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LMG342xR050 集成了一個硅驅(qū)動器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和最小的振鈴?？烧{(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動強(qiáng)度允許控制 20V/ns 至 150V/ns 的轉(zhuǎn)換速率，可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。LMG3426R050 包括零電壓檢測 （ZVD） 功能，當(dāng)實(shí)現(xiàn)零電壓切換時，該功能可從 ZVD 引腳提供脈沖輸出。

LMG2650EVM-100 旨在提供一個快速簡便的平臺，用于評估任何半橋拓?fù)渲械?TI 集成 GaN 器件。該板設(shè)計(jì)為使用板底部邊緣的 6 個電源引腳和 12 個數(shù)字引腳以插座式外部連接與更大的系統(tǒng)連接。電源引腳構(gòu)成主開關(guān)回路，由高壓直流總線、開關(guān)節(jié)點(diǎn)和電源接地組成。數(shù)字引腳通過 PWM 門輸入控制 LMG2650 器件，通過低壓電源提供輔助電源，并將故障報(bào)告為數(shù)字輸出。

安科瑞EMS3.0：助力“雙碳”目標(biāo)，打造智慧能源新生態(tài)

此參考設(shè)計(jì)是一個 65W USB PD3.0 適配器 適用于許多充電應(yīng)用，包括 手機(jī)、筆記本電腦和平板電腦。設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn)高效率和功率密度 使用LMG3624集成 GaN FET 和電流感應(yīng)仿真。高效率 通過準(zhǔn)諧振反激式實(shí)現(xiàn)，該 在簡單性和低級之間提供平衡 切換損耗

該下載器把SPI與JTAG管腳進(jìn)行了分開處理。鑒于JTAG使用較多，SPI使用較少，所以把JTAG放在插座上側(cè)。

高通AR1 Gen1芯片詳細(xì)介紹 高通AR1 Gen1是高通于2023年9月推出的首款專為輕量級AI/AR智能眼鏡設(shè)計(jì)的專用處理器平臺，旨在平衡高性能與低功耗，推動智能眼鏡向時尚化、實(shí)用化方向發(fā)展。其核心設(shè)計(jì)理念是通過終端側(cè)AI能力與優(yōu)化的硬件架構(gòu)，支持實(shí)時交互、高質(zhì)量拍攝及全天候佩戴體驗(yàn)。 核心參數(shù)與技術(shù)特性 工藝與架構(gòu) 制程工藝 ：采用6nm制程，兼顧性能與能效。 AI引擎 ：集成第三代Hexagon NPU，終端側(cè)AI算力提升顯著，支持視覺搜索、實(shí)時翻譯、定向音

LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成，這使得低側(cè)參考信號能夠控制兩個場效應(yīng)晶體管。功率級上配備了高頻去耦電容，采用優(yōu)化布局，以盡量減少寄生電感并降低電壓過沖。

LMG2100R026 評估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級模塊，通過外部 PWM 信號進(jìn)行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓?fù)洹４似骷捎糜谠u估 LMG2100R026 作為硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器在效率、開關(guān)速度和 dv/dt（斜率）等樣本測量方面的性能。該 EVM 配備一個由 90V 氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）半橋柵極驅(qū)動器驅(qū)動的 LMG2100R026 半橋功率模塊，該模塊集成了兩個 100V、2.6mΩ 的 GaN FET。

BOOSTXL - LMG2100 - MD 評估模塊，在本文檔中也稱為 “EVM”，通過基于分流器的精確電流檢測，實(shí)現(xiàn)了具有精確相電流控制的氮化鎵（GaN）逆變器，適用于伺服驅(qū)動器等精確驅(qū)動控制。該 EVM 提供了一個與 TI BoosterPack?兼容的接口，可連接到 C2000 MCU LaunchPad 開發(fā)套件，以便于進(jìn)行性能評估。如需更多測試結(jié)果和技術(shù)信息，請參考 TIDA - 010936。

技術(shù)資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 （GaN） 功率級...

UCG28826EVM - 093評估模塊的用戶指南...

UCG28826 是一款高頻準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管 （HEMT），可將交流轉(zhuǎn)換為直流，以實(shí)現(xiàn)高達(dá) 65W 的功率轉(zhuǎn)換器。它最適合高功率密度應(yīng)用，例如手機(jī)快速充電器和筆記本電腦適配器。該器件的主要特點(diǎn)是自偏置和無輔助傳感方案，完全消除了對輔助繞組的需求，以更高的效率簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

LMG3100 評估模塊是一款緊湊、易于使用的功率級模塊，通過外部 PWM 信號進(jìn)行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓?fù)洹Ｓ捎谶@是一個開環(huán)板且?guī)в型獠?PWM 信號，因此不能用于評估 LMG3100 作為硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器的瞬態(tài)響應(yīng)。該器件可用于評估諸如效率、開關(guān)速度和 dv/dt（斜率）等性能指標(biāo)。

LMG3624EVM-081評估模塊：用于帶 USB Type-C? PD 的 65W 準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器...

VFBOX協(xié)議轉(zhuǎn)換網(wǎng)關(guān)支持PLC，modbus，EthernetIP，Profinet，CCLink，EtherCAT，IEC61850，IEC104，bacnet，DLT645，HJ212，opc ua，opc da，DNP3。

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。

LMG342X-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將任何 LMG342xR0x0 半橋板（如 LMG3422EVM-043）配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。通過提供功率級、偏置電源和邏輯電路，該評估模塊 （EVM） 允許快速測量氮化鎵 （GaN） 器件的開關(guān)。此 EVM 能夠提供高達(dá) 12A 的輸出電流，并具有適當(dāng)?shù)臒峁芾恚◤?qiáng)制通風(fēng)、低頻運(yùn)行等），以確保不超過最高工作溫度。此 EVM 是開環(huán)板，因此不適合瞬態(tài)測量。

LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 （GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on） 和最大電流版本，LMG3100R017 為 126A/1.7mΩ，LMG3100R044為 46A/4.4mΩ。該器件由一個由高頻 GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動的 100V GaN FET 組成。LMG3100 包含一個高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器和自舉電路，因此可以使用兩個 LMG3100 器件來形成一個半橋，而無需額外的電平轉(zhuǎn)換器。

LMG2652 是一個 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器，簡化了設(shè)計(jì)，減少了元件數(shù)量，并減少了電路板空間。

TIDA-010936 適用于集成電機(jī)驅(qū)動器的48V/16A小型三相GaN逆變器參考設(shè)計(jì)...