編者按：隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能占到芯片總面積的50%以上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為中國(guó)大陸主攻存儲(chǔ)技術(shù)的廠商，其Xtracking TM主要是傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)的突破，面對(duì)三星、海力士、東芝等國(guó)際大廠的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，中國(guó)廠商還要不斷提高研發(fā)水平，進(jìn)行突破。
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據(jù)Digtimes報(bào)道，從2017年供不應(yīng)求的榮景，NAND Flash市況在2018年進(jìn)入風(fēng)云變色的調(diào)整期，生產(chǎn)業(yè)者持續(xù)擴(kuò)大64層3D TLC NAND供貨，新一代制程技術(shù)及更大容量規(guī)格正伺機(jī)而出，供過于求與終端市場(chǎng)買氣不足，導(dǎo)致2018年NAND Flash跌價(jià)幅度超過6成。

到2018年底，每GB價(jià)格已下探至0.08美元，逐漸逼近部分廠商的成本價(jià)，在跌價(jià)、擴(kuò)產(chǎn)等多重因素影響下，2019年市況風(fēng)云詭譎，供應(yīng)鏈洗牌淘汰賽一觸即發(fā)，也為全球產(chǎn)業(yè)的競(jìng)合局勢(shì)更加增添煙消四起的氛圍。

NAND位元產(chǎn)出連年成長(zhǎng) 終端市場(chǎng)亂象橫生

DRAM與NAND Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng)在過去幾年幾經(jīng)產(chǎn)業(yè)跌宕，在供過于求壓力下，2015~2016年市價(jià)下滑，2017年再度風(fēng)生水起、漲勢(shì)不止，然而產(chǎn)業(yè)榮景未如預(yù)期延續(xù)，各家大廠競(jìng)相強(qiáng)化投資規(guī)模，3D NAND Flash新增產(chǎn)能開出，市場(chǎng)需求卻成長(zhǎng)平緩，加速2018年全球NAND Flash價(jià)格一路走跌。

受到技術(shù)與良率瓶頸，2018年3D NAND良率提升速度并不如預(yù)期順利，因而導(dǎo)致次級(jí)品在外流通銷售，進(jìn)而干擾市場(chǎng)價(jià)格，對(duì)應(yīng)至終端應(yīng)用，消費(fèi)型SSD市場(chǎng)首當(dāng)其沖。

從2017年12月中~2018年第3季跌價(jià)幅度已經(jīng)逾5成，120G SSD價(jià)格超跌下探0.2美元／GB關(guān)卡，質(zhì)量參差不齊的問題延續(xù)至第3季，至于240GB和480GB價(jià)格在2018年累積跌幅也分別超過4~5成以上。

業(yè)界原先期待在第3季傳統(tǒng)旺季效應(yīng)下，NAND Flash價(jià)格有望止跌反彈，不料智能型手機(jī)出貨平淡、換機(jī)熱潮難再重現(xiàn)以及PC市場(chǎng)飽和等因素，導(dǎo)致旺季不旺，而供應(yīng)端的64/72層3D NAND產(chǎn)出增加，供給過剩庫(kù)存無法順利去化，第3季平均合約價(jià)格跌幅達(dá)10~15%。

相較于第3季市況呈現(xiàn)價(jià)跌量增，到了第4季進(jìn)入了價(jià)量齊跌的局面，美中貿(mào)易戰(zhàn)升溫的市場(chǎng)憂慮、英特爾（Intel）CPU缺貨以及蘋果（Apple）新機(jī)銷售欠佳，終端預(yù)期跌價(jià)心理因素，加速了第4季合約價(jià)跌幅擴(kuò)大，業(yè)界估計(jì)，從年初至第4季的NAND Flash跌幅約達(dá)6成，遠(yuǎn)超過年初預(yù)期。

據(jù)DIGITIMES Research估計(jì)，NAND Flash位元出貨量從2017年起連續(xù)呈現(xiàn)3~4成的成長(zhǎng)率，包括在2017年成長(zhǎng)36%、2018年拉升至成長(zhǎng)43%，即使業(yè)界預(yù)期，2019年NAND Flash價(jià)格將會(huì)進(jìn)一步走跌，但依舊有更多產(chǎn)能前仆后繼投入，預(yù)計(jì)2019年位元出貨量仍達(dá)到39%，整體市場(chǎng)延續(xù)供過于求風(fēng)雨欲來。

96層堆疊邁向主流 QLC量產(chǎn)帶來容量?jī)r(jià)格戰(zhàn)

NAND Flash技術(shù)制程的升級(jí)，在強(qiáng)化了個(gè)別企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力之余，也發(fā)揮了大容量及儲(chǔ)存密度的成本優(yōu)勢(shì)，國(guó)際大廠如三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）與威騰（WD）、美光（Micron）、英特爾、SK海力士（SK Hynix）投入軍備競(jìng)賽的戰(zhàn)線延長(zhǎng)。

目前3D NAND已是各大原廠主要量產(chǎn)制程，其中，三星3D NAND約占85%、東芝與威騰為75%、美光達(dá)到90%，SK海力士也達(dá)到60%，2018年下半起，部分業(yè)者已轉(zhuǎn)向96層堆疊邁進(jìn)，單顆Die容量也邁入1Tb（128GB）。

各家NAND業(yè)者大舉進(jìn)攻新世代制程，2018年也是QLC（4bit/cell）架構(gòu)量產(chǎn)元年，相較目前TLC NAND，QLC NAND技術(shù)的位元密度高出了33%，將可發(fā)揮高容量?jī)?yōu)勢(shì)。

其中美光搶得業(yè)界先發(fā)量產(chǎn)，首先將64層QLC產(chǎn)品推入企業(yè)級(jí)應(yīng)用，鎖定服務(wù)器市場(chǎng)，而三星也不甘示弱切入消費(fèi)性電子市場(chǎng)，并推出1Tb QLC SSD新品，后續(xù)再推出企業(yè)用QLC SSD。三星近期宣布QLC SSD產(chǎn)品價(jià)格，比起2018年1月上市相同容量的TLC SSD約便宜40%左右，儼然透露出積極價(jià)格攻勢(shì)的強(qiáng)烈企圖。

部分反應(yīng)較快的廠商早，已嗅到大容量?jī)r(jià)格戰(zhàn)的到來，從年中起陸續(xù)降價(jià)出清庫(kù)存的中小型容量SSD，試圖降低QLC帶來的沖擊，接下來SK海力士、威騰與東芝也將各自推出自家的QLC產(chǎn)品，容量最高可達(dá)單顆4TB的儲(chǔ)存量，TB級(jí)SSD時(shí)代即將來臨。

不過先前一度傳出64層QLC良率偏低，QLC晶粒良率僅約5成左右，以此估計(jì)，2019年上半恐怕將再度重演2018年市場(chǎng)次級(jí)品拖累價(jià)格的夢(mèng)魘，且QLC制程更為困難，估計(jì)業(yè)界改善量產(chǎn)良率的時(shí)間可能會(huì)再拖長(zhǎng)。

大陸存儲(chǔ)器業(yè)者崛起　NAND扮演領(lǐng)頭羊

據(jù)大陸市調(diào)公司統(tǒng)計(jì)，2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1，500億美元，其中NAND Flash超過570億美元，而大陸市場(chǎng)消耗了全球產(chǎn)能的32%，這意味著大陸已成為全球主要的市場(chǎng)，為了擺脫長(zhǎng)期對(duì)外采購(gòu)的依賴，大陸存儲(chǔ)器芯片自主發(fā)展成為當(dāng)務(wù)之急。