1.中國產(chǎn)能逐漸開出 內(nèi)存價(jià)格2019將下滑；

內(nèi)存價(jià)格從2016年起一路上揚(yáng)，但自2018下半年起，由于各廠商產(chǎn)能陸續(xù)開出，因此資策會(huì)MIC預(yù)測內(nèi)存價(jià)格將于開始下滑。

資策會(huì)MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示，2018年的半導(dǎo)體市場概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內(nèi)存價(jià)格成長空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。 因此，預(yù)估2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將成長10.1％，其中最大的原因是各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，以及車用電子等新興應(yīng)用帶動(dòng)。

洪春暉進(jìn)一步指出，內(nèi)存受惠于市場價(jià)格上揚(yáng)，2018年全年***內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長25％，產(chǎn)值達(dá)2，053億新臺(tái)幣。 但自2018年第二季起，內(nèi)存價(jià)格由于各新廠產(chǎn)能陸續(xù)開出價(jià)格開始松動(dòng)，由其是在中國大陸，無論是DRAM或是NAND Flash產(chǎn)能都在持續(xù)開出；盡管目前尚未進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)階段，但預(yù)期2018下半年內(nèi)存價(jià)格仍有下跌空間， 在未來兩年內(nèi)存也不容易再出現(xiàn)價(jià)格飆漲的狀況。

由于內(nèi)存供給有望增加，因此展望2019年，預(yù)計(jì)內(nèi)存成長趨緩，預(yù)期成長幅度為3.8％。 觀測***產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體則因高階制程與內(nèi)存市場帶動(dòng)呈穩(wěn)定成長，預(yù)估2018年***半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)2.46兆新臺(tái)幣，較2017年成長8.1％，成長動(dòng)力與全球平均水平相當(dāng)。 但預(yù)期在2019年，DRAM制程將轉(zhuǎn)進(jìn)至1x和1y納米，F(xiàn)lash產(chǎn)能也持續(xù)增加，預(yù)計(jì)內(nèi)存價(jià)格下滑將對臺(tái)廠造成沖擊。新電子

2.2018全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長估達(dá)10.1%；

資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所（MIC）發(fā)表全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)趨勢指出，2018年全球半導(dǎo)體概況，預(yù)估市場規(guī)模將成長10.1%，主要來自各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，及車用電子等新興應(yīng)用帶動(dòng)；展望2019年，內(nèi)存成長趨緩， 預(yù)期成長幅度為3.8%，預(yù)計(jì)2018年下半年，這波產(chǎn)業(yè)景氣就會(huì)逐漸落底。 觀測***產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體因高階制程與內(nèi)存市場帶動(dòng)呈穩(wěn)定成長，預(yù)估2018年***半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)2.46兆新臺(tái)幣，較2017年成長8.1%，成長動(dòng)力與全球平均水平相當(dāng)。

資策會(huì)MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示，***半導(dǎo)體各次產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)皆可期。 關(guān)于IC設(shè)計(jì)，隨著***廠商手機(jī)處理器全球市占提升，再加上***廠商在無線連網(wǎng)芯片、TDDI等芯片市場需求增加，將讓***IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值年成長6.2%，產(chǎn)值達(dá)5，798億新臺(tái)幣。 而隨著人工智能及物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用崛起，也帶動(dòng)***IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)中，非3C應(yīng)用IC的營收占比逐年成長，再加上非3C產(chǎn)品芯片規(guī)格多元化，吸引IC設(shè)計(jì)業(yè)者投入提供AISC設(shè)計(jì)服務(wù)，預(yù)期2019年經(jīng)營模式將朝多元化發(fā)展。 晶圓代工則在2018下半年因挖礦機(jī)需求較減緩，預(yù)估全年成長約6.4％，產(chǎn)值達(dá)1.2兆新臺(tái)幣。 展望2019年，隨著臺(tái)積電7+制程將量產(chǎn)，未來***先進(jìn)制程比例可望進(jìn)一步提升，預(yù)估2019年成長率達(dá)8~10％。

3.美光轉(zhuǎn)向電荷捕捉 3D Xpoint暖身時(shí)間不多了；

由于對未來技術(shù)發(fā)展路線的看法出現(xiàn)歧異，英特爾（Intel）與美光（Micron）在NAND Flash方面的技術(shù)合作將在一年后告終。 未來美光的第四代3D NAND Flash將放棄使用浮閘（Floating Gate）技術(shù)，轉(zhuǎn)向電荷捕捉（Charge Trap）。 業(yè)界常將此事解讀為電荷捕捉技術(shù)大獲全勝，成為未來NAND Flash所采用的主流技術(shù)，因?yàn)槟壳俺擞⑻貭柛拦庵猓?a href="http://m.makelele.cn/tags/三星/" target="_blank">三星（Samsung）、東芝（Toshiba）與海力士（SK Hynix）都已改用電荷捕捉來生產(chǎn)3D NAND Flash。

西瓜偎大邊 電荷捕捉大獲全勝

在半導(dǎo)體的世界里，一項(xiàng)技術(shù)能否成功，供需兩端的規(guī)模都是非常重要的因素。 美光的NAND Flash產(chǎn)品發(fā)展路線決定從浮閘轉(zhuǎn)向電荷捕捉，正是因?yàn)槌擞⑻貭柛拦庵?，業(yè)內(nèi)已經(jīng)沒有其他供貨商采用浮閘技術(shù)。

由于美光決定轉(zhuǎn)向，未來還會(huì)堅(jiān)守浮閘技術(shù)的NAND Flash供貨商將只剩下英特爾。 對英特爾來說，這是一個(gè)相當(dāng)不利的情況。 一來日后所有的研發(fā)費(fèi)用將必須獨(dú)自承擔(dān)，二來設(shè)備供應(yīng)鏈業(yè)者愿意力挺到何種程度，也是個(gè)問題。 英特爾的設(shè)備采購訂單再大，也無法跟三星、東芝、海力士等業(yè)者的設(shè)備需求總量相比。 設(shè)備業(yè)者在商言商，其NAND Flash相關(guān)設(shè)備的研發(fā)重心必然往電荷捕捉移動(dòng)，未來還能分配多少資源給浮閘制程所使用的設(shè)備，是個(gè)大哉問。

事實(shí)上，類似的情況在DRAM產(chǎn)業(yè)就曾發(fā)生過。 在21世紀(jì)的前十年，DRAM產(chǎn)業(yè)就曾發(fā)生過溝槽式（Trench）與堆棧式（Stack）的架構(gòu)大戰(zhàn)。 溝槽式DRAM（圖1）的電容在閘極下方，堆棧式DRAM（圖2）的電容器則在閘極上方，是這兩種DRAM最大的差異。

在溝槽式DRAM的制程中，必須先在基板蝕刻出溝槽，然后在溝槽中沉積出介電層，以形成電容器，然后在電容器上方再制造出閘極，構(gòu)成完整的DRAM Cell。 這種制程最大的技術(shù)挑戰(zhàn)有二，一是隨著線寬越來越細(xì)，溝槽的寬深比跟著增加，如何蝕刻出這種溝槽，是相當(dāng)大的技術(shù)挑戰(zhàn)。 其次，在進(jìn)行沉積制程時(shí)，由于溝槽的開口越來越細(xì)，要在溝槽里面沉積足夠的介電材料，形成容值夠高的電容器，也越來越難。 相較之下，堆棧式DRAM則沒有上述問題，因此隨著制程節(jié)點(diǎn)越往前推進(jìn)，溝槽式DRAM的采用者越來越少。

兩大技術(shù)陣營從130奈米開始一路纏斗到75奈米，最后只剩下奇夢達(dá)（Qimonda）還能做出溝槽式DRAM，其他DRAM業(yè)者則早已改采堆棧式架構(gòu)。 而在這個(gè)過程中，DRAM業(yè)者不斷跳槽到堆棧式架構(gòu)，設(shè)備業(yè)者對溝槽式制程的支持也越來越少。 最后，隨著奇夢達(dá)破產(chǎn)，溝槽式DRAM也宣告走入歷史。

如果歷史經(jīng)驗(yàn)有任何參考價(jià)值，溝槽式DRAM與堆棧式DRAM的大戰(zhàn)告訴我們，英特爾可能做出了很危險(xiǎn)的決策。 臺(tái)語俗諺說「西瓜偎大邊」，看準(zhǔn)趨勢發(fā)展方向，站在主流方，可獲得的生態(tài)系統(tǒng)資源也越多，規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)也越明顯。 而站錯(cuò)邊的廠商，最后往往只能黯然退出市場。

人多的地方不要去

照理說，英特爾應(yīng)該也看得出固守浮閘技術(shù)的危險(xiǎn)性，但英特爾/美光宣布分手已經(jīng)幾個(gè)月過去，英特爾看起來沒有改變NAND Flash技術(shù)發(fā)展路線的打算。 有些媒體認(rèn)為，英特爾應(yīng)該只是不愿公開承認(rèn)浮閘技術(shù)已經(jīng)走到盡頭，試圖做最后的努力。

但對英特爾而言，浮閘技術(shù)或許仍有值得賭一把的理由。 筆者認(rèn)為，英特爾不是一家會(huì)為了面子死撐的企業(yè)，從Wireless USB、WiMAX到WiDi，英特爾技術(shù)發(fā)展押錯(cuò)寶的例子其實(shí)不少，最后都是以壯士斷腕的結(jié)局收場。 因此，另一個(gè)可能是，英特爾對自己的浮閘技術(shù)掌握度深具信心，認(rèn)為至少還能再支撐一個(gè)世代以上，然后將自家內(nèi)存產(chǎn)品過渡到Optane，也就是3D Xpoint技術(shù)。

事實(shí)上，筆者認(rèn)為，對手握3D Xpoint技術(shù)的英特爾來說，以浮閘技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND Flash，最大的任務(wù)是爭取時(shí)間，而不是真的要一直靠此技術(shù)跟其他NAND Flash供貨商競爭。

雖說西瓜偎大邊，但「人多的地方不要去」也是商業(yè)競爭的常識(shí)。 NAND Flash內(nèi)存跟DRAM一樣，是同構(gòu)型很高的產(chǎn)品，也因?yàn)槿绱?，供貨商之間的競爭武器，直言之只有三項(xiàng)法寶--產(chǎn)品開發(fā)速度、成本控管跟口袋深度。 誰的產(chǎn)品開發(fā)速度領(lǐng)先同業(yè)，誰就能掌握新產(chǎn)品上市初期的高獲利時(shí)機(jī)；成本控管能力較佳、口袋深度夠深的業(yè)者，則更有籌碼打價(jià)格戰(zhàn)，在市況不佳的時(shí)候熬過市場寒冬。

相較于其他內(nèi)存供貨商，英特爾其實(shí)有很多策略選項(xiàng)，Optane就是一路活棋，而且是其他內(nèi)存供貨商所沒有的獨(dú)家技術(shù)。 Optane的讀寫效能理論上接近DRAM，但卻具有NAND Flash的非揮發(fā)特性，被認(rèn)為是非常有潛力的次世代內(nèi)存。 不過，目前Optane固態(tài)硬盤（SSD）的效能其實(shí)跟NAND Flash SSD相去不遠(yuǎn)，價(jià)格卻高出一大截，因此市場接受度并不理想。 也因?yàn)槿绱耍⑻貭栠€需要時(shí)間為Optane做更多準(zhǔn)備，包含平臺(tái)架構(gòu)/軟件的調(diào)整跟優(yōu)化，以及最重要的降低成本，Optane的市場接受度才有機(jī)會(huì)提升。

另一方面，Optane除了用在SSD之外，也可以DIMM模塊的型態(tài)出現(xiàn)。 目前英特爾已經(jīng)提供基于Optane的DIMM模塊工程樣品給特定客戶，預(yù)計(jì)2019年開始量產(chǎn)。 這是一項(xiàng)非常值得關(guān)注的產(chǎn)品，即便短期內(nèi)Optane DIMM不可能取代DRAM的地位，但至少有攪局的潛力。

某內(nèi)存相關(guān)業(yè)者就直言，主板上的DIMM插槽總數(shù)不太有增加的機(jī)會(huì)。 換言之，只要Optane DIMM占掉一個(gè)插槽，DRAM的DIMM插槽就少一個(gè)。 由于DRAM報(bào)價(jià)居高不下，英特爾在2017年拱手把盤據(jù)數(shù)十年的全球半導(dǎo)體營收龍頭寶座讓給了三星，而Optane DIMM這項(xiàng)產(chǎn)品在此刻現(xiàn)身，其實(shí)頗有牽制三星的意味存在。

前面提到，英特爾不是純內(nèi)存業(yè)者，而是運(yùn)算平臺(tái)的主導(dǎo)者，因此，相較于其他內(nèi)存業(yè)者只能在英特爾制定的平臺(tái)框架內(nèi)競爭，在技術(shù)上，英特爾可以用平臺(tái)設(shè)計(jì)來拉抬Optane，在商業(yè)模式上也有捆綁銷售的可能性。

供貨商家數(shù)不足恐成普及障礙

雖然Optane有其特殊性，而且英特爾還可以將其包裹在平臺(tái)中推廣，但整體來說，這項(xiàng)技術(shù)未來的最大隱憂，恐怕就是它的特殊性。 3D Xpoint是英特爾跟美光連手開發(fā)的次世代內(nèi)存技術(shù)，目前已經(jīng)商品化的廠商則只有英特爾一家，美光則不愿意將基于3D Xpoint技術(shù)的內(nèi)存運(yùn)用在SSD產(chǎn)品上，甚至寧可讓其廠房閑置，也不愿生產(chǎn)3D Xpoint內(nèi)存。

某種程度上，這也是Optane SSD價(jià)格居高不下的原因之一，因?yàn)楫a(chǎn)能實(shí)在太低。 沒有量就不會(huì)有Cost Down，是電子業(yè)的基本規(guī)律。 此外，單一供貨商也會(huì)使原始設(shè)備制造商（OEM）跟品牌廠持觀望態(tài)度。

或許也是考慮到單一供貨商可能造成的問題，加上3D Xpoint的部分關(guān)鍵技術(shù)也來自美光，因此在英特爾、美光宣布停止合作開發(fā)下一代NAND Flash內(nèi)存的同時(shí)，美光也明確表示，雙方在3D Xpoint技術(shù)上的合作將繼續(xù)進(jìn)行。

美光的盤算應(yīng)該是將3D Xpoint內(nèi)存運(yùn)用在DIMM模塊產(chǎn)品上，而非SSD。 但即便英特爾跟美光連手提供3D Xpoint內(nèi)存，其供應(yīng)量相對于整個(gè)DRAM或NAND Flash產(chǎn)業(yè)來說還是太小，只能稍微紓解單一供貨商的疑慮。

總結(jié)來說，3D Xpoint雖有發(fā)展?jié)摿Γ涫袌銎占叭杂兄T多障礙需要克服，英特爾跟美光的操盤手，對此必須小心翼翼，做好縝密規(guī)畫。

4.臺(tái)積帶動(dòng)半導(dǎo)體群聚效應(yīng) 設(shè)備鏈靠攏；

***半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電撐起半邊天， 不但多年蟬聯(lián)***制造研發(fā)和總資本支出冠軍，臺(tái)積電匯集全球半導(dǎo)體最先先進(jìn)制程的能量，更吸引材料和設(shè)備供應(yīng)鏈向***聚集，形成強(qiáng)化的群聚效應(yīng)。

半導(dǎo)體業(yè)者表示，臺(tái)積電堅(jiān)持技術(shù)自主及領(lǐng)先，這幾年不斷提升研發(fā)人員與研發(fā)支出，奠定***半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球具舉足輕重地位。

工研院產(chǎn)經(jīng)中心（IEK）統(tǒng)計(jì)，去年***IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)2.46兆元，僅次美國和南韓；今年估可超越2.6兆元。

5.半導(dǎo)體展5日登場 臺(tái)積四巨頭力挺；

2018臺(tái)北國際半導(dǎo)體展（SEMICON TAIWAN）本周三（5日）登場，臺(tái)積電創(chuàng)辦人張忠謀、董事長劉德音、 副董事長曾繁城與總裁魏哲家等「四巨頭」開幕當(dāng)天都將出席，探討***半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展及未來趨勢。

根據(jù)主辦單位國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）規(guī)畫，今年臺(tái)積電四巨頭出席半導(dǎo)體展，將由張忠謀打頭陣進(jìn)行專題演講、曾繁城帶領(lǐng)來賓回顧***半導(dǎo)體發(fā)展，魏哲家和劉德音則分別主掌上午場與下午場壓軸。

SEMI表示，今年會(huì)展將有超過2，000個(gè)攤位展出，規(guī)模為歷屆最大；同時(shí)，今年也將邀請上百位重量級講師，并舉辦超過22場國際論壇，一同揭示未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展脈動(dòng)。

今年臺(tái)北國際半導(dǎo)體展適逢***發(fā)展集成電路（IC）60周年，主辦單位舉辦「IC 60大師論壇」，除了臺(tái)積電四巨頭罕見同日登場力挺之外，也邀請閃存發(fā)明者、 現(xiàn)任交大榮譽(yù)講座教授施敏與會(huì)并進(jìn)行專題演講。

6.德國開發(fā)出世界最小單原子晶體管

德國卡爾斯魯厄理工學(xué)院托馬斯?希梅爾教授領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)開發(fā)出了單原子晶體管——一種利用電流控制單個(gè)原子位移實(shí)現(xiàn)開關(guān)的量子電子元件。單原子晶體管可在室溫下操作，并消耗很少電能，這為未來信息技術(shù)開辟了新的應(yīng)用前景。這項(xiàng)成果已被刊登在 雜志上。

數(shù)字化對能源有巨大需求，在工業(yè)化國家中，信息技術(shù)目前用電量占整個(gè)工業(yè)用電量的10%以上，無論是計(jì)算機(jī)處理中心、個(gè)人電腦，還是從洗衣機(jī)到智能手機(jī)的各種嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)。目前一個(gè)幾歐元的USB存儲(chǔ)器就含有上億個(gè)晶體管。卡爾斯魯厄理工學(xué)院開發(fā)的單原子晶體管未來可顯著提高信息技術(shù)的能源效率，希梅爾教授稱，“有了這個(gè)量子電子元件，能耗將低于傳統(tǒng)硅技術(shù)電子元件一萬倍”。希梅爾教授是卡爾斯魯厄理工學(xué)院單原子電子與光子研究中心主任，被譽(yù)為單原子電子學(xué)先驅(qū)。

在雜志上刊登的論文里，研究人員介紹了如何在只有單一金屬原子寬度的縫隙間建立兩個(gè)微小金屬觸點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)目前晶體管所能達(dá)到的最小極限。希梅爾教授稱，“我們在此縫隙通過電控脈沖移動(dòng)單個(gè)銀原子，完成電路閉合；當(dāng)我們再將銀原子移出縫隙，電路被切斷”，由此實(shí)現(xiàn)世界上最小晶體管在接通電源情況下單個(gè)原子的受控可逆運(yùn)動(dòng)。與傳統(tǒng)量子電子元件不同，單原子晶體管不需要在接近絕對零度的低溫條件工作，它可以一直在室溫下工作，這是未來應(yīng)用的一個(gè)決定性優(yōu)勢。

為開發(fā)單原子晶體管，卡爾斯魯厄理工學(xué)院研究人員還開發(fā)了一套全新的工藝，單原子晶體管完全由金屬構(gòu)成，不含半導(dǎo)體材料。其結(jié)果是所需電壓極低，因此能耗也極低。研究人員之前制作單原子晶體管需要依靠液體電解質(zhì)，現(xiàn)在希梅爾教授及其團(tuán)隊(duì)首次應(yīng)用固體電解質(zhì)的工作原理，通過水溶性銀電解質(zhì)凝膠與熱解法二氧化硅凝膠電解質(zhì)結(jié)合，從而改善了安全性，更便于單原子晶體管的處理。