字符，這樣就編譯不過去了，提示在lcd.c中重
新定義 White0[]，怎么
定義呀？？？？？提前謝謝大家?guī)兔Γ。?/div>
2014-12-24 20:25:58
對(duì)MOSFET的重要設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行介紹。 1. 功率損耗MOSFET的功率損耗主要受限于MOSFET的結(jié)溫，基本原則就是任何情況下，結(jié)溫不能超過規(guī)格書里定義的最高溫度。而結(jié)溫是由環(huán)境溫度和MOSFET自身的功耗決定
2018-07-12 11:34:11
速度。更能說明器件實(shí)際開關(guān)速度的是器件的柵極電荷參數(shù)和內(nèi)部柵極電阻，Rg，這兩個(gè)參數(shù)幾乎不受這些技術(shù)指針差距 (specmanship) “游戲”的影響。圖2：定義MOSFET數(shù)據(jù)表開關(guān)時(shí)間的波形
2018-09-05 09:59:06
MOSFET簡(jiǎn)介MOSFET的一些主要參數(shù)MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2021-03-04 06:43:10
什么是MOSFET管？由哪幾部分組成？MOSFET的主要參數(shù)是什么？如何選型？
2022-02-23 06:57:53
的工作環(huán)境，由于其額定溫度為+175°C，因此非常適合用于要求高溫的環(huán)境。Nexperia汽車用MOSFET具有額定重復(fù)性雪崩，開關(guān)速度非?？欤珽SD電阻高。Nexperia MOSFET采用先進(jìn)的業(yè)界領(lǐng)先
2021-01-23 11:20:27
通常為 36V；最大充電電壓為 42 V。額定擊穿電壓介于 45 V 和 52.5 V 之間的 MOSFET 可提供至少 80% 的降額。然而，在這些應(yīng)用中通常使用 60 V MOSFET，因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">提供了
2022-10-28 16:18:03
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
)DSS。它具有正溫度特性。故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮。5、RDS(on)：在特定的VGS（一般為10V）、結(jié)溫及漏極電流的條件下，MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗。它是一個(gè)非常重要
2016-05-23 11:40:20
）其他如板上絲印所示，引出所有未使用到的 IO 管腳
新定義 TBK-RD8T3x 開發(fā)板提供了以上各項(xiàng)功能，同時(shí)新定義 TBK-RD8T3x 開發(fā)板也提供了豐富的開發(fā)板資料，下面給各位朋友列出資料地址
2023-09-24 22:28:07
。
產(chǎn)品資料
新定義TBK-RD8T3x應(yīng)用資料.rar
包含TBK-RD8T37x開發(fā)板原理圖、開發(fā)板板載觸控demo、開發(fā)板使用指南
KEIL 插件RD_KEIL_Setup.rar
安裝以后在
2023-09-24 22:38:03
的推出，為業(yè)界提供了最佳功率密度和低傳導(dǎo)損耗。FDMC8010采用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench技術(shù)，非常適合要求在小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)最低RDS(ON)的應(yīng)用，包括：高性能DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)
2012-04-28 10:21:32
，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。然而，近年來，這些已取得的進(jìn)步開始逐漸弱化，為下一個(gè)突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
范圍內(nèi)，OptiMOS 3器件不僅具備同類最佳性能，而且同時(shí)在幾個(gè)重要參數(shù)上取得了改善。這種全新的器件具備較低的柵極電荷特性、較高的開關(guān)速度和良好的抗雪崩性能，從而成為眾多開關(guān)電源（SMPS）產(chǎn)品的理想之
2018-12-07 10:21:41
尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標(biāo)。實(shí)際應(yīng)用中，選擇緩沖吸收電路參數(shù)時(shí)，為防止 SiC-MOSFET開關(guān)在開通瞬間由于吸收電容器上能量過多、需通過自身放電進(jìn)而影響模塊使用壽命，需要對(duì) RC 緩沖吸收
2025-04-23 11:25:54
（相關(guān)性或優(yōu)先級(jí)）
→ 公共價(jià)值函數(shù)值=目標(biāo)函數(shù)值，定義為所有約束的加權(quán)和。
權(quán)重與貢獻(xiàn)
**優(yōu)化方法的選擇
**
所有提供的優(yōu)化都旨在使目標(biāo)函數(shù)值最小化。
1.選擇優(yōu)化策略（局部或全局）
2.定義
2025-02-28 08:44:06
允許為目標(biāo)值定義參數(shù)約束和權(quán)重值。更多信息請(qǐng)參見：
參數(shù)優(yōu)化文檔的介紹
第一級(jí)次的參數(shù)優(yōu)化
**結(jié)果——公差分析
**
2025-05-22 08:52:40
;  MOSFET的規(guī)格書中，通常會(huì)給出MOSFET的特性參數(shù)，如輸出曲線、輸出電壓、通態(tài)電阻RDS(ON)、柵極閥值電壓VGS(TH)等。在選擇MOSFET時(shí)，需要根據(jù)電路
2010-08-10 11:46:47
HSI_VALUE 值為 4000000，它被重新定義為編譯器指令：-mcpu=cortex-m0plus -std=gnu11 -g3 -DDEBUG -DSTM32L031xx
2022-12-13 06:07:18
各位大神，有沒有經(jīng)典的MOSFET，所給的說明書里，能提供襯底摻雜濃度這樣的信息？ 小弟畢設(shè)要用到這些參數(shù)，奈何市面上很多都沒有這個(gè)信息。特發(fā)此貼，求大神解答、謝！{:1:}
2014-04-19 22:38:47
提供了詳盡的文檔資料，包括技術(shù)規(guī)格、硬件設(shè)計(jì)指南、開發(fā)指南等。這些文檔為開發(fā)者提供了必要的技術(shù)支持和參考資料，有助于更深入地了解NBK-RD8x3x的功能和使用方法。
總結(jié)
綜上所述，新定義mcu
2023-09-24 22:11:00
應(yīng)用圖 4 顯示了使用功率 MOSFET 應(yīng)用的工作條件，其中負(fù)載電感和工作頻率為參數(shù)。市場(chǎng)要求是（1）提高節(jié)能性，（2）降低噪音（環(huán)境考慮），（3）更小、更薄的設(shè)計(jì)。對(duì)于功率MOSFET所要求的特性，重要的特性和規(guī)格自然會(huì)根據(jù)相關(guān)領(lǐng)域和應(yīng)用而有所不同。因此，近出現(xiàn)了針對(duì)特定應(yīng)用的產(chǎn)品的需求。
2024-06-11 15:19:16
MOSFET技術(shù)的過程中，以往常見以QG和QGD(即RDS(on)×QG和RDS(on)×QGD)為基礎(chǔ)的因子(FOM)已無法滿足需求，若堅(jiān)持采用固定因子，將可能導(dǎo)致技術(shù)選擇無法達(dá)成優(yōu)化。通過此次分析的啟示
2019-07-04 06:22:42
。MOSFET數(shù)據(jù)表的第二部分提供器件的電氣特性。每個(gè)參數(shù)被定義為一組特定的測(cè)試條件，并顯示器件的典型值、最小值和最大值。數(shù)據(jù)表的第三部分包含一組典型的性能曲線，描繪器件在多種條件下包括電壓、電流
2018-10-18 09:13:03
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時(shí)候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
單片機(jī)中宏定義與重新定義數(shù)據(jù)類型（typedef）區(qū)別，并且各自的優(yōu)勢(shì)（初學(xué)單片機(jī)）eg:#define SKY unsigned chartypedef unsigned char SKY
2012-08-27 20:21:25
` 功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開關(guān)電源，馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣。通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中，電子工程師對(duì)其的驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注
2011-09-27 11:25:34
確地控制閾值電壓和柵極電阻分布提供了許多優(yōu)勢(shì)。有幾個(gè)這種性質(zhì)的設(shè)備參數(shù)，其中參數(shù)的絕對(duì)值不如觀察到的參數(shù)變化寬度重要。對(duì)這些分布進(jìn)行更嚴(yán)格的控制將使設(shè)計(jì)人員能夠靈活地在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中做出權(quán)衡，根據(jù)特定
2023-02-27 10:02:15
51單片機(jī)里有引腳重新定義命令***it如：***it LED_G = P1^6 ;在pic里頭要把RA0定義為LED_G呢，請(qǐng)教大俠什么實(shí)現(xiàn)：***it LED_G = RA0； 編譯提示錯(cuò)誤的
2013-11-18 17:34:03
■記者：胥京宇愛特梅爾公司推出結(jié)合了 USB 控制器和高性能模擬功能的全新AVR微控制器產(chǎn)品，型號(hào)為 ATmega16UA 和 ATmega32U4。雖然電池供電設(shè)備能夠通過USB連接進(jìn)行充電，然而
2019-06-27 07:20:29
請(qǐng)教大神怎樣去重新定義 _write函數(shù)呢？
2021-12-01 07:55:36
請(qǐng)問AD21版本如何重新定義板子形狀？
2022-02-07 09:15:27
圖取自NXP / Nexperia發(fā)布的本應(yīng)用筆記。結(jié)論本文回顧了在器件選擇中起著重要作用的低頻MOSFET特性。在下一篇文章中，我們將研究動(dòng)態(tài)參數(shù)，由于它經(jīng)常使用FET代替線性控制器作為開關(guān)模式控制器（例如，在開關(guān)穩(wěn)壓器，LED調(diào)光器，音頻放大器中使用），因此動(dòng)態(tài)參數(shù)在當(dāng)今尤為重要。
2019-10-25 09:40:30
傳感器參數(shù)來優(yōu)化實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)捕獲提供了三個(gè)技巧。您可能需要監(jiān)控電機(jī)的位置和轉(zhuǎn)速、調(diào)節(jié)電動(dòng)汽車(EV)充電站的輸出功率，甚至需要測(cè)量車輛與其前方停車間的極近距離。無論什么應(yīng)用，對(duì)于閉環(huán)系統(tǒng)的安全
2022-11-03 07:33:52
和編譯器并使其工作。他們的最終產(chǎn)品不是芯片。而是系統(tǒng)，他們需要能有效地解決他們的問題的東西。你提供的是一種尺寸縮減的帶有大量功能和選項(xiàng)的器件，所以你需要滿足每個(gè)人的需求，從最高級(jí)的用戶到開發(fā)一次性產(chǎn)品
2018-01-10 15:45:47
Diodes推出為VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來一種更堅(jiān)固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性
2009-12-03 09:50:37
1060 Diodes針對(duì)VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET，可極大降低成本
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來一種更堅(jiān)固的解決方案，極大地降低了電路
2009-12-04 08:33:09933 飛兆UniFET II MOSFET優(yōu)化消費(fèi)產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器
2011-02-09 10:53:021378 2015年2月4日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 宣布推出了四款全新SIMPLE SWITCHER? 超小型電源模塊。這幾款模塊重新定義了應(yīng)用于較小空間的電源設(shè)計(jì)。
2015-02-04 11:06:321639 通過高壓創(chuàng)新重新定義電源管理，感興趣的可以瞧一瞧。
2016-11-16 15:22:12
1 中國(guó)北京2017年6月6日訊 – 全球領(lǐng)先的測(cè)量解決方案提供商——泰克科技公司再次突破創(chuàng)新障礙，基于全新平臺(tái)推出5系列混合信號(hào)示波器（MSO）。為了更好地滿足現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，5系列MSO融入大量
2017-06-06 17:43:261468 智能家居新定義有兩個(gè)變化：增加了人工智能技術(shù)、明確了營(yíng)造個(gè)性化的智慧健康場(chǎng)景這一功能需求。
2018-08-08 16:41:341085 有一個(gè)共同的用戶界面所有的工具在你的設(shè)計(jì)過程聽起來像一個(gè)好主意,但是你會(huì)使用Microsoft?Excel寫一本書嗎?更好的方法是優(yōu)化的用戶界面手頭的任務(wù)。墊提供特定于任務(wù)的用戶界面,這樣你可以盡可能高效地交付高質(zhì)量的產(chǎn)品。
2019-10-10 07:02:003893 總部位于荷蘭的分立和 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC領(lǐng)域的專家Nexperia公司今日推出一款全新高質(zhì)量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功率汽車雙極晶體管（符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
2019-12-03 09:32:353351 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。
2020-05-09 11:07:263713 ，部分供應(yīng)商和制造商。 嵌入式世界今天，PCB設(shè)計(jì)軟??件的全球領(lǐng)導(dǎo)者altium宣布推出新的基于云的應(yīng)用程序，該應(yīng)用程序重新定義了設(shè)計(jì)師之間共享印刷電路板設(shè)計(jì)的方式，部分供應(yīng)商和制造商。！ 由Altium 365云平臺(tái)提供支持的A365 Viewer是一種全新的創(chuàng)新方式，
2020-10-27 09:57:462869 的一些等效圖。 IXYS為數(shù)據(jù)表提供的參數(shù)對(duì)于選擇合適的器件以及重新檢測(cè)其在應(yīng)用中的性能至關(guān)重要。數(shù)據(jù)表中包含的圖表代表典型的性能特征，可用于從一組工作條件推斷出另一組工作條件。功率MOSFET通常包含一個(gè)體二極管，該二極管在感性負(fù)載開關(guān)中提供
2021-05-26 14:52:162631 
，一項(xiàng)默認(rèn)開啟的新功能：優(yōu)化電池充電，為iPhone的電池提供了一種全新的保護(hù)體驗(yàn)。 小黑承認(rèn)，這個(gè)標(biāo)題略有一些標(biāo)題黨的嫌疑，不過這句話本身倒是沒有什么問題，因?yàn)樵陂_啟iPhone的優(yōu)化電池充電之后，iPhone將在某些時(shí)間暫緩充電到80%以上，
2020-12-01 09:41:488836 重新定義ADC在無線領(lǐng)域的角色
2021-05-26 16:23:081 Nexperia今天宣布，其位于德州達(dá)拉斯的全新設(shè)計(jì)中心正式啟動(dòng)。值此成為獨(dú)立實(shí)體五周年之際，這一舉措標(biāo)志Nexperia朝著2030年成為全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)的既定目標(biāo)又邁出了重要的一步。
2022-03-25 09:13:241325 
基本半導(dǎo)體專家Nexperia今天宣布為其 MOSFET 器件發(fā)布新的增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為其 MOSFET 提供仿真模型，但這些模型通常只包含在典型工作溫度下建模的有限數(shù)量的器件參數(shù)
2022-03-28 09:56:055026 Nexperia全新POWER MOSFET工程師設(shè)計(jì)指南 認(rèn)識(shí)理解功率 MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的參數(shù) 功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩強(qiáng)度限值 RC 熱阻模型的使用 基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設(shè)
2022-04-07 11:40:220 小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護(hù)器件，如今更進(jìn)一步，Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運(yùn)用到MOSFET產(chǎn)品組合中
2022-07-06 16:13:221106 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個(gè)工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。
2022-09-21 00:08:341458 TI全新Sitara?? AM2x系列重新定義MCU，處理能力相比現(xiàn)有器件提高10倍
2022-10-28 12:00:090 通過高壓創(chuàng)新 重新定義電源管理
2022-11-02 08:16:230 全面優(yōu)化12V熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用中控制浪涌電流的RDS(on)和SOA ? 奈梅亨， 2022 年 11 月 18 日： 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布擴(kuò)展其適用于熱插拔
2022-11-18 10:32:58992 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)展其適用于熱插拔和軟啟動(dòng)的 ASFET 產(chǎn)品組合，推出 10 款全面優(yōu)化的 25V 和 30V 器件。新款器件將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先
2022-11-21 16:11:381509 邊緣計(jì)算如何重新定義 IIoT 應(yīng)用程序
2023-01-03 09:45:081377 
、可靠的線性模式性能、增強(qiáng)保護(hù)或EMI特性等。突然之間，一系列全新的MOSFET參數(shù)（例如安全工作區(qū)域(SOA)）已經(jīng)成為某個(gè)特定應(yīng)用的關(guān)鍵參數(shù)。而優(yōu)化這些參數(shù)通常會(huì)對(duì)歷來很重要的參數(shù)產(chǎn)生直接負(fù)面影響。
2023-02-08 09:22:391232 用于功率 MOSFET 的 SPICE 和 VHDL-AMS 中的 Nexperia 精密電熱模型-AN90034
2023-02-09 21:43:380 MOSFET 和 GaN FET 應(yīng)用手冊(cè)-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1692 NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET 中的最大連續(xù)電流-AN90016
2023-02-17 19:38:100 Nexperia（安世半導(dǎo)體）的高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，共將分為（上）（下）兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品及封裝等
內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia（安世半導(dǎo)體）氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝
2023-02-22 15:40:430 超重載AGV領(lǐng)域全新一代單只載荷20T“神獸級(jí)”舵輪-讓鳳凰動(dòng)力重新定義“精工制造”
2023-03-03 14:23:402600 
日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET (ASFET) 新產(chǎn)品組合，重點(diǎn)發(fā)布的 BUK9M20-60EL 為單 N 溝道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:111160 Nexperia ASFET 是定制器件。經(jīng)過優(yōu)化，可用于特定的設(shè)計(jì)和 IU。通過專注于對(duì)某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù)，它提供全新性能水平，從而最好地滿足系統(tǒng)要求。
2023-11-02 16:07:451370 
) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。 三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)
2023-11-14 10:06:00692 
Nexperia 適用于 36V 電池系統(tǒng)的特定應(yīng)用 MOSFET
2023-11-30 11:47:401120 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia NEH2000BY 能量采集 PMIC產(chǎn)品手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-08 16:57:382 全球知名半導(dǎo)體制造商Nexperia（安世半導(dǎo)體）在最近的APEC上展示了其最新的產(chǎn)品創(chuàng)新，宣布推出幾款新型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），以進(jìn)一步擴(kuò)大其分立開關(guān)解決方案的覆蓋范圍。這些新產(chǎn)品旨在滿足多個(gè)終端市場(chǎng)中各種應(yīng)用的需求。
2024-03-04 11:41:461356 全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Nexperia（安世半導(dǎo)體）最近發(fā)布了全新的專用于監(jiān)測(cè)和保護(hù)1.8V電子系統(tǒng)的4通道和8通道模擬開關(guān)系列產(chǎn)品。這一創(chuàng)新系列產(chǎn)品的推出，旨在滿足汽車、消費(fèi)類電子產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用等多樣化領(lǐng)域?qū)Ω咝阅苣M開關(guān)的需求。
2024-03-11 10:08:351422 英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695 近日，全球知名的半導(dǎo)體制造商Nexperia(安世)半導(dǎo)體推出采用D2PAK-7SMD封裝的高度先進(jìn)的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次發(fā)布的MOSFET共包含四種不同選項(xiàng)，RDSon值
2024-05-23 10:57:391110 
隨著可穿戴設(shè)備市場(chǎng)的持續(xù)繁榮，如何在極其緊湊的電路板空間中集成多種功能成為行業(yè)面臨的重要挑戰(zhàn)。近日，半導(dǎo)體巨頭Nexperia推出了一款專為便攜設(shè)備設(shè)計(jì)的微型尺寸DFN0603 MOSFET，為設(shè)計(jì)師們提供了全新的解決方案。
2024-05-28 09:59:281245 隨著設(shè)計(jì)人員打破應(yīng)用性能界限，了解如何在應(yīng)用中使用MOSFET至關(guān)重要。過去，具有給定的品質(zhì)因數(shù)(FOM)的標(biāo)準(zhǔn)功率開關(guān)基本上適用于任何應(yīng)用。但是，為了滿足特定的應(yīng)用要求或功能，越來越需要優(yōu)化
2024-07-15 16:07:171031 全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)領(lǐng)軍者Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略舉措，旨在持續(xù)強(qiáng)化其NextPower系列MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的產(chǎn)品陣容。此次擴(kuò)充
2024-08-13 14:33:141160 公司紛紛擴(kuò)展了各自的MOSFET產(chǎn)品線，以滿足行業(yè)的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。Navitas、東芝和Nexperia的新型MOSFETNexperia最近擴(kuò)展了其NextPowe
2024-08-27 11:47:541396 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度
2024-12-12 11:35:134678 提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力 ? 奈梅亨，2024 年12 月12 日 ：Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片
2024-12-16 14:09:09578 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）正在通過全新NEH71x0電源管理IC（PMIC）系列擴(kuò)展能源采集產(chǎn)品組合。新發(fā)布的先進(jìn)PMIC系列結(jié)合了卓越的性能、高性價(jià)比和多功能性，為低功耗應(yīng)用的可持續(xù)設(shè)計(jì)建立了新的標(biāo)準(zhǔn)。
2025-01-22 11:31:151074 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 17:21:182 Nexperia（安世半導(dǎo)體）融合其近20年來在高質(zhì)量、高穩(wěn)健性SMD封裝方面的豐富生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合?；诖司媒?jīng)考驗(yàn)的封裝技術(shù)，CCPAK作為一種真正創(chuàng)新的封裝提供了業(yè)界領(lǐng)先的性能。
2025-02-19 13:45:011015 Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001233 在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381107 
、高性能、高可靠性，同時(shí)也注重成本效益。因此，對(duì)于大部分電源、充電器、電池管理系統(tǒng) (BMS) 和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，關(guān)鍵在于以適當(dāng)?shù)男〕叽绶庋b和合適的價(jià)格提供恰當(dāng)?shù)腞DS(on)值。Nexperia新發(fā)布的MLPAK33封裝的60 V MOSFET系列產(chǎn)品正好滿足了這一市場(chǎng)需求。
2025-05-23 13:33:33781 面對(duì)大功率和高電壓應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求，Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、超快的開關(guān)速度以及超強(qiáng)的短路耐受性，是電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)的不二選擇。
2025-06-14 14:56:401365 
顛覆能效極限！基本股份BASiC SiC MOSFET工業(yè)模塊——重新定義高端電力電子系統(tǒng) 在光伏逆變器呼嘯而轉(zhuǎn)、超級(jí)充電樁極速賦能、工業(yè)焊機(jī)火花飛濺的背后，一場(chǎng)由碳化硅技術(shù)引領(lǐng)的能源革命正悄然爆發(fā)
2025-07-08 06:29:15543 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合，該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護(hù)及LED照明應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-09-12 09:38:45630 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，為旗下不斷擴(kuò)充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校，可滿足特定終端應(yīng)用的嚴(yán)苛需求。其中，80 V
2025-10-10 11:22:27701 
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