根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新調(diào)查，隨著近一個(gè)月來 DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)走揚(yáng)，加上 2019 年 12 月 31 號(hào)三星華城廠區(qū)發(fā)生跳電，雖然整體內(nèi)存的供給并沒有因此事件受到重大影響，但觀察到各產(chǎn)品別買方備貨意愿進(jìn)一步增強(qiáng)。因此，集邦咨詢?cè)俅涡拚?2020 年第一季 DRAM 合約價(jià)格預(yù)測(cè)，由原先的「大致持平」調(diào)整為「小漲」，價(jià)格正式提前翻轉(zhuǎn)向上。

標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存方面，雖然第一季的價(jià)格仍在議定中，但集邦咨詢預(yù)估持平甚至小漲的可能性高。之前在中美貿(mào)易關(guān)稅的不確定性下，大部分銷往美國(guó)的筆電都趕在 2019 年第四季出貨，導(dǎo)致 2020 年第一季的出貨較為疲弱。但考量今年 DRAM 的供給位元成長(zhǎng)幅度僅不到 13%，加上三星跳電事件的影響，PC OEM 廠已做好 DRAM 即將漲價(jià)的可能，當(dāng)前都以建立更佳的庫(kù)存水位為目標(biāo)，因此在采購(gòu)上愿意接受持平或更高的模組合約價(jià)格；若原廠能夠在第一季增加供貨量，買方甚至愿意接受更高的價(jià)格，以確保安全的庫(kù)存水位。

行動(dòng)式內(nèi)存方面，雖然第一季智能手機(jī)市場(chǎng)在 5G 的議題下所有支撐，但因 5G 芯片初期供應(yīng)數(shù)量有限，加上傳統(tǒng)淡季影響，拉貨動(dòng)能依舊偏弱，因此集邦咨詢?cè)阮A(yù)測(cè)行動(dòng)式內(nèi)存 Discrete/eMCP 價(jià)格將較前一季下跌 0-5%。然而自去年 12 月中開始，除了服務(wù)器內(nèi)存與圖形處理內(nèi)存需求增溫，帶動(dòng)整體價(jià)格走勢(shì)提前反轉(zhuǎn)之外，NAND Flash 的供應(yīng)告急同樣激勵(lì) eMCP 的價(jià)格表現(xiàn)，因此將行動(dòng)式內(nèi)存的價(jià)格預(yù)估由「小跌」調(diào)整為「大致持平」。

至于利基型內(nèi)存，由于三星華城廠區(qū) Line 13 的 DRAM 生產(chǎn)重心主要為 20/25nm 的利基型內(nèi)存產(chǎn)品，加上受到現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格上揚(yáng)的影響最為直接，使得利基型內(nèi)存價(jià)格將提早反彈。目前來看，雖然鎖定季度合約價(jià)（quarterly lock-in price）的第一線大客戶有機(jī)會(huì)守住持平，不過原廠的供貨達(dá)成率（fulfillment rate）不到 6 成，加上采購(gòu)端截至去年底皆未積極備貨，導(dǎo)致庫(kù)存偏低，月合約價(jià)可能將開始逐月向上；此外，重復(fù)下單（double-booking）的出現(xiàn)亦可能導(dǎo)致原廠的供貨達(dá)成率進(jìn)一步惡化，因此第一季 DDR3 和 DDR4 的價(jià)格預(yù)估將較前一季上漲 0-5%。