作者： 泛林集團總裁兼首席執(zhí)行官 Tim Archer

　　在過去的十年里，對于體積更小、密度更高、性能更強大的芯片的需求一直在推動半導體制造商從平面結構向越來越復雜的三維（3D）結構轉型。原因很簡單，垂直堆疊可以實現(xiàn)更高的密度。

　　使用3D架構來支持先進邏輯和存儲器應用代表了半導體行業(yè)下一個重要的技術拐點。非易失性存儲首先實現(xiàn)了這一技術拐點，泛林集團的刻蝕和沉積工具持續(xù)走在這一創(chuàng)新的前沿。芯片制造商正在積極努力，爭取在未來12-24個月內將邏輯器件的結構轉型到環(huán)柵（GAA） ，并將目光放在3D DRAM上。

　　如今，GAA已被廣泛認為是先進邏輯器件中finFET結構的的替代品，它的設計可以支持下一代及以后世界上最強大的處理器。在這種改進的晶體管結構中，柵極360度環(huán)繞接觸溝道，以實現(xiàn)持續(xù)微縮。GAA晶體管的載流能力是通過納米片或納米線的垂直堆疊結構、并讓柵極材料包裹通道來增加的。納米片的尺寸可以微縮，這樣晶體管的大小就可以根據(jù)所需的應用來調整。

　　GAA在概念上可能很簡單，但如此結構的器件卻給半導體制造帶來了巨大的挑戰(zhàn)。有些圍繞著結構的制造展開，另一些則涉及到實現(xiàn)微縮目標所需的新材料。其中主要的挑戰(zhàn)在于，構建復雜的結構時，必須鋪設不同的層，并在之后的步驟中移除其中某些特定元素，比如以原子級的精度移除SiGe。

　　為了應對這些挑戰(zhàn)，我們認為早期的選擇性刻蝕方法已經(jīng)無法滿足需求，需要新的工藝和能力來構建更高密度、更高和更強大的結構。選擇性一直是刻蝕工藝的重要屬性，然而，創(chuàng)建能夠驅動未來數(shù)字技術和設備的先進3D架構需要原子級別的超高選擇性和精確度來制造非常復雜的晶體管結構。

　　泛林集團不斷創(chuàng)新，助力芯片行業(yè)為實現(xiàn)3D架構的下一次飛躍而努力。通過與客戶密切合作，我們開發(fā)了一套最前沿的全新選擇性刻蝕設備，可支持下一代先進邏輯器件的開發(fā)，不久還將用于3D DRAM等先進存儲器應用程序的開發(fā)。

　　我們很自豪能與我們的客戶攜手引領3D技術的拐點，進而通過半導體技術的力量推動社會向前發(fā)展，創(chuàng)造一個更智能、更互聯(lián)的世界。