目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16
1088 國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 盡管JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)的DDR5標(biāo)準(zhǔn)尚未定案，Cadence(鏗騰)和美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品，并計劃在2019年底量產(chǎn)。
2018-10-18 10:49:08561 2018年底長江存儲實現(xiàn)32層64Gb 3D NAND Flash量產(chǎn)。它注定將開創(chuàng)中國存儲芯片的歷史。
2019-01-28 17:18:5517621 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154889 據(jù)《日經(jīng)亞洲評論》26日報導(dǎo)，紫光集團(tuán)計劃今年底前啟動 DRAM 重慶廠的建設(shè)工程，預(yù)計 2022 年實現(xiàn)量產(chǎn)，該集團(tuán)將投入人民幣 8000 億元發(fā)展 DRAM 業(yè)務(wù)，積極擺脫對海外供應(yīng)商的依賴
2020-06-27 09:41:109223 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:163599 有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù)，從而為存儲解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶端及云端等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供卓越支持。 ? ? ? 美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁
2022-07-28 14:35:411246 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
下一代SONET/SDH設(shè)備
2019-09-05 07:05:33
下一代定位與導(dǎo)航系統(tǒng)
2012-08-18 10:37:12
Supermicro 將在 CES 上發(fā)布下一代單路平臺 2011-01-05 22:30 基于Intel P67 和Q67芯片組的高性能桌面電腦加利福尼亞州圣何塞市2011年1月5日電 /美通社
2011-01-05 22:41:43
SK海力士雖然并未有擴(kuò)產(chǎn)消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術(shù)取得顯著進(jìn)展。其中，美光最新的176層3D NAND已經(jīng)在新加坡工廠量產(chǎn)，將在2021年推出基于該技術(shù)的新產(chǎn)品，SK
2022-01-26 08:35:58
隨著移動行業(yè)向下一代網(wǎng)絡(luò)邁進(jìn)，整個行業(yè)將面臨射頻組件匹配，模塊架構(gòu)和電路設(shè)計上的挑戰(zhàn)。射頻前端的一體化設(shè)計對下一代移動設(shè)備真的有影響嗎？
2019-08-01 07:23:17
單片光學(xué) - 實現(xiàn)下一代設(shè)計
2019-09-20 10:40:49
的變化。 需求不足跌價成必然2018年NAND閃存之所以大降價，一個關(guān)鍵原因就是64層堆棧的3DNAND閃存大規(guī)模量產(chǎn)，實現(xiàn)了從32層／48層堆棧到64層堆棧的飛躍，使得NAND閃存每GB成本降至8美分
2021-07-13 06:38:27
充分利用人工智能，實現(xiàn)更為高效的下一代數(shù)據(jù)存儲
2021-01-15 07:08:39
如何利用低成本FPGA設(shè)計下一代游戲控制臺？
2021-04-30 06:54:28
大家好， 在Ultrascale FPGA中，使用單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)編寫。 “單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)”是什么意思？謝謝娜文G K.
2020-04-27 09:29:55
面向下一代電視的低功耗LED驅(qū)動IC是什么？
2021-06-04 06:36:58
NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:231244 
JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會，微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)，選擇性公布了受到廣泛期待的UFS的主要特性。
預(yù)計2010年晚些時候發(fā)布的UFS標(biāo)準(zhǔn)是下一代的閃存存儲規(guī)范，旨在為用
2010-07-01 08:47:35810 7月31日上午消息，Marvell移動產(chǎn)品總監(jiān)張路近日表示，在LTE芯片方面，Marvell今年年初發(fā)布了PXA1802基帶調(diào)制解調(diào)器解決方案，支持TDD和FDD，該LTE芯片今年底可以實現(xiàn)量產(chǎn)。同時，Marvell也正
2012-08-01 08:15:04655 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 武漢建設(shè)NAND工廠，預(yù)計今年內(nèi)量產(chǎn)，據(jù)悉國產(chǎn)NAND閃存是32層堆棧的，是1000多名研究人員耗時2年、耗資10億美元研發(fā)的。
2018-05-16 10:06:004167 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機(jī)臺11日正式進(jìn)場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國主流存儲器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:002457 為實現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時代，展望2019年，三星（Samsung）、東芝
2018-06-11 09:16:004985 三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動設(shè)備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 ，第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期，堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
2018-08-03 16:15:031683 在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲科技有限責(zé)任公司（國家存儲器基地），紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露，中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-07 14:35:146351 灣地區(qū)環(huán)保署環(huán)評專案小組昨（15）日審查南科管理局提出的環(huán)差案，臺積電掛水電雙保證，承諾未來20%使用綠色電能、每日使用再生水7.3萬噸，環(huán)評小組初審因此一次過關(guān)，這是近年來重大開發(fā)案中少見現(xiàn)象，估最快2022年底或2023年初量產(chǎn)。
2018-08-20 18:24:433213 3D NAND通過設(shè)備中堆疊的層數(shù)來量化。隨著更多層的添加，位密度增加。今天，3D NAND供應(yīng)商正在推出64層設(shè)備，盡管他們現(xiàn)在正在推進(jìn)下一代技術(shù)，它擁有96層。分析師表示，到2019年中期，供應(yīng)商正在競相開發(fā)和發(fā)布下一代128層產(chǎn)品。
2018-08-23 16:59:4812625 大陸集團(tuán)的熱管理的產(chǎn)品將于2019年底在安徽蕪湖工廠全面量產(chǎn)，重點針對中國新能源汽車市場，
2018-09-25 14:49:375448 隨著科技的發(fā)展，DIY行業(yè)又一次迎來了春天，各類產(chǎn)品層出不窮，而美光成為內(nèi)存的老牌廠商，為無數(shù)玩家提供縱橫游戲的尖端裝備，近日，內(nèi)部有消息稱，美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品，并計劃在2019年底量產(chǎn)。
2018-10-29 16:44:551093 隨著科技的發(fā)展，DIY行業(yè)又一次迎來了春天，各類產(chǎn)品層出不窮，而美光成為內(nèi)存的老牌廠商，為無數(shù)玩家提供縱橫游戲的尖端裝備，近日，內(nèi)部有消息稱，美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品，并計劃在2019年底量產(chǎn)。
2018-11-03 09:57:254648 據(jù)韓國方面消息報道稱，三星將在2019年底前量產(chǎn)高通驍龍865處理器，采用三星的EUV 7nm制程。不過現(xiàn)在關(guān)于下下一代驍龍875處理器的信息來了。
2019-09-16 14:02:0010655 蘋果公司今天正式發(fā)布了 iPhone 11 等硬件新品，而據(jù)消息報道，蘋果供應(yīng)商正在準(zhǔn)備組裝下一代 AirPods，最快將于今年 10 月開始量產(chǎn)。
2019-09-11 13:40:001560 早在2018年5月，華芯通就宣布其第一代服務(wù)器芯片產(chǎn)品已經(jīng)完成研發(fā)設(shè)計工作、流片試產(chǎn)成功，將于2018年年底之前推出。時隔半年，這款定名為“昇龍4800”服務(wù)器芯片在通過了一系列一線客戶的性能測試和驗證后，將接受訂單實現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-12-05 16:33:173972 比亞迪董事長王傳福對外表示，比亞迪計劃在2022年年底前讓電池子公司進(jìn)行IPO,還沒有決定IPO的地點。
2018-12-07 10:31:573321 據(jù)臺灣《經(jīng)濟(jì)日報》消息，臺積電3nm工廠通過臺灣環(huán)保署的環(huán)境評測環(huán)評大會。依據(jù)原定時程，全球第一座3nm廠有望在2020年動工，最快2022年底實現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-12-22 11:13:332982 國產(chǎn)存儲芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 據(jù)Digitimes報道，長江存儲（YMTC）將于年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險試產(chǎn)預(yù)計三季度啟動，目前良率已經(jīng)實現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:443189 現(xiàn)在，長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069 華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”）宣布其第三代90納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。
2019-06-27 16:22:384416 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180 一周前索尼官方正式宣布了下一代主機(jī)是PlayStation 5（以下簡稱PS5），將在2020年底上市，手柄會全新設(shè)計，加入更多震動反饋效果。
2019-10-16 14:48:131157 索尼互動娛樂總裁兼執(zhí)行官Jim Ryan對外宣布，索尼下一代游戲機(jī)PlayStation 5將于2020年假期之時推出。 下一代游戲機(jī)產(chǎn)品的目標(biāo)之一是讓玩家在玩游戲之時，能夠加深沉浸感。
2019-11-01 17:00:533737 存儲行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨也迎來了一波新的發(fā)展機(jī)遇，近日，根據(jù)最新消息顯示，美系存儲巨頭，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu)，將于明年開始小范圍量產(chǎn)。
2019-11-18 15:33:471043 據(jù)國外消息報道，在近幾年大熱的自動駕駛汽車方面，走在行業(yè)前列的是Waymo等科技公司，傳統(tǒng)汽車大廠并未有突出的成就，但也并未放棄，大眾就有自動駕駛方面的計劃，并有意于2022年年底前在卡塔爾多哈推出自動駕駛汽車服務(wù)。
2019-12-17 15:04:222747 此前索尼宣布，全新一代主機(jī)PS5將于2020年底開售。近日網(wǎng)絡(luò)上曝光了PS5所謂的真機(jī)圖以及價格信息，起售價為69800日元，約合人民幣4400元。
2019-12-17 17:13:234372 外媒報道稱，大眾已經(jīng)和卡塔爾當(dāng)局達(dá)成協(xié)議，雙方將合作在2022年底前在首都多哈推出自動駕駛汽車服務(wù)。
2019-12-18 14:52:48702 根據(jù)消息報道，長江存儲科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示，國家存儲器基地項目經(jīng)過3年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開發(fā)的64層三維閃存產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-15 14:11:143818 1 月 16 日訊，據(jù)悉，長江存儲科技有限責(zé)任公司 副董事長楊道虹表示，2019 年，國家存儲器基地項目基于自主知識產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 14:06:021539 根據(jù)消息報道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn)，今年下半年可能會實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:345210 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 該研究公司預(yù)測，對下一代手機(jī)的需求下降將對整體服務(wù)需求產(chǎn)生連鎖效應(yīng)，使其對2020年底運營的5G服務(wù)（連接）的預(yù)測下調(diào)一半以上，至240萬。
2020-04-09 09:54:33496 在今年，全球閃存廠商都在集體奔向100+層，例如SK海力士的128層已經(jīng)穩(wěn)定出貨，并計劃在年底推出196層內(nèi)存，三星、鎂光、西數(shù)、Intel也都已經(jīng)突破了百層。近期，國內(nèi)長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示，將跳過96層，直接投入128層閃存的技術(shù)研發(fā)和量產(chǎn)。
2020-04-11 16:47:514000 繼三星去年實現(xiàn)量產(chǎn)128層第六代NAND閃存芯片后，又在兩個月前宣布將完成160層第七代NAND閃存芯片的開發(fā)，目前看來三星已經(jīng)將對手遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后。
2020-06-18 16:06:512328 據(jù)國外媒體報道，據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，由于高通和聯(lián)發(fā)科計劃在2020年年底前推出下一代5G芯片，因此兩家公司都在增加它們在晶圓代工廠和IC后端服務(wù)公司的訂單。
2020-11-05 09:07:592273 據(jù)美媒Anandtech報道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲單元設(shè)計轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:593477 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-10 16:22:392315 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:553696 芯片巨頭美光11月10日正式宣布，將向客戶交付176層TLC NAND閃存。 這使得美光成為全球第一家量產(chǎn)176層TLC NAND閃存的芯片商。 176層NAND支持的接口速度為 1600MT
2020-11-13 14:25:132185 北京時間11月13日消息，內(nèi)存和存儲解決方案供應(yīng)商Micron Technology（美光科技）宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，一舉刷新行業(yè)紀(jì)錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的重大
2020-11-13 17:42:262565 2020年底，Mini LED概念進(jìn)一步加碼：一方面是，蘋果下一代平板會采用Mini LED背光源的消息不脛而走；另一方面，韓國媒體報道三星將依托越南50條Mini LED背光線，在2021年沖刺200萬臺Mini LED背光液晶電視的銷量。
2020-11-24 14:33:411412 的出貨不及預(yù)期的35臺，而且他們還宣布了下一代高NA的EUV光刻機(jī)要到2025-2026年之間才能規(guī)模應(yīng)用，意味著要延期了。 此前信息顯示，ASML下一代EUV光刻機(jī)最早是2022年開始出樣，大規(guī)模量產(chǎn)
2021-01-22 17:55:243621 新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 寧德時代德國工廠于2019年開工建設(shè)，計劃于2022年底正式投產(chǎn)。
2022-04-07 11:58:597463 今年3月份，聯(lián)電曾計劃咋新加坡Fab12i廠區(qū)新建晶圓廠，共計花費50億美元，預(yù)計將在2024年底實現(xiàn)量產(chǎn)。 日前，聯(lián)電新加坡的新晶圓廠P3正式開始動工，并且以9.54億新臺幣的價格取得了30年
2022-05-24 11:22:473293 長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 臺積電在北美技術(shù)論壇上公開了未來先進(jìn)制程的信息，其3nm芯片將于2022年內(nèi)量產(chǎn)，而首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的2nm制程工藝芯片，預(yù)計將于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。
2022-07-01 18:31:092164 美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴(kuò)展到超過 200 層，可謂存儲創(chuàng)新的分水嶺。此項突破性技術(shù)得益于廣泛
2022-07-28 09:49:5922968 SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。
2022-08-04 15:53:4915867 美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND?；蛟S更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業(yè)學(xué)習(xí)為目前正在開發(fā)的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 在本系列的第 1 部分中，我們介紹了安全性在連接的嵌入式系統(tǒng)中的重要性，以及強(qiáng)制使用外部閃存的閃存的去集成。在本系列的第 2 部分中，我們將介紹下一代智能內(nèi)存安全閃存。
2022-10-21 09:28:401551 
日本共同社25日消息，羅姆（ROHM）將于12月開始量產(chǎn)碳化硅(SiC)制成的下一代功率半導(dǎo)體。 據(jù)悉，量產(chǎn)將在日本福岡縣筑后市工廠今年開設(shè)的碳化硅功率半導(dǎo)體專用廠房實施，今后羅姆將為增產(chǎn)投資最多
2022-11-28 10:22:231837 據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報提供商TechInsights報道，長江存儲的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商，這也是__中國品牌在半導(dǎo)體領(lǐng)域首次領(lǐng)先于國際競爭者。__
2022-12-05 17:07:381876 美光發(fā)布的官方新聞稿，該企業(yè)宣布其已經(jīng)正式出貨了全球首款使用超過200層NAND芯片的消費級固態(tài)硬盤美光2550 SSD，該SSD采用232層NAND技術(shù)，采用PCIe 4.0標(biāo)準(zhǔn)。
2022-12-08 16:19:191261 238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:541442 
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:211823 最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 湖南分布式光伏發(fā)展迅速 較2022年底增長56.57% 根據(jù)湖南省政府新聞辦透露的消息，截至2023年7月底，湖南全省分布式光伏548萬千瓦，較2022年底增長56.57%，占2023年新增新能源裝機(jī)的76.16%。
2023-09-08 11:23:451784 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司預(yù)計將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當(dāng)前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201500 美光科技近期宣布，其創(chuàng)新的232層QLC NAND芯片已成功實現(xiàn)量產(chǎn)并已開始出貨。這一里程碑式的成就標(biāo)志著美光在NAND技術(shù)領(lǐng)域再次取得了顯著進(jìn)步，鞏固了其在全球存儲解決方案市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2024-04-29 10:36:341553 美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破，其先進(jìn)的232層QLC NAND閃存已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤（SSD）中。此外，美光還推出了2500 NVMeTM SSD，該產(chǎn)品已面向企業(yè)級存儲客戶大規(guī)模生產(chǎn)，并向PCOEM廠商提供了樣品。
2024-05-06 10:59:251099 美光科技再次領(lǐng)跑行業(yè)前沿，近日宣布其232層QLC NAND產(chǎn)品已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，并已開始應(yīng)用于部分Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤中。這一突破性的技術(shù)不僅滿足了客戶端對數(shù)據(jù)存儲的高需求，同時也為數(shù)據(jù)中心提供了更高效的存儲解決方案。
2024-05-09 14:53:551034 近日，韓國權(quán)威媒體ETNews爆出猛料，SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進(jìn)程，并且已經(jīng)設(shè)定了明確的發(fā)展時間表——計劃在2025年底之前，全面完成高達(dá)400多層堆疊NAND的半成品制備工作，緊隨其后，將于2026年第二季度正式啟動并大規(guī)模投入生產(chǎn)。
2024-08-01 15:26:421322 全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商美光科技今日宣布了一項重大突破——其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤（SSD）已正式進(jìn)入量產(chǎn)出貨階段，標(biāo)志著美光成為業(yè)界首家達(dá)成此里程碑的企業(yè)。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，不僅彰顯了美光在制程技術(shù)和設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)域的卓越實力，更為數(shù)據(jù)存儲市場樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-08-01 16:38:461251 韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新，據(jù)韓媒最新報道，該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，并預(yù)計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著SK海力士在NAND閃存領(lǐng)域再次邁出堅實步伐，引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿。
2024-08-02 16:56:111743 近日，三星顯示在第三季度業(yè)績的電話會議上透露了其8.6代OLED產(chǎn)線的最新進(jìn)展。公司表示，面向IT領(lǐng)域的8.6代OLED產(chǎn)線的主要設(shè)備已經(jīng)完成，目前正按計劃進(jìn)行，原計劃于2026年實現(xiàn)量產(chǎn)。然而，據(jù)最新媒體報道，三星顯示已決定將這一量產(chǎn)時間表提前至最早2025年底。
2024-11-05 17:00:182240
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