美光新款高頻寬記憶體HBM3E將被用于英偉達(dá)H200

美國(guó)記憶體制造巨頭美光（Micron）于26日宣布，其最新的高頻寬記憶體HBM3E已正式量產(chǎn)。此項(xiàng)技術(shù)將被用于今年第2季度的英偉達(dá)（NVIDIA）H20...

2024-02-28 標(biāo)簽：三星電子英偉達(dá)HBM3E 1.5k 0

AMD MI300加速器將支持HBM3E內(nèi)存

據(jù)手機(jī)資訊網(wǎng)站IT之家了解，MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊，并面向HBM3E進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)。另外，該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入，不僅與主要...

2024-02-27 標(biāo)簽：amd存儲(chǔ)器加速器 1.4k 0

今日看點(diǎn)丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7；三星：HBM3e先進(jìn)芯片今年量產(chǎn)

1. 三星：HBM3e 先進(jìn)芯片今年量產(chǎn)，營(yíng)收貢獻(xiàn)將增長(zhǎng)至60% ? 三星電子公司計(jì)劃今年開(kāi)始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）芯片HBM3e，并迅速提...

2024-08-01 標(biāo)簽：蘋果三星wifi7 1.4k 0

三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻，或重新設(shè)計(jì)1a DRAM電路

近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問(wèn)題成為了三星電子向英偉...

2024-10-23 標(biāo)簽：芯片DRAM三星電子 1.4k 0

三星否認(rèn)HBM3E芯片通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對(duì)此傳聞進(jìn)行了回應(yīng)，明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。

2024-08-08 標(biāo)簽：英偉達(dá)三星HBM3E 1.3k 0

三星獨(dú)家供貨英偉達(dá)12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)最新消息透露，英偉達(dá)即將從今年9月開(kāi)始大規(guī)模采購(gòu)12層HBM3E內(nèi)存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔(dān)。這一消息無(wú)疑為業(yè)內(nèi)帶來(lái)了不小的震動(dòng)。

2024-03-26 標(biāo)簽：三星電子內(nèi)存英偉達(dá) 1.3k 0

SK海力士12層堆疊HBM3E率先量產(chǎn)

SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重大突破，公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標(biāo)志著其在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。...

2024-09-27 標(biāo)簽：AISK海力士HBM3E 1.3k 0

SK海力士HBM3E內(nèi)存提前兩個(gè)月大規(guī)模生產(chǎn)，專用于英偉達(dá)AI芯片

值得一提的是，半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)周期通常共九個(gè)階段，而 SK 海力士已經(jīng)成功走過(guò)了各個(gè)環(huán)節(jié)，正在進(jìn)行最后的產(chǎn)量提升階段。這代表著現(xiàn)有的HBM3E產(chǎn)能均可滿...

2024-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NVIDIASK海力士 1.2k 0

三星與英偉達(dá)高層會(huì)晤，商討HBM3E供應(yīng)

近期，三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門負(fù)責(zé)人兼副董事長(zhǎng)全永鉉(Jun Young-hyun)與英偉達(dá)公司CEO黃仁勛，在加利福尼亞州桑尼維爾的英偉達(dá)總部...

2025-02-18 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器英偉達(dá)三星 1.2k 0

SK海力士：12Hi HBM3E于Q3完成，下半年內(nèi)存或供應(yīng)不足

韓國(guó) SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應(yīng)壓力，可...

2024-04-25 標(biāo)簽：三星電子SK海力士HBM3E 1.1k 0

NVIDIA預(yù)定購(gòu)三星獨(dú)家供應(yīng)的大量12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲(chǔ)容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。

2024-03-25 標(biāo)簽：人工智能英偉達(dá)HBM3 1.1k 0

SK海力士開(kāi)發(fā)“最佳性能”HBM3E

以“業(yè)界頂尖性能”推動(dòng)人工智能技術(shù)創(chuàng)新的產(chǎn)品將從2024年1月起開(kāi)始量產(chǎn)。

2023-08-31 標(biāo)簽：DRAM人工智能SK海力士 1.1k 0

NVIDIA預(yù)購(gòu)大量HBM3E內(nèi)存

1月2日消息，韓媒報(bào)道，NVIDIA已經(jīng)向SK海力士、鎂光，交付了700億至1萬(wàn)億韓元（約合5.4億至7.7億美元）的預(yù)付款，業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)了這筆款項(xiàng)在10....

2024-01-02 標(biāo)簽：NVIDIASK海力士HBM 1.1k 0

美光搶灘市場(chǎng)，HBM3E量產(chǎn)掀起技術(shù)浪潮

除了GPU，另一個(gè)受益匪淺的市場(chǎng)就是HBM了。HBM是一種高性能的內(nèi)存技術(shù)，能夠提供比傳統(tǒng)DRAM更高的帶寬和更低的延遲，這使得其在需要大量數(shù)據(jù)傳輸和處...

2024-02-29 標(biāo)簽：gpu美光人工智能 1.1k 0

美光開(kāi)始量產(chǎn)HBM3E解決方案

近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及影像產(chǎn)品制造商美光公司宣布，已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進(jìn)展不僅標(biāo)志著美光在...

2024-03-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器人工智能 1k 0

美光科技批量生產(chǎn)HBM3E，推動(dòng)人工智能發(fā)展

美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達(dá)納（Sumit Sadana）稱，公司已實(shí)現(xiàn)HBM3E的市場(chǎng)首發(fā)和卓越性能，同時(shí)能耗具有顯著優(yōu)勢(shì)，使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占...

2024-02-27 標(biāo)簽：DRAM美光HBM 977 0

消息稱美光HBM3E正接受主要客戶質(zhì)量評(píng)價(jià)

美光已明確表示，預(yù)期明年將進(jìn)占市場(chǎng)份額約5%，排名第三。為了縮小與各領(lǐng)軍者間的距離，他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度，且計(jì)劃于2023年最后...

2023-12-26 標(biāo)簽：DRAM美光英偉達(dá) 934 0