寶礫微MOS管 PL0807N10 DFN5*6 100V/74.4A N溝道MOSFET

應(yīng)用領(lǐng)域：

DC-DC轉(zhuǎn)換

硬開關(guān)和高速電路

電動工具

概述：

PL0807N10是寶礫微推出的漏源電壓100V的N溝道功率MOSFET。產(chǎn)品采用DFN5* 6mm封裝，經(jīng)過100％的UIS測試，100％的Rg測試，安全性能較好。產(chǎn)品適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、SMPS中的同步整流和電機(jī)控制等。最大額定值參數(shù)，25℃下的連續(xù)漏*電流74A。脈沖漏*電流高達(dá)260A。單脈沖雪崩能量為245mJ。耗散功率為83W。工作溫度和存儲溫度范圍為-55℃~150℃，溫度適應(yīng)性較好。結(jié)殼熱阻為1.5℃/W，散熱性能較好。25℃下，漏源導(dǎo)通電阻的典型值為6.5mΩ(VGS=10V)。漏源體二極管的反向恢復(fù)時間的典型值為40ns，產(chǎn)品響應(yīng)快。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

高速電源開關(guān)，邏輯電平

較強(qiáng)的體二極管dv/dt能力

較強(qiáng)的雪崩強(qiáng)度

經(jīng)過100％的UIS測試，100％的Rg測試

無鉛，無鹵素

DFN5* 6mm封裝

深圳市芯美力科技有限公司

寶礫微原廠代理，可提供樣品測試和技術(shù)支持，歡迎聯(lián)系咨詢

審核編輯?黃宇

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HG160N10LS 采用先進(jìn)的 SFGMOS技術(shù)提供低 RDS（ON），低門電荷、快速開關(guān)和出色的雪崩效應(yīng)特點(diǎn)。該設(shè)備是專門設(shè)計(jì)的以獲得更好的耐用性并適合在同步整流應(yīng)用。【寬電壓覆蓋，一管多用

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作為電子工程師，在設(shè)計(jì)電路時，選擇合適的MOSFET至關(guān)重要。今天就來詳細(xì)聊聊Onsemi的NVMFD027N10MCL，一款100V、26mΩ、28A的雙N溝道功率MOSFET，看看它有哪些特性值得我們關(guān)注。

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2025-11-24 14:45:26

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選型手冊：MOT20N65HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT20N65HF是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、100%雪崩測試驗(yàn)證及650V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-24 14:33:13

243

選型手冊：MOT1165G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT1165G是一款面向100V中壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高頻開關(guān)特性及高可靠性，適用于高頻開關(guān)、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-11-24 14:27:27

203

選型手冊：MOT50N03C N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-11-20 16:22:54

305

選型手冊：MOT20N50HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50HF是一款面向500V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED

2025-11-19 11:15:03

277

選型手冊：MOT13N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT13N50F是一款面向500V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、100%雪崩測試驗(yàn)證及500V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-19 10:24:32

240

HGK075N10L加濕器MOS管應(yīng)用方案 TO-252 100V15A

HGK075N10L【TO-252、100V15A、VGS=20V、Vth=1.65V、75mR@10V、SGT工藝】 HGK075N10L 是一款面向中低壓功率場景的N 溝道 SGT 工藝

2025-11-17 14:04:46

選型手冊：MOT10N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT10N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域

2025-11-12 14:15:44

278

選型手冊：MOT7N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT7N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、100%雪崩測試驗(yàn)證及700V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS

2025-11-12 09:34:45

197

基于Vishay SiJK5100E N溝道MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析

Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C

2025-11-11 13:42:26

336

選型手冊：MOT2N65D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65D是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-11 09:23:54

217

選型手冊：MOT50N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承載能力及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC

2025-11-11 09:18:36

255

選型手冊：MOT10N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT10N65F是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域

2025-11-07 10:40:08

223

選型手冊：MOT12N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT12N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域

2025-11-07 10:31:03

211

選型手冊：MOT9N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50F是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-07 10:23:59

240

選型手冊：MOT7N65AF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT7N65AF是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED

2025-11-06 16:15:37

292

選型手冊：MOT5N50BD N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50BD是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-06 16:05:07

286

選型手冊：MOT100N03MC N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、100A大電流承載能力及優(yōu)異的開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如

2025-11-06 15:44:22

305

ZK40N100G：PDFN封裝賦能的中低壓大電流MOS管標(biāo)桿

在中低壓功率電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，MOS管的電流承載能力、封裝尺寸與能效表現(xiàn)，是決定產(chǎn)品競爭力的核心要素。ZK40N100G作為一款高性能N溝道MOS管，以40V耐壓、90A大電流、PDFN5x6

2025-11-05 16:30:47

343

中科微電ZK60N04NF：DFN封裝加持的中低壓功率控制核心

在中低壓功率電子系統(tǒng)中，MOS管的性能參數(shù)與封裝形式直接決定了電路的效率、可靠性與集成度。ZK60N04NF作為一款聚焦實(shí)用化的N溝道MOS管，以60V耐壓、40A電流承載能力及DFN5*6封裝

2025-11-05 16:15:44

304

選型手冊：MOT70N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、70A大電流承載能力及RoHS合規(guī)性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC

2025-11-05 16:01:03

239

選型手冊：MOT15N50F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源

2025-11-05 12:10:09

283

中科微電ZK60N04NF：N溝槽MOS管中的場景適配專家

在功率半導(dǎo)體的細(xì)分賽道中，MOS管的性能參數(shù)直接決定著電路系統(tǒng)的效率與可靠性。ZK60N04NF這款明確標(biāo)注“N溝槽”屬性的MOS管，以60V額定電壓、40A額定電流與DFN5*6封裝的精準(zhǔn)組合

2025-11-05 11:24:13

254

選型手冊：MOT4N65F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT4N65F為N溝道功率MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：6

2025-11-04 15:59:03

238

選型手冊：MOT9N50D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-04 15:22:12

226

選型手冊：MOT90N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流DC-DC轉(zhuǎn)換場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及優(yōu)異開關(guān)特性，廣泛適用于高要求DC-DC轉(zhuǎn)換器、高效

2025-11-03 16:33:23

497

選型手冊：MOT5N50MD 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-03 15:26:33

298

選型手冊：MOT50N02D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力，廣泛適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器

2025-10-31 17:36:09

228

N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管

N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管

2025-10-31 09:35:26

ZK30N100T N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET技術(shù)手冊

ZK30N100T是一款采用先進(jìn)溝槽技術(shù)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，文檔從核心特性、關(guān)鍵參數(shù)、應(yīng)用場景、封裝與包裝、電氣及熱特性、測試電路、機(jī)械尺寸等多維度展開介紹，為該器件的選型

2025-10-16 16:23:01

中科微電mos管ZK30N100G 30V 90A

2025-10-15 17:54:45

中科微電N溝道MOS管：ZK60N20DQ技術(shù)解析特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)指南

在便攜式電子、物聯(lián)網(wǎng)、小型電機(jī)驅(qū)動等中小功率場景中，兼具低功耗、快速響應(yīng)與高可靠性的MOS管成為核心器件。ZK60N20DQ作為一款高性能N溝道增強(qiáng)型MOS管，憑借 “高耐壓、大電流、微型封裝

2025-09-29 17:45:06

696

Toshiba推出采用最新一代工藝技術(shù)[1]的100V N溝道功率MOSFET，以提升工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源效率

Toshiba推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工藝U-MOS11-H[1]制造的100V N溝道功率MOSFET。該MOSFET的目標(biāo)應(yīng)用包括數(shù)據(jù)中心和通信基站所用

2025-09-28 15:17:14

500

FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-09-23 15:03:33

100V200V250V MOS管詳解 -HCK450N25L

施加正電壓會使P型硅表面反型形成N型溝道；而對于PMOS管，柵極施加負(fù)電壓則使N型硅表面反型形成P型溝道。這種溝道的形成與調(diào)控機(jī)制，構(gòu)成了MOS管工作的基礎(chǔ)。主要特點(diǎn) 高輸入電阻：由于柵極與半導(dǎo)體間

2025-08-29 11:20:36

N管15N10 場效應(yīng)管 100V60V30V15A 電源MOS管HC070N10L TO-252封裝散熱好低內(nèi)阻皮實(shí)耐抗

高效可靠，驅(qū)動未來：惠海HC070N10L MOSFET賦能電子設(shè)計(jì) 在追求高效能與緊湊設(shè)計(jì)的電子工程領(lǐng)域，惠海半導(dǎo)體推出的HC070N10L N溝道MOS管憑借其良好性能與工業(yè)級可靠性，成為中小

2025-08-09 11:10:45

支持60V70V80V100V45A大電流方案N通道MOS管HC025N10L高性價(jià)比高效率穩(wěn)定

。惠海半導(dǎo)體MOS管包含20V 30V 40V 60V 100V 150V 200V 250V的不同電壓值的PDFN33、PDFN56、TO-252、SOP-8、SOT23、SOT89-3、TO-220的全系列NMOS和PMOS

2025-07-10 14:03:45

DK5V100R10VN 東科集成100V功率NMOS管同步整流芯片

DK5V100R10VN是一款簡單高效率的同步整流芯片。芯片內(nèi)部集成了100V功率NMOS管，可以大幅降低二極管導(dǎo)通損耗，提高整機(jī)效率，取代或替換目前市場上等規(guī)的肖特基整流二極管

2025-07-05 15:53:44

AP8N10MI 永源微8A100V SOT23-3n溝道增強(qiáng)模式MOSFET

描述AP8N10MI采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供優(yōu)良的rds (ON)，低柵極電荷和工作電壓低至4.5V。這該裝置適合作為電池保護(hù)裝置使用或其它開關(guān)應(yīng)用。一般特征vds = 100v I d = 8aR

2025-06-30 09:50:05

100V15A點(diǎn)煙器N溝道MOS管HC070N10L

N溝道MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種電壓控制型器件，依靠N型半導(dǎo)體中的電子導(dǎo)電。當(dāng)柵極電壓超過閾值電壓時，源極與漏極之間形成導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)電流導(dǎo)通，具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快

2025-06-27 17:35:56

20A TO252 -2L 20N10D N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書

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2025-05-14 16:42:46

ZSKY-2302-20V-2.3A 150-160K N溝道MOSFET技術(shù)手冊

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2025-05-13 16:40:56

ZSKY-2302-20V-2.3A 155K N溝道MOSFET技術(shù)手冊

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2025-05-13 16:38:34

ZSKY-2302-20V-3A N溝道MOSFET技術(shù)手冊

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2025-05-13 16:34:29

ZSKY-2302-20V-3A N溝道MOSFET規(guī)格書

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2025-05-13 16:31:15

MOS管的工作原理：N溝道與P溝道的區(qū)別

MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子設(shè)備中最常用的半導(dǎo)體器件之一。它通過電場效應(yīng)控制電流的導(dǎo)通與截止，廣泛應(yīng)用于放大、開關(guān)和信號處理等電路中。MOS管根據(jù)溝道類型的不同，主要分為N溝道

2025-05-09 15:14:57

2336

CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

這款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18513Q5A 40V N 溝道 NexFET

2025-04-16 10:54:00

755

CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

這款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18512Q5B 40 V N 溝道 NexFET

2025-04-16 10:20:33

784

納祥科技NX7010，PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A雙N溝道MOSFET

NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX701030V20A雙N溝道MOSFET30V20A雙N溝道MOSFET納祥科技NX7010是一款30V20A雙N溝道MOSFET，它的工作原理是基于柵

2025-03-21 15:33:20

782

PSMN2R6-100SSF N溝道MOSFET規(guī)格書

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2025-02-18 15:41:52

PSMN8R9-100BSE N溝道100V,10 mOhm,標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET規(guī)格書

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2025-02-14 15:44:04

PSMN2R3-100SSE N溝道100V、2.3 mOhm MOSFET規(guī)格書

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2025-02-14 15:42:09

2N7002AKM-Q 60V、N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書

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2025-02-09 11:29:17

瑞薩電子推出全新100V大功率MOSFET

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子，近日宣布了一項(xiàng)重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1，成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET：RBA300N10

2025-01-22 17:04:06

992

Powlicon/寶礫微 60V 5A 同步降壓轉(zhuǎn)換芯片PL86051 DC-DC應(yīng)用

寶礫微代理商 PL86051是一款為高性能同步降壓DC/DC應(yīng)用設(shè)計(jì)的高壓降壓轉(zhuǎn)換器，輸入電壓高達(dá)60V。PL86051集成了一個高效率的同步降壓開關(guān)穩(wěn)壓器，包括一個60V、20毫歐的高端和一個

2025-01-20 14:29:39

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寶礫微MOS管 PL0807N10 DFN5*6 100V/74.4A N溝道MOSFET

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