寬禁帶半導(dǎo)體材料越來(lái)越受行業(yè)歡迎。在碳化硅（SiC）正處于大力擴(kuò)張之時(shí)，供應(yīng)商都在努力滿(mǎn)足SiC功率器件和硅片市場(chǎng)的潛在需求。 譬如，Cree計(jì)劃投資高達(dá)10億美元來(lái)擴(kuò)張其SiC晶圓產(chǎn)能。根據(jù)該公司
2019-07-19 16:59:35
14526 德國(guó)英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開(kāi)發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，并在2012年5月8日～10日于德國(guó)舉行的電源技術(shù)展會(huì)“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:482140 初創(chuàng)公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計(jì)。使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備軟件，在 1200V SiC MOSFET
2022-07-26 09:10:481554 
安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開(kāi)關(guān)。
2024-03-26 09:57:193707 
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2024-03-28 10:01:092465 
1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車(chē)等領(lǐng)域。目前，1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET的技術(shù)開(kāi)發(fā)概要。
2024-12-04 10:50:432592 
潮，令800V平臺(tái)、SiC電驅(qū)開(kāi)始打進(jìn)20萬(wàn)內(nèi)的市場(chǎng)，SiC也進(jìn)一步能夠加速在市場(chǎng)上普及。 ? 最近兩家國(guó)內(nèi)廠商又有多款SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證，這將繼續(xù)推動(dòng)SiC功率器件量產(chǎn)上車(chē)。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開(kāi)發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)
2024-03-13 01:17:004669 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近，又有國(guó)內(nèi)GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術(shù)。7月26日，宇騰科技在社交平臺(tái)上宣布公司自主研發(fā)生產(chǎn)的藍(lán)寶石基GaN功率器件工作電壓達(dá)到1200V，已進(jìn)入
2024-07-31 01:06:005182 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近海思半導(dǎo)體在官網(wǎng)上架了兩款工規(guī)1200V SiC MOSFET單管產(chǎn)品，ASO1K2H020M1T4和ASO1K2H035M1T4，導(dǎo)通電阻分別為20mΩ和35mΩ。海思
2025-07-27 07:12:002509 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，三安光電在投資者平臺(tái)上表示，其主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在國(guó)內(nèi)頭部電動(dòng)車(chē)企客戶(hù)處的摸底模塊驗(yàn)證已完
2025-08-10 03:18:008199 。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
MOSFET狀態(tài)表明了主要商業(yè)障礙的解決方案，包括價(jià)格，可靠性，堅(jiān)固性和供應(yīng)商的多樣化。盡管價(jià)格優(yōu)于Si IGBT，但由于成本抵消了系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)，SiC MOSFET已經(jīng)取得了成功。隨著材料成本的下降，這項(xiàng)技術(shù)
2023-02-27 13:48:12
可以通過(guò)在SiC功率器件上運(yùn)行HTGB（高溫柵極偏壓）和HTRB（高溫反向偏壓）應(yīng)力測(cè)試來(lái)評(píng)估性能。Littelfuse在溫度為175°C的1200V，80mΩSiCMOSFET上進(jìn)行了壓力測(cè)試，具有
2019-07-30 15:15:17
SiC SBD 晶圓級(jí)測(cè)試 求助：需要測(cè)試的參數(shù)和測(cè)試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
。如果是相同設(shè)計(jì)，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開(kāi)發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
10倍的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng),所以不僅能保持實(shí)際應(yīng)用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開(kāi)發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結(jié)二極管通過(guò)Si二極管來(lái)應(yīng)對(duì)
2018-11-29 14:35:50
多年增長(zhǎng)。碳化硅器件一方面為中高端客戶(hù)提供了更為優(yōu)質(zhì)的駕乘體驗(yàn)，另一方面有效緩解了電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航焦慮問(wèn)題，因此廣受新能源車(chē)企的青睞。 從功率半導(dǎo)體供應(yīng)商的角度來(lái)看，成本只是限制SiC大規(guī)模上車(chē)的一個(gè)
2022-12-27 15:05:47
樓豬就是想了解一下，在這個(gè)魚(yú)目混珠的行業(yè)，國(guó)內(nèi)靠譜性?xún)r(jià)比電子元件、IC狗供應(yīng)商有哪些呢？
2016-06-16 11:45:15
，新企業(yè)搶占市場(chǎng)的背景下，該專(zhuān)案將提升歐盟工業(yè)、一級(jí)和二級(jí)供應(yīng)商以及產(chǎn)業(yè)鏈下游企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。專(zhuān)案組將針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用開(kāi)發(fā)新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和架構(gòu)，在實(shí)驗(yàn)室層面模擬操作環(huán)境，推進(jìn)目前急需的還是空白的技術(shù)、元件和展示產(chǎn)品
2019-06-27 04:20:26
阻斷電壓：1200V
連續(xù)漏極電流：450A。
電氣特性
漏源電阻（RDS(on)）：3.7mΩ
柵源閾值電壓：1.8V
柵電荷：1330nC。
熱性能
工作溫度范圍：-40°C 至 +175°C
2025-03-17 09:59:21
開(kāi)來(lái)，并應(yīng)用于電纜以將電線(xiàn)與電纜所穿過(guò)的環(huán)境隔離開(kāi)來(lái)。 SiC MOSFET可作為1200V，20A器件提供，在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外，固有的導(dǎo)通電阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開(kāi)關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，并與具有高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過(guò)程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
電動(dòng)汽車(chē)充電領(lǐng)域的研究，想借助發(fā)燒友論壇完成項(xiàng)目的設(shè)計(jì)。項(xiàng)目計(jì)劃：1）研究與分析雙向諧振式DCDC變換器的工作原理；2）下載器件模型在ADS上搭建仿真電路，同時(shí)設(shè)計(jì)SiC管的驅(qū)動(dòng)策略；3）采用耐壓1200V
2020-04-24 18:11:27
-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不僅擁有優(yōu)異的高速性且實(shí)現(xiàn)了高耐壓。Si-SBD的耐壓極限為200V，而SiC具有硅10倍的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，故ROHM已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)1200V的產(chǎn)品，同時(shí)在推進(jìn)
2018-11-29 14:33:47
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯(cuò)式硬開(kāi)關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開(kāi)關(guān)損耗使得開(kāi)關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
本產(chǎn)品說(shuō)明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車(chē)。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
CRD-60DD12N，60 kW交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。該演示板由四個(gè)15 kW交錯(cuò)升壓級(jí)組成，每個(gè)級(jí)使用CGD15SG00D2隔離式柵極驅(qū)動(dòng)板
2019-04-29 09:18:26
設(shè)計(jì)中”，它說(shuō)“在本例中添加對(duì)供應(yīng)商命令和事件的支持”，我不明白它的意思。如何在設(shè)計(jì)中添加供應(yīng)商命令的支持？？？PNG70.1 K
2019-09-29 12:09:21
你好，實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)和供應(yīng)商級(jí)之間的區(qū)別是什么？有什么相關(guān)的文件嗎？請(qǐng)?zhí)峁┙o我。謝謝您。 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文Hi,what is the difference between
2018-10-10 14:57:15
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
深?lèi)?ài)全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
緯湃科技選擇羅姆為其SiC技術(shù)的首選供應(yīng)商
2021-03-11 08:01:56
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
。與此同時(shí)，SiC模塊也已開(kāi)發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本?！癇SM180D12P3C007”就是通過(guò)采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild （NASDAQ： FCS） 發(fā)布首個(gè)1200V碳化硅（SiC）二極管 —— FFSH40120ADN，納入即將推出的SiC解決方案系列。
2016-03-22 11:12:161717 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開(kāi)發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:004336 
工業(yè)級(jí)650V、10A SiC肖特基二極管樣品現(xiàn)已開(kāi)始供貨。還將計(jì)劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車(chē)規(guī)級(jí)部件。
2021-11-05 16:18:341116 
桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)達(dá)成協(xié)議，授權(quán)世強(qiáng)代理旗下碳化硅(SiC)、二級(jí)管等產(chǎn)品代理。
2022-02-24 16:14:142054 作為國(guó)內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司，在SiC功率器件領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體于2020年取得重大技術(shù)突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實(shí)現(xiàn)在新能源汽車(chē)高端車(chē)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中的規(guī)?；瘧?yīng)用。
2022-06-21 14:40:572382 值得一提的是，這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，同時(shí)表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿(mǎn)足車(chē)規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進(jìn)一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:161790 當(dāng)前從目前的供應(yīng)情況來(lái)看，車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET主要由英飛凌、ST、羅姆三家供應(yīng)，供不應(yīng)求現(xiàn)象較為嚴(yán)重。另一方面來(lái)說(shuō)，國(guó)內(nèi)也有不少SiC器件廠商推出了車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品
2023-01-30 16:18:271107 公司在IGBT的技術(shù)基礎(chǔ)上不斷發(fā)展以SiC和主的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件關(guān)鍵技術(shù)。斯達(dá)作為國(guó)內(nèi)車(chē)規(guī)級(jí)SiC模塊的重要供應(yīng)商，車(chē)規(guī)級(jí)SiC模塊已獲得了國(guó)內(nèi)外多家車(chē)企和Tier1的項(xiàng)目定點(diǎn)，有較強(qiáng)
2023-02-17 14:13:38401 2023年2月22日，蓋世汽車(chē)在上海舉辦「2023車(chē)規(guī)級(jí)芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商」證書(shū)授予儀式，綜合考慮產(chǎn)品的技術(shù)含量、市場(chǎng)反響與企業(yè)的發(fā)展?jié)摿?，為汽?chē)車(chē)規(guī)級(jí)芯片細(xì)分領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)頒發(fā)「2023車(chē)規(guī)級(jí)芯片優(yōu)質(zhì)
2023-02-22 18:25:42863 
2月22日，在蓋世汽車(chē)舉辦的第二屆汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)大會(huì)上，芯馳科技憑借領(lǐng)先的產(chǎn)品實(shí)力和量產(chǎn)進(jìn)度榮獲蓋世汽車(chē)“車(chē)規(guī)級(jí)計(jì)算類(lèi)芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商”與“車(chē)規(guī)級(jí)控制類(lèi)芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商”兩項(xiàng)大獎(jiǎng)。
2023-02-23 09:26:022102 共創(chuàng)“芯”未來(lái) 日前，在蓋世汽車(chē)在上海舉辦的第二屆汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)大會(huì)-「2023車(chē)規(guī)級(jí)芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商」授予儀式上，從綜合考慮產(chǎn)品的技術(shù)含量、市場(chǎng)反響與企業(yè)的發(fā)展?jié)摿?，先積集成獲得「2023車(chē)規(guī)級(jí)芯片
2023-02-26 12:08:112896 日前，蓋世汽車(chē)在上海舉辦「2023車(chē)規(guī)級(jí)芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商」證書(shū)授予儀式，綜合考慮產(chǎn)品的技術(shù)含量、市場(chǎng)反響與企業(yè)的發(fā)展?jié)摿?，為汽?chē)車(chē)規(guī)級(jí)芯片細(xì)分領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)頒發(fā)「2023車(chē)規(guī)級(jí)芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商」證書(shū)，并
2023-02-27 11:19:26735 已全部加載完成
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