17 10:49:20
軟件平臺的使用（SC171開發(fā)套件V3）
序列
課程名稱
視頻課程時長
視頻課程鏈接
課件鏈接
工程源碼
1
WIFI連接指南
5分16秒
https://t.elecfans.com/v
2025-04-16 17:25:13
2025年3月25日，華微軟件自主研發(fā)的“通過構(gòu)建表模式與SQL轉(zhuǎn)換降低自然語言生成復雜SQL的方法”正式獲得國家知識產(chǎn)權(quán)局授權(quán)。據(jù)悉，該專利將運用于華微大模型應用開發(fā)平臺，這意味著平臺的智能數(shù)據(jù)
2025-04-15 17:45:07502 
盾華電子600余盞新型智慧路燈“儲能路燈”悄然落地湖北荊門
2025-04-10 08:37:52524 
只有600V、25A。很長一段時間內(nèi)，耐壓水平限于1200V～1700V，經(jīng)過長時間的探索研究和改進，現(xiàn)在IGBT的電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A和4500V/1800A，高壓
2025-04-09 15:02:01
新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級中提供15A、20A和30A三個型號，額定功率高達
2025-04-01 17:34:231257 HPD2606X擁有配合自舉電路操作的浮動通道設計，可穩(wěn)定驅(qū)動高壓側(cè)的功率器件。HPD2606X能耐受負向瞬態(tài)電壓，抗dV/dt干擾。HPD2606X支持10V~20V的柵極驅(qū)動電壓，具備欠壓鎖定功能，可兼容3.3V、5V、15V邏輯電平。
2025-03-26 11:33:37828 
隨著功率半導體IGBT，SiCMOSFET技術的發(fā)展和系統(tǒng)設計的優(yōu)化，電平位移驅(qū)動電路應用場景越來越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅(qū)動芯片電流可達+/-2.3A
2025-03-24 17:43:4010957 由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級價值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓擴展至2000V，新的可能性隨之而來。以前需要
2025-03-14 11:01:15793 
陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管，產(chǎn)品型號為YGK40N120TMA1。
2025-03-11 16:17:25901 
近日，京東方華燦華匯工廠在珠海市金灣區(qū)成功舉辦主題為“華匯芯啟航，共譜新華章”的喬遷儀式。
2025-03-10 17:26:491046 在工業(yè)生產(chǎn)和半導體設備運行中，電網(wǎng)中的雜質(zhì)和諧波問題常常導致設備運行不穩(wěn)定，甚至引發(fā)安全隱患。為了解決這一問題，卓爾凡電力科技有限公司推出600V變380V加拿大三相隔離變壓器，為您的設備提供高效
2025-03-05 08:58:06577 
卓爾凡電力科技變壓器，當進口的加拿大380V半導體設備在國內(nèi)600V電網(wǎng)環(huán)境下運行時，電壓不匹配問題常常導致設備無法正常工作，甚至可能損壞設備。為解決這一難題，卓爾凡電力科技有限公司推出了600V變
2025-03-05 08:50:52547 
## 600V變380V變壓器：CSA認證，開啟工業(yè)設備出口新時代！ 在全球化背景下，工業(yè)設備的出口已成為企業(yè)拓展國際市場的重要途徑。然而，不同國家的電壓標準差異一直是制約設備出口的關鍵因素之一
2025-03-03 15:30:41698 
在工業(yè)電力系統(tǒng)中，變壓器的安全性和可靠性一直是核心關注點。隨著工業(yè)設備的國際化需求增加，電壓轉(zhuǎn)換設備的性能和安全性顯得尤為重要。卓爾凡電源推出的600V變380V無零線變壓器，憑借其創(chuàng)新的無零線
2025-03-03 15:25:48674 在全球化背景下，工業(yè)設備的國際化適配成為企業(yè)拓展海外市場的重要挑戰(zhàn)之一。尤其是在電力系統(tǒng)標準差異顯著的地區(qū)，如北美、歐洲和亞洲，電壓不匹配問題常常阻礙設備的順利出口。600V變380V變壓器憑借其
2025-03-03 15:23:03628 UCC27714 是一款 600V 高側(cè)、低側(cè)柵極驅(qū)動器，具有 4A 拉電流和 4A 灌電流能力，旨在驅(qū)動功率 MOSFET 或 IGBT。該器件由一個以地為參考的通道 （LO） 和一個浮動通道
2025-02-26 10:52:531307 
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輸入電流流經(jīng)內(nèi)部 1.8 mΩ 導體，該導體產(chǎn)生由集成霍爾效應傳感器測量的磁場。這種結(jié)構(gòu)消除了外部集中器并簡化了設計。低導體電阻可最大限度地減少功率損耗和散熱。固有電流絕緣提供 600V 的終生
2025-02-25 16:24:091326 
600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器，憑借卓越性能與可靠品質(zhì)，成為眾多行業(yè)的理想選擇。 CSA 認證：品質(zhì)與安全的堅實背書 CSA，即加拿大標準協(xié)會認證，在加拿大電氣設備市場擁有至高權(quán)威性。對于變壓器而言，獲得 CSA 認證絕非易事。從設計
2025-02-21 14:56:40797 
BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅(qū)動芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動電路，用來驅(qū)動雙 N 型 MOS 半橋。
BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03
濾波電路及輸出驅(qū)動電路，更適合用于全橋拓撲電路。EG2126 高端的工作電壓可達 600V，低端 VDD 的電源電壓范圍寬 3V～20V。該芯片具有閉鎖功能防止輸
2025-02-19 08:54:50
PCB 上
產(chǎn)品應用
HRA 6~20W 系列模塊電源是一種DC-DC升壓正負雙輸出高壓電源模塊。該模塊電源的輸入電壓分為：4.5~9V、9~18V、及18~36VDC標準（2：1）寬輸入
2025-02-14 15:57:12949 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半導體領域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應用而設計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58994 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應用設計。
2025-01-22 11:03:221221 
近日，泰克科技與遠山半導體的合作再次取得了突破性進展，雙方共同對遠山半導體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進行了全面深入的測試與評估，取得了令人矚目的成果。 此次合作不僅驗證了遠山半導體
2025-01-20 11:07:33962 PI公司誠邀您報名參加電子研習社主辦的線上直播。我們的技術專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準。
2025-01-15 15:41:09898 RISC-V雙系統(tǒng)平臺結(jié)合了FPGA的靈活性和RISC-V指令集的開放性，為用戶提供了一個高效、靈活的開發(fā)環(huán)境。
2025-01-14 09:58:251113 
（PSJ: Polarization Super Junction）技術，并對工藝進行進一步優(yōu)化，使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升（1700V/30A）。
2025-01-14 09:42:281899 
IGBT高速雙包：IGBT 溝槽和場效應管技術采用軟、快速恢復的反并聯(lián)二極管IKW50N60H3600V 第三代高速開關系列 特點TRENCHSTOPTM 技術提供-極低振動
2025-01-11 15:07:17
深圳市三佛科技有限公司供應XD006H060CX1R3 (600V/6A) 芯達茂IBGT管，原裝現(xiàn)貨 XDM芯達茂 IGBT單管 - XD006H060CX1R3 (600V
2025-01-06 15:25:07
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