MUN12AD03 - SEC電源模塊全方位擴(kuò)展指南在電子設(shè)備日益追求高性能、小尺寸、低功耗的今天，電源模塊的重要性愈發(fā)凸顯。MUN12AD03 - SEC電源模塊以其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，為眾多領(lǐng)域帶來(lái)
2026-01-04 10:45:19
實(shí)現(xiàn)0.2nm工藝節(jié)點(diǎn)。 ? 而隨著芯片工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，芯片供電面臨越來(lái)越多問(wèn)題，所以近年英特爾、臺(tái)積電、三星等廠商相繼推出背面供電技術(shù)，旨在解決工藝節(jié)點(diǎn)不斷推進(jìn)下，芯片面臨的供電困境。 ? 正面供電面臨物理極限 ? 在半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的歷程中
2026-01-03 05:58:00
3987 INC.(以下簡(jiǎn)稱“PANJIT”)簽署的股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，特瑞仕將其持有的合并子公司 TOREX VIETNAM SEMICONDUCTOR CO., LTD.(以下簡(jiǎn)稱“TVS”)95%的股權(quán)轉(zhuǎn)讓給 PANJIT。
2025-12-26 16:49:171475 ）技術(shù)。相較于傳統(tǒng)的3nm FinFET工藝，GAA架構(gòu)提供了更出色的靜電控制和更高的電流密度，使芯片性能提升12%，功
2025-12-25 08:56:008274 
①成本優(yōu)勢(shì)，貨源穩(wěn)定
②功耗降低30%-50%，工藝制程采用22nm，主頻由64M升級(jí)到128M。且54系列是M33的核。
③54系列支持藍(lán)牙6.0 ，支持channelsounding功能，52系列不支持。
④54系列支持最新的NCS
2025-12-24 11:09:50
和強(qiáng)大的計(jì)算能力，成為4G智能模塊領(lǐng)域的性能標(biāo)桿。MT6789安卓核心板的亮點(diǎn)在于其采用了臺(tái)積電6nm工藝，這種先進(jìn)的制程技術(shù)相比傳統(tǒng)12nm或7nm工藝顯著優(yōu)化了
2025-12-23 20:18:31143 
從協(xié)議到實(shí)踐——EtherNet/IP與NetStaX的最新進(jìn)展
2025-12-19 15:26:55986 
歲末冬安，圓夢(mèng)芯成。2025年12月10日，北京燕東微電子股份有限公司（688172.SH）旗下北京電控集成電路制造有限責(zé)任公司12英寸集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目（以下簡(jiǎn)稱“燕東微北電集成項(xiàng)目”）迎來(lái)工藝設(shè)備搬入的重要節(jié)點(diǎn)，標(biāo)志著該項(xiàng)目進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試階段，為項(xiàng)目建成投產(chǎn)奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2025-12-19 15:07:19414 Flex Power Modules已將其產(chǎn)品制造擴(kuò)展到歐洲，在奧地利阿爾特霍芬的Flex工廠設(shè)立新的生產(chǎn)基地。此舉將提高Flex Power Modules的電源模塊產(chǎn)能，助力其更快速、更高效地響應(yīng)AI數(shù)據(jù)中心客戶快速增長(zhǎng)的需求。
2025-12-16 13:51:31395 在存儲(chǔ)技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）以其獨(dú)特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點(diǎn)。
2025-12-15 14:39:04242 AI桌面機(jī)器人采用了聯(lián)發(fā)科MTK八核芯片方案，主頻高達(dá)2.0GHz，基于12nm制程工藝設(shè)計(jì)，兼具高性能與低功耗特點(diǎn)。這套方案不僅能夠提供成熟的Android生態(tài)支持，還因其優(yōu)越的性價(jià)比在同類產(chǎn)品中
2025-12-08 19:28:29231 
，極智G-X100采用5nm工藝，chiplet架構(gòu)。彩色透視端到端延遲僅為9毫秒，創(chuàng)下全球最低延遲紀(jì)錄。
2025-11-29 10:59:592523 
最近扒了扒國(guó)產(chǎn)芯片的進(jìn)展，發(fā)現(xiàn)中芯國(guó)際（官網(wǎng)鏈接：https://www.smics.com）的 14nm FinFET 制程已經(jīng)不是 “實(shí)驗(yàn)室技術(shù)” 了 —— 從消費(fèi)電子的中端處理器，到汽車電子
2025-11-25 21:03:40
在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 的 TI GSPS ADC 的奈奎斯特區(qū)，在射頻下具有優(yōu)異的噪聲和線性性能， 將可用航程擴(kuò)展到7^th^奈奎斯特區(qū)
2025-11-18 15:15:13432 
12寸晶圓（直徑300mm）的制造工藝是一個(gè)高度復(fù)雜且精密的過(guò)程，涉及材料科學(xué)、半導(dǎo)體物理和先進(jìn)設(shè)備技術(shù)的結(jié)合。以下是其核心工藝流程及關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn)： 一、單晶硅生長(zhǎng)與晶圓成型 高純度多晶硅提純 原料
2025-11-17 11:50:20328 大家好！疊層固態(tài)電容工藝相比傳統(tǒng)的電容工藝，在響應(yīng)速度上具體快在哪里？
2025-11-15 10:03:31
在需要高速數(shù)據(jù)讀寫與高可靠性的現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)往往面臨寫入速度慢、耐久性有限等挑戰(zhàn)。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其獨(dú)特的磁阻存儲(chǔ)技術(shù)，為工業(yè)控制、汽車
2025-11-13 11:23:46210 優(yōu)勢(shì)支持FinFET及傳統(tǒng)工藝，低至12nm完整的層次化物理版圖，包括任意角度和曲線多邊形支持多用戶并行讀寫OpenAccess數(shù)據(jù)庫(kù)原理圖驅(qū)動(dòng)版圖(SDL)和工程變更單(ECO)保持版圖設(shè)計(jì)時(shí)
2025-11-11 11:22:04373 
英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨(dú)有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為眾多高性能存儲(chǔ)解決方案中的亮點(diǎn)。
2025-11-05 14:34:28280 手持終端采用MT6765高性能平臺(tái)，基于12nm先進(jìn)制程工藝，兼顧性能與能耗的平衡。其8核2.0GHz CPU架構(gòu)能夠輕松應(yīng)對(duì)多任務(wù)處理場(chǎng)景，如數(shù)據(jù)采集、實(shí)時(shí)定位和后臺(tái)運(yùn)算。操作系統(tǒng)支持Android 11與Android 13版本選擇，為不同行業(yè)的定制需求提供了靈活適配空間。
2025-11-03 19:44:37218 
STMicroelectronics X-NUCLEO-LED12A1 LED驅(qū)動(dòng)器擴(kuò)展板用于STM32 Nucleo，具有四個(gè)LED1202器件，可驅(qū)動(dòng)多達(dá)48個(gè)LED。LED1202是一款12
2025-10-31 15:13:16409 
在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來(lái)存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時(shí)具備無(wú)限次擦寫、無(wú)磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長(zhǎng)壽命的統(tǒng)一，是存儲(chǔ)技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 在無(wú)線網(wǎng)絡(luò)普及的當(dāng)下，有線網(wǎng)絡(luò)憑借更穩(wěn)定的傳輸速率和更低的延遲，仍是游戲、直播、大型文件傳輸?shù)葓?chǎng)景的首選。而USB擴(kuò)展網(wǎng)卡（又稱USB千兆網(wǎng)卡、USB轉(zhuǎn)以太網(wǎng)適配器），則成為解決設(shè)備缺少網(wǎng)口、網(wǎng)口
2025-10-24 15:37:02755 
作為磁阻存儲(chǔ)器領(lǐng)域的重要分支，SOT-MRAM因其獨(dú)特的寫入機(jī)制與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點(diǎn)方向。該技術(shù)利用具有強(qiáng)自旋軌道耦合效應(yīng)的材料層，通過(guò)自旋軌道力矩驅(qū)動(dòng)磁性隧道結(jié)中納米磁體的確定性翻轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)高效、可控的數(shù)據(jù)寫入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24338 使用的rtl官方源代碼：e203_hbirdv2
使用的FPGA開發(fā)板：DDR200T
擴(kuò)展原因：蜂鳥e203的內(nèi)存ITCM和DTCM都是64k，太小，不能加載較大的程序（如:幾M）
擴(kuò)展方案
2025-10-24 08:12:53
，聯(lián)發(fā)科MT6769芯片憑借其性能均衡、低功耗和成熟的生態(tài)支持，成為智能車載終端的優(yōu)質(zhì)選擇。聯(lián)發(fā)科MT6769是一款采用12nm FinFET工藝的系統(tǒng)級(jí)芯片(So
2025-10-16 19:58:35367 
STMicroelectronics X-NUCLEO-NFC12A1 NFC讀卡器擴(kuò)展板基于高端NFC讀卡器ST25R300。該擴(kuò)展板的配置可在讀卡器模式下支持所有五種NFC Forum標(biāo)簽類型。
2025-10-15 10:35:17427 
（CGD） 13日宣布與領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工企業(yè)格芯（GlobalFoundries，簡(jiǎn)稱 GF）達(dá)成合作伙伴關(guān)系。此次合作強(qiáng)化了 CGD 的無(wú)晶圓廠戰(zhàn)略，拓展了其 ICeGaN? 功率器件的供應(yīng)鏈
2025-10-15 09:39:57860 MT6769核心板是一款采用聯(lián)發(fā)科MT6769芯片的高性能安卓核心板，以其性能均衡、接口豐富的特點(diǎn)，在智能設(shè)備領(lǐng)域展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用潛力。以下是對(duì)該核心板的詳細(xì)介紹：MTK6769安卓核心板采用臺(tái)積電12nm制程工藝，具有低功耗和高性能的特點(diǎn)，為設(shè)備提供了更長(zhǎng)的續(xù)航時(shí)間和更流暢的操作體驗(yàn)。
2025-09-22 19:56:262088 
現(xiàn)代AI智能眼鏡的技術(shù)發(fā)展，得益于先進(jìn)芯片工藝的推動(dòng)。以聯(lián)發(fā)科12nm制程工藝為例，相較于傳統(tǒng)的14nm制程，其在功耗控制上表現(xiàn)卓越，最高可節(jié)省15%的電量。這一改進(jìn)對(duì)于AI智能眼鏡這種高續(xù)航需求的設(shè)備來(lái)說(shuō)尤為重要，能夠顯著提升設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中的穩(wěn)定性與可靠性。
2025-09-18 20:03:50677 
BCM56771A0KFSBG性能密度：?jiǎn)涡酒?12.8Tbps + 32×400G 端口，降低設(shè)備數(shù)量與 TCO。技術(shù)前瞻：PAM4 調(diào)制 + 7nm 工藝，平滑演進(jìn)至 800G 時(shí)代。能效比
2025-09-09 10:41:47
。
FinFET是在22nm之后的工藝中使用，而GAA納米片將會(huì)在3nm及下一代工藝中使用。
在叉形片中，先前獨(dú)立的兩個(gè)晶體管NFET和PFET被連接和集成在兩邊，從而進(jìn)一步提升了集成度。同時(shí)，在它們之間
2025-09-06 10:37:21
FAQ_MA35_Family eMMC如何將映像編程到其中一個(gè)分區(qū)中，并將其他分區(qū)用于其他目的？
2025-09-02 08:05:33
聯(lián)發(fā)科MT6769是一款專為智能設(shè)備設(shè)計(jì)的高集成度平臺(tái)處理器，具備強(qiáng)大的性能和廣泛的功能支持，能夠滿足現(xiàn)代設(shè)備在計(jì)算、存儲(chǔ)、多媒體和連接等方面的多樣化需求。MT6769采用臺(tái)積電12nm制程技術(shù)
2025-08-26 20:00:311512 
珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司實(shí)現(xiàn)新突破！我司基于40HV（40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process）工藝制程的一次性可編程存儲(chǔ)IP核已在國(guó)內(nèi)兩家頭部晶圓代工廠經(jīng)過(guò)
2025-08-14 17:20:531311 、OPCUA、HTTP等），并將其轉(zhuǎn)換為目標(biāo)系統(tǒng)或設(shè)備可識(shí)別的協(xié)議格式，從而實(shí)現(xiàn)跨協(xié)議的通信與數(shù)據(jù)交互。 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，協(xié)議解析網(wǎng)關(guān)就像“翻譯官”，在使用不同“語(yǔ)言”（協(xié)議）的設(shè)備之間搭建橋梁，確保數(shù)據(jù)能夠準(zhǔn)確、高效地傳輸和理解。 協(xié)議解析
2025-08-13 14:04:59706 
功能是實(shí)現(xiàn)不同協(xié)議格式的報(bào)文（數(shù)據(jù)）在傳輸過(guò)程中的解析、轉(zhuǎn)換和轉(zhuǎn)發(fā)。 一、協(xié)議轉(zhuǎn)換網(wǎng)關(guān)的核心作用 1.協(xié)議解析與轉(zhuǎn)換 接收來(lái)自不同設(shè)備的報(bào)文（如傳感器的Modbus協(xié)議、PLC的Profinet協(xié)議、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的MQTT協(xié)議等），將其從原始
2025-08-11 14:08:22789 
平臺(tái)的首選協(xié)議。從傳感器數(shù)據(jù)采集到設(shè)備遠(yuǎn)程控制，從車間級(jí)監(jiān)控到跨廠區(qū)協(xié)同，MQTT 正在重塑工業(yè)通信架構(gòu)。GraniStudio 軟件通過(guò)對(duì) MQTT 協(xié)議的全場(chǎng)景整合，將其復(fù)雜的連接管理、消息路由
2025-08-04 09:48:34884 
睿莓1是一款由上海晶珩研發(fā)的專為多種應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)的單板計(jì)算機(jī)，具備優(yōu)異的性能和小巧緊湊的尺寸，同時(shí)提供了極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。它搭載了一顆12nm工藝的AmlogicS905X4四核Cortex-A55處理器，主頻達(dá)到2.0GHz，并配備了ARMMail
2025-07-22 08:08:55961 
協(xié)議分析儀作為網(wǎng)絡(luò)通信和嵌入式系統(tǒng)調(diào)試的核心工具，需支持從低速總線到高速接口、從有線到無(wú)線的廣泛協(xié)議。以下是常見協(xié)議分類及典型應(yīng)用場(chǎng)景，幫助選擇適合的分析儀：一、高速串行總線協(xié)議1. 計(jì)算機(jī)外設(shè)接口
2025-07-17 15:40:38
MTK安卓開發(fā)板采用先進(jìn)的12nm工藝制程，其搭載的八核Cortex-A53處理器主頻高達(dá)2.3GHz，展現(xiàn)了卓越的性能表現(xiàn)。該開發(fā)板內(nèi)置4GB運(yùn)行內(nèi)存和64GB存儲(chǔ)空間，并預(yù)裝Android
2025-07-15 20:00:04581 
近日，格羅方德（GlobalFoundries）宣布達(dá)成一項(xiàng)最終協(xié)議，擬收購(gòu)人工智能（AI）和處理器IP領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商MIPS。此次戰(zhàn)略收購(gòu)將拓展格羅方德可定制IP產(chǎn)品的陣容，使其能夠借助IP和軟件能力，進(jìn)一步凸顯工藝技術(shù)的差異化優(yōu)勢(shì)。
2025-07-09 18:03:451036 在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，三星電子的戰(zhàn)略動(dòng)向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整，原本計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝，將推遲至2029年。而在
2025-07-03 15:56:40690 MT8766是一款基于四核A53架構(gòu)設(shè)計(jì)的高性能芯片，主頻高達(dá)2.0GHz，采用先進(jìn)的12nm制程工藝。憑借高效的硬件架構(gòu)和多樣化功能，MT8766在多媒體處理、無(wú)線通信和低功耗優(yōu)化方面表現(xiàn)出色，為智能設(shè)備提供強(qiáng)大支持，是現(xiàn)代智能硬件領(lǐng)域的理想選擇。
2025-06-10 20:20:391502 
德索在M12接口領(lǐng)域深耕多年，其轉(zhuǎn)接頭、轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品支持多規(guī)格定制，從原材料到生產(chǎn)全流程質(zhì)量管控，確保與工業(yè)交換機(jī)的高度適配性。憑借精密工藝與嚴(yán)苛品控，德索為M12接口工業(yè)交換機(jī)重構(gòu)工業(yè)通信生態(tài)提供可靠硬件支撐。
2025-06-10 11:52:43646 
當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門檻！據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電2nm芯片良品率已突破 90%，實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)飛躍！
2025-06-04 15:20:211051 內(nèi)部的并行性實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展性、高吞吐量和低延遲的目標(biāo)。相較于SATA協(xié)議，NVMe協(xié)議具有以下幾點(diǎn)優(yōu)勢(shì)：管理更高效、功能性更強(qiáng)、I/O效率更高、讀寫延遲和功耗更低。由于NVMe SSD與HDD和SATA
2025-06-02 23:28:54
MT8768安卓核心板是一款高度集成的嵌入式系統(tǒng)模塊，集成了CPU、內(nèi)存(如LPDDR4X)、存儲(chǔ)(eMMC或FLASH)和電源管理芯片等核心部件?；诼?lián)發(fā)科MTK8768處理器，該模塊采用12nm
2025-05-29 19:59:031726 
處理器打造，采用先進(jìn)的12nm制程工藝，主頻高達(dá)2.0GHz，并運(yùn)行Android 11.0操作系統(tǒng)。其強(qiáng)大的性能、低功耗設(shè)計(jì)和靈活的擴(kuò)展能力，使其成為多種嵌入式應(yīng)
2025-05-28 19:46:54843 
歸因于 SDE 深度的降低。隨著 CMOS尺寸的降低，為控制短溝道效應(yīng)，結(jié)深也需要相應(yīng)的降低。然而，降低源漏擴(kuò)展區(qū)的深度會(huì)導(dǎo)致更高的電阻。這兩個(gè)互相矛盾的趨勢(shì)要求新的工藝技術(shù)能夠在更淺的區(qū)域形成高活化和低擴(kuò)散的高濃度結(jié)。
2025-05-27 12:01:13964 
使用cyusb.dll(NET), USBDeviceList枚舉USB設(shè)備，可以正常訪問(wèn)，當(dāng)我用外在部件將其從USB3.0強(qiáng)制到USB2.0后如何高效重新打開設(shè)備，重復(fù)調(diào)用USBDeviceList，會(huì)出現(xiàn)效率低下
2025-05-19 06:15:30
這款小尺寸安卓主板采用了聯(lián)發(fā)科MT8768處理器，配備八核心(ARM A53架構(gòu)，主頻2.0GHz)，結(jié)合先進(jìn)的12nm工藝制造，兼具低功耗與強(qiáng)大性能。板載4GB RAM和64GB存儲(chǔ)空間，為多種設(shè)備提供穩(wěn)定的運(yùn)行環(huán)境，滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2025-05-12 20:13:19948 
期，從領(lǐng)先的臺(tái)積電到快速發(fā)展的中芯國(guó)際，晶圓廠建設(shè)熱潮持續(xù)。主要制造商紛紛投入巨資擴(kuò)充產(chǎn)能，從先進(jìn)的3nm、5nm工藝到成熟的28nm、40nm節(jié)點(diǎn)不等，單個(gè)項(xiàng)目
2025-04-22 15:38:361573 
近日，國(guó)民技術(shù)電源管理產(chǎn)品再添新成員，正式發(fā)布高性能多協(xié)議快充協(xié)議SoC芯片（NP11/NP12/NP21系列），采用Arm內(nèi)核，基于Flash工藝設(shè)計(jì)，產(chǎn)品可支持PD/QC/UFCS/APPPLE
2025-04-18 21:06:001324 
%左右開始，隨著進(jìn)入量產(chǎn)階段，良率會(huì)逐漸提高”。
星電子將在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 內(nèi)存芯片和 4nm 邏輯芯片， 雖然邏輯芯片端的初始成績(jī)較為喜人，但 1c DRAM 方面
2025-04-18 10:52:53
我們很高興能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 標(biāo)準(zhǔn)封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實(shí)現(xiàn)首次流片成功。這一里程碑彰顯了我們持續(xù)提供高性能車規(guī)級(jí) IP 解決方案?的承諾，可滿足新一代汽車電子和高性能計(jì)算應(yīng)用的嚴(yán)格要求。
2025-04-16 10:17:15843 
第9章 集成電路制造工藝概況 第10章 氧化 第11章 淀積 第12章 金屬化 第13章 光刻：氣相成底膜到軟烘 第14章 光刻：對(duì)準(zhǔn)和曝光 第15章 光刻：光刻膠顯影和先進(jìn)的光刻技術(shù) 第16章
2025-04-15 13:52:11
！開發(fā)板介紹芯片框架
核心升級(jí)，產(chǎn)品炸裂QuarkPi-CA2卡片電腦搭載瑞芯微RK3588S芯片，采用8nm制程工藝，搭載4核Cortex-A76+4核Cortex-A55，6.0Tops NPU
2025-04-11 16:03:36
從鑄造到打磨，每一個(gè)工藝環(huán)節(jié)在德索精密工業(yè)內(nèi)部都緊密相連，共同編織成 SMA 接口尺寸雕琢的精密鏈條。正是憑借對(duì)工藝的執(zhí)著追求以及對(duì)細(xì)節(jié)的極致把控，德索精密工業(yè)制造的 SMA 接口得以在微小尺寸
2025-03-26 08:41:13629 這AD5541/ AD5542 是單通道、16 位、串行輸入、電壓輸出數(shù)模轉(zhuǎn)換器 （DAC），采用 2.7 V 至 5.5 V 單電源供電。DAC 輸出范圍從 0 V 擴(kuò)展到 VREF。
2025-03-25 10:00:26
在我用photodiode工具選型I/V放大電路的時(shí)候，系統(tǒng)給我推薦了AD8655用于I/V，此芯片為CMOS工藝
但是查閱資料很多都是用FET工藝的芯片，所以請(qǐng)教下用于光電信號(hào)放大轉(zhuǎn)換（主要考慮信噪比和帶寬）一般我們用哪種工藝的芯片，
CMOS,Bipolar，F(xiàn)ET這三種工藝的優(yōu)缺點(diǎn)是什么？
2025-03-25 06:23:13
我們使用了過(guò)采樣技術(shù)把12位擴(kuò)展到15位ADC，發(fā)現(xiàn)跳動(dòng)較大，模擬量可能有最大上下30左右的跳動(dòng)，對(duì)于15位ADC來(lái)說(shuō)，相當(dāng)于3個(gè)mv的跳動(dòng)，為了查找問(wèn)題原因，取消了過(guò)采樣技術(shù)，直接觀察12位ADC
2025-03-24 09:54:25
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?據(jù)多方消息來(lái)源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?2022”?上首
2025-03-23 11:17:401827 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 據(jù)多方消息來(lái)源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
2025-03-22 00:02:002462 CMT4531 支持BLE高速數(shù)據(jù)吞吐，包括BLE 2Mbps PHY協(xié)議與長(zhǎng)度擴(kuò)展功能；同時(shí)，CMT4531還可完全支持BLE Mesh協(xié)議下的Friend、LowPower、Proxy、Relay等多種節(jié)點(diǎn)特性，是打造智能家居BLE Mesh網(wǎng)絡(luò)的理想選擇之一。
2025-03-14 17:04:221533 
Arm 控股有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：ARM，以下簡(jiǎn)稱“Arm”）近日宣布將 Arm Kleidi 技術(shù)擴(kuò)展到汽車市場(chǎng)。Arm Kleidi 是一項(xiàng)廣泛的軟件及軟件社區(qū)參與計(jì)劃，旨在加速人工智能
2025-03-14 15:36:461423 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，2nm工藝制程的手機(jī)處理器已有多家手機(jī)處理器廠商密切規(guī)劃中，無(wú)論是臺(tái)積電還是三星都在積極布局，或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋果A19 或A20 芯片采用臺(tái)
2025-03-14 00:14:002486 據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái)，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713207 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，萊迪思宣布在FPGA設(shè)計(jì)上前瞻性的布局，使其能夠結(jié)合MRAM技術(shù)，推出了包括Certus-NX、CertusPro-NX和Avant等多款創(chuàng)新產(chǎn)品。這些FPGA器件采用
2025-03-08 00:10:001803 AI智能眼鏡搭載了紫光展銳W517平臺(tái)，這是一款專為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的超低功耗、高性能SoC芯片。W517采用了1+3的大小核CPU架構(gòu)，并基于12nm制程工藝打造，融合了ePOP和超微高集成技術(shù)，從
2025-02-25 20:19:111005 
車載終端采用了聯(lián)發(fā)科的八核Cortex-A53處理器，主頻高達(dá)2.0GHz，并基于12nm制程工藝設(shè)計(jì)，既保證了強(qiáng)大的計(jì)算能力，又有效地控制了能耗。設(shè)備內(nèi)置4GB RAM和64GB存儲(chǔ)空間，運(yùn)行Android 11.0系統(tǒng)，為多任務(wù)處理提供了流暢的用戶體驗(yàn)，即便在復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景下亦表現(xiàn)出色。
2025-02-20 20:17:02607 
DLP9500UV在355nm納秒激光器應(yīng)用的損傷閾值是多少，480mW/cm2能否使用，有沒有在355nm下的客戶應(yīng)用案例？
這個(gè)是激光器的參數(shù)：355nm，脈寬5ns，單脈沖能量60uJ，照射面積0.37cm^2，
2025-02-20 08:42:33
智能安全帽的硬件設(shè)計(jì)，內(nèi)置低功耗四核處理器，主頻高達(dá)2.0GHz，支持12nm制程工藝，既能保證高效的運(yùn)行速度，又能有效減少能耗。用戶還可以選擇更高配置的八核處理器，以滿足更多高性能需求。標(biāo)配內(nèi)存
2025-02-18 19:57:12599 
U系列繼電器的概念是在保持微型封裝尺寸的同時(shí)，提高頻率能力。這個(gè)系列將其合法帶寬擴(kuò)展到了8GHz。提供了多種封裝樣式，如鷗翼型和J型引腳。U系列適用于需要更高頻率和高密度排列的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備、電信和無(wú)線市場(chǎng)。
2025-02-17 13:58:40
本文主要簡(jiǎn)單介紹探討接觸孔工藝制造流程。以55nm接觸控工藝為切入點(diǎn)進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 ? 在集成電路制造領(lǐng)域，工藝流程主要涵蓋前段工藝（Front End of Line，F(xiàn)EOL）與后段工藝
2025-02-17 09:43:282173 
萬(wàn)美元，這是華虹半導(dǎo)體在近三年內(nèi)出現(xiàn)首次單季度虧損。 ? 圖：華虹半導(dǎo)體營(yíng)收情況 ? 華虹半導(dǎo)體是一家特色工藝純晶圓代工企業(yè)，主要晶圓尺寸為8英寸和12英寸，主要面向嵌入式/獨(dú)立式非易失性存儲(chǔ)器、功率器件、模擬與電源管理和邏輯與射頻等特色工藝技術(shù)
2025-02-15 00:12:003151 
Probes Architecture 用于將 Network Discovery 的地理范圍擴(kuò)展到整個(gè)企業(yè)。它們可以在本地查看，也可以作為用于聚合報(bào)告的 Codima Toolbox
2025-02-14 17:08:43610 
據(jù)最新消息，臺(tái)積電正計(jì)劃加大對(duì)美國(guó)亞利桑那州工廠的投資力度，旨在推廣“美國(guó)制造”理念并擴(kuò)展其生產(chǎn)計(jì)劃。據(jù)悉，此次投資將著重于擴(kuò)大生產(chǎn)線規(guī)模，為未來(lái)的3nm和2nm等先進(jìn)工藝做準(zhǔn)備。
2025-02-12 17:04:04995 本文介紹了背金工藝的工藝流程。 本文將解析一下背金工藝的具體的工藝流程及每步的工藝原理。 背金工藝的工藝流程 ? 如上圖，步驟為： ? tape→grinding →Si etch?→ Detape
2025-02-12 09:33:182055 
MTK安卓主板采用了低功耗的MT8768八核平臺(tái)，主頻高達(dá)2.0GHz，基于先進(jìn)的12nm制程工藝。這款安卓主板在4G網(wǎng)絡(luò)下的待機(jī)電流僅為10-15mA/h，支持谷歌Android 11.0系統(tǒng)
2025-02-10 19:58:471130 
智能安全帽采用了基于聯(lián)發(fā)科12nm低功耗高性能處理器的硬件方案，主頻高達(dá)2.0GHz，標(biāo)配2GB運(yùn)行內(nèi)存和16GB存儲(chǔ)空間，且支持擴(kuò)展至128GB，運(yùn)行Android 9.0操作系統(tǒng)。如此配置不僅能滿足復(fù)雜工況下的性能需求，還能確保高清視頻通話的流暢性和穩(wěn)定性。
2025-02-07 20:12:10948 
2025年2月，SEGGER宣布其實(shí)時(shí)軟件驗(yàn)證和可視化工具SystemView增加了多核支持，將其功能擴(kuò)展到單個(gè)芯片上具有多個(gè)CPU內(nèi)核的系統(tǒng)。
2025-02-07 11:24:201175 
轉(zhuǎn)換模塊實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在不同系統(tǒng)間的無(wú)縫傳輸，提升系統(tǒng)的靈活性和可擴(kuò)展性。 一、基本概念 CAN協(xié)議轉(zhuǎn)換模塊，簡(jiǎn)而言之，將CAN總線上的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為其他通信協(xié)議格式(如RS-232、RS-485、Ethernet等)，或者將其他通信協(xié)議的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為CAN總線數(shù)據(jù)的設(shè)備。通常由硬件電路和軟件算法兩部分組成，
2025-02-05 16:37:31805 據(jù)外媒最新報(bào)道，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）與GlobalFoundries已決定暫時(shí)擱置一項(xiàng)共同投資高達(dá)75億歐元的合資晶圓廠項(xiàng)目。該項(xiàng)目原計(jì)劃在法國(guó)Crolles地區(qū)建設(shè)一座先進(jìn)的FDSOI晶圓廠。
2025-01-24 14:10:56875 DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn)，已決定在2024年底對(duì)現(xiàn)有的1b nm工藝進(jìn)行改進(jìn)，并從頭開始設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。然而，三星電子現(xiàn)在對(duì)此表示否認(rèn)，強(qiáng)調(diào)其并未有重新設(shè)計(jì)1b DRAM的計(jì)劃。 盡管三星電子否認(rèn)了重新設(shè)計(jì)的傳聞，但不可否認(rèn)的是，其12nm級(jí)DRAM產(chǎn)品確實(shí)面
2025-01-23 15:05:11921 據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151360 據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本，三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入量產(chǎn)階段的要求。然而，實(shí)際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191001 據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對(duì)三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241107 近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計(jì)新版1b
2025-01-22 14:04:071410 在性能設(shè)計(jì)上，這款車載終端采用了高效的聯(lián)發(fā)科八核處理器，采用Cortex-A53架構(gòu)，主頻高達(dá)2.0GHz，制程工藝僅為12nm，展現(xiàn)了卓越的計(jì)算能力與低能耗的優(yōu)勢(shì)。它內(nèi)置4GB的運(yùn)行內(nèi)存和64GB的存儲(chǔ)空間，搭載Android 11.0系統(tǒng)，確保在多任務(wù)處理時(shí)的流暢體驗(yàn)，滿足用戶的高效需求。
2025-01-20 20:22:21939 
一站式 NVM 存儲(chǔ) IP 供應(yīng)商創(chuàng)飛芯（CFX）今日宣布，其反熔絲一次性可編程（OTP）技術(shù)繼 2021年在國(guó)內(nèi)第一家代工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后，2024 年在國(guó)內(nèi)多家代工廠關(guān)于 90nm BCD 工藝上也
2025-01-20 17:27:471647 Ceva采用臺(tái)積電低功耗12nm工藝打造的新型無(wú)線電。這一技術(shù)突破，使得Links200能夠在開發(fā)基于最新標(biāo)準(zhǔn)的多協(xié)議無(wú)線連接的智能邊緣SoC時(shí)
2025-01-10 15:02:18958 聯(lián)發(fā)科的MT8786處理器采用了靈活的2+6架構(gòu)，配備2顆主頻高達(dá)2.0GHz的Cortex-A75大核心和6顆主頻為1.8GHz的Cortex-A55小核心，采用先進(jìn)的12nm工藝制造。該處
2025-01-09 20:18:184817 
上海富瀚微電子在CES期間發(fā)布了智能眼鏡芯片MC6350。 據(jù)悉MC6350兼具超低功耗、超小尺寸及更優(yōu)圖像效果三大優(yōu)勢(shì)，?MC6350采用12nm低功耗工藝，而且是超小芯片尺寸；8*8mm。
2025-01-09 16:01:203175 車載終端憑借高性能的MT6765處理器，采用八核Cortex-A53架構(gòu)，主頻達(dá)到2.3GHz，基于12nm制程工藝，展現(xiàn)出卓越的計(jì)算能力和能效比。同時(shí)，終端配有強(qiáng)大的IMG GE8320 GPU
2025-01-08 20:11:56816 
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