DDR SDRAM是具有雙倍數(shù)據(jù)傳輸率的SDRAM，其數(shù)據(jù)傳輸速度為系統(tǒng)時鐘頻率的兩倍，由于速度增加，其傳輸性能優(yōu)于傳統(tǒng)的SDRAM。DDR SDRAM 在系統(tǒng)時鐘的上升沿和下降沿都可以進行數(shù)據(jù)傳輸。SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘上升期進行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR則是一個時鐘周期內(nèi)可傳輸兩次數(shù)據(jù)，也就是在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。下面英尚微電子介紹DDR SDRAM內(nèi)存發(fā)展歷程。

（1）DDR SDRAM

DDR SDRAM雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器，它是SDR SDRAM的升級版，DDR SDRAM在時鐘周期的上升沿與下降沿各傳輸一次信號，使得它的數(shù)據(jù)傳輸速度是SDR SDRAM的兩倍，而且這樣做還不會增加功耗，至于定址與控制信號與SDR SDRAM相同，僅在上升沿傳輸，這是對當時內(nèi)存控制器的兼容性與性能做的折中。

DDR SDRAM采用184pin的DIMM插槽，防呆缺口從SDR SDRAM時的兩個變成一個，常見工作電壓2．5V，初代DDR內(nèi)存的頻率是200MHz，隨后慢慢的誕生了DDR-266、DDR-333和那個時代主流的DDR-400，至于那些運行在500MHz，600MHz、700MHz的都算是超頻條了，DDR內(nèi)存剛出來的時候只有單通道，后來出現(xiàn)了支持雙通芯片組，讓內(nèi)存的帶寬直接翻倍，兩根DDR－400內(nèi)存組成雙通道的話基本上可以滿足FBS 800MHz的奔騰4處理器，容量則是從128MB到1GB。

（2）DDR2 SDRAMDDR2/DDR II SDRAM是由JEDEC進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2SDRAM內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。

DDR2的標準電壓下降至1.8V，這使得它較上代產(chǎn)品更為節(jié)能，DDR2的頻率從400MHz到1200MHz，當時的主流的是DDR2-800，更高頻率其實都是超頻條，容量從256MB起步最大4GB，不過4GB的DDR2是很少的，在DDR2時代的末期大多是單條2GB的容量。

（3）DDR3 SDRAMDDR3提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM的后繼者（增加至八倍），也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。

和上一代的DDR2相比，DDR3在許多方面作了新的規(guī)范，核心電壓降低到1.5V，預(yù)取從4-bit變成了8-bit，這也是DDR3提升帶寬的關(guān)鍵，同樣的核心頻率DDR3能夠提供兩倍于DDR2的帶寬，此外DDR3還新增了CWD、Reset、ZQ、STR、RASR等技術(shù)。

DDR3內(nèi)存與DDR2一樣是240Pin DIMM接口，不過兩者的防呆缺口位置是不同的，不能混插，常見的容量是512MB到8GB，當然也有單條16GB的DDR3內(nèi)存，只不過很稀少。頻率方面從800MHz起步，目前比較容量買到最高的頻率2400MHz，實際上有廠家推出了3100MHz的DDR3內(nèi)存，只是比較難買得到，支持DDR3內(nèi)存的平臺有Intel的后期的LGA 775主板P35、P45、x38、x48等，LGA 1366平臺，LGA 115x系列全都支持還有LGA 2011的x79，AMD方面AM3、AM3＋、FM1、FM2、FM3接口的產(chǎn)品全都支持DDR3。

（4）DDR4 SDRAM從DDR到DDR3，每一代DDR技術(shù)的內(nèi)存預(yù)取位數(shù)都會翻倍，前三者分別是2bit、4bit及8bit，以此達到內(nèi)存帶寬翻倍的目標，不過DDR4在預(yù)取位上保持了DDR3的8bit設(shè)計，因為繼續(xù)翻倍為16bit預(yù)取的難度太大，DDR4轉(zhuǎn)而提升Bank數(shù)量，它使用的是Bank Group（BG）設(shè)計，4個Bank作為一個BG組，可自由使用2-4組BG，每個BG都可以獨立操作。使用2組BG的話，每次操作的數(shù)據(jù)16bit，4組BG則能達到32bit操作，這其實變相提高了預(yù)取位寬。

DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點：16bit預(yù)取機制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。

DDR4內(nèi)存的針腳從DDR3的240個提高到了284個，防呆缺口也與DDR3的位置不同，還有一點改變就是DDR4的金手指是中間高兩側(cè)低有輕微的曲線，而之前的內(nèi)存金手指都是平直的，DDR4既在保持與DIMM插槽有足夠的信號接觸面積，也能在移除內(nèi)存的時候比DDR3更加輕松。

如UMI的32位 DDR4 SDRAM，UMI UD408G5S1AF的密度為8Gb，數(shù)據(jù)速率為3200Mbps/2933Mbps/2666Mbps/2400Mbps/2133Mbps/1866Mbps/1600Mbps。商業(yè)工作溫度范圍為0℃至+95℃，工業(yè)工作溫度范圍-40℃至+95℃。支持應(yīng)用在UltraScale FPGA器件中有助于確保獲得最大時序裕量。為保證最佳信號完整性， I/O技術(shù)還包括傳輸預(yù)加重、接收均衡、低抖動時鐘和噪聲隔離設(shè)計技術(shù)。英尚微電子支持DDR4SDRAM內(nèi)存接口送樣及測試。

從DDR到DDR4，不同性能參數(shù)差異主要體現(xiàn)在2個地方：電源電壓、數(shù)據(jù)傳輸速率。電源電壓值越來越低，而數(shù)據(jù)傳輸速率卻是呈幾何倍數(shù)增長。

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