【2022年5月10日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發(fā)布了一項(xiàng)全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200 V
2022-05-10 14:10:02
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【2022年5月10日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出CIPOS Tiny IM323-L6G?600 V 15 A新產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)展其
2022-05-10 17:38:123600 
），進(jìn)一步壯大其高功率Prime Switch系列的產(chǎn)品陣容。該P(yáng)PI專為輸配電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，是大電流模塊化多電平轉(zhuǎn)換器（MMC）、中壓驅(qū)動(dòng)器、直流電網(wǎng)斷路器、風(fēng)電變流器和牽引系統(tǒng)的理想選擇
2022-05-30 16:44:423478 
ROHM第5代平面肖特基勢(shì)壘二極管的效率比上一代產(chǎn)品又提高了25%，有助于進(jìn)一步提高開關(guān)電源的效率。
2024-08-09 15:21:4114329 
瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:282027 英飛凌科技股份公司（FSE代碼： IFX / OTCQX代碼： IFNNY）進(jìn)一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對(duì)所有標(biāo)準(zhǔn)封裝實(shí)現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS（on）。另外，得益于低開關(guān)損耗，還可在任何負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)能效改進(jìn)。
2013-05-20 11:31:282996 12月1日起，尼吉康株式會(huì)社開始提供可在國(guó)內(nèi)外的主要CAD軟件上使用的“3DCAD*１數(shù)據(jù)（STEP文件格式及IGES文件格式）”。至此，能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高效率的電路設(shè)計(jì)，為縮短設(shè)計(jì)時(shí)間和實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)設(shè)計(jì)做出貢獻(xiàn)。
2017-11-30 09:37:458942 LabVIEW 2019 和 LabVIEW NXG 提供簡(jiǎn)化的安裝程序和更好的互操作性，幫助工程師進(jìn)一步提高工作效率。
2019-06-17 14:54:074314 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN）市場(chǎng)。
2019-11-22 15:16:322459 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001692 新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn)，具備出色的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗，特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。
2021-08-06 15:40:472291 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
英飛凌科技宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對(duì)分立式汽車牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化，進(jìn)一步豐富了英飛凌車規(guī)級(jí)分立式高壓器件的產(chǎn)品陣容。
2022-03-21 14:14:042272 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共
2023-11-03 11:40:491464 
【 2023 年 11 月 29 日 ， 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET
2023-12-05 17:03:491311 
晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費(fèi)和工業(yè)開關(guān)電源（SMPS）、可再生能源，以及
2024-11-20 18:27:291134 
：“英飛凌多年來一直引領(lǐng)著功率半導(dǎo)體的發(fā)展，致力于進(jìn)一步提高電源管理效率，是一個(gè)值得信賴的合作伙伴。借助英飛凌的功率半導(dǎo)體器件，我們能夠?qū)⑷N應(yīng)用整合到一個(gè)系統(tǒng)中，向著綠色能源的發(fā)展目標(biāo)邁出了一大步
2022-08-09 15:17:41
2018年6月1日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高
2018-10-23 16:21:49
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
及設(shè)備用電安全的需要，更進(jìn)一步提高電源的可靠性，及時(shí)發(fā)現(xiàn)供電隱患，提高設(shè)備的運(yùn)行壽命，對(duì)電源進(jìn)行在線管理已經(jīng)成為普遍的需求。針對(duì)早期的UPS電源的RS232標(biāo)準(zhǔn)，已經(jīng)無(wú)法滿足目前計(jì)算機(jī)硬件及軟件技...
2021-12-28 08:05:27
的TO247-4L IGBT將可為相關(guān)應(yīng)用提供更高的效能與更佳的成本效益，究竟它是如何辦到的？讓我們來進(jìn)一步深入了解。
2019-07-18 06:12:00
提高開關(guān)電源的效率一直是開關(guān)電源設(shè)計(jì)者不懈的追求。要進(jìn)一步提高開關(guān)電源的效率首先應(yīng)該知道開關(guān)電源的損耗產(chǎn)生自哪里，哪一部分損耗可以減小，哪一部分損耗基本上不能減小，采用何種方式是最有效、最實(shí)際的減小
2016-06-12 12:39:36
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，減少對(duì)散熱器
2021-11-09 16:36:57
降壓型轉(zhuǎn)換器的電氣原理圖LTC7803如何提高效率和EMI標(biāo)準(zhǔn)合規(guī)性
2021-03-11 06:25:16
SOP位移傳感器防水功能將進(jìn)一步提高位移傳感器應(yīng)用的行業(yè)越來越廣，使用的環(huán)境也是各種各樣，SOP位移傳感器有些系列可以適用于潮濕、油污、灰塵等各種惡劣環(huán)境，但是有好些客戶問咱們的位移傳感器防水
2019-08-20 16:40:48
有什么方法可以進(jìn)一步降低待機(jī)模式的功耗
2023-10-12 07:23:28
keil5提高效率的技巧：1.編寫程序時(shí)右鍵點(diǎn)擊即可快速添加頭文件。2.固定模板可以在“Templates”中寫入，使用時(shí)可直接引用。3.模塊化編程，即編寫頭文件，之前的博客有提到，這里不再贅述。...
2022-01-12 07:53:28
中國(guó)上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
在實(shí)際的應(yīng)用電路中，二極管和晶體管因其特性和性能不同而需要區(qū)分使用。在電源類應(yīng)用中區(qū)分使用的主要目的是提高效率。本文將介紹PFC（功率因數(shù)改善）的一個(gè)例子，即利用二極管的特性差異來改善臨界模式
2018-11-27 16:46:59
的例子中，開關(guān)損耗可以降低24%。此外，還可以 在更寬的工作頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)97%以上的高效率 ，在工作頻率為100kHz時(shí)與IGBT相比效率提高3%，可進(jìn)一步降低車載和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用的功耗。此外
2022-07-27 10:27:04
單片機(jī)驅(qū)動(dòng)LCD如果提高效率
2023-10-23 07:44:25
上升、Ron增加、故芯片溫度進(jìn)一步上升的“熱失控”狀態(tài)。而Hybrid MOS即使在高溫狀態(tài)下，Ron及Ron的變動(dòng)非常小，在Tj＝125℃、ID＝20A條件下的比較中，Ron換算結(jié)果減少達(dá)62%。在
2018-11-28 14:25:36
GN1302 晶振引腳連接 2 個(gè) 30pf 電容，每天大約慢 4 秒，如何進(jìn)一步提高精度?時(shí)鐘每天慢 4 秒是因?yàn)榫д竦耐獠控?fù)載電容過大，即 30pf 電容過大。如果使用的晶振的負(fù)載電容參數(shù)為
2022-12-29 17:36:43
如何進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)RFID的安全隱私保護(hù)？
2021-05-26 06:09:27
濾波電感。有了電容濾波器，LLC轉(zhuǎn)換器還可以使用額定電壓較低的整流器，從而降低系統(tǒng)成本。此外，次級(jí)側(cè)整流器可實(shí)現(xiàn)零電流轉(zhuǎn)換，大大減少了反向恢復(fù)損耗。利用LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的各項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，可進(jìn)一步提高效率，降低
2022-11-10 06:45:30
本應(yīng)用指南介紹了使用 UCC28056 優(yōu)化過渡模式 PFC 設(shè)計(jì)以提高效率和待機(jī)功耗的設(shè)計(jì)決策。
2021-06-17 06:52:09
方法限制了從一個(gè)逆變器單元到另一個(gè)逆變器單元的設(shè)計(jì)靈活性和優(yōu)化，在某些拓?fù)渲?，在單個(gè)逆變器單元內(nèi)也是如此。適用于不同工作頻率的IGBT有助于提高效率戴通的新產(chǎn)品展示了提供針對(duì)不同工作頻率進(jìn)行優(yōu)化的IGBT
2023-02-27 09:54:52
如何讓計(jì)算機(jī)視覺更進(jìn)一步接近人類視覺？
2021-06-01 06:27:08
網(wǎng)絡(luò)時(shí)間協(xié)議NTP是什么意思？NTP授時(shí)的原理是什么？怎樣去進(jìn)一步提高NTP的授時(shí)精度呢？
2021-11-01 07:12:40
無(wú)線充電怎么提高效率呢，急需
2015-10-19 10:43:15
第二十章提高效率技巧1. 利用GVIM制作模板http://yunpan.cn/cjZTiDA9pY56x訪問密碼 c359
2015-11-07 09:22:06
級(jí)放大再加給AD7714時(shí)，測(cè)得人分辨率還要低一些。由于是用干電池得到AD7714的輸入信號(hào)，該信號(hào)相對(duì)來說很穩(wěn)定，而且板上的噪聲也不是太大。請(qǐng)問各位大蝦，還有什么方法可以進(jìn)一步提高AD7714的分辨率??？不勝感激！
2023-12-25 06:33:32
如何進(jìn)一步減小DTC控制系統(tǒng)的轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)？
2023-10-18 06:53:31
提高了50V，達(dá)到650V。圖1圖1 全新650V IGBT4的截面圖。相對(duì)于600V IGBT3的改進(jìn)：芯片厚度增加 （y）、溝道寬度降低（z）、背部P射極能效提高。650V IGBT4動(dòng)態(tài)特性
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
的SJ-MOSFET。通過降低柵極電阻Rg和柵極-漏極間電荷量Qgd，提高了開關(guān)性能。通過提高開關(guān)速度，可降低開關(guān)損耗并提高效率。最后列出了這三個(gè)系列相關(guān)技術(shù)信息的鏈接。這里雖然給出了各系列的特征，但為了進(jìn)一步
2018-12-03 14:27:05
卡套管的使用有助于提高效率并達(dá)到更合格的標(biāo)準(zhǔn)
Enhancing Efficient and Reaching Higher Standard by using Clip Tubes
2009-03-14 17:26:09
11 一種提高效率和減小電壓紋波的電荷泵:提出了一種經(jīng)穩(wěn)壓后的電荷泵架構(gòu)，通過改進(jìn)傳統(tǒng)四相位電荷泵的輸出級(jí)使效率提高了5%，通過改進(jìn)傳統(tǒng)的控制時(shí)鐘方案使輸出電壓紋波降低
2009-12-14 09:41:1521 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:262309 英飛凌目前正推出另一項(xiàng)重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172280 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16897 飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:221087 英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021772 2014年10月21日，北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出多款堅(jiān)固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴(kuò)充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:422388 e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381775 2015年3月2日，德國(guó)慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓應(yīng)用于汽車中的高速開關(guān)實(shí)現(xiàn)最高效率的高堅(jiān)固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291759 2016年5月10日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091448 意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:432436 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP?5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與
2018-06-04 08:31:002707 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進(jìn)一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達(dá)75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時(shí)還集成全額定電流反
2018-05-18 09:04:002436 東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET，新器件進(jìn)一步提高電源效率。在這個(gè)連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155921 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)和開發(fā)更具價(jià)格優(yōu)勢(shì)，性能一代更比一代強(qiáng)。因此，G6是英飛凌最具有性價(jià)比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價(jià)格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:524926 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 什么樣的MOSFET才適合儲(chǔ)能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲(chǔ)能系統(tǒng)輕松實(shí)現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設(shè)計(jì)。
2020-08-21 14:01:251416 
英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率
2021-03-01 12:16:023163 ，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續(xù)流二極管，在硬換流的場(chǎng)合，至少有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)： 沒有Si二極管的反向恢復(fù)
2021-03-26 16:40:203459 
AN144-通過靜默交換機(jī)設(shè)計(jì)降低EMI并提高效率
2021-05-07 15:27:556 開關(guān)電源如何提高效率？ 1.增大高壓電容容量。 2.加強(qiáng)變壓器制作工藝，減小漏感。 3.增大分壓取樣電阻阻值， 4.增大LED供電電阻值， 5.減少輸入熱敏電阻阻值.
2021-06-17 11:45:1716 深成科技：深圳圓柱電池分選機(jī)怎么提高效率？
2021-12-28 17:54:08906 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
使用 DSN2 肖特基二極管提高效率
2022-11-15 20:25:240 Nexperia的LFPAK88不使用內(nèi)部焊線，減小了源極引腳長(zhǎng)度，從而最大程度地減少在開關(guān)過程中產(chǎn)生的寄生源極電感，以此提高效率。 無(wú)引腳(QFN)封裝或開爾文源極連接等備選方案也具有類似的優(yōu)點(diǎn)，但它們也存在很大的缺陷，這就使得“提高效率的捷徑”LFPAK88成為我們的首選。
2023-02-10 09:38:031355 
英飛凌和Schweizer Electronic AG正在合作，將英飛凌的1200V CoolSiC?芯片嵌入印刷電路板(PCB)，以提高基于碳化硅的芯片效率。
2023-05-05 10:31:311477 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NIKKEI邏輯整合Brocade SAN以提高效率和安全性.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-30 10:36:070 英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求
2023-11-21 08:14:061085 
帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓?fù)浜虵REDFET來提高效率
2023-12-08 17:35:561465 
英飛凌IGBT單管命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:352305 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個(gè)引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-02-01 10:50:021808 BOSHIDA ?提高效率的DC電源模塊設(shè)計(jì)技巧 設(shè)計(jì)高效率的BOSHIDA ?DC電源模塊可以幫助減少能源浪費(fèi)和提高系統(tǒng)功耗，以下是一些設(shè)計(jì)技巧： 1. 選擇高效率的功率轉(zhuǎn)換器：選擇具有高效率
2024-02-26 14:27:381517 
碳化硅（SiC）技術(shù)一直是推動(dòng)高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術(shù)，也是要在這個(gè)領(lǐng)域提高了MOSFET的性能指標(biāo)，擴(kuò)大還在光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電等領(lǐng)域的市場(chǎng)份額。
2024-03-12 09:33:261841 
本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:0746430 
近日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:192224 英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:201986 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《取得平衡：可提高效率并控制EMI的汽車設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-28 11:58:110 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《D類放大器中用于提高效率的 Y 橋應(yīng)用說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-13 11:03:480 森國(guó)科近期推出的650V/60A IGBT（型號(hào)：KG060N065LD-R），憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能，在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 15:41:59898 森國(guó)科推出的650V/6A IGBT（型號(hào)：KG006N065SD-B）在風(fēng)扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應(yīng)用上做到了高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)和精準(zhǔn)控制。
2024-11-13 16:36:131162 
英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視
2024-11-28 01:00:46839 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN144-通過靜音開關(guān)設(shè)計(jì)降低EMI并提高效率.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-12 11:20:280 公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
隨著便攜儲(chǔ)能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對(duì)高效率、高功率密度需求的不斷提升，IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件，其性能已成為決定整機(jī)效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)高性能功率器件的迫切需求，龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877 
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