大家清晰的了解GaN產(chǎn)品。 1．從氮化鎵GaN產(chǎn)品的名稱上對比 如下圖所示，產(chǎn)品GaN標示圖。納微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英諾賽科： E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:00
27189 
。 因為太貴，買得起的用戶，在使用時也有嚴格的使用申請管控，用完即還；我們也一直沒能有機會對它有更多了解。 一家知名企業(yè)將麥科信光隔離探頭與泰克光隔離探頭進行了現(xiàn)場實測對比，并將對比結(jié)果分享給我們。? ▲麥科信光隔離探
2023-01-06 15:07:331621 
10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案
2023-10-25 11:38:30794 
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054793 
目錄 什么是光隔離探頭？ 1. 新品探頭介紹 2. 高壓差分探頭 vs 光隔離探頭 3. 光隔離探頭的應(yīng)用場景 寬禁帶半導(dǎo)體市場前景 光隔離探頭的典型測試案例——上管測試（high-side
2025-03-19 09:09:161616 
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
一直存在問題，導(dǎo)致其產(chǎn)品研制受阻；工程師尋求原廠FAE技術(shù)支持，因測試結(jié)果的數(shù)據(jù)與理論數(shù)據(jù)相差懸殊，原廠FAE懷疑客戶的測試手段可能存在問題，建議客戶采用麥科信公司的OIP系列光隔離探頭進行測試，讓
2023-02-01 14:52:03
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
被譽為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
相信最近關(guān)心手機行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢，針對 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續(xù)波運行可提供超過 70
2017-08-15 17:47:34
。在此基礎(chǔ)上，增加單管激光器的發(fā)光區(qū)寬度和長度，單管激光器的光功率可以進一步提升，并結(jié)合正在發(fā)展的GaN激光器的光束整形和合束技術(shù)，將實現(xiàn)更高功率的激光器模組。氮化鎵激光器的應(yīng)用也將更加廣泛?！ 〈怪鼻?b class="flag-6" style="color: red">GaN
2020-11-27 16:32:53
GaN如何實現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
測試結(jié)果的準確性。
采用麥科信光隔離探頭MOIP200P的SiC MOSFET動態(tài)測試結(jié)果
客戶反饋
在SiC MOSFET的納秒級開關(guān)動態(tài)測試中，探頭180dB的共模抑制比有效抑制了高頻EMI干擾
2025-04-08 16:00:57
。在使用過程中，我們發(fā)現(xiàn)它的操作非常便捷。上電即測，校準時間感覺1秒都沒到就完成了，這種高效便捷的體驗讓我們在測試過程中真的節(jié)省了不少時間。
??
總的來說，麥科信MOIP系列光隔離探頭在我們的氮化鎵
2025-04-15 14:14:16
解決，故障碼無法清除。
測試過程
客戶現(xiàn)場測試圖
（1）傳感器排查：Mototek摩托車維修中心使用Micsig SATO1004（麥科信汽車診斷示波器SATO1004）先檢查了摩托車的新舊傳感器，檢測
2025-04-18 18:26:42
信已成功構(gòu)建了覆蓋電壓、電流、隔離測量的完整測試方案，其核心設(shè)備組合包括：
MOIP系列光隔離探頭：采用SigOFIT?技術(shù)，支持100MHz-1GHz頻段±0.01V至±6250V差模信號測量
2025-05-09 16:10:01
，MHO1系列示波器可與MOIP系列光隔離探頭、高壓差分探頭、羅氏線圈及高頻交直流電流探頭等完美適配，靈活應(yīng)對各種復(fù)雜的電路與電子測試場景，為電路開發(fā)與調(diào)試提供全面可靠的測試解決方案。
產(chǎn)品參數(shù)表
2024-11-05 11:21:08
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
CHA8107-QCB兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵成為應(yīng)用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報告，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購來擴充產(chǎn)品線與進入新市場，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端，由于對高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
范圍；4.Vgs信號上升時間240ns左右。（以上數(shù)據(jù)通過截屏讀數(shù)）▲圖4：測試結(jié)果截屏結(jié)論1.客戶目標板設(shè)計合理，Vgs控制信號近乎完美；2.測試顯示Vgs信號無任何震蕩，共模干擾被完全抑制；3.OIP系列光隔離探頭測試氮化鎵半橋上管Vgs，沒有引起炸管。
2023-01-12 09:54:23
設(shè)計：第三代GaN（氮化鎵）系列模塊功率密度提升至120W/in3，較傳統(tǒng)方案縮小40%體積，封裝尺寸最小達6.8×3.0mm，節(jié)省布局空間，便于集成至緊湊的電機控制系統(tǒng)中。二、CNC機床主軸驅(qū)動
2026-01-04 10:10:11
電流中的諧波成份、MOSFET，IGBT芯片等管腳電流測試，專業(yè)推薦麥科信柔性電流探頭(羅氏線圈)RCP系列，其高帶寬、大電流測量能力與精確度高的特點，將為您的測試工作帶來全新的體驗。
無論是在電子設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)還是維修過程中，它都能準確捕捉電流信號，助力輕松解決各種難題。
2024-01-31 16:56:59
麥科信DP系列高壓差分探頭可選帶寬為100MHz至500MHz，最大輸入差分電壓達7000Vpk，采用標準BNC接口設(shè)計，適用所有品牌示波器?？刂颇K與信號盒采用高密度集成設(shè)計，僅 2cm 超薄
2025-07-07 20:45:43
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)，從學術(shù)概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。『三點半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較高功率密度GaN伺服驅(qū)動器的設(shè)計 采用TI氮化鎵和電容隔離方案設(shè)計的伺服驅(qū)動器如圖8所示。LMG3410是集成了驅(qū)動的GaN FET功率級芯片
2019-03-14 06:45:08
從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
雙向器件，GaN BDS 的出現(xiàn)可以大大降低元器件的成本：無需工藝調(diào)整和 MASK 變動，通過合并漂移區(qū)和漏極及雙柵控制，即可實現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
材料特性對比展開，通過泰克儀器測試英飛凌GaN器件來進行氮化鎵特性的測量與分析。方案配置：示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步：電路設(shè)計和PCB
2020-11-18 06:30:50
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
高CMRR的探頭測試對比情況：
測試方式：被測器件SiC開關(guān)，具有上、下管，Vce電壓500V左右，同時使用高壓差分探頭和光隔離探頭(使用麥科信光隔離探頭MOIP系列)同時連接上管Vge信號
2024-06-12 17:00:55
在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI最優(yōu)秀的人才討論當今最大的技術(shù)趨勢以及如何應(yīng)對未來挑戰(zhàn)等問題。相較于先前使用的硅晶體管，氮化鎵（GaN）可以讓全新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下以更高
2018-08-30 15:05:40
設(shè)計、功率轉(zhuǎn)換器研發(fā)、電子鎮(zhèn)流器測試，以及氮化鎵、碳化硅、IGBT半/全橋設(shè)備的設(shè)計與分析等專業(yè)領(lǐng)域，均發(fā)揮著不可或缺的作用。
四、服務(wù)與支持
麥科信為MOIP系列光隔離探頭提供完善的售后保障體系。探頭主體提供1年保修服務(wù)，并支持延保；光纖與衰減器（贈品）也提供3個月質(zhì)保，非人為損壞可免費維修
2025-06-27 18:39:18
和功率因數(shù)校正 （PFC） 配置。 簡單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過渡能力。對于單個氮化鎵器件，隔離式負 V一般事務(wù)（關(guān)閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法，可以使用12V驅(qū)動器
2023-02-21 16:30:09
高新技術(shù)企業(yè)，專精特新企業(yè)。
麥科信(Micsig)致力于信號測試測量領(lǐng)域前沿技術(shù)的研究和開發(fā)，尤其在示波器及示波器
探頭產(chǎn)品領(lǐng)域我們一直走在創(chuàng)新的前沿，是平板示波器開創(chuàng)者，
光隔離探頭引領(lǐng)者?！ ∥覀儽惺姑?/div>
2024-11-07 16:22:21
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
問題
測試現(xiàn)場 下面現(xiàn)場測試圖中，展示的是麥科信高分辨率示波器MHO3系列MHO3-5004、光隔離探頭MOIP系列MOIP1000P、高壓差分探頭DP1502以及被測模塊。
在雙脈沖
2025-01-09 16:58:30
;amp; 上管Id電流 ● 客戶痛點： 使用碳化硅器件研發(fā)電源產(chǎn)品時，使用傳統(tǒng)差分探頭測量上管Vgs, 信號震蕩，難以分析定位問題 麥科信測試方案 ● 光隔離探頭MOIP系列
2024-10-31 17:04:15
重要作用。下圖展示的是鍺化硅和氮化鎵的毫米波5G基站MIMO天線方案，左側(cè)展示的是鍺化硅基MIMO天線，它有1024個元件，裸片面積是4096平方毫米，輻射功率是65dbm，與之形成鮮明對比的，是右側(cè)氮化
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
2021年2月19日努比亞官方商城上架了一款全新氮化鎵充電器產(chǎn)品：努比亞65W GaN Pro，這款產(chǎn)品是對之前努比亞在去年所發(fā)布的氮化鎵充電器系列進行的一次升級。其最大的變化就在于體積上的進一步優(yōu)化，并且適應(yīng)更多應(yīng)用場景。
2021-02-20 10:43:033718 力科宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測試軟件，與高精度示波器 （HDO） 結(jié)合使用時，可提供最準確的氮化鎵 （GaN） 和碳化硅 （SiC） 功率半導(dǎo)體器件的電氣特性表征。
2022-04-13 15:04:024472 的行業(yè)痛點問題，安睿信科技現(xiàn)已推出基于國內(nèi)氮化鎵功率器件。 英諾賽科InnoGaN?的INN650設(shè)計出一系列大功率充電器方案，例如：下面介紹的這款已投放市場批量生產(chǎn)應(yīng)用的65w氮化鎵充電器方案。 GaN氮化鎵65W PD電源方案特點： （1）65W輸出
2022-06-02 15:32:523981 
未來已來，氮化鎵的社會經(jīng)濟價值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動器配合，隔離驅(qū)動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:251383 
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計、制造、封測以及芯片等主要應(yīng)用場景。
2023-02-07 09:36:562410 
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關(guān)速度，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:06
0 氮化鎵(GaN)是什么 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高
2023-02-17 14:18:2412178 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 測試背景地點：國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-03-13 17:43:362080 
下游客戶的應(yīng)用而占領(lǐng)市場。但是下游客戶面臨的應(yīng)用場景復(fù)雜多樣，盡管芯片原廠提供了應(yīng)用方案的原理圖、甚至是PCB參考設(shè)計，在下游客戶手中仍然會遇到各種各樣的技術(shù)難題
2023-03-13 17:43:581691 
重點摘要 GaN Systems第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Platform) 幫助全球客戶在能源效率及尺寸微縮上突破瓶頸。 以業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit
2023-09-28 09:28:32968 氮化鎵芯片的選用要從實際應(yīng)用出發(fā)，結(jié)合實際使用場景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場景。首先要明確使用的具體場景，如音頻、視頻、計算還是其他應(yīng)用場景。不同的場景對氮化鎵芯片的性能和特點要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時，要充分考慮應(yīng)用的場景。
2023-10-26 17:02:181576 論文研究氮化鎵GaN功率集成技術(shù)
2023-01-13 09:07:473 ，氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點和優(yōu)勢，同時也存在一些缺點。本文將詳細介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點，以及與硅芯片的區(qū)別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導(dǎo)體
2023-11-21 16:15:3011012 作為當下熱門的第三代半導(dǎo)體技術(shù)，GaN在數(shù)據(jù)中心、光伏、儲能、電動汽車等市場都有著廣闊的應(yīng)用場景。和傳統(tǒng)的Si器件相比，GaN具有 更高的開關(guān)頻率 與 更小的開關(guān)損耗 ，但對驅(qū)動IC與驅(qū)動電路設(shè)計也
2023-12-20 13:35:023623 
。 光隔離探頭是一種使用光學技術(shù)進行測量的探頭，它通過檢測光的傳播和反射來獲取關(guān)于被測物體的信息。與之相比，差分探頭主要通過電子信號的差異來檢測被測物體。下面將詳細介紹光隔離探頭相對于差分探頭的幾個優(yōu)勢。 首先，
2024-01-08 11:42:191246 光隔離探頭的基本原理 光隔離探頭的作用? 光隔離探頭是一種用于光學系統(tǒng)中的重要器件，它具有隔離光信號的作用。在光學系統(tǒng)中，由于光線能夠在不同方向上傳播，當光線經(jīng)過一系列的光學元件（如透鏡、波導(dǎo)等
2024-01-08 16:34:432394 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416141 對目前市場上的幾種主要氮化鎵芯片進行比較分析，幫助讀者了解不同型號芯片的特點和適用場景。 一、氮化鎵芯片的基本原理 氮化鎵（GaN）是一種硅基半導(dǎo)體材料，具有較高的載流子遷移率和較大的擊穿電場強度，使其具備優(yōu)秀的高
2024-01-10 09:25:573841 麥科信高壓差分探頭MDP系列是一款基于光隔離探頭技術(shù)重新定義的高壓差分探頭。它采用先進的設(shè)計理念和工藝技術(shù)，具備超低底噪、優(yōu)秀的幅頻特性和業(yè)內(nèi)更高的共模抑制比，可輕松應(yīng)對各種高頻高壓信號測試。
2024-01-18 15:06:311030 
本文要點氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術(shù)可實現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988 
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性，使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領(lǐng)域的優(yōu)選器件。以下將詳細闡述GaN晶體管的主要應(yīng)用場景，并結(jié)合具體實例進行說明。
2024-08-15 11:27:203069 氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員，它們在各自的應(yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個更先進，并不是一個簡單的二元對立問題，因為它們的先進性取決于具體的應(yīng)用場景
2024-09-02 11:37:167234 信號在傳輸過程中不可避免地會受到各種干擾，本文將探討共模信號與差模信號的區(qū)別，以及共模抑制比(CMRR)的重要性。我們將解釋這些概念，并展示麥科信的SigOFIT光隔離探頭如何在氮化鎵(GaN)半橋
2024-09-23 14:11:241653 
隔離探頭和其他電壓，電流探頭系列。老朋友們對我們的發(fā)展感到激動，見證了麥科信的巨大發(fā)展。同時，我們也在加快全球化步伐，推動全球業(yè)務(wù)的迅速增長。
2024-11-26 17:06:461327 氮化鎵（Gallium Nitride，簡稱GaN）作為最新一代的半導(dǎo)體材料，近年來在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨特的優(yōu)勢，使其成為實現(xiàn)高效電力轉(zhuǎn)換的重要選擇。
2024-11-27 17:06:204300 
的新技術(shù)和解決方案，同時在電源行業(yè)配套品牌頒獎晚會上，憑借硬核研發(fā)實力與超高品質(zhì)的產(chǎn)品， 榮獲光隔離探頭卓越獎 。 現(xiàn)場直擊 論壇當天，麥科信(Micsig)展臺熱鬧非凡，大家圍繞電源技術(shù)實戰(zhàn)經(jīng)驗各抒己見，更有專業(yè)大咖"有備而來"，帶著測試板現(xiàn)場使用光
2024-12-13 09:43:361862 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334538 
在電子測量領(lǐng)域，光隔離探頭作為一種高性能的測試工具，因其獨特的電氣隔離特性和抗干擾能力而備受關(guān)注。品致和麥科信作為知名的電子測試測量品牌，各自推出了具有競爭力的光隔離探頭產(chǎn)品。 技術(shù)特性對比 品致
2025-03-07 14:23:21701 
是德科技（NYSE: KEYS ）開發(fā)了一種光隔離差分探頭系列，專門用于提高寬禁帶 GaN 和 SiC 半導(dǎo)體等快速開關(guān)器件的效率和性能測試。新的電壓探頭將在 2025 年應(yīng)用電力電子會議（APEC）上展示，是德科技的展位號為 829，同時展示的還有是德科技的 MXR B 和 HD3 系列示波器。
2025-03-11 17:15:531045 在電子技術(shù)飛速發(fā)展的當下，每一次精準測量都如同為科技大廈添磚加瓦。光隔離探頭作為測量領(lǐng)域的關(guān)鍵角色，能有效隔絕電氣干擾，保障測量安全與精準。在眾多品牌中，PINTECH品致與麥科信的光隔離探頭
2025-05-14 15:57:10499 
在電子測量與信號傳輸領(lǐng)域，光隔離探頭作為保障系統(tǒng)安全、穩(wěn)定運行的關(guān)鍵組件，其重要性日益凸顯。當面對復(fù)雜的電磁環(huán)境、高電壓或接地環(huán)路干擾時，光隔離探頭能有效切斷電氣連接，避免信號失真與設(shè)備損壞。接下來
2025-08-01 14:01:46624 
文章對比了光隔離探頭與高壓差分探頭，分析其工作原理、性能參數(shù)及適用場景，總結(jié)其技術(shù)差異與替代性。
2025-09-26 17:39:09371 2025年12月6日，第十六屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在深圳圓滿落幕。在大會頒獎環(huán)節(jié)中，麥科信科技憑借在光隔離探頭領(lǐng)域的硬核技術(shù)積累與卓越產(chǎn)品表現(xiàn)，榮獲“國產(chǎn)測試測量行業(yè)光隔離探頭卓越獎”。
2025-12-22 13:48:21695 光隔離探頭通過電-光-電轉(zhuǎn)換實現(xiàn)電氣隔離，具備高共模抑制比和高隔離電壓，適用于SiC/GaN器件測試，提升測量精度和安全性。
2026-01-06 11:06:1259 已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論